JPH0298128A - 半導体薄膜の形成方法 - Google Patents
半導体薄膜の形成方法Info
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- JPH0298128A JPH0298128A JP63250341A JP25034188A JPH0298128A JP H0298128 A JPH0298128 A JP H0298128A JP 63250341 A JP63250341 A JP 63250341A JP 25034188 A JP25034188 A JP 25034188A JP H0298128 A JPH0298128 A JP H0298128A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電子素子、光学素子等に用いられる半導体薄膜
の形成方法に関するものである。
の形成方法に関するものである。
［従来の技術］
従来熱以外のエネルギーを主として用いたプラズマＣＶ
Ｏ等の成膜技術によって形成された電子素子用の薄膜は
、例えば光電変換素子等に用いた場合は、光電特性の光
劣化が大きく、問題になっていた。一方、熱エネルギー
を主として用いた熱ＣＶＯ等の成膜技術によって形成さ
れた薄膜は光劣化が少なく、しかも複雑な表面形状を有
する基板の上にも比較的−様な膜厚で成膜することがで
きる。
Ｏ等の成膜技術によって形成された電子素子用の薄膜は
、例えば光電変換素子等に用いた場合は、光電特性の光
劣化が大きく、問題になっていた。一方、熱エネルギー
を主として用いた熱ＣＶＯ等の成膜技術によって形成さ
れた薄膜は光劣化が少なく、しかも複雑な表面形状を有
する基板の上にも比較的−様な膜厚で成膜することがで
きる。
［発明が解決しようとする課題Ｊ
従来、アモルファスシリコン太陽電池等の光電変換素子
用の薄膜はモノシラン、ジシラン等のシラン系の化合物
の熱分解で形成すると、光劣化の少ない膜および素子を
得ることができることが知られている。しかし成膜時の
基板温度が実用的な温度範囲としては５００℃に近い温
度を必要とし、このため使用可能な基板の種類にも制限
があり光電変換素子用の薄膜としての膜質も最善のもの
ではなく、改善を必要としていた。しかも、これまで薄
膜の光学ギャップを１．６ｅｖ以下に小さく調節するこ
とは難しかった。
用の薄膜はモノシラン、ジシラン等のシラン系の化合物
の熱分解で形成すると、光劣化の少ない膜および素子を
得ることができることが知られている。しかし成膜時の
基板温度が実用的な温度範囲としては５００℃に近い温
度を必要とし、このため使用可能な基板の種類にも制限
があり光電変換素子用の薄膜としての膜質も最善のもの
ではなく、改善を必要としていた。しかも、これまで薄
膜の光学ギャップを１．６ｅｖ以下に小さく調節するこ
とは難しかった。
本発明は従来の欠点を解消し、より低温で半導体薄膜を
形成することができ、しかも制御された光学ギャップを
有する薄膜を得ることのできる半導体薄膜の形成方法を
提供することを目的とする。
形成することができ、しかも制御された光学ギャップを
有する薄膜を得ることのできる半導体薄膜の形成方法を
提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、化合物Ｇ１１ＸＦ、Ｈ２（Ｘ≧１．Ｙ≧１゜
２≧０）と化合物Ｓｉ、ＨｖＦｗ（Ｕ≧１．Ｖ≧１゜Ｗ
２Ｏ）とを加熱した基板上に供給し、基板上にＧｅを含
む薄膜を形成することを特徴とする。
２≧０）と化合物Ｓｉ、ＨｖＦｗ（Ｕ≧１．Ｖ≧１゜Ｗ
２Ｏ）とを加熱した基板上に供給し、基板上にＧｅを含
む薄膜を形成することを特徴とする。
［作 用１
本発明者らは熱エネルギーを主として用いた熱ＣＶＤ等
の半導体薄膜の成膜技術において、シラン系の化合物Ｓ
ｆｕＨｖＦｗ（Ｕ≧１．Ｖ≧１．Ｗ≧０）に、ざらにＧ
ｅのフッ化物またはそのフッ素の一部を水素で置換した
化合物ＧｅｘＦｙＨｚ （ｘ≧１゜Ｙ≧１．Ｚ≧０）を
混合した原料を加熱した基板上に供給し、シラン系のみ
の成膜温度よりも低い温度またはＧ６ｘＦｙ）ｌｘのみ
の成膜温度よりも低い温度で、半導体薄膜を成膜するこ
とができることを着想し確かめた。また、シラン系のみ
又はＧｅｘＦ、）１．のみを原料とした場合、成膜はす
るが、成膜速度が、成膜温度で律速される温度範囲では
これらの化合物を混合した場合は、さらに−層大きな成
膜速度が得られることを確かめた。さらに、本発明者ら
はこれらの化合物の混合比だけではなく、混合比が一定
の時でも成膜時基板温度を変化させることにより、薄膜
の光学ギャップを変化させることができるということを
確かめた。本発明においてはこれらの方法を用いること
によってすぐれた膜質と制御された光学ギャップを有す
る半導体薄膜を低温度で基板上に形成することができる
。
の半導体薄膜の成膜技術において、シラン系の化合物Ｓ
ｆｕＨｖＦｗ（Ｕ≧１．Ｖ≧１．Ｗ≧０）に、ざらにＧ
ｅのフッ化物またはそのフッ素の一部を水素で置換した
化合物ＧｅｘＦｙＨｚ （ｘ≧１゜Ｙ≧１．Ｚ≧０）を
混合した原料を加熱した基板上に供給し、シラン系のみ
の成膜温度よりも低い温度またはＧ６ｘＦｙ）ｌｘのみ
の成膜温度よりも低い温度で、半導体薄膜を成膜するこ
とができることを着想し確かめた。また、シラン系のみ
又はＧｅｘＦ、）１．のみを原料とした場合、成膜はす
るが、成膜速度が、成膜温度で律速される温度範囲では
これらの化合物を混合した場合は、さらに−層大きな成
膜速度が得られることを確かめた。さらに、本発明者ら
はこれらの化合物の混合比だけではなく、混合比が一定
の時でも成膜時基板温度を変化させることにより、薄膜
の光学ギャップを変化させることができるということを
確かめた。本発明においてはこれらの方法を用いること
によってすぐれた膜質と制御された光学ギャップを有す
る半導体薄膜を低温度で基板上に形成することができる
。
［実施例１
以下に本発明の詳細な説明する。
薄膜の成長には第１図に示すランプ加熱炉を用いた。石
英チャンバ（反応室）１内の基板支持具２上にＳｉＣで
被覆されたカーボンサセプタ３が置かれ、その上に基板
４が載せられる。石英チャンバ１の外周には赤外線また
は白色光ランプ５およびミラー６からなる輻射加熱装置
が設けられ、サセプタ３を加熱し、従って基板４を加熱
することがで籾る。基板４の温度は熱電対７又はパイロ
メータ８によって測定され、さらに温度制御器９および
ランプ電源１０を制御することによって所定の温度に保
つことができる。
英チャンバ（反応室）１内の基板支持具２上にＳｉＣで
被覆されたカーボンサセプタ３が置かれ、その上に基板
４が載せられる。石英チャンバ１の外周には赤外線また
は白色光ランプ５およびミラー６からなる輻射加熱装置
が設けられ、サセプタ３を加熱し、従って基板４を加熱
することがで籾る。基板４の温度は熱電対７又はパイロ
メータ８によって測定され、さらに温度制御器９および
ランプ電源１０を制御することによって所定の温度に保
つことができる。
まず石英チャンバ１内を、ロータリポンプ１１などの真
空ポンプによって、電磁弁１２および液体窒素トラップ
１３を通して排気する。石英チャンバ１内が所定の真空
度に達したことを真空計１４によって確かめ、基板４を
所定温度まで加熱する。基板４が加熱されると、電磁バ
ルブ１２は閉じられる。
空ポンプによって、電磁弁１２および液体窒素トラップ
１３を通して排気する。石英チャンバ１内が所定の真空
度に達したことを真空計１４によって確かめ、基板４を
所定温度まで加熱する。基板４が加熱されると、電磁バ
ルブ１２は閉じられる。
Ｇｅのフッカ物またはそのフッ素の一部を水素で置換し
た化合物が配管系Ａから、Ｓｉの水素化物またはその水
素の一部をフッ素で置換された化合物が、配管系Ｂから
それぞれバルブ１５＾、圧力調整バルブも使用可能であ
る。
た化合物が配管系Ａから、Ｓｉの水素化物またはその水
素の一部をフッ素で置換された化合物が、配管系Ｂから
それぞれバルブ１５＾、圧力調整バルブも使用可能であ
る。
ＧｅＸＦＹｌｌｚの最も単純な代表としてＧｅＦ４を用
いた場合の実施例を以下に述べる。
いた場合の実施例を以下に述べる。
基板としては、薄膜の光学測定、すなわち膜厚、光学ギ
ャップＥ。ｏｐｔの算出および光伝導率の測定のために
は石英基板を、結合水素量の同定のための赤外吸収測定
用およびＧｅとＳｉの組成比を分に半導体薄膜が形成さ
れる。反応後に分解生成される水素およびフッ素および
未反応ガスはガス排出管２１からバルブ２２および圧力
調整バルブ２３を経由して排気され、反応室内の圧力は
所定の値に制御される。
ャップＥ。ｏｐｔの算出および光伝導率の測定のために
は石英基板を、結合水素量の同定のための赤外吸収測定
用およびＧｅとＳｉの組成比を分に半導体薄膜が形成さ
れる。反応後に分解生成される水素およびフッ素および
未反応ガスはガス排出管２１からバルブ２２および圧力
調整バルブ２３を経由して排気され、反応室内の圧力は
所定の値に制御される。
ランプ加熱炉は石英管壁の加熱が少な（、従りて薄膜が
主として基板上に堆積するので有利である。しかし、基
板を抵抗加熱型のヒーターで加熱する抵抗加熱炉および
基板を高周波加熱する高周る。
主として基板上に堆積するので有利である。しかし、基
板を抵抗加熱型のヒーターで加熱する抵抗加熱炉および
基板を高周波加熱する高周る。
第２図はシラン系の化合物としてジシラン５ｉ２１（、
をＧｅＦａとほぼ等量に混合し、反応室内の圧力を１０
０Ｔｏｒｒに制御して成膜した場合の、薄膜の成膜速度
および光学ギャップの成膜時温度依存性を示す、５００
℃より充分低い３２５℃でも膜の成長が観察され、温度
の上昇に伴い成膜温度は増加するが、本実施例の実験条
件では３５０℃以上では成膜速度はほぼ一定となる。一
方、薄膜の光学ギヤツブは、３２５℃の成膜温度では０
．７ｅｖであるが、成膜温度の上昇と共に増加し、４２
５℃の成膜温度では１．３５ｅｖまで増加する。
をＧｅＦａとほぼ等量に混合し、反応室内の圧力を１０
０Ｔｏｒｒに制御して成膜した場合の、薄膜の成膜速度
および光学ギャップの成膜時温度依存性を示す、５００
℃より充分低い３２５℃でも膜の成長が観察され、温度
の上昇に伴い成膜温度は増加するが、本実施例の実験条
件では３５０℃以上では成膜速度はほぼ一定となる。一
方、薄膜の光学ギヤツブは、３２５℃の成膜温度では０
．７ｅｖであるが、成膜温度の上昇と共に増加し、４２
５℃の成膜温度では１．３５ｅｖまで増加する。
ＧｅＦ４とジシランの混合比を変えることによって、成
膜温度が一定でも成膜速度または光学ギャップを変化さ
せることができる。さらに反応室内の圧力を変えること
によって、成膜速度を変える合は４７５℃でも成膜しな
かった。ジシランのみを原料とする場合は４５０℃以下
では成膜速度は本実施例でＧｅＦａを混合した場合に比
し著しく小さく、４００℃以下ではほとんど成膜しなか
った。
膜温度が一定でも成膜速度または光学ギャップを変化さ
せることができる。さらに反応室内の圧力を変えること
によって、成膜速度を変える合は４７５℃でも成膜しな
かった。ジシランのみを原料とする場合は４５０℃以下
では成膜速度は本実施例でＧｅＦａを混合した場合に比
し著しく小さく、４００℃以下ではほとんど成膜しなか
った。
第３図はＧｅＦ、とＳｉ２Ｈｇとをほぼ等量に混合し、
反応室内の圧力を１０ｔｏｒｒに制御して成膜した場合
の成膜速度と、堆積した膜の光学ギャップの成膜どＧｅ
であり、ＳＩの組成は２％以下であったが、高温（４０
０℃以上）で形成された膜にはより多くのＳｉが含まれ
ている。たとえば４２５℃で成膜された膜には３４％の
Ｓｔが含まれていることがオージェ分光分析で示された
。
反応室内の圧力を１０ｔｏｒｒに制御して成膜した場合
の成膜速度と、堆積した膜の光学ギャップの成膜どＧｅ
であり、ＳＩの組成は２％以下であったが、高温（４０
０℃以上）で形成された膜にはより多くのＳｉが含まれ
ている。たとえば４２５℃で成膜された膜には３４％の
Ｓｔが含まれていることがオージェ分光分析で示された
。
従来のアモルファスＳｉ膜の場合は反応温度が高くなる
とＥ。ａｐｔは低下した。第２図の結果は従来例と極だ
った対比を示している。
とＥ。ａｐｔは低下した。第２図の結果は従来例と極だ
った対比を示している。
また、未実施例では、ＧｅＦ４のみを原料とする基膜温
度４５０℃以上で成膜速度が再度上昇する傾向がみられ
た。
度４５０℃以上で成膜速度が再度上昇する傾向がみられ
た。
光学ギャップは４００℃前後の成膜温度を境にして高温
側で増加する。この実施例の場合も従来のＳｉ２Ｈ６の
みの成膜と異なり成膜温度上昇に従い光学ギャップの増
加する傾向がみられている。この実施例においても従来
のアモルファスＳｉ膜の熱ＣＶＤと逆の傾向を示してい
る。
側で増加する。この実施例の場合も従来のＳｉ２Ｈ６の
みの成膜と異なり成膜温度上昇に従い光学ギャップの増
加する傾向がみられている。この実施例においても従来
のアモルファスＳｉ膜の熱ＣＶＤと逆の傾向を示してい
る。
第４図は成膜温度を３５０℃と４５０℃とに選び、５ｔ
２）１．とＧｅＦ４との流量比を変化させて成膜した場
合の、成膜速度と成膜した膜の光学ギャップの成膜温度
依存性を示す。この場合も、第３図と同様、反応室内の
圧力を１０ｔｏｒｒとした。さらに基板をおく場所によ
るバラツキを小さくするために不活性キャリアガスとし
てＡ「を流した。成膜速度はＳｔ、＋＋６７ＧｅＦ４が
２前後で最高となり、５ｉＪａ／ＧｅＦ４がガスのみに
よる場合よりもさらに低温で成膜が可能であるばかりか
、ＧｅｘＦｙＨｚとＳｉｕＨｖＦｗの流量比又は成膜温
度を設定することにより従来よりも低光学ギャップ域で
光学ギャップの制御を行うことができる。
２）１．とＧｅＦ４との流量比を変化させて成膜した場
合の、成膜速度と成膜した膜の光学ギャップの成膜温度
依存性を示す。この場合も、第３図と同様、反応室内の
圧力を１０ｔｏｒｒとした。さらに基板をおく場所によ
るバラツキを小さくするために不活性キャリアガスとし
てＡ「を流した。成膜速度はＳｔ、＋＋６７ＧｅＦ４が
２前後で最高となり、５ｉＪａ／ＧｅＦ４がガスのみに
よる場合よりもさらに低温で成膜が可能であるばかりか
、ＧｅｘＦｙＨｚとＳｉｕＨｖＦｗの流量比又は成膜温
度を設定することにより従来よりも低光学ギャップ域で
光学ギャップの制御を行うことができる。
上記の実施例ではＧ ｅ ｘ Ｆ −ｔ ｔｌ ｚの一
例としてＧｅＦ４を用いたが、Ｇｅ２Ｆ６を用いれば膜
の成長温度範囲は量比５を境にして、それより大きい部
分では流量比の増加に従って光学ギャップの増加がみら
れ、４００℃で成長した膜は１．Ｏｅｖ前後から１．２
ｅｖ以上の値まで増加した。
例としてＧｅＦ４を用いたが、Ｇｅ２Ｆ６を用いれば膜
の成長温度範囲は量比５を境にして、それより大きい部
分では流量比の増加に従って光学ギャップの増加がみら
れ、４００℃で成長した膜は１．Ｏｅｖ前後から１．２
ｅｖ以上の値まで増加した。
以上の実施例の中で得られた膜の大部分は前にも述べた
ようにアモルファスであったが、成膜速度の小さい膜の
中には微細な結晶化を示している膜もあった。
ようにアモルファスであったが、成膜速度の小さい膜の
中には微細な結晶化を示している膜もあった。
以上の実施例で示すように、本発明の成膜方法によれば
従来のシラン系のガス又はＧｅｘＦＹＨ２系のＨにずれ
、Ｓｉ、Ｈ８を用いれば５１２Ｈ６の場合よりわずか低
温側にずれる。
従来のシラン系のガス又はＧｅｘＦＹＨ２系のＨにずれ
、Ｓｉ、Ｈ８を用いれば５１２Ｈ６の場合よりわずか低
温側にずれる。
本発明においては、ＧｅＦａ、Ｇｅ２Ｆ６などの６８の
フッ化物またはそのフッ素の一部を水素で置換した化合
物をＳｉの水素化物またはその水素の一部をフッ素で置
換した化合物で還元する。反応温度が低いと（ＧｅＦ４
と５ｔ２Ｈ，の実施例では約３５０℃以下） 、Ｓｉ
が薄膜中にとり込まれ難いためＥ。ｏｐｔは小さく、反
応温度が高いとＳｉが一部薄膜にとり込まれてＥ（ｌｏ
ｐｔが増加すると考えられる。
フッ化物またはそのフッ素の一部を水素で置換した化合
物をＳｉの水素化物またはその水素の一部をフッ素で置
換した化合物で還元する。反応温度が低いと（ＧｅＦ４
と５ｔ２Ｈ，の実施例では約３５０℃以下） 、Ｓｉ
が薄膜中にとり込まれ難いためＥ。ｏｐｔは小さく、反
応温度が高いとＳｉが一部薄膜にとり込まれてＥ（ｌｏ
ｐｔが増加すると考えられる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によればＧｅＸＦｙ）１２
をＳｊｕＦｖｌｌｗで還元してＧｅを含む薄膜を基板上
に形成するので、すぐれた膜質と制御された光学ギャッ
プを有する半導体薄膜を低温度で基板上に形成すること
ができる。
をＳｊｕＦｖｌｌｗで還元してＧｅを含む薄膜を基板上
に形成するので、すぐれた膜質と制御された光学ギャッ
プを有する半導体薄膜を低温度で基板上に形成すること
ができる。
６・・・ミラー
２０・・・原料導入管、
２１・・・ガス排出管、
Ａ、Ｂ・・・配管系。
指定代理人 工業技術院電子技術総合研究所長第２図お
よび第３図は成膜速度、光学ギャップの成膜温度依存性
を示す特性図、 第４図は成膜速度および光学ギャップの５１２１１６／
ＧｅＦ４流量比依存性を示す特性図である。
よび第３図は成膜速度、光学ギャップの成膜温度依存性
を示す特性図、 第４図は成膜速度および光学ギャップの５１２１１６／
ＧｅＦ４流量比依存性を示す特性図である。
１・・・石英チャンバ（反応室）、
２・・・基板支持具、
３・・・サセプタ、
４・・・基板、
５・・・ランプ、
底膜速度
光像ギーＩ−ヮア
Ａ膜綺幕柩」
（”Ｃ）
第２図
Ａ順■
光電ギ豪９フ。
Ａ順侍巻扱劫
（°Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）化合物Ｇｅ＿ＸＦ＿ＹＨ＿Ｚ（Ｘ≧１、Ｙ≧１、Ｚ
≧０）と化合物Ｓｉ＿ＵＨ＿ＶＦ＿Ｗ（Ｕ≧１、Ｖ≧１
、Ｗ≧０）とを加熱した基板上に供給し、該基板上にＧ
ｅを含む薄膜を形成することを特徴とする半導体薄膜の
形成方法。 ２）前記基板の温度が、Ｓｉ＿ＵＨ＿ＶＦ＿Ｗのみまた
はＧｅ＿ＸＦ＿ＹＨ＿Ｚのみでは成膜しない温度である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体薄膜の形成方
法。 ３）薄膜形成時の基板温度により薄膜の光学ギャップを
制御することを特徴とする請求項１に記載の半導体薄膜
の形成方法。 ４）Ｇｅ＿ＸＦ＿ＹＨ＿ＺとＳｉ＿ＵＨ＿ＶＦ＿Ｗの混
合比を変化させることによって薄膜の光学ギャップを制
御することを特徴とする請求項１に記載の半導体薄膜の
形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250341A JPH0298128A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体薄膜の形成方法 |
| US07/742,101 US5232868A (en) | 1988-10-04 | 1991-08-05 | Method for forming a thin semiconductor film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250341A JPH0298128A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298128A true JPH0298128A (ja) | 1990-04-10 |
| JPH0580137B2 JPH0580137B2 (ja) | 1993-11-08 |
Family
ID=17206478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63250341A Granted JPH0298128A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298128A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231718A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-16 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | ｐｉｎ型光起電力セルの製造方法 |
| JPS61234029A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61237417A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-22 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61245519A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61252624A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-10 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP63250341A patent/JPH0298128A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231718A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-16 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | ｐｉｎ型光起電力セルの製造方法 |
| JPS61234029A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61237417A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-22 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61245519A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61252624A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-10 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580137B2 (ja) | 1993-11-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |