JPH028996B2 - - Google Patents
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- JPH028996B2 JPH028996B2 JP57041602A JP4160282A JPH028996B2 JP H028996 B2 JPH028996 B2 JP H028996B2 JP 57041602 A JP57041602 A JP 57041602A JP 4160282 A JP4160282 A JP 4160282A JP H028996 B2 JPH028996 B2 JP H028996B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01G4/002—Details
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Description
本発明は、強誘電体型の誘電性セラミツク組成
物、この種の組成物を使用したコンデンサ、およ
びこの組成物の製造法に関するものである。 この種のセラミツク組成物は、その極めて高い
誘電率のため、特にコンデンサの製作に関する用
途において周知である。たとえば、当業者に周知
のセラミツク組成物が、米国特許第2402518号、
第2443211号、第3529978号および第第3612963号
各明細書に記載されている。一般に、これらのセ
ラミツク組成物は、空気中でまたは還元性雰囲気
中で1200゜〜1400℃の近辺の温度にて焼結される。
特に、たとえば多層型コンデンサを組作する場合
は、勿論、これらコンデンサの金属電極を焼結前
にセラミツク材料上に付着させる。したがつて、
これはたとえば白金、パラジウム、金またはその
合金のような貴金属の電極を使用する必要性を伴
なう。通常、これらの電極はシルクスクリーン法
によつて付着される。前記コンデンサの電極は高
価であることに加え、使用する材料が焼結過程中
にセラミツク材料と何ら相互作用しないよう確保
すること、および電極内に何らの不連続性も生じ
ないよう確保することが重要となる。しかしなが
ら、焼結温度が高くなるにつれて、このような欠
点の出現する確率が大きくなる。 極く最近、米国特許第4082906号明細書は多層
セラミツクコンデンサを開示し、このコンデンサ
は少なくとも50％のチタン酸バリウムと0.25〜10
％の弗化リチウムとからなるセラミツク層被覆を
有している。この種の組成物は、一方には焼結し
うるという利点、換言すれば焼結操作の後に焼成
前よりも高い密度を有する物質を生ずるという利
点を有し、また他方には従来公知のセラミツク組
成物よりも明らかに低い焼結温度、すなわち750゜
〜1250℃の温度範囲を有するという利点がある。
さらに、この種の組成物の性質は既知であること
も特記する価値があり、これは特にアメリカセラ
ミツク学会誌、第55巻（1976）、第３号、第273〜
285頁に記載された「LiFおよびMgoを含有する
BaTiO3の緻密度および強度」と題する論文に開
示されている。通常、この種の組成物は、実質的
に化学量論的の、換言すれ実質的に同数のバリウ
ムイオンとチタンイオンとを含有するチタン酸バ
リウムを使用する。 しかしながら、実際上、チタン酸バリウムをベ
ースとするセラミツク組成物は通常この物質を化
学量論型として使用することを要しないことが知
られている。事実、当業者は、通常チタン酸バリ
ウムの焼結温度がバリウムイオンに対しチタンイ
オンの僅か過剰量を添加すると低下する傾向を示
し、この割合は一般に２％程度であることを知つ
ている。逆に、チタン酸バリウムにおいてバリウ
ムイオン数に対するチタンイオン数の減少は通常
焼結温度の上昇をもたらすことが周知である。
（焼結温度とは、生成物の最大緻密度をもたらす
温度または温度範囲を意味する）。 上記に記載し、バリウムイオンに対してチタン
イオンの僅か過剰量を含有するような組成物は、
コンデンサ、特に多層セラミツクコンデンサの製
作に使用するのに充分適した誘電性セラミツクを
得ることを可能にする。 上記に示した従来技術を考慮に入れ、本出願人
の行なつた研究により新規なセラミツク組成物に
関す全く予期せぬ知見が得られ、このセラミツク
組成物はチタン酸バリウムと弗化リチウムとをベ
ースとし、現在まで知られている組成物と比較し
て改良された性質を有すると共に、低い焼結温度
を保持する。 本発明によれば、これらの組成物は、90〜98.5
重量％のチタン酸バリウムと1.5〜10重量％の弗
化リチウムとを含有し、チタン酸バリウムが式 BaTiO3 に相当し、そのモル比ｘ＝TiO2／BaOが１未満
であることを特徴とする。 好適具体例において、本発明による組成物は、
ｘが0.99未満であり、好ましくは0.98〜0.97の範
囲であることを特徴とする。 実際上全く驚くことに、上記した組成物は、バ
リウムイオン数に対しチタンイオンが不足してい
るにも拘らず、900℃程度の極めて低い温度にお
ける焼結を可能にするのみならず、過剰数のチタ
ンイオンを含有する組成物と比較して極めて優れ
た電気的性質を示した。特に、ｘが0.97〜0.98の
範囲内である場合、これら電気的性質は極めて優
秀である。 さらに、900℃程度の温度でこれら組成物を焼
結させかつ上記した結果を得るのに必要とされる
時間は、同様な組成物に対し通常必要とされる時
間よりも著しく短かい。 好ましくは、本発明の組成物中には２〜５％の
範囲で変化する重量濃度の弗化リチウムを使用す
る。 さらに、上記方法の焼結時間との性質を考慮に
入れ、本発明の組成物により製作される多層コン
デンサは、極めて高割合の銀を含有する電極の使
用を可能にすると共に純銀の使用でさえ可能に
し、このことは相当に投資経済上有利である。 一般に、本発明による組成物は上記に定義した
ようなチタン酸バリウムと弗化リチウムとの混合
物から得られ、この場合アクリル系結合剤ならび
に必要に応じ可塑剤が添加される。混合操作は、
ケトン類、アルコール類、トリクロルエチレン、
ベンゼンおよびそのアルキル化誘導体から選択さ
れる溶媒中で行なわれる。好ましくは、トリクロ
ルエチレン、トルエン、キシレン、アセトンまた
はメチルエチルケトンが使用される。 本発明をより良く理解するため、以下に実施例
を示すが、本発明はこれらに限定されない。 実施例 １〜６ ボールミル中に、種々異なる化学量論値を有す
るチタン酸バリウム98gと、弗化リチウム2gと、
アルコール150mlと、ボール200gとを入れた。混
合を室温にて15時間行なつた。ボールを除去した
後、く得られたスラリを乾燥し、篩分しそして３
％ラテツクス溶液130gと混合した。かくしてペ
ーストが得られ、これを成形して直径8.3mmかつ
厚さ0.5mmの円板を形成した。これら円板の各面
を銀電極により厚さ約10μに被覆した。上記した
型の円板約20枚を、下表に示す各化学量論値に関
して加工した。種々異なる化学量論値のチタン酸
バリウムを含有するこれら全ての円板を同時に焼
結炉に入れた。全ての円板バツチを900℃の温度
で90分間焼結した。得られた結果を下記第１表に
示す。
物、この種の組成物を使用したコンデンサ、およ
びこの組成物の製造法に関するものである。 この種のセラミツク組成物は、その極めて高い
誘電率のため、特にコンデンサの製作に関する用
途において周知である。たとえば、当業者に周知
のセラミツク組成物が、米国特許第2402518号、
第2443211号、第3529978号および第第3612963号
各明細書に記載されている。一般に、これらのセ
ラミツク組成物は、空気中でまたは還元性雰囲気
中で1200゜〜1400℃の近辺の温度にて焼結される。
特に、たとえば多層型コンデンサを組作する場合
は、勿論、これらコンデンサの金属電極を焼結前
にセラミツク材料上に付着させる。したがつて、
これはたとえば白金、パラジウム、金またはその
合金のような貴金属の電極を使用する必要性を伴
なう。通常、これらの電極はシルクスクリーン法
によつて付着される。前記コンデンサの電極は高
価であることに加え、使用する材料が焼結過程中
にセラミツク材料と何ら相互作用しないよう確保
すること、および電極内に何らの不連続性も生じ
ないよう確保することが重要となる。しかしなが
ら、焼結温度が高くなるにつれて、このような欠
点の出現する確率が大きくなる。 極く最近、米国特許第4082906号明細書は多層
セラミツクコンデンサを開示し、このコンデンサ
は少なくとも50％のチタン酸バリウムと0.25〜10
％の弗化リチウムとからなるセラミツク層被覆を
有している。この種の組成物は、一方には焼結し
うるという利点、換言すれば焼結操作の後に焼成
前よりも高い密度を有する物質を生ずるという利
点を有し、また他方には従来公知のセラミツク組
成物よりも明らかに低い焼結温度、すなわち750゜
〜1250℃の温度範囲を有するという利点がある。
さらに、この種の組成物の性質は既知であること
も特記する価値があり、これは特にアメリカセラ
ミツク学会誌、第55巻（1976）、第３号、第273〜
285頁に記載された「LiFおよびMgoを含有する
BaTiO3の緻密度および強度」と題する論文に開
示されている。通常、この種の組成物は、実質的
に化学量論的の、換言すれ実質的に同数のバリウ
ムイオンとチタンイオンとを含有するチタン酸バ
リウムを使用する。 しかしながら、実際上、チタン酸バリウムをベ
ースとするセラミツク組成物は通常この物質を化
学量論型として使用することを要しないことが知
られている。事実、当業者は、通常チタン酸バリ
ウムの焼結温度がバリウムイオンに対しチタンイ
オンの僅か過剰量を添加すると低下する傾向を示
し、この割合は一般に２％程度であることを知つ
ている。逆に、チタン酸バリウムにおいてバリウ
ムイオン数に対するチタンイオン数の減少は通常
焼結温度の上昇をもたらすことが周知である。
（焼結温度とは、生成物の最大緻密度をもたらす
温度または温度範囲を意味する）。 上記に記載し、バリウムイオンに対してチタン
イオンの僅か過剰量を含有するような組成物は、
コンデンサ、特に多層セラミツクコンデンサの製
作に使用するのに充分適した誘電性セラミツクを
得ることを可能にする。 上記に示した従来技術を考慮に入れ、本出願人
の行なつた研究により新規なセラミツク組成物に
関す全く予期せぬ知見が得られ、このセラミツク
組成物はチタン酸バリウムと弗化リチウムとをベ
ースとし、現在まで知られている組成物と比較し
て改良された性質を有すると共に、低い焼結温度
を保持する。 本発明によれば、これらの組成物は、90〜98.5
重量％のチタン酸バリウムと1.5〜10重量％の弗
化リチウムとを含有し、チタン酸バリウムが式 BaTiO3 に相当し、そのモル比ｘ＝TiO2／BaOが１未満
であることを特徴とする。 好適具体例において、本発明による組成物は、
ｘが0.99未満であり、好ましくは0.98〜0.97の範
囲であることを特徴とする。 実際上全く驚くことに、上記した組成物は、バ
リウムイオン数に対しチタンイオンが不足してい
るにも拘らず、900℃程度の極めて低い温度にお
ける焼結を可能にするのみならず、過剰数のチタ
ンイオンを含有する組成物と比較して極めて優れ
た電気的性質を示した。特に、ｘが0.97〜0.98の
範囲内である場合、これら電気的性質は極めて優
秀である。 さらに、900℃程度の温度でこれら組成物を焼
結させかつ上記した結果を得るのに必要とされる
時間は、同様な組成物に対し通常必要とされる時
間よりも著しく短かい。 好ましくは、本発明の組成物中には２〜５％の
範囲で変化する重量濃度の弗化リチウムを使用す
る。 さらに、上記方法の焼結時間との性質を考慮に
入れ、本発明の組成物により製作される多層コン
デンサは、極めて高割合の銀を含有する電極の使
用を可能にすると共に純銀の使用でさえ可能に
し、このことは相当に投資経済上有利である。 一般に、本発明による組成物は上記に定義した
ようなチタン酸バリウムと弗化リチウムとの混合
物から得られ、この場合アクリル系結合剤ならび
に必要に応じ可塑剤が添加される。混合操作は、
ケトン類、アルコール類、トリクロルエチレン、
ベンゼンおよびそのアルキル化誘導体から選択さ
れる溶媒中で行なわれる。好ましくは、トリクロ
ルエチレン、トルエン、キシレン、アセトンまた
はメチルエチルケトンが使用される。 本発明をより良く理解するため、以下に実施例
を示すが、本発明はこれらに限定されない。 実施例 １〜６ ボールミル中に、種々異なる化学量論値を有す
るチタン酸バリウム98gと、弗化リチウム2gと、
アルコール150mlと、ボール200gとを入れた。混
合を室温にて15時間行なつた。ボールを除去した
後、く得られたスラリを乾燥し、篩分しそして３
％ラテツクス溶液130gと混合した。かくしてペ
ーストが得られ、これを成形して直径8.3mmかつ
厚さ0.5mmの円板を形成した。これら円板の各面
を銀電極により厚さ約10μに被覆した。上記した
型の円板約20枚を、下表に示す各化学量論値に関
して加工した。種々異なる化学量論値のチタン酸
バリウムを含有するこれら全ての円板を同時に焼
結炉に入れた。全ての円板バツチを900℃の温度
で90分間焼結した。得られた結果を下記第１表に
示す。
【表】
この表において、ｄは焼結後に得られる物質の
密度を示し、εは物質の誘電率をし、正接δは損
失角度の正接であり、RIは100ボルトにて測定し
かつギガオームで表わした絶縁抵抗値であり、最
後の２行は−30℃および＋85℃における温度の関
数としてのコンデンサの容量変化を示す。測定は
20で行ない、電気測定は1KHzの周波数を有する
信号によつて行なつた。 TiO2／BaOの比が0.97〜0.98の範囲内にある場
合、得られる結果は優秀であることが認められる
であろう。 実施例 ７〜12 上記と同じ条件下で同じようにして円板を作成
し、焼結操作を930℃の温度にて同じ時間行なつ
た。その他の条件は全て等しくし、得られた結果
を下記第２表に示す。
密度を示し、εは物質の誘電率をし、正接δは損
失角度の正接であり、RIは100ボルトにて測定し
かつギガオームで表わした絶縁抵抗値であり、最
後の２行は−30℃および＋85℃における温度の関
数としてのコンデンサの容量変化を示す。測定は
20で行ない、電気測定は1KHzの周波数を有する
信号によつて行なつた。 TiO2／BaOの比が0.97〜0.98の範囲内にある場
合、得られる結果は優秀であることが認められる
であろう。 実施例 ７〜12 上記と同じ条件下で同じようにして円板を作成
し、焼結操作を930℃の温度にて同じ時間行なつ
た。その他の条件は全て等しくし、得られた結果
を下記第２表に示す。
【表】
前記実施例の場合と同様、0.97〜0.98の範囲で
変化するTiO2／BaO比に関して得られた結果は
特に優秀であることが判明した。 実施例 13および14 この実施例は、得られるセラミツク組成物の成
績に対する製造法の影響を示してる。実施例１〜
６の場合と同様、円板を形成するよう試料を調製
し、次いでこれら円板全てを金属で被覆した。全
てのパラメータは前記実施例１〜６と同一にし、
ただし次のパラメータだけを変化させた： TiO2／BaOの比を0.97に等しくし、焼結を温
度930℃にて90分間行なつた。得られた結果を下
記第３表に要約する。
変化するTiO2／BaO比に関して得られた結果は
特に優秀であることが判明した。 実施例 13および14 この実施例は、得られるセラミツク組成物の成
績に対する製造法の影響を示してる。実施例１〜
６の場合と同様、円板を形成するよう試料を調製
し、次いでこれら円板全てを金属で被覆した。全
てのパラメータは前記実施例１〜６と同一にし、
ただし次のパラメータだけを変化させた： TiO2／BaOの比を0.97に等しくし、焼結を温
度930℃にて90分間行なつた。得られた結果を下
記第３表に要約する。
【表】
この表に示した記号は、前記の各表におけると
同じ意味を有する。この表において、Tcは得ら
れたセラミツク材のキユーリー温度を示す。実施
例13の場合は、実施例14でアルコールを使用した
場合と同じ容量の水を使用した。上記したよう
に、この量は150mlである。この表において、ス
ラリを形成させる目的で水の代りに有機溶媒を使
用すれば、ずつと良好な結果が得られることを特
記するのが極めて重要である。 実施例 15 この実施例は、20個の活性誘電層からなり、た
とえば米国特許第4082906号明細書に記載された
周知技術により製作した多層コンデンサの製作に
関するものである。誘電性組成物の製造は実施例
１〜６の場合と同様に行なつたが、 TiO2／BaOの比を0.98に等しくし、焼結は温
度930℃にて90分間行なつた。前記したように
BaTiO3とLiFとの混合物１Kgを使用し、これに
トリクロルエチレン675gと、20％のアクリル系
結合剤を含有する有機溶液460gと、ジブチルフ
タレートをベースとする可塑剤15gとを加えた。
この全量をボールミル中で15時間混合した。かく
得られたスラリを次いで基体上に注いだ。焼結前
に付着させた誘電材に付着させた誘電材の厚さは
38μであり、焼結後の各誘電層の厚さは約30μで
あつた。かく形成した多層コンデンサは、上記に
定義した20層の誘電膜層と、10重量％のパラジウ
ムと90重量％の銀との混合物をベースとするシル
クスクリーンにより付着させた金属インキとの交
互の層で構成した。この技術において慣用される
ように、表面電極は勿論上記に定義した誘電層の
所定層数によつて被覆した。これらの層はコンデ
ンサの処理の間不活性であるが、コンデンサを保
護する機能を有する。コンデンサの焼結条件は上
記に規定したと同様である。られた結果を下記第
４表に示す。
同じ意味を有する。この表において、Tcは得ら
れたセラミツク材のキユーリー温度を示す。実施
例13の場合は、実施例14でアルコールを使用した
場合と同じ容量の水を使用した。上記したよう
に、この量は150mlである。この表において、ス
ラリを形成させる目的で水の代りに有機溶媒を使
用すれば、ずつと良好な結果が得られることを特
記するのが極めて重要である。 実施例 15 この実施例は、20個の活性誘電層からなり、た
とえば米国特許第4082906号明細書に記載された
周知技術により製作した多層コンデンサの製作に
関するものである。誘電性組成物の製造は実施例
１〜６の場合と同様に行なつたが、 TiO2／BaOの比を0.98に等しくし、焼結は温
度930℃にて90分間行なつた。前記したように
BaTiO3とLiFとの混合物１Kgを使用し、これに
トリクロルエチレン675gと、20％のアクリル系
結合剤を含有する有機溶液460gと、ジブチルフ
タレートをベースとする可塑剤15gとを加えた。
この全量をボールミル中で15時間混合した。かく
得られたスラリを次いで基体上に注いだ。焼結前
に付着させた誘電材に付着させた誘電材の厚さは
38μであり、焼結後の各誘電層の厚さは約30μで
あつた。かく形成した多層コンデンサは、上記に
定義した20層の誘電膜層と、10重量％のパラジウ
ムと90重量％の銀との混合物をベースとするシル
クスクリーンにより付着させた金属インキとの交
互の層で構成した。この技術において慣用される
ように、表面電極は勿論上記に定義した誘電層の
所定層数によつて被覆した。これらの層はコンデ
ンサの処理の間不活性であるが、コンデンサを保
護する機能を有する。コンデンサの焼結条件は上
記に規定したと同様である。られた結果を下記第
４表に示す。
【表】
この表において損失角度の正接は１有効ボルト
で1KHzにて測定したことを特記すべきである。 したがつて、円板型のコンデンサの場合に得ら
れた結果が多層コンデンサの場合にも得られるこ
とが明らかである。これら多層コンデンサは、前
記で試験した円板型コンデンサと同じ予期せぬ性
質を有する。 実施例 16〜22 下記する実施例は、本発明の組成物中における
弗化リチウムの割合、したがつてチタン酸バリウ
ムの割合の変化により示される影響を示してい
る。セラミツク組成物は、実施例１〜６の場合と
同様、TiO2／BaOの比を0.97に等しくしかつ焼
結温度を930℃として調製した。実施例15を除く
その他全ての前記実施例の場合と同様、電気試験
を円板型コンデンサについて行なつた。得られた
結果を次表す。
で1KHzにて測定したことを特記すべきである。 したがつて、円板型のコンデンサの場合に得ら
れた結果が多層コンデンサの場合にも得られるこ
とが明らかである。これら多層コンデンサは、前
記で試験した円板型コンデンサと同じ予期せぬ性
質を有する。 実施例 16〜22 下記する実施例は、本発明の組成物中における
弗化リチウムの割合、したがつてチタン酸バリウ
ムの割合の変化により示される影響を示してい
る。セラミツク組成物は、実施例１〜６の場合と
同様、TiO2／BaOの比を0.97に等しくしかつ焼
結温度を930℃として調製した。実施例15を除く
その他全ての前記実施例の場合と同様、電気試験
を円板型コンデンサについて行なつた。得られた
結果を次表す。
【表】
上記第５表から判るように、全組成物の重量に
対し1.5〜10重量％の範囲で変化する比率の弗化
リチウムに関して最良の結果が得られたが、これ
らの結果は２〜５重量％の範囲においてさらにず
つと改善される。 この表に示した結果は、３％程度の弗化リチウ
ムの濃度がコンデンサの製作の場合最も満足しう
る折衷点を与えることを示している。
対し1.5〜10重量％の範囲で変化する比率の弗化
リチウムに関して最良の結果が得られたが、これ
らの結果は２〜５重量％の範囲においてさらにず
つと改善される。 この表に示した結果は、３％程度の弗化リチウ
ムの濃度がコンデンサの製作の場合最も満足しう
る折衷点を与えることを示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 90〜98.5重量％のチタン酸バリウムと1.5〜
10重量％の弗化リチウムとを含有し、チタン酸バ
リウムが式： BaTiO3 に相当し、そのモル比ｘ＝TiO2／BaOが１未満
であることを特徴とする誘電性セラミツク組成
物。 ２ ｘが0.99未満である特許請求の範囲第１項記
載のセラミツク組成物。 ３ ｘが0.97より大きくまたは0.97に等しく、か
つ0.98未満または0.98に等しい特許請求の範囲第
１項記載のセラミツク組成物。 ４ ２〜５重量％の弗化リチウムを含有する特許
請求の範囲第１項記載のセラミツク組成物。 ５ 約３重量％の弗化リチウムを含有する特許請
求の範囲第４項記載のセラミツク組成物。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8105403A FR2502383A1 (fr) | 1981-03-18 | 1981-03-18 | Compositions ceramiques dielectriques, condensateurs utilisant de telles compositions et procede de fabrication desdites compositions |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57160963A JPS57160963A (en) | 1982-10-04 |
| JPH028996B2 true JPH028996B2 (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=9256374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57041602A Granted JPS57160963A (en) | 1981-03-18 | 1982-03-16 | Dielectric ceramic composition, manufacture and capacitor employing same |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4430689A (ja) |
| EP (1) | EP0061389B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57160963A (ja) |
| BR (1) | BR8201463A (ja) |
| DE (1) | DE3260352D1 (ja) |
| FR (1) | FR2502383A1 (ja) |
| IE (1) | IE53370B1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2550375B1 (fr) * | 1983-08-05 | 1986-06-20 | Haussonne Francois | Condensateur comportant comme dielectrique une ceramique a base de titanate de strontium |
| FR2553757B1 (fr) * | 1983-10-19 | 1991-07-26 | Haussonne Francois | Compositions ceramiques a base d'oxyde de titane, leur preparation et leur utilisation comme dielectrique dans des condensateurs electriques |
| US4612600A (en) * | 1984-10-29 | 1986-09-16 | Tam Ceramics Inc. | Low fire ceramic compositions |
| US4764494A (en) * | 1985-04-26 | 1988-08-16 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Dielectric ceramic compositions and process for producing the same |
| FR2629464B1 (fr) * | 1988-03-30 | 1991-10-04 | Rhone Poulenc Chimie | Composition de matiere a base de titanate de baryum utilisable comme absorbeur d'ondes electromagnetiques |
| US4858066A (en) * | 1988-12-22 | 1989-08-15 | Gte Products Corporation | Nonlinear dielectric capacitor for pulse generation applications |
| FR2731443B1 (fr) * | 1995-03-09 | 1997-11-28 | France Etat | Perovskite ferroelectrique |
| US6139780A (en) * | 1998-05-28 | 2000-10-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dynamic random access memories with dielectric compositions stable to reduction |
| JP2001035738A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| KR20240155612A (ko) * | 2023-04-20 | 2024-10-29 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2815291A (en) * | 1955-09-06 | 1957-12-03 | Zenith Radio Corp | Ceramic condenser dielectric |
| US3753911A (en) * | 1971-06-24 | 1973-08-21 | Us Navy | High strength barium titanate ceramic bodies |
| US3912527A (en) | 1973-03-24 | 1975-10-14 | Nippon Electric Co | Barium titanate base ceramic composition having a high dielectric constant |
| US4192840A (en) | 1976-08-03 | 1980-03-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing a capacitor dielectric with inner blocking layers |
| US4082906A (en) * | 1977-02-14 | 1978-04-04 | San Fernando Electric Manufacturing Company | Low temperature fired ceramic capacitors |
-
1981
- 1981-03-18 FR FR8105403A patent/FR2502383A1/fr active Granted
-
1982
- 1982-03-12 EP EP82400456A patent/EP0061389B1/fr not_active Expired
- 1982-03-12 DE DE8282400456T patent/DE3260352D1/de not_active Expired
- 1982-03-15 US US06/357,896 patent/US4430689A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-03-16 JP JP57041602A patent/JPS57160963A/ja active Granted
- 1982-03-16 IE IE608/82A patent/IE53370B1/en unknown
- 1982-03-17 BR BR8201463A patent/BR8201463A/pt unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2502383B1 (ja) | 1984-01-13 |
| FR2502383A1 (fr) | 1982-09-24 |
| IE53370B1 (en) | 1988-10-26 |
| EP0061389A1 (fr) | 1982-09-29 |
| IE820608L (en) | 1982-09-18 |
| US4430689A (en) | 1984-02-07 |
| JPS57160963A (en) | 1982-10-04 |
| BR8201463A (pt) | 1983-02-01 |
| DE3260352D1 (en) | 1984-08-16 |
| EP0061389B1 (fr) | 1984-07-11 |
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