JPH029847A - 新規ジアミンの製造法 - Google Patents
新規ジアミンの製造法Info
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- JPH029847A JPH029847A JP63160417A JP16041788A JPH029847A JP H029847 A JPH029847 A JP H029847A JP 63160417 A JP63160417 A JP 63160417A JP 16041788 A JP16041788 A JP 16041788A JP H029847 A JPH029847 A JP H029847A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
るジアミンと酸二無水物(例えば、ピロメリット酸二無
水物)とから得られるポリイミドは成形加工性、熱安定
性に優れることが示され、該ポリイミドを成形材料とし
て利用する例、すなわち該ポリイミドを高温下に圧縮し
て成形体を製造する例及び該ポリイミドを接着剤として
利用する例、すなわち該ポリイミドのフィルムをスチー
ル板ではさみ、高温下に圧縮してスチール板を接着する
例が示されている。
水物)とから得られるポリイミドは成形加工性、熱安定
性に優れることが示され、該ポリイミドを成形材料とし
て利用する例、すなわち該ポリイミドを高温下に圧縮し
て成形体を製造する例及び該ポリイミドを接着剤として
利用する例、すなわち該ポリイミドのフィルムをスチー
ル板ではさみ、高温下に圧縮してスチール板を接着する
例が示されている。
上記一般式(■)で表わされるジアミンを使用して得ら
れるポリイミドは、上記のとおり熱安定性に優れるとい
う利点を有するが、このことは、換言すれば、該ポリイ
ミドが高いガラス転移点及び高い軟化点を有することで
ある。従って、該ポリイミドを成形材料として利用する
場合及び接着剤として利用する場合に高温加熱が必要で
ある。
れるポリイミドは、上記のとおり熱安定性に優れるとい
う利点を有するが、このことは、換言すれば、該ポリイ
ミドが高いガラス転移点及び高い軟化点を有することで
ある。従って、該ポリイミドを成形材料として利用する
場合及び接着剤として利用する場合に高温加熱が必要で
ある。
よって該ポリイミドは比較的低温での加熱が必要な場合
には、実用的な材料とならない。また、該ポリイミドは
有機溶剤への溶解性に劣る。
には、実用的な材料とならない。また、該ポリイミドは
有機溶剤への溶解性に劣る。
このようにポリイミドの性質は、その原料(ジアミン)
によって決定される面があり、このことから、上記の問
題点を解決するために、新規な原料(ジアミン)の開発
が望まれる。
によって決定される面があり、このことから、上記の問
題点を解決するために、新規な原料(ジアミン)の開発
が望まれる。
本発明は、4,4′ジハロゲノベンゾフエノン及び/又
は4,4′−ジハロゲノジフェニルスルポンと2− (
3−ヒドロキシフェニル)−2−(4′−アミノフェニ
ル)プロパンとを塩基の存極 注下、非プロトン性膵性溶媒中で反応させることを特徴
とする一般式(I) る)で表わされる新規ジアミンの製造法に関する。
は4,4′−ジハロゲノジフェニルスルポンと2− (
3−ヒドロキシフェニル)−2−(4′−アミノフェニ
ル)プロパンとを塩基の存極 注下、非プロトン性膵性溶媒中で反応させることを特徴
とする一般式(I) る)で表わされる新規ジアミンの製造法に関する。
本発明に用いることのできる4、4′−ジハロゲノベン
ゾフェノンとしては4,4′−ジクロロベンゾフェノン
、4,4′−ジフルオロベンゾフェノン、4,4′−ジ
ブロモベンゾフェノン等であり、収率の点からは4,4
′−ジフルオロベンゾフェノンが好ましく、工業的には
4,4′−ジクロロベンゾフェノンが好ましい。4,4
′−ジハロゲノジフェニルスルポンとしては4,4′ジ
クロロジフエニルスホン、4,4′−ジフルオロジフェ
ニルスルホン、4,4′−ジブロモジフェニルスルホン
等を用いることができ、工業的には4,4′−ジクロロ
ジフェニルスルホンが好ましい。
ゾフェノンとしては4,4′−ジクロロベンゾフェノン
、4,4′−ジフルオロベンゾフェノン、4,4′−ジ
ブロモベンゾフェノン等であり、収率の点からは4,4
′−ジフルオロベンゾフェノンが好ましく、工業的には
4,4′−ジクロロベンゾフェノンが好ましい。4,4
′−ジハロゲノジフェニルスルポンとしては4,4′ジ
クロロジフエニルスホン、4,4′−ジフルオロジフェ
ニルスルホン、4,4′−ジブロモジフェニルスルホン
等を用いることができ、工業的には4,4′−ジクロロ
ジフェニルスルホンが好ましい。
本発明において、4.4’ −、ジハロゲノベンゾフェ
ノン又は4,4′−ジハロゲノジフエニルスルホンの反
応の相手は、2−(3−ヒドロキシフェニル)−2−(
4’−アミノフェノキシ)プロパンであるが、これと共
にこれの異性体である2−(4−ヒドロキシフェニル)
−2−(4’ −アミノフェノキシ)プロパン及び/又
は2− (2−ヒドロキシフェニル)−2−(4’ −
アミノフェノキシ)プロパンを使用してもよい。この場
合には、一般式(I)で表わされるジアミン以外に、又
は で表わされるジアミン(ただし、上記式中、又は、一般
式(I)に同じ)及び場合により一般式(II)で表わ
されるジアミン等が一般式(I)で表わされる化合物と
同時に生成し、得られたジアミン混合物は、このまま、
ポリイミド等の耐熱性樹脂の原料、エポキシ樹脂の硬化
剤などに使用することができる。
ノン又は4,4′−ジハロゲノジフエニルスルホンの反
応の相手は、2−(3−ヒドロキシフェニル)−2−(
4’−アミノフェノキシ)プロパンであるが、これと共
にこれの異性体である2−(4−ヒドロキシフェニル)
−2−(4’ −アミノフェノキシ)プロパン及び/又
は2− (2−ヒドロキシフェニル)−2−(4’ −
アミノフェノキシ)プロパンを使用してもよい。この場
合には、一般式(I)で表わされるジアミン以外に、又
は で表わされるジアミン(ただし、上記式中、又は、一般
式(I)に同じ)及び場合により一般式(II)で表わ
されるジアミン等が一般式(I)で表わされる化合物と
同時に生成し、得られたジアミン混合物は、このまま、
ポリイミド等の耐熱性樹脂の原料、エポキシ樹脂の硬化
剤などに使用することができる。
低温成形性の優れた耐熱性樹脂の原料とするためには、
2− (3−ヒドロキシフェニル)−2−(4′−アミ
ノフェノキシ)プロパンが全2−(ヒドロキシフェニル
)−2−(4’ −アミノフェノキシ)プロパンに対し
て50モル%以上であるのが好ましく、特に75モル%
以上であるのが好ましい。
2− (3−ヒドロキシフェニル)−2−(4′−アミ
ノフェノキシ)プロパンが全2−(ヒドロキシフェニル
)−2−(4’ −アミノフェノキシ)プロパンに対し
て50モル%以上であるのが好ましく、特に75モル%
以上であるのが好ましい。
2−(ヒドロキシフェニル)−2−(4−アミノフェニ
ル)プロパンの使用量はジハロゲノベンゾフェノンまた
はジハロゲノジフェニルスルホンに対して2倍モル以上
であり、2〜3倍モル量が好ましい。
ル)プロパンの使用量はジハロゲノベンゾフェノンまた
はジハロゲノジフェニルスルホンに対して2倍モル以上
であり、2〜3倍モル量が好ましい。
本発明に用いることのできる塩基としては、水酸化カリ
ウム、水酸化ナトリウムなどの水酸化アルカリ、炭酸カ
リウム、炭酸ナトリウムなどのアルカリ金属の炭酸塩、
炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウムなどのアルカリ
金属の炭酸水素塩、カリウムエトキシド、ナトリウムメ
トキシド等のアルカリ金属のアルコキシド類である。こ
れらの塩基の使用量は2−(ヒドロキシフェニル)−2
−(4−アミノフェニル)プロパンに対してほぼ当モル
であり、0.9〜1.2倍モル量が好ましく、0.9〜
1.0倍モル量が特に好ましい。
ウム、水酸化ナトリウムなどの水酸化アルカリ、炭酸カ
リウム、炭酸ナトリウムなどのアルカリ金属の炭酸塩、
炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウムなどのアルカリ
金属の炭酸水素塩、カリウムエトキシド、ナトリウムメ
トキシド等のアルカリ金属のアルコキシド類である。こ
れらの塩基の使用量は2−(ヒドロキシフェニル)−2
−(4−アミノフェニル)プロパンに対してほぼ当モル
であり、0.9〜1.2倍モル量が好ましく、0.9〜
1.0倍モル量が特に好ましい。
本発明に用いることのできる非プロトン性極性溶媒とし
ては、N−メチル−2−ピロリドン、N。
ては、N−メチル−2−ピロリドン、N。
N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘキサメチ
ルリン酸トリアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リトン等であり、使用量は通常。
ミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘキサメチ
ルリン酸トリアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リトン等であり、使用量は通常。
原料の1〜10倍量である。これらの溶媒にトルエン、
ベンゼン、キシレン、クロルベンゼン等水と共沸する溶
媒を混合して用いることもできる。
ベンゼン、キシレン、クロルベンゼン等水と共沸する溶
媒を混合して用いることもできる。
反応温度は通常100〜250℃であり、120〜20
0℃が好ましい。反応時間は用いる原料、溶媒によって
異なるが、生成物を液体クロマトグラフィーなどで確認
しながら、反応終結まで行えばよい。
0℃が好ましい。反応時間は用いる原料、溶媒によって
異なるが、生成物を液体クロマトグラフィーなどで確認
しながら、反応終結まで行えばよい。
本発明において触媒として、クラウンエーテル。
クリプタンド、ポリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコールアルキルエーテル、4級アンモニウム塩、4
級ホスホニウム塩等を用いてもよい。
グリコールアルキルエーテル、4級アンモニウム塩、4
級ホスホニウム塩等を用いてもよい。
本発明における一般的な方法としては2−(ヒドロキシ
フェニル) −2−(アミノフェノキシ)プロパン、塩
基、溶媒を反応容器に入れ加熱し、フェノール塩とした
後、ジハロゲノベンゾフェノンまたはジハロゲノジフェ
ニルスルホンを加えて反応させるか、全原料を初めから
同時に加えて反応させるかいずれかの方法によってもよ
い。また、反応によって系内に水が生成する場合には、
窒素ガス等を吹き込む方法、水と共沸する溶剤を加えて
共沸させる方法等によって水を除去するのが好ましい。
フェニル) −2−(アミノフェノキシ)プロパン、塩
基、溶媒を反応容器に入れ加熱し、フェノール塩とした
後、ジハロゲノベンゾフェノンまたはジハロゲノジフェ
ニルスルホンを加えて反応させるか、全原料を初めから
同時に加えて反応させるかいずれかの方法によってもよ
い。また、反応によって系内に水が生成する場合には、
窒素ガス等を吹き込む方法、水と共沸する溶剤を加えて
共沸させる方法等によって水を除去するのが好ましい。
反応が終了した後、反応液を水中に注いで生成物を沈殿
させる方法、塩をろ過して除いた後、濃縮するか、ある
いは水で再沈する方法等によって目的の化合物を得るこ
とができる。
させる方法、塩をろ過して除いた後、濃縮するか、ある
いは水で再沈する方法等によって目的の化合物を得るこ
とができる。
本発明によって得られるジアミンはポリイミド。
ポリアミド、ポリマレイミド等耐熱樹脂の原料として用
いられるばかりでなく、エポキシ樹脂等の硬化剤として
も用いることができる。
いられるばかりでなく、エポキシ樹脂等の硬化剤として
も用いることができる。
以下、実施例により本発明の詳細な説明するが、本発明
はこれらの範囲に限定されるものではない。
はこれらの範囲に限定されるものではない。
実施例1
冷却管温度計、撹拌機、窒素ガス導入管を備えた4つ目
フラスコに、2−(3−ヒドロキシフェニル)−2−(
4’−アミノフェニル)プロパン45.4g、ジメチル
スルホキシド100mQ。
フラスコに、2−(3−ヒドロキシフェニル)−2−(
4’−アミノフェニル)プロパン45.4g、ジメチル
スルホキシド100mQ。
クロルベンゼン120mQを加え室温で溶解した後水酸
化カリウム13gを同量の水に溶解した水溶液を加えた
。窒素ガスを流しながら加熱攪拌し。
化カリウム13gを同量の水に溶解した水溶液を加えた
。窒素ガスを流しながら加熱攪拌し。
水を演出させた。水の演出がとまった後、温度を100
℃に下げ、4.4’ −ジフルオロベンゾフェノン21
.8 g を加え、165℃で4時間反応させた。室
温まで冷却し、沈殿をろ過して除いた後、水中に注ぎ粗
生成物を得た。粗生成物をトルエン−ヘキサン混合溶媒
より再結晶し、目的の化合物4,4′−ビス(3−(4
−アミノ−α、α−ジメチルベンジル)フェノキシ〕ジ
フェニルケトンを得た。収量45.5 g、融点107
〜111℃。
℃に下げ、4.4’ −ジフルオロベンゾフェノン21
.8 g を加え、165℃で4時間反応させた。室
温まで冷却し、沈殿をろ過して除いた後、水中に注ぎ粗
生成物を得た。粗生成物をトルエン−ヘキサン混合溶媒
より再結晶し、目的の化合物4,4′−ビス(3−(4
−アミノ−α、α−ジメチルベンジル)フェノキシ〕ジ
フェニルケトンを得た。収量45.5 g、融点107
〜111℃。
液体クロマトグラフィー(カラム:東ソー(株)TSK
GeQ G2000H及びG3000Hを連結溶離
液テトラヒドロフラン)による純度99,0%(面積比
)であった。
GeQ G2000H及びG3000Hを連結溶離
液テトラヒドロフラン)による純度99,0%(面積比
)であった。
このジアミンの分析結果は次のとおりである。
(I)元素分析値(%) C43H4LI N203C
HN 計算値 81.65 6,33 4.43実測値
81,57 6,41 4.32(2)赤外線吸収スペ
クトル(IR)の吸収位置(KBrBr法、■−1) 3460.3390 (7ミ/基)2970
.2870 (メチル基)1600
(カルボニル基)1250
(エーテル基)(3)核磁気共鳴(NMR)のスペ
クトル位置(DMso−cl&l p pm) 1.57 (I2H−重1iA)4
.86 (4H−重線)6.4〜7
.8 (24H多重線)注)DMSOはジメ
チルスルホキシドを意味する。
HN 計算値 81.65 6,33 4.43実測値
81,57 6,41 4.32(2)赤外線吸収スペ
クトル(IR)の吸収位置(KBrBr法、■−1) 3460.3390 (7ミ/基)2970
.2870 (メチル基)1600
(カルボニル基)1250
(エーテル基)(3)核磁気共鳴(NMR)のスペ
クトル位置(DMso−cl&l p pm) 1.57 (I2H−重1iA)4
.86 (4H−重線)6.4〜7
.8 (24H多重線)注)DMSOはジメ
チルスルホキシドを意味する。
実施例2
冷却管温度計、撹拌機、窒素ガス導入管を備えた4つロ
フラスコに2−(3−ヒドロキシフェニJL/) −2
−(4’−アミノフェニル)プロパン68.1g、ジメ
チルスルホキシド150mQ、クロルベンゼン180m
Q、4,4′−ジクロルジフェニルスルホン40.75
g 、無水炭酸カリウム20.5g を仕込み窒素ガ
ス通気下に加熱攪拌し。
フラスコに2−(3−ヒドロキシフェニJL/) −2
−(4’−アミノフェニル)プロパン68.1g、ジメ
チルスルホキシド150mQ、クロルベンゼン180m
Q、4,4′−ジクロルジフェニルスルホン40.75
g 、無水炭酸カリウム20.5g を仕込み窒素ガ
ス通気下に加熱攪拌し。
水を届出させた。165℃で4時間反応させた後、室温
まで冷却した。反応液を水中に注いで粗生成物を得た。
まで冷却した。反応液を水中に注いで粗生成物を得た。
ベンゼン−ヘキサン混合溶媒で再結晶して目的の化合物
4,4′−ビス(3−(4−アミノ−α、α′−ジメチ
ルベンジル)フェノキシ〕ジフェニルスルホン71.1
g を得た。融点67〜70℃、液体クロマトグラ
フィーによる純度は99.4%であった。
4,4′−ビス(3−(4−アミノ−α、α′−ジメチ
ルベンジル)フェノキシ〕ジフェニルスルホン71.1
g を得た。融点67〜70℃、液体クロマトグラ
フィーによる純度は99.4%であった。
このジアミンの分析結果は次のとおりである。
(I)元素分析値 C42H4゜N204SHNS
計算値 75.45 5,99 4,19 4.79
実測値 75.18 6.03 4.02 4.66
(2)IRの吸収位置(KBr錠剤法、C11−1)3
450.3390 (アミノ基)2970.
2870 (メチル基)1290 1110
(スルホニル基)1250
(エーテル基)(3)NMRのスペクトル位置(DM
SO−d 61ppm) 1.55 4.87 6.4〜8.0 応用例1 攪拌機、温度計、窒素ガス導入管、下向き冷却管を備え
た4つロフラスコに実施例1で得られた4、4′−ビス
(3−(4−アミノ−α、αジメチルベンジル)フェノ
キシ〕ベンゾフェノン3.16 gとビスフェノールA
ビストリメリテート二無水物2.88g、N−メチルピ
ロリドン(NMR)15m12、亜リン酸トリフェニル
0.2 g を入れ窒素ガスを流しなから200’C
で5時間反応させてポリイミドワニスを得た。このワニ
スを水に注いで再沈し、粉砕、乾燥してポリイミド粉末
を得た。このポリイミドは、還元粘度(DMF中、濃度
0.1g/dQ、温度30℃)が0.47dQ/(I2
H−重、II) (4H−重線) (24H多重線) g、軟化点(荷重10kg/aJで高化式フローテスタ
)が165℃、5%重重量減湿温が437℃であり、ジ
メチルホルムアミド(DMF)N−メチルピロリドン(
NMP)ジオキサン、テトラヒドロフラン及び塩化メチ
レンそれぞれに、室温で可溶であった(ポリイミドの濃
度5重量%)。
実測値 75.18 6.03 4.02 4.66
(2)IRの吸収位置(KBr錠剤法、C11−1)3
450.3390 (アミノ基)2970.
2870 (メチル基)1290 1110
(スルホニル基)1250
(エーテル基)(3)NMRのスペクトル位置(DM
SO−d 61ppm) 1.55 4.87 6.4〜8.0 応用例1 攪拌機、温度計、窒素ガス導入管、下向き冷却管を備え
た4つロフラスコに実施例1で得られた4、4′−ビス
(3−(4−アミノ−α、αジメチルベンジル)フェノ
キシ〕ベンゾフェノン3.16 gとビスフェノールA
ビストリメリテート二無水物2.88g、N−メチルピ
ロリドン(NMR)15m12、亜リン酸トリフェニル
0.2 g を入れ窒素ガスを流しなから200’C
で5時間反応させてポリイミドワニスを得た。このワニ
スを水に注いで再沈し、粉砕、乾燥してポリイミド粉末
を得た。このポリイミドは、還元粘度(DMF中、濃度
0.1g/dQ、温度30℃)が0.47dQ/(I2
H−重、II) (4H−重線) (24H多重線) g、軟化点(荷重10kg/aJで高化式フローテスタ
)が165℃、5%重重量減湿温が437℃であり、ジ
メチルホルムアミド(DMF)N−メチルピロリドン(
NMP)ジオキサン、テトラヒドロフラン及び塩化メチ
レンそれぞれに、室温で可溶であった(ポリイミドの濃
度5重量%)。
応用例2
攪拌機、温度計、塩化カルシウム管、窒素ガス導入管の
ついた4つロフラスコに実施例2で得られた4、4′−
ビス(3−(4−アミノ−α、α−ジメチルベンジル)
フェノキシ)ジフェニルスルホン3.34gとN、N−
ジメチルホルムアミド(DMF)20muを入れ溶解す
る。5℃以下に冷却しながらビスフェノールAビストリ
メリテート二無水物2.88 g を少しずつ加えた
後、5℃以下で3時間室温で、1時間反応させてポリア
ミド酸ワニスを得た。このワニスに無水酢酸1.3g。
ついた4つロフラスコに実施例2で得られた4、4′−
ビス(3−(4−アミノ−α、α−ジメチルベンジル)
フェノキシ)ジフェニルスルホン3.34gとN、N−
ジメチルホルムアミド(DMF)20muを入れ溶解す
る。5℃以下に冷却しながらビスフェノールAビストリ
メリテート二無水物2.88 g を少しずつ加えた
後、5℃以下で3時間室温で、1時間反応させてポリア
ミド酸ワニスを得た。このワニスに無水酢酸1.3g。
ピリジン1.0g を加え室温で3時間反応させてポリ
イミドワニスを得た。このワニスを水に注いで再沈し、
粉砕、乾燥してポリイミド粉末を得た。
イミドワニスを得た。このワニスを水に注いで再沈し、
粉砕、乾燥してポリイミド粉末を得た。
このポリイミドは、還元粘度(DMF中、1度O1Ig
/dQ、温度30℃)が0.33dQ/g 軟化点 (荷重10kg/aJで高化式、フローテスタ)は16
2°Cであった。このポリイミド粉末は室温でDMF、
ジオキサン、テトラヒドロフラン、塩化メチレンそれぞ
れに室温で可溶であった(ポリイミド5重量%濃度)。
/dQ、温度30℃)が0.33dQ/g 軟化点 (荷重10kg/aJで高化式、フローテスタ)は16
2°Cであった。このポリイミド粉末は室温でDMF、
ジオキサン、テトラヒドロフラン、塩化メチレンそれぞ
れに室温で可溶であった(ポリイミド5重量%濃度)。
また5%重重量減湿温は432℃であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、4,4′−ジハロゲノベンゾフエノン及び/又は4
,4′−ジハロゲノジフエニルスルホンと2−(3−ヒ
ドロキシフェニル)−2−(4′−アミノフェニル)プ
ロパンとを塩基の存在下、非プロトン性極性溶媒中で反
応させることを特徴とする一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) (ただし、式中、Xは▲数式、化学式、表等があります
▼又は▲数式、化学式、表等があります▼で ある)で表わされる新規ジアミンの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160417A JPH0751544B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 新規ジアミンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160417A JPH0751544B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 新規ジアミンの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029847A true JPH029847A (ja) | 1990-01-12 |
| JPH0751544B2 JPH0751544B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=15714477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63160417A Expired - Lifetime JPH0751544B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 新規ジアミンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0751544B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000061658A1 (fr) * | 1999-04-09 | 2000-10-19 | Kaneka Corporation | Resine polyimide, composition de resine a resistance amelioree a l'humidite la comprenant, solution adhesive, colle en film adhesif en couches et leurs procedes de production |
| JP2009092840A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびフォトマスクブランクス |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63160417A patent/JPH0751544B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000061658A1 (fr) * | 1999-04-09 | 2000-10-19 | Kaneka Corporation | Resine polyimide, composition de resine a resistance amelioree a l'humidite la comprenant, solution adhesive, colle en film adhesif en couches et leurs procedes de production |
| US6693162B2 (en) | 1999-04-09 | 2004-02-17 | Kaneka Japan Corporation | Polyimide resin and resin composition, adhesive solution, film-state joining component,and adhesive laminate film improved in moisture resistance using it, and production methods therefor |
| JP2009092840A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびフォトマスクブランクス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0751544B2 (ja) | 1995-06-05 |
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