JPH01248629A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01248629A JPH01248629A JP7912388A JP7912388A JPH01248629A JP H01248629 A JPH01248629 A JP H01248629A JP 7912388 A JP7912388 A JP 7912388A JP 7912388 A JP7912388 A JP 7912388A JP H01248629 A JPH01248629 A JP H01248629A
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- fin
- flat
- semiconductor
- contact
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置、特に平型半導体の改良された新
新規な冷却構造を有する半導体装置に関するものである
。
新規な冷却構造を有する半導体装置に関するものである
。
第３図は従来の半導体装置の一例を示す部分断面図であ
り、図において（１）は放熱フィン、（２）は両面に平
面電極を有する平形ダイオード、（３）は平形ダイオー
ド（２）の一方の面に接続される放熱フィン側接続導体
、（４）は放熱フィン側接続導体の外部接続端子部、（
５）は放熱フィンと放熱フィン側電極とを電気的に絶縁
するとともに放熱フィン（１）に平形ダイオード（２）
の発生熱を伝えるための絶縁板、（６）は平型ダイオー
ド（２）の他方の面に接続される引き出し用接続導体、
（７）は引き出し用接続導一体の外部ａ１は押え板、０
υは放熱フィンに取りつけられたボルト、（２）は締め
つけナツトであり、放熱フィン（１）、絶縁板（５）、
フィン側接続導体の圧接部（３ａ）、平形ダイオード（
２）、引き出し用接続導体の圧接部（６ａ）および絶縁
スペーサ（９）は、ボルト（１１）とナツト（６）を締
めつけることにより板ばね（８）により互に強く圧接さ
れるように構成されている。また、（至）はケースであ
り、外部との接続を行う上記両端子部（４）、（７）以
外の導電部を覆って保護をしている。
り、図において（１）は放熱フィン、（２）は両面に平
面電極を有する平形ダイオード、（３）は平形ダイオー
ド（２）の一方の面に接続される放熱フィン側接続導体
、（４）は放熱フィン側接続導体の外部接続端子部、（
５）は放熱フィンと放熱フィン側電極とを電気的に絶縁
するとともに放熱フィン（１）に平形ダイオード（２）
の発生熱を伝えるための絶縁板、（６）は平型ダイオー
ド（２）の他方の面に接続される引き出し用接続導体、
（７）は引き出し用接続導一体の外部ａ１は押え板、０
υは放熱フィンに取りつけられたボルト、（２）は締め
つけナツトであり、放熱フィン（１）、絶縁板（５）、
フィン側接続導体の圧接部（３ａ）、平形ダイオード（
２）、引き出し用接続導体の圧接部（６ａ）および絶縁
スペーサ（９）は、ボルト（１１）とナツト（６）を締
めつけることにより板ばね（８）により互に強く圧接さ
れるように構成されている。また、（至）はケースであ
り、外部との接続を行う上記両端子部（４）、（７）以
外の導電部を覆って保護をしている。
次に動作について説明する。外部からの接続は端子部（
４）、（７）に接続され、例えば電流は端子部（４）か
らフィン側接続導体（３）、平形ダイオード（２）、引
き出し用接続導体（６）、端子部（７）の経路を流れる
。
４）、（７）に接続され、例えば電流は端子部（４）か
らフィン側接続導体（３）、平形ダイオード（２）、引
き出し用接続導体（６）、端子部（７）の経路を流れる
。
なお、平形ダイオード（２）の各電極面と接続導体の各
圧接部（３ａ） ＃ （６ａ）は圧接されることにより
電気的な接続を行っている。平形ダイオード（２）は通
電時にかなりの熱を発生するが、この発生熱を効率良く
放熱し、過度の温度上昇により熱的に破壊するのを防止
する必要がある。言いかえれば、効率良く放熱を行えば
同じ大きさのダイオードでもより多くの電流を流すこと
ができるわけである。このために、比較的大電流を通電
するダイオードでは放熱フィンを設けており、この例で
は平形半導体であるダイオード（２）の発生熱を接続導
体（３）、絶縁板（５）を介して放熱フィン（１）に伝
えている。なお、絶縁板（５）は熱伝導性の良いセラミ
ックなどが使用されている。
圧接部（３ａ） ＃ （６ａ）は圧接されることにより
電気的な接続を行っている。平形ダイオード（２）は通
電時にかなりの熱を発生するが、この発生熱を効率良く
放熱し、過度の温度上昇により熱的に破壊するのを防止
する必要がある。言いかえれば、効率良く放熱を行えば
同じ大きさのダイオードでもより多くの電流を流すこと
ができるわけである。このために、比較的大電流を通電
するダイオードでは放熱フィンを設けており、この例で
は平形半導体であるダイオード（２）の発生熱を接続導
体（３）、絶縁板（５）を介して放熱フィン（１）に伝
えている。なお、絶縁板（５）は熱伝導性の良いセラミ
ックなどが使用されている。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
平形ダイオードの発生熱はこのダイオードの片側の電極
面からしか冷却器である放熱フィンに伝えることができ
ず伝熱面積が少ないため、平型ダイオードの許容通電電
流値も低（制限されるなどの問題点があった。
平形ダイオードの発生熱はこのダイオードの片側の電極
面からしか冷却器である放熱フィンに伝えることができ
ず伝熱面積が少ないため、平型ダイオードの許容通電電
流値も低（制限されるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、平形半導体の発生熱を冷却器へ伝える伝熱面
積を増加させて平形半導体と冷却器間の熱抵抗を低減さ
せることにより平形半導体の許容通′ｎＬ電流値を大き
くすることのできる半導体装置を得ることを目的とする
。
たもので、平形半導体の発生熱を冷却器へ伝える伝熱面
積を増加させて平形半導体と冷却器間の熱抵抗を低減さ
せることにより平形半導体の許容通′ｎＬ電流値を大き
くすることのできる半導体装置を得ることを目的とする
。
この発明における半導体装置は、引き出し用接続導体に
、絶縁物を介して冷却器と接触する接触部を設けたもの
である。
、絶縁物を介して冷却器と接触する接触部を設けたもの
である。
この発明における引き出し用接続導体は、平形半導体の
発生熱を冷却器に伝えることにより平形半導体から冷却
器への伝熱面積を増加させて熱抵抗を低減することによ
り平形半導体の許容通１［流値を大きくする。
発生熱を冷却器に伝えることにより平形半導体から冷却
器への伝熱面積を増加させて熱抵抗を低減することによ
り平形半導体の許容通１［流値を大きくする。
第１図はこの発明の一実施例を示す部分断面図であり、
図において（１）〜（至）は従来装置と同−又は相当部
分であるので説明を省略する。勾は平形ダイオード（２
）の放熱フィン（１）と反対側の電極に接続された引き
出し接続導体である銅板であり、平形半導体（２）との
圧接部（２Ｏａ）と外部接続端子部（ハ）と・ の中間
に接触部（イ）を設けており、この接触部に）は絶縁物
（２）を介して放熱フィン（１）に接触している。
図において（１）〜（至）は従来装置と同−又は相当部
分であるので説明を省略する。勾は平形ダイオード（２
）の放熱フィン（１）と反対側の電極に接続された引き
出し接続導体である銅板であり、平形半導体（２）との
圧接部（２Ｏａ）と外部接続端子部（ハ）と・ の中間
に接触部（イ）を設けており、この接触部に）は絶縁物
（２）を介して放熱フィン（１）に接触している。
なお、この接触部（イ）は絶縁円板（ハ）を介してコイ
ルハネ（ハ）、台座（１）により放熱フィン（１）側に
押されて接触圧力を与えられるように構成されている。
ルハネ（ハ）、台座（１）により放熱フィン（１）側に
押されて接触圧力を与えられるように構成されている。
上記のように構成された半導体装置においては、従来装
置の伝熱機構部であるフィン側接続導体（３）の圧接部
（３ａ）、絶縁板（５）からの放熱フィン（１）への伝
熱に加えて、銅板翰、接触部（イ）、絶縁物（ホ）の経
路からも放熱フィン（１）へ伝熱されるので、放熱フィ
ン（１）への伝熱面積が増加し、平形ダイオード（２）
と放熱フィン（１）との間の熱抵抗が低減される。従っ
て、この熱抵抗が低減した分に見合うだけ平形ダイオー
ドの発生熱を増加させても、即ち相当する分だけ通電電
流値を増加させても、平型ダイオードの温度は従来装置
の温度とほぼ同時に保たれることになる。
置の伝熱機構部であるフィン側接続導体（３）の圧接部
（３ａ）、絶縁板（５）からの放熱フィン（１）への伝
熱に加えて、銅板翰、接触部（イ）、絶縁物（ホ）の経
路からも放熱フィン（１）へ伝熱されるので、放熱フィ
ン（１）への伝熱面積が増加し、平形ダイオード（２）
と放熱フィン（１）との間の熱抵抗が低減される。従っ
て、この熱抵抗が低減した分に見合うだけ平形ダイオー
ドの発生熱を増加させても、即ち相当する分だけ通電電
流値を増加させても、平型ダイオードの温度は従来装置
の温度とほぼ同時に保たれることになる。
なお、上記実施例では引き出し接続導体である銅板（ホ
）の放熱フィン（１）への接触部に）をコイルばねに）
で押す構成のものについて示したが、コイルばねを設け
ずに引き出し用接続導体に適当なばね力を持たせること
により接触圧力を与えるようにしてもよい。第２図はこ
の場合の実施例を示す部分断面図であり、図において、
（至）は適度なばね性を有するように構成され圧接部（
３０ａ）と接触部０めとを有する金属板、（至）は接続
端子部、（至）は絶縁物である。また、接触部に積極的
に圧力を与えなくとも必要な通電容量が得られる場合は
その必要はないし、銅板の接触部（イ）、絶縁物（ハ）
、放熱フィン（１）（第１図）の各接触部の間にコンパ
ウンドなどを充填するなど、適宜熱抵抗の低減策をと２
でも良い。
）の放熱フィン（１）への接触部に）をコイルばねに）
で押す構成のものについて示したが、コイルばねを設け
ずに引き出し用接続導体に適当なばね力を持たせること
により接触圧力を与えるようにしてもよい。第２図はこ
の場合の実施例を示す部分断面図であり、図において、
（至）は適度なばね性を有するように構成され圧接部（
３０ａ）と接触部０めとを有する金属板、（至）は接続
端子部、（至）は絶縁物である。また、接触部に積極的
に圧力を与えなくとも必要な通電容量が得られる場合は
その必要はないし、銅板の接触部（イ）、絶縁物（ハ）
、放熱フィン（１）（第１図）の各接触部の間にコンパ
ウンドなどを充填するなど、適宜熱抵抗の低減策をと２
でも良い。
また、銅板（ホ）の接触部（財）は圧接部（２０ａ）と
端子部３１）との間に設けた例を示したが、接続部Ｑη
と反対側（第１図の右側）にも接触部を接続導体（３）
と干渉しないように配置して設けてもよい。
端子部３１）との間に設けた例を示したが、接続部Ｑη
と反対側（第１図の右側）にも接触部を接続導体（３）
と干渉しないように配置して設けてもよい。
また、平形半導体は、サイリスタなど他のものであって
も同様の効果を奏する。
も同様の効果を奏する。
なお、平形半導体の冷却器の例として上記実施例では放
熱フィンの場合について説明したが、他の任意の形状の
空気冷却式冷却器、水冷式冷却器などの場合も同様の効
果を奏する。
熱フィンの場合について説明したが、他の任意の形状の
空気冷却式冷却器、水冷式冷却器などの場合も同様の効
果を奏する。
以上のように、この発明によれば引き出し用接続導体に
接触部を設けて絶縁物を介して冷却器と接触させるよう
に構成したので、平形半導体と冷却器間の熱抵抗を低減
でき、それに見合う分だけ平形半導体の許容通！［流値
を大きくとれるという効果がある。
接触部を設けて絶縁物を介して冷却器と接触させるよう
に構成したので、平形半導体と冷却器間の熱抵抗を低減
でき、それに見合う分だけ平形半導体の許容通！［流値
を大きくとれるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す部分断面図、第２図
は他の実施例を示す部分断面図、第３図は従来の半導体
装置を示す部分断面図である。 図において、（１）は放熱フィン、（２）は平形ダイオ
ード、（８）は板ばね、（１）は銅板、（２０ａ）は圧
接部、（イ）は銅板の接触部、（財）は絶縁物、曽は金
属板、（３０ａ）は圧接部、６υは接触部、（至）は絶
縁物である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
は他の実施例を示す部分断面図、第３図は従来の半導体
装置を示す部分断面図である。 図において、（１）は放熱フィン、（２）は平形ダイオ
ード、（８）は板ばね、（１）は銅板、（２０ａ）は圧
接部、（イ）は銅板の接触部、（財）は絶縁物、曽は金
属板、（３０ａ）は圧接部、６υは接触部、（至）は絶
縁物である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 両面に平面電極を有し一方の面が冷却器に圧接される
平形半導体、および絶縁物を介して上記冷却器に接触す
る接触部と上記平形半導体の他方の面に圧接される圧接
部とを有する引き出し用接続導体を備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7912388A JPH01248629A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7912388A JPH01248629A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248629A true JPH01248629A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13681157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7912388A Pending JPH01248629A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01248629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008035591A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Meidensha Corp | Ａｃコントローラ構造 |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP7912388A patent/JPH01248629A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008035591A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Meidensha Corp | Ａｃコントローラ構造 |
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