JPH0289352A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0289352A JPH0289352A JP24201188A JP24201188A JPH0289352A JP H0289352 A JPH0289352 A JP H0289352A JP 24201188 A JP24201188 A JP 24201188A JP 24201188 A JP24201188 A JP 24201188A JP H0289352 A JPH0289352 A JP H0289352A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- cooling piece
- insulating plate
- current terminal
- piece
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、電気絶縁形の半導体装置に関し、特にその
放熱部を確保するためのボルト取付機構の改良に関する
。
放熱部を確保するためのボルト取付機構の改良に関する
。
一般に、大電力用のダイオード、サイリスタ等の半導体
素子を使用する電気絶縁形の半導体装置においては、半
導体素子が動作することによって発生する熱を放熱させ
るための放熱手段が必要である。
素子を使用する電気絶縁形の半導体装置においては、半
導体素子が動作することによって発生する熱を放熱させ
るための放熱手段が必要である。
第２図はこの種の従来の半導体装置を示す一部切欠側面
図である。同図に示すように、中央に設けられる半導体
素子１の一方の主電極面には、電流端子２、優れた熱伝
導性を有するセラミック等からなる絶縁板３、銅または
アルミニウム等の優れた熱伝導性を有する金属からなる
冷却片４が順次積重ねられる。一方、半導体素子１の他
方の主電極面には、電流端子５、セラミック等の絶縁板
６、板ばね等の金属弾性押圧体７が積重ねられる。
図である。同図に示すように、中央に設けられる半導体
素子１の一方の主電極面には、電流端子２、優れた熱伝
導性を有するセラミック等からなる絶縁板３、銅または
アルミニウム等の優れた熱伝導性を有する金属からなる
冷却片４が順次積重ねられる。一方、半導体素子１の他
方の主電極面には、電流端子５、セラミック等の絶縁板
６、板ばね等の金属弾性押圧体７が積重ねられる。
そして、４個の締付ボルト８，８（同図において２個の
み示す）を、冷却片４の下方より冷却片４の四隅と金属
弾性押圧体７の四隅にそれぞれ貫通させてナツト９．９
をそれぞれ締結することにより、上記積層体を加圧挟持
して半導体装置が構成される。
み示す）を、冷却片４の下方より冷却片４の四隅と金属
弾性押圧体７の四隅にそれぞれ貫通させてナツト９．９
をそれぞれ締結することにより、上記積層体を加圧挟持
して半導体装置が構成される。
この装置の組付手順は、まず冷却片４に締付ボルト８．
８を貫通し、締付ボルト８．８を図示しないボルト固定
治具で固定しながら、絶縁板３゜電流端子２．半導体素
子１．電流端子５および絶縁板６を順次積重ね、その後
金属弾性押圧体７で絶縁板６を下方へ押付けるようにナ
ツト９，９を締付ボルト８，８に締結する。
８を貫通し、締付ボルト８．８を図示しないボルト固定
治具で固定しながら、絶縁板３゜電流端子２．半導体素
子１．電流端子５および絶縁板６を順次積重ね、その後
金属弾性押圧体７で絶縁板６を下方へ押付けるようにナ
ツト９，９を締付ボルト８，８に締結する。
このような半導体装置においては、冷却片４の放熱面４
ａを図示しない外部冷ｎ１片に圧接するように取付けて
、半導体素子１のその動作中に発生する熱を、電流端子
２．絶縁板３および冷却片４を介して上記図示しない外
部冷却片に放熱して外部に発散させるようにしている。
ａを図示しない外部冷ｎ１片に圧接するように取付けて
、半導体素子１のその動作中に発生する熱を、電流端子
２．絶縁板３および冷却片４を介して上記図示しない外
部冷却片に放熱して外部に発散させるようにしている。
このような半導体装置では、放熱が十分に行なえるよう
に、冷却片４の放熱面４ａの面積を大きく確保すること
が望まれるが、従来の半導体装置では、締付ボルト８．
８で加圧挟持するように構成しているため、冷却片４に
ボルト取付用の切欠部１０．１０を形成しなければなら
ず、その分数熱面４ａの面積が減少して放熱性能に劣り
、蓄積された熱により通電能力が低下するという問題が
あった。
に、冷却片４の放熱面４ａの面積を大きく確保すること
が望まれるが、従来の半導体装置では、締付ボルト８．
８で加圧挟持するように構成しているため、冷却片４に
ボルト取付用の切欠部１０．１０を形成しなければなら
ず、その分数熱面４ａの面積が減少して放熱性能に劣り
、蓄積された熱により通電能力が低下するという問題が
あった。
この発明は、上記従来技術の問題を解消し、放熱性能に
優れた半導体装置を提供することを目的とする。
優れた半導体装置を提供することを目的とする。
この発明は、半導体素子の一方の主電極面に第１の電流
端子、第１の絶縁板および冷ｕＩ片を順次積重ねるとと
もに、他方の主電極面に第２の電流端子、第２の絶縁板
Ｊ３よび弾性押圧体を順次積重ねた積層体を、締付ボル
トにより加圧挟持した半導体装置であって、上記目的を
達成するため、前記締付ボルトの頭部を前記冷却片に埋
設している。
端子、第１の絶縁板および冷ｕＩ片を順次積重ねるとと
もに、他方の主電極面に第２の電流端子、第２の絶縁板
Ｊ３よび弾性押圧体を順次積重ねた積層体を、締付ボル
トにより加圧挟持した半導体装置であって、上記目的を
達成するため、前記締付ボルトの頭部を前記冷却片に埋
設している。
この発明における半導体装置は、締付ボルトの頭部を冷
部１片に埋設することにより、冷却片の放熱面にボルト
取付用の切欠部を形成する必要がなく、その分数熱面を
大きく設定することができる。
部１片に埋設することにより、冷却片の放熱面にボルト
取付用の切欠部を形成する必要がなく、その分数熱面を
大きく設定することができる。
第１図はこの発明の一実施例である半導体装置を示す一
部切欠側面図である。同図に示すように、この半導体装
置は、半導体素子１１と電流端子１２．１５と、セラミ
ック等の絶縁板１３．１６と、銅またはアルミニウム等
により構成される冷却片１４と、板ばね等の金属弾性押
圧体１７とからなる積層体を、４個の締付ボルト１８．
１８（同図において２個のみ示す）により加圧挟持した
半導体装置である。上記４個の締付ボルト１８．１８の
頭部１８ａ、１８ａはあらかじめ冷部片１４内の四隅に
鋳物あるいはダイガスト製法によりそれぞれ埋設されて
おり、上記積層体を加圧挟持するにあたり、締結ボルト
１８．１８の先端部１８ｂ。
部切欠側面図である。同図に示すように、この半導体装
置は、半導体素子１１と電流端子１２．１５と、セラミ
ック等の絶縁板１３．１６と、銅またはアルミニウム等
により構成される冷却片１４と、板ばね等の金属弾性押
圧体１７とからなる積層体を、４個の締付ボルト１８．
１８（同図において２個のみ示す）により加圧挟持した
半導体装置である。上記４個の締付ボルト１８．１８の
頭部１８ａ、１８ａはあらかじめ冷部片１４内の四隅に
鋳物あるいはダイガスト製法によりそれぞれ埋設されて
おり、上記積層体を加圧挟持するにあたり、締結ボルト
１８．１８の先端部１８ｂ。
１８ｂを金属弾性押圧体１７に貫通させその先端部１８
ｂ、１８ｂにナツト１９．１９をそれぞれ螺合すること
により、金属弾性押圧体１７を冷却片４側へ押圧し、こ
れにより上記積層体を加圧挟持している。
ｂ、１８ｂにナツト１９．１９をそれぞれ螺合すること
により、金属弾性押圧体１７を冷却片４側へ押圧し、こ
れにより上記積層体を加圧挟持している。
この装置の組付手順は、まず締付ボルト１８゜１８の先
端部１８ｂ、１８ｂが上方へ向くように、冷却片１４を
配置し、絶縁板１３、電流端子１２、半導体素子１１、
電流端子１５および絶縁板１６を順次積重ね、その後金
属弾性押圧体１７で絶縁板１６を下方へ押付けるように
ナツト１９．１９を締付ボルト１８．１８に締結する。
端部１８ｂ、１８ｂが上方へ向くように、冷却片１４を
配置し、絶縁板１３、電流端子１２、半導体素子１１、
電流端子１５および絶縁板１６を順次積重ね、その後金
属弾性押圧体１７で絶縁板１６を下方へ押付けるように
ナツト１９．１９を締付ボルト１８．１８に締結する。
この半導体装置によれば、締付ボルト１８，１８の頭部
１８ａ、１８ａを冷却片１４の内部に埋設しているため
、例えば第２図に示す従来の半導体装置のように冷ＦＪ
Ｉ片１４の放熱面１４ａにボルト取付用の切欠部１０，
１０を形成する必要がなく、その分数熱面１４ａを大き
く設定することができる。つまり、放熱面１４ａを図示
しない外部冷却片に圧接するように取付けた際に、冷却
片１４と上記外部冷Ｎ１片との接合面積を大きく確保す
ることができ、半導体素子１１の動作中に生じる熱が冷
却片１４から上記外部冷却片に効率よく伝達されて放熱
性能に優れる。この結果、例えば半導体装置の熱に起因
する通電能力の低下を防止することができる。
１８ａ、１８ａを冷却片１４の内部に埋設しているため
、例えば第２図に示す従来の半導体装置のように冷ＦＪ
Ｉ片１４の放熱面１４ａにボルト取付用の切欠部１０，
１０を形成する必要がなく、その分数熱面１４ａを大き
く設定することができる。つまり、放熱面１４ａを図示
しない外部冷却片に圧接するように取付けた際に、冷却
片１４と上記外部冷Ｎ１片との接合面積を大きく確保す
ることができ、半導体素子１１の動作中に生じる熱が冷
却片１４から上記外部冷却片に効率よく伝達されて放熱
性能に優れる。この結果、例えば半導体装置の熱に起因
する通電能力の低下を防止することができる。
また、締付ボルト１８．１８が冷１１片１４に固定され
ているため、半導体装置の組立作業において、上記第２
図に示す従来例では必要な締付ボル上固定治具が不要に
なって組立作業も簡素化される。
ているため、半導体装置の組立作業において、上記第２
図に示す従来例では必要な締付ボル上固定治具が不要に
なって組立作業も簡素化される。
以上のように、この発明の半導体装置によれば、冷却片
に締付ボルトの頭部を埋設しているため、冷却片の放熱
面に締付ボルト取付用の切欠部を形成する必要がなく、
その分冷却片の放熱面を大きく設定できて放熱性能に優
れるという効果が得られる。
に締付ボルトの頭部を埋設しているため、冷却片の放熱
面に締付ボルト取付用の切欠部を形成する必要がなく、
その分冷却片の放熱面を大きく設定できて放熱性能に優
れるという効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例である半導体装置を示す一
部切欠側面図、第２図は従来の半導体装置を示す一部切
欠側面図である。 図において、１１は半導体素子、１２．１５は電流端子
、１３．１６は絶縁板、１４は冷却片、１７は金属弾性
押圧体、１８は締付ボルト、１８ａは頭部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 １８ａ：頭部 １８ｂ−先端＃１９；デアト 第２５ｉ１１
部切欠側面図、第２図は従来の半導体装置を示す一部切
欠側面図である。 図において、１１は半導体素子、１２．１５は電流端子
、１３．１６は絶縁板、１４は冷却片、１７は金属弾性
押圧体、１８は締付ボルト、１８ａは頭部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 １８ａ：頭部 １８ｂ−先端＃１９；デアト 第２５ｉ１１
Claims (1)
- （１）半導体素子の一方の主電極面に第１の電流端子、
第１の絶縁板および冷却片を順次積重ねるとともに、他
方の主電極面に第２の電流端子、第２の絶縁板および弾
性押圧体を順次積重ねた積層体を、締付ボルトにより加
圧挟持した半導体装置において、 前記締付ボルトの頭部を前記冷却片に埋設したことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24201188A JPH0289352A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24201188A JPH0289352A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0289352A true JPH0289352A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=17082934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24201188A Pending JPH0289352A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0289352A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999040625A1 (en) * | 1998-02-06 | 1999-08-12 | Intel Corporation | Thermal bus bar design for an electronic cartridge |
| US6845012B2 (en) | 2000-04-19 | 2005-01-18 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| WO2013121691A1 (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-22 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2016194283A (ja) * | 2015-04-01 | 2016-11-17 | 株式会社デンソー | スタータ |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP24201188A patent/JPH0289352A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999040625A1 (en) * | 1998-02-06 | 1999-08-12 | Intel Corporation | Thermal bus bar design for an electronic cartridge |
| US5990549A (en) * | 1998-02-06 | 1999-11-23 | Intel Corporation | Thermal bus bar design for an electronic cartridge |
| US6845012B2 (en) | 2000-04-19 | 2005-01-18 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| EP1148547A3 (en) * | 2000-04-19 | 2005-06-15 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| US7027302B2 (en) | 2000-04-19 | 2006-04-11 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| US7106592B2 (en) | 2000-04-19 | 2006-09-12 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| US7248478B2 (en) | 2000-04-19 | 2007-07-24 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| US7250674B2 (en) | 2000-04-19 | 2007-07-31 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| EP1742265A3 (en) * | 2000-04-19 | 2011-02-16 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| EP2234154A3 (en) * | 2000-04-19 | 2011-02-16 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| WO2013121691A1 (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-22 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN103843132A (zh) * | 2012-02-14 | 2014-06-04 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| US9076752B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-07-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP2816594A4 (en) * | 2012-02-14 | 2015-08-12 | Panasonic Ip Man Co Ltd | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| JP2016194283A (ja) * | 2015-04-01 | 2016-11-17 | 株式会社デンソー | スタータ |
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