JPH0294647A - ウェーハ処理装置 - Google Patents

ウェーハ処理装置

Info

Publication number
JPH0294647A
JPH0294647A JP63247056A JP24705688A JPH0294647A JP H0294647 A JPH0294647 A JP H0294647A JP 63247056 A JP63247056 A JP 63247056A JP 24705688 A JP24705688 A JP 24705688A JP H0294647 A JPH0294647 A JP H0294647A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
wafer
processing
processing unit
handling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63247056A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2545591B2 (ja
Inventor
Kazuo Hiura
日浦 和夫
Genichi Kanazawa
金沢 元一
Osamu Matsumoto
治 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Kokusai Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Co Ltd filed Critical Kokusai Electric Co Ltd
Priority to JP24705688A priority Critical patent/JP2545591B2/ja
Publication of JPH0294647A publication Critical patent/JPH0294647A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2545591B2 publication Critical patent/JP2545591B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ウェーハより半導体素子を製造する場合に用
いられるウェーハ処理装置、特に低圧ガス雰囲気等の特
定雰囲気中での処理を必要とする工程、例えばドライエ
ツチング、CVD(化学蒸着)等に用いられるウェーハ
処理装置に関するものである。
[従来の技術] 従来のウェーハ処理装置としてはバッチ方式、枚葉方式
のものがある。
バッチ方式、枚葉方式のいずれも1つの工程を処理する
処理装置であって、バッチ方式のものは複数のウェーハ
を真空容器等の処理室の中に同時に収納し処理するもの
であり、枚葉方式のものは一枚ずつ処理室に収納して処
理するものである。
[発明が解決しようとする課題] 然し乍ら上記したバッチ方式、枚葉方式では以下に述べ
る様な不具合がある。
近年ではLSIの集積度が増々高くなり、超LSIも製
造されており、LSIの集積度の高度化に追従して、ウ
ェーハも大型化してきている。従って、−度に複数のウ
ェーハを収納して処理するバッチ方式では、処理装置が
大型化し、コスト的、スペース的に難しくなる。更に、
集積度の高密度化は処理装置の高精度化、製品の高品質
化も要求するが、バッチ方式ではウェーハのセットされ
た位置に起因するバラツキが生じてしまう。
又、枚葉方式では一枚ずつ処理を行うので時間当りの処
理枚数(スループッ1へ)が低く、生産能率が悪い。
更に、両者ともウェーハが必要な加工処理が終ると処理
室より取出され、次の処理工程へ回されるが、超LSI
等の半導体素子の製造ではウェーハの状態で多くの異な
った処理工程を経なければならないが、処理工程間の移
送時のゴミの付着や汚染を生じることもあり、これが製
品の欠陥、品質の低下の原因となっていた。
本発明は斯かる実情に鑑み、ゴミの付着、汚染等を防止
すると共に高スルーグツトを実現し、高品質、高能率で
処理し得るウェーハ処理装置を提供しようとするもので
ある。
[課題を解決するための手段] 本発明は、内部を気密とし、該内部に複数のハンドリン
グユニットを設け、ハンドリングユニットとハンドリン
グユニットとの間にウェーハを一時収納する貯留ステー
ジを設けた搬送ユニットに前記ハンドリングユニットに
対応させウェーハ処理ユニット50−ドユニツト等内部
が気密となる様構成した所要のユニットを真空ゲート弁
を介して連設したことを特徴とするものである。
[作  用] 各ユニットは真空ゲート弁によってそれぞれ独立した気
密の室となり、各ユニットでの処理、作動は必要とされ
る所定の雰囲気で行われ、各ユニット間のウェーハの移
動は真空状態で行い、スハンドリングユニット間のウェ
ーハの移動は貯留ステージで中継されて行われる。
[実 施 例] 以下図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
第1図、第2図に於いて、1は搬送ユニット、2はロー
ドユニット、3はアンロードユニット、4は第1処理ユ
ニツト、5は第2処理ユニツト、6は第3処理ユニツト
を示し、これらはいずれも真空容器の中に諸機器を収納
する構成である。
又、ロードユニット2は真空ゲート弁7を介して搬送ユ
ニット1に気密に連設され、アンロードユニット3は真
空ゲート弁8を介し搬送ユニット1の前記ロードユニッ
ト2と対峙する位置に連設する。第1処理ユニツト4、
第2処理ユニツト5、第3処理ユニツト6は後述する第
2ハンドリング機構14を中心に等距離の位置に配置さ
れ、真空ゲート弁9. iQ、 11を介して前記搬送
ユニット1に連設しである。
次に、搬送ユニット1、ロードユニット2、アンロード
ユニット3、第1処理ユニツト4、第2処理ユニツト5
、第3処理ユニツト6、それぞれについて説明する。
搬送ユニット1の真空容器12内のロードユニット2と
アンロードユニット3との中間位置に第】−ハンドリン
グユニツ1〜13を設け、又第1処理ユニツト4、第2
処理ユニツト5、第3処理ユニツト6の配置中心に第2
ハンドリングユニツト14を設ける。第1ハンドリング
ユニツト13と第2ハンドリングユニツト14の間で、
第1ハンドリングユニツト13側から貯留ステージ15
、光学式センサユニット16、アラインメントユニット
17を配設する。
前記第1ハンドリングユニツト13は第6図に示される
様に駆動機構を収納する本体18と、該本体18に回転
可能に設けられた回転座19と、該回転座19に回転可
能に設けた第1アーム20と、該第1アーム20に回転
可能に設けた第2アーム21と、該第2アーム21に回
転可能に設けたグレトアーム22から成っており、前記
駆動機構は回転座19と各アーム20,21.22とを
それぞれ独立して駆動する様になっており、特に第1ア
ーム20、第2アーム21、プレートアーム22は相互
の協働によってプレートアーム22が直進運動をする様
になっている。
次に、貯留ステージ15は、上段、中段、下段の3つの
位置にウェーハ23(第6図参照)を収納可能で且各位
置共ウェーハ23が通過可能な貯留カセット24を昇降
駆動機構25で昇降可能としな構成である。
前記光学式センサユニット16は、ウェーハ23、プレ
ートアーム22°が通過可能な空間28を有すると共に
ウェーハ23の外周と同一径を有する円周上に発光ダイ
オード、フォトトランジスタ等の投光素子、受光素子2
6a、 26b、 26c、 26dを4対、更にセン
サユニット16の中心に1対27、それぞれウェーハ2
3の通過路を挾んで設ける。
又、前記アラインメントユニット17はウェーハ載置盤
29を回転させ且昇降させる機能を有している。
更に、第2ハンドリングユニツト14は第1ハンドリン
グユニツト13と同様な構成であり、相違するところは
、プレートアーム22゛が前記ウェーハ載置盤29と干
渉しない様切欠部30が設けられている。
前記ロードユニット2は第3図、第4図に示される様に
真空容器の中にウェーハカートリッジ31の姿勢を90
°交換する支持回転機構32と、該支持回転機構32を
上昇降する為の昇降81横33(第5図)を具備してお
り、真空容器にはウェーハカートリッジ31を出入れ可
能な開口部と該開口部を開閉し、閉状態では気密を保持
できるる蓋(いずれも図示せず)が設けられている。
支持回転機構32の昇降基板34には軸35が回転自在
に設けられ、該軸35にL字状の回転基板36が固着し
ており、軸35をモータ等所要の手段で回転することに
よりウェーハカートリッジ31の姿勢が変更される様に
なっている。
次に、前記昇降機構33を説明する。
真空容器の底板37にガイドロッド38を下方に向って
垂直に設け、該ガイドロッド38下端に台座39を固着
し、該ガイドロッド38には軸受40を介してスライダ
41を摺動自在に設ける。前記台座39には前記ガイド
ロッド38と平行にスクリューロッド42を回転自在に
設けてあり、該スクリューロッド42はウオームギア4
3を介してモータ44によって回転される様になってい
ると共に前記スライダ41に設けたナツト45と螺合し
ている。
又、前記台座39にはスクリューロッド42を気密に覆
う中空の支柱46を前記底板37を遊貫せしめて立設し
、更に支柱46の周囲はベローズ47によって気密に覆
う。
而I7て、モータ44を駆動させることにより、ウオー
ムギア43を介してスクリューロッド42を回転させ得
、スライダ41即ち支持回転機構32を昇降させ得る様
になっている。
前記第1処理ユニツト4、第2処理ユニツト5、第3処
理ユニ・〉・トロは路間−の構成を有しているので以下
は第1処理ユニツト4について説明する。
第1処理ユニツト4は前記した様に真空容器で内部か気
密となる様構成されており、該第1処理ユニツト4の内
部と前記搬送ユニット1の内部とは真空ゲート弁9を介
して連通ずる。
第1処理ユニツト4の中心部にはウェーハ支持機構48
が設81られている。該ウェーハ支持機構48について
は特に詳述1〜ないが、3点又は4点でウェーハを支持
するウェーハ支持ビンを有し、該ウェーハ支持ビンは昇
降可能となっている。又、49は排気ユニットを示す。
以下作動を説明する。
搬送ユニット1に連設する各処理ユニット4゜5.6は
該ウェーハ処理装置に要求される所望の処理、例えば、
ドライエツチング、CVD、PVD(物理蒸着)等の処
理を行い得るものを選定しておく。
各真空ゲート弁7,8,9,10.11を閉じ、各処理
ユニット4,5.6を排気ユニット49により真空雰囲
気とし、又搬送ユニット1についても図示しない排気・
給気ユニットによって真空雰囲気としておく。
該ウェーハ処理装置を稼動させる為の準備として、ロー
ドユニット2には未処理のウェーハ23を装填したウェ
ーハカートリッジ31を装入し、アンロードユニット3
には空のウェーハカーI・リッジ31を装入する。ロー
ドユニット2.アンロードユニット3ともに気密に密閉
し、図示しない排気・給気ユニットで内部を真空とする
内部が真空となったところで真空ゲート弁1,8を開け
る。
ロードユニット2、アンロードユニット3を真空引して
いる間に、第3図の状態から第4図の状態へとウェーハ
カートリッジ31の姿勢を所要の手段で軸35を回転さ
せ変更させておく、これは、ウェーハ23の運搬にはウ
ェーハカートリッジ31よりウェーハ23が脱落しない
様、ウェーハの差入れ口が上になる様にして運ぶが、ウ
ェーハ処理装置でのウェーハ23のハンドリングの方向
が水平方向であることによる。
第1ハンドリングユニツト13のグレートアーム22の
運動方向がロードユニット2に対し進退する様に回転座
19を回転させ位置決めする。又、昇降機構33は、所
望位置例えば最上段のウェーハ23が取出せる様プレー
トアーム22の垂直方向の位置が最上段のウェーハと2
段目のウェーハとの間となる様、モータ44を駆動して
ウェーハカートリッジ31の位置決めをする。
次に、第1アーム20、第2アーム21、プレートアー
ム22を協働させてプレートアーム22を前記ウェーハ
カートリッジ31に挿入する。プレートアーム22が挿
入されると昇降機構33によってウェーハカートリッジ
31を若干下げ最上段のウェーハ23をプレートアーム
22上に載置せしめる。
第1アーム20、第2アーム21、プレートアーム22
の協働でプレートアーム22を後退させウェーハ23を
カートリッジ31より引出す9回転座19を90”回転
させプレートアーム22が貯留ステージ15に向って進
退する様にする。
貯留ステージ15の昇降駆動機構25はウェーハ23が
貯留カセット24の所定の段、例えば最上段に挿入され
る様貯留カセット24の上下方向の位置決めをしておく
第1ハンドリングユニツト13によってウェーハ23を
貯留カセット24の最上段に挿入した後、昇降駆動機構
25は貯留カセット25を若干上昇させ、ウェーハ23
を貯留カセット25で保持する。
第1ハンドリングユニツト13のプレートアーム22を
後退させる。
第2ハンドリングユニツト14のプレートアーム22°
を貯留カセット24に挿入し、その状態で昇降駆動機構
25で貯留カセット24を若干下げ、ウェーハ23をプ
レートアーム22゛に移載する。
第2ハンドリングユニツト14はプレートアーム22°
をウェーハ23の中心がアラインメントユニット17の
中心と一致する位置迄後退させる。
この位置では光学式センサユニット16がウェーハ23
の周縁を検出し得るようになっており、投・受光素子2
6a、 26b、 26c、 26dの周縁検出結果が
同一状態となった時にウェーハ23の中心とアラインメ
ントユニット17との中心が合致したと判断されウェー
ハ23の水平方向の位置合せが完了するが、各校・受光
素子の検出結果が同一状態でない場合は、グレートアー
ム22°の水平方向の移動によって水平方向の位置合せ
を行う。
水平方向の位置合せ後回転方向の位置合せはウェーハ載
置盤29を上昇させ ウェーハ載置盤29でウェーハ23を回転させ、投・受
光素子27でウェーハ23の切欠部23aを検出するこ
とで行う0例えば、投・受光素子27の行路がウェーハ
23によって遮断されていない回転角度を求めれば、切
欠部23aの中心位置即ちウェーハ23の回転方向の位
置を検出し得、位置合せを行うことができる。このアラ
インメントユニット17の作用により他のユニットに於
けるウェーハのアラインメント機能を省略できる。
ウェーハ23のアラインメントが完了すると再びプレー
トアーム22゛によってウェーハ23を受取る。
ウェーハ23を処理する順序が第1処理ユニツト4、第
2処理ユニツト5、第3処理ユニツト6の順に行われる
とすると第1処理ユニツト4の内部4を真空とし、真空
ゲート弁9を開け、第2ハンドユニツト14でウェーハ
23ヲウエーハ支持機梢48上迄移動させ、ウェーハ支
持機構48はウェーハ支持ピン(図示せず)を上昇させ
つ工−ハ23を保持する。
第2ハンドリングユニツト14がプレートアーム22°
を後退させた後真空ゲート弁9が閉じられ、排気ユニッ
ト49と図示しないガス供給ユニットで第1処珠ユニツ
ト4の内部が処理に必要な雰囲気とされ、所定のウェー
ハ処理が行われる。
第1処理ユニツト4でのウェーハ処理が完了すると第1
処理ユニツト4及び第2処理ユニツト5の内部が真空に
され、真空ゲート弁9,10が開かれ、第2ハンドリン
グユニツト14と第1、第2処理ユニツトのウェーハ支
持機構48.48との協働によって、ウェーハ23を第
1処理ユニツト4から第2処理ユニツト5へと移動する
第2処理ユニツト5の真空ゲート弁10が閉じられ、排
気ユニット49と図示しないガス供給ユニットで第2処
理ユニツト4の内部が処理に必要な雰囲気とされ、所定
めウェーハ処理が行われる。
空きとなった第1処理ユニツトには前述したと同様の作
動でロードユニット2よりウェーハ23を取出し、第1
処理ユニツト4へ装入する。
第2処理ユニツト5でウェーハ処理が終ると、第1処理
ユニツト4から第2処理ユニツト5ヘウエーハ23を移
動させたのと同様の作動で第3処理ユニツト6ヘウエー
ハ23を移動する。
第3処理ユニツト6でのウェーハ処理が終ると第2ハン
ドリングユニツト14で処理完了のウェーハ23を取出
し、貯留ステージ15の貯留カセット24へ収納せしめ
る。この収納位置は未処理ウェーハ23との干渉を避け
る為、例えば3段目とする。更に、処理完了のウェーハ
23は第1ハンドリングユニツト13によって貯留ステ
ージ15より取出され、アンロードユニット3の昇降機
構33との協働により、ウェーハカートリッジ31へと
収納される。
以上述べた如く、未処理のウェーハ23がロードユニッ
ト2より第1ハンドリングユニツト13より取出され、
順次供給されると共に各処理が終了毎に次行程への処理
へと第2ハンドリングユニツト14によって順次送られ
、更に処理完了のものはアンロードユニット3へ収納さ
れる。
これら、ウェーハの各ユニット間の移動は搬送ユニット
1を経て行われ、しかも真空中で行われる。
尚、1つの処理から次の処理へ移動する際に再度アライ
ンメントが必要な場合にはアラインメントユニット17
へ戻され、或は1つの処理から前の処理へ戻す場合もあ
り、この場合直接戻してもよく或は前処理中で処理ユニ
ットにウェーハが残っている場合等では一旦貯留ステー
ジ15に中継させる様にしてもよい、この時は、貯留カ
セット24で収納場所を2段目とすれば、未処理ウェー
ハ、処理完了ウェーハ等と干渉しないので好都合である
又、上記実施例では貯留カセットのウェーハ収納段数を
3段としたが5.2段としても4段以上としても勿論か
まわない、収納段数を複数段とするとバッファ機能を発
揮し、各ユニットに於ける処理時間等によって生じるハ
ンドリング時期のずれによって生じるロスタイムを吸収
でき効率が上がる。
更に、ウェーハの移動経路についても効率、処理手順を
考慮して適宜決定すればよく、ロードユニット、アンロ
ードユニットについてもその機能を固定する必要がなく
、ロードユニットから取出し処理完了したものをロード
ユニットへ戻すようにしてもよい、更に、本装置を生産
ラインの途中に設ければラインに沿って流れてくるウェ
ーハを処理することになるので上記した如き構成のロー
ドユニ、ット、アンロードユニットは必要なくなる。
又、上記実施例では処理ユニットを3組設けたが、2組
であってもよい、或は搬送ユニットの処理ユニットが設
けられる部分の形状を5角形、6角形として処理ユニッ
トを4M、5組設けてもよい、更に、ハンドリングユニ
ットを直線的に3組以上設け、各ハンドリングユニット
間に貯留ステージを設け、増設したハンドリングユニッ
トに対応させ各種ユニットを増設させてもよい。
更に又、ハンドリングユニットに昇降機能を付加すれば
、ロードユニット、アンロードユニット、貯留ステージ
、ウェーハ支持機構に設けた昇降a!楕は省略すること
ができる。
その池水発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え
得ることは言うまでもない。
[発明の効果] 以上述べた如く本発明によれば下記の優れた効果を発揮
する。
(1)処理方式は枚葉方式であるのでウェーハの大型化
に対応できると共に品質にバラツキがなく高品質の処理
か可能である。
(11)−度にa数の処理を行うので高スルーグツトが
得られる。
国)ウェーハの移動は常に真空状態で行われるので、各
処理間での汚染を防止できると共にゴミの付着が防止で
き、高品質化を図れ、不良品発生率を大幅に低減できる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す平面図、第2図は第1
図のA−A矢視図、第3図、第4図はロードユニット、
アンロードユニットの支持回転機構の斜視図、第5図は
ロードユニット、アンロードユニットの昇降機構を示す
説明図、第6図はハンドリングユニットの斜視図、第7
図はウェーハの斜視図である。 1は搬送ユニット、2はロードユニット、3はアンロー
ドユニット、4は第1処理ユニツト、5は第2処理ユニ
ツト、6は第3処理ユニット、7、8.9.10.11
は真空ゲート弁、13は第1ハンドリングユニツト、1
4は第2ハンドリングユニツト、15は貯留ステージ、
23はウェーハを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)内部を気密とし、該内部に複数のハンドリングユニ
    ットを設け、ハンドリングユニットとハンドリングユニ
    ットとの間にウェーハを一時収納する貯留ステージを設
    けた搬送ユニットに前記ハンドリングユニットに対応さ
    せウェーハ処理ユニット、ロードユニット等内部が気密
    となる様構成した所要のユニットを真空ゲート弁を介し
    て連設したことを特徴とするウェーハ処理装置。
JP24705688A 1988-09-30 1988-09-30 ウェーハ処理装置 Expired - Lifetime JP2545591B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24705688A JP2545591B2 (ja) 1988-09-30 1988-09-30 ウェーハ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24705688A JP2545591B2 (ja) 1988-09-30 1988-09-30 ウェーハ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0294647A true JPH0294647A (ja) 1990-04-05
JP2545591B2 JP2545591B2 (ja) 1996-10-23

Family

ID=17157765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24705688A Expired - Lifetime JP2545591B2 (ja) 1988-09-30 1988-09-30 ウェーハ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2545591B2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190643A (ja) * 1991-12-26 1993-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH06177225A (ja) * 1992-08-31 1994-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 環境制御装置
JPH06268044A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Tdk Corp クリーン搬送方法及び装置
JPH07235580A (ja) * 1994-02-22 1995-09-05 Tdk Corp クリーン搬送方法及び装置
JPH09181058A (ja) * 1996-12-16 1997-07-11 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法
US5784799A (en) * 1990-08-29 1998-07-28 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus for substate wafers
JP2001513592A (ja) * 1997-07-11 2001-09-04 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド フロントエンド拡張部及び内部基板バッファを備えた基板搬送装置を有する基板処理装置
US7089680B1 (en) 1990-08-29 2006-08-15 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
USRE39756E1 (en) 1990-08-29 2007-08-07 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
USRE39775E1 (en) 1990-08-29 2007-08-21 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
JP2008147616A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Semes Co Ltd 半導体素子の製造装置
JP2017150078A (ja) * 2017-03-07 2017-08-31 ピコサン オーワイPicosun Oy Ald反応炉における基板の装填
US10161038B2 (en) 2012-11-23 2018-12-25 Picosun Oy Substrate loading in an ALD reactor

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5730341A (en) * 1980-07-30 1982-02-18 Anelva Corp Substrate processing device
JPS6085536A (ja) * 1983-10-17 1985-05-15 Hitachi Ltd ウエハ位置決め装置
JPS60211856A (ja) * 1984-03-09 1985-10-24 テーガル・コーポレーション 物品処理方法及びウエハ処理方法
JPS6130030A (ja) * 1984-07-12 1986-02-12 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 多元素半導体のアニ−ル方法
JPS6342142A (ja) * 1986-04-28 1988-02-23 バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド ウエ−ハ取扱いア−ム
EP0272141A2 (en) * 1986-12-19 1988-06-22 Applied Materials, Inc. Multiple chamber integrated process system

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5730341A (en) * 1980-07-30 1982-02-18 Anelva Corp Substrate processing device
JPS6085536A (ja) * 1983-10-17 1985-05-15 Hitachi Ltd ウエハ位置決め装置
JPS60211856A (ja) * 1984-03-09 1985-10-24 テーガル・コーポレーション 物品処理方法及びウエハ処理方法
JPS6130030A (ja) * 1984-07-12 1986-02-12 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 多元素半導体のアニ−ル方法
JPS6342142A (ja) * 1986-04-28 1988-02-23 バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド ウエ−ハ取扱いア−ム
EP0272141A2 (en) * 1986-12-19 1988-06-22 Applied Materials, Inc. Multiple chamber integrated process system

Cited By (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6634116B2 (en) 1990-08-09 2003-10-21 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6473989B2 (en) 1990-08-29 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Conveying system for a vacuum processing apparatus
US6484415B2 (en) 1990-08-29 2002-11-26 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US7367135B2 (en) 1990-08-29 2008-05-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
USRE39823E1 (en) 1990-08-29 2007-09-11 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US5784799A (en) * 1990-08-29 1998-07-28 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus for substate wafers
US5950330A (en) * 1990-08-29 1999-09-14 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6012235A (en) * 1990-08-29 2000-01-11 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6044576A (en) * 1990-08-29 2000-04-04 Hitachi, Ltd. Vacuum processing and operating method using a vacuum chamber
US6055740A (en) * 1990-08-29 2000-05-02 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6070341A (en) * 1990-08-29 2000-06-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US6108929A (en) * 1990-08-29 2000-08-29 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6112431A (en) * 1990-08-29 2000-09-05 Hitachi, Ltd. Vacuum processing and operating method
US6263588B1 (en) 1990-08-29 2001-07-24 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
USRE39824E1 (en) 1990-08-29 2007-09-11 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US6301802B1 (en) 1990-08-29 2001-10-16 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6301801B1 (en) 1990-08-29 2001-10-16 Shigekazu Kato Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6314658B2 (en) 1990-08-29 2001-11-13 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6330755B1 (en) 1990-08-29 2001-12-18 Hitachi, Ltd. Vacuum processing and operating method
US6330756B1 (en) 1990-08-29 2001-12-18 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6332280B2 (en) 1990-08-29 2001-12-25 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6446353B2 (en) 1990-08-29 2002-09-10 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6457253B2 (en) 1990-08-29 2002-10-01 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6463678B2 (en) 1990-08-29 2002-10-15 Hitachi, Ltd. Substrate changing-over mechanism in a vaccum tank
US6463676B1 (en) 1990-08-29 2002-10-15 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6467187B2 (en) 1990-08-29 2002-10-22 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6467186B2 (en) 1990-08-29 2002-10-22 Hitachi, Ltd. Transferring device for a vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6470596B2 (en) 1990-08-29 2002-10-29 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
USRE39776E1 (en) 1990-08-29 2007-08-21 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
USRE39775E1 (en) 1990-08-29 2007-08-21 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US6625899B2 (en) 1990-08-29 2003-09-30 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6487794B2 (en) 1990-08-29 2002-12-03 Hitachi, Ltd. Substrate changing-over mechanism in vacuum tank
US6487791B2 (en) 1990-08-29 2002-12-03 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6487793B2 (en) 1990-08-29 2002-12-03 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6490810B2 (en) 1990-08-29 2002-12-10 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6499229B2 (en) 1990-08-29 2002-12-31 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6505415B2 (en) 1990-08-29 2003-01-14 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6588121B2 (en) 1990-08-29 2003-07-08 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6484414B2 (en) 1990-08-29 2002-11-26 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
USRE39756E1 (en) 1990-08-29 2007-08-07 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US6655044B2 (en) 1990-08-29 2003-12-02 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6662465B2 (en) 1990-08-29 2003-12-16 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6880264B2 (en) 1990-08-29 2005-04-19 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6886272B2 (en) 1990-08-29 2005-05-03 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6904699B2 (en) 1990-08-29 2005-06-14 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6968630B2 (en) 1990-08-29 2005-11-29 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US7089680B1 (en) 1990-08-29 2006-08-15 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
JPH05190643A (ja) * 1991-12-26 1993-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH06177225A (ja) * 1992-08-31 1994-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 環境制御装置
JPH06268044A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Tdk Corp クリーン搬送方法及び装置
JPH07235580A (ja) * 1994-02-22 1995-09-05 Tdk Corp クリーン搬送方法及び装置
JPH09181058A (ja) * 1996-12-16 1997-07-11 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法
JP2001513592A (ja) * 1997-07-11 2001-09-04 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド フロントエンド拡張部及び内部基板バッファを備えた基板搬送装置を有する基板処理装置
JP2010147490A (ja) * 1997-07-11 2010-07-01 Brooks Automation Inc フロントエンド拡張部及び内部基板バッファを備えた基板搬送装置を有する基板処理装置
JP2008147616A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Semes Co Ltd 半導体素子の製造装置
US10161038B2 (en) 2012-11-23 2018-12-25 Picosun Oy Substrate loading in an ALD reactor
US11280001B2 (en) 2012-11-23 2022-03-22 Picosun Oy Substrate loading in an ALD reactor
JP2017150078A (ja) * 2017-03-07 2017-08-31 ピコサン オーワイPicosun Oy Ald反応炉における基板の装填

Also Published As

Publication number Publication date
JP2545591B2 (ja) 1996-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6327794B2 (en) Processing method for substrate
US6079927A (en) Automated wafer buffer for use with wafer processing equipment
US5044871A (en) Integrated circuit processing system
US4966519A (en) Integrated circuit processing system
US4907701A (en) Apparatus for inspecting the appearance of semiconductor devices
JP3447698B2 (ja) 2ウエハ・ロードロック・ウエハ処理装置ならびにその装填および排出方法
JP2751975B2 (ja) 半導体処理装置のロードロック室
US20010038783A1 (en) Dual loading port semiconductor processing equipment
EP1195795A2 (en) Vacuum apparatus and method
TWI462213B (zh) 基板處理裝置
JPH08505268A (ja) 回転可能で水平に伸ばし得るウェーハホルダを備えたウェーハ移送モジュール
JPH05275511A (ja) 被処理体の移載システム及び処理装置
JP2002527901A (ja) ウエーハ用並べ換え/貯蔵装置とその取扱法
JP2002517055A (ja) 基板取扱いおよび処理システムと方法
JPH0294647A (ja) ウェーハ処理装置
JPH10256346A (ja) カセット搬出入機構及び半導体製造装置
JP7624501B2 (ja) 基板処理装置及び基板収納容器保管方法
JP2002517088A (ja) 半導体ウエハハンドリング用バッチ式エンドエフェクタ
CN101292339B (zh) 用于存储污染敏感片状物品、尤其是半导体晶片的装置
US20070065581A1 (en) Substrate processing system and method
US4498832A (en) Workpiece accumulating and transporting apparatus
US4943457A (en) Vacuum slice carrier
JPH05304197A (ja) マルチチャンバシステム
US5857848A (en) Transfer apparatus and vertical heat-processing system using the same
US7585142B2 (en) Substrate handling chamber with movable substrate carrier loading platform

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808

Year of fee payment: 13