JPH0299552A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH0299552A JPH0299552A JP25358088A JP25358088A JPH0299552A JP H0299552 A JPH0299552 A JP H0299552A JP 25358088 A JP25358088 A JP 25358088A JP 25358088 A JP25358088 A JP 25358088A JP H0299552 A JPH0299552 A JP H0299552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- fused silica
- weight
- average particle
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半田耐熱性および信顆性に優れ、線膨脹係数
の小さい一エポキシ樹脂組成物に関するものである。
の小さい一エポキシ樹脂組成物に関するものである。
〈従来の技術〉
エポキシ樹脂は耐熱性、耐湿性、電気特性、接着性など
に優れており、さらに配合処方により種々の特性が付与
できるため、塗料、接着剤、電気絶縁材料など工業材料
として利用されている。
に優れており、さらに配合処方により種々の特性が付与
できるため、塗料、接着剤、電気絶縁材料など工業材料
として利用されている。
たとえば、半導体装置などの電子回路部品の封止方法と
して従来より金属やセラミックスによるハーメチックシ
ールやフェノール樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂
などによる樹脂封止が提案されているが、経済性、生産
性、物性のバランスの点からエポキシ樹脂による樹脂封
止が中心になっている。
して従来より金属やセラミックスによるハーメチックシ
ールやフェノール樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂
などによる樹脂封止が提案されているが、経済性、生産
性、物性のバランスの点からエポキシ樹脂による樹脂封
止が中心になっている。
一方、最近は、プリント基板への部品実装においては高
密度化、自動化が進められており、従来のリードビンを
基板の穴に挿入する゛′挿入実装方弐″に代り、基板表
面に部品を半田付けする゛ゝ表面実装方弐″がさかんに
なってきている。それに伴い、パッケージも従来のDI
R(デュアル・インライン・パッケージ)型から高密度
実装、表面実装に適した薄型のPPP(フラット・プラ
スチック・パッケージ)型に移行しつつある。
密度化、自動化が進められており、従来のリードビンを
基板の穴に挿入する゛′挿入実装方弐″に代り、基板表
面に部品を半田付けする゛ゝ表面実装方弐″がさかんに
なってきている。それに伴い、パッケージも従来のDI
R(デュアル・インライン・パッケージ)型から高密度
実装、表面実装に適した薄型のPPP(フラット・プラ
スチック・パッケージ)型に移行しつつある。
表面実装方式への移行に伴い、従来あまり問題とならな
かった半田付は工程が大きな問題となってきている。従
来のピン挿入実装方式では半田付は工程はリード部が部
分的に加熱されるだけであったが、表面実装方式ではパ
ッケージ全体が熱媒に浸され加熱される0表面実装方式
における半田付は方法としては半田浴浸漬、不活性ガス
の飽和蒸気による加熱(ベーパフェイズ法)や赤外線リ
フロー法などが用いられるが、いずれの方法でもパッケ
ージ全体が210〜270℃の高温に加熱されることに
なる。そのため従来の封止用樹脂で封止したパッケージ
は半田付は時に樹脂部分にクラックが発生し、信頼性が
低下して製品として使用できないという問題がおきる。
かった半田付は工程が大きな問題となってきている。従
来のピン挿入実装方式では半田付は工程はリード部が部
分的に加熱されるだけであったが、表面実装方式ではパ
ッケージ全体が熱媒に浸され加熱される0表面実装方式
における半田付は方法としては半田浴浸漬、不活性ガス
の飽和蒸気による加熱(ベーパフェイズ法)や赤外線リ
フロー法などが用いられるが、いずれの方法でもパッケ
ージ全体が210〜270℃の高温に加熱されることに
なる。そのため従来の封止用樹脂で封止したパッケージ
は半田付は時に樹脂部分にクラックが発生し、信頼性が
低下して製品として使用できないという問題がおきる。
半田付は工程におけるクラックの発生は、後硬化してか
ら実装工程の間までに吸湿された水分が半田付は加熱時
に爆発的に水蒸気化、膨張することに起因するといわれ
ており、その対策として後硬化したパッケージを完全に
乾燥し密封した容器に収納して出荷する方法が用いられ
ている。
ら実装工程の間までに吸湿された水分が半田付は加熱時
に爆発的に水蒸気化、膨張することに起因するといわれ
ており、その対策として後硬化したパッケージを完全に
乾燥し密封した容器に収納して出荷する方法が用いられ
ている。
封止用樹脂の改良ら種々検討されている。たとえば、封
止用樹脂にゴム成分を配合し内部応力を低下させる方法
(特開昭58−219218号公報、特開昭59−96
122号公報)、無機充填剤の品種を運択する方法(特
開昭58−19136号公報、特開昭60−20214
5号公報)、無機充填剤の形状を球形化したり粒子径を
コントロールすることにより応力、ひずみを均一化させ
る方法(特開昭60−171750号公報、特開昭60
−17937号公報、特開昭62−74924号公報、
特開昭62−124143号公報、特開昭62−209
128号公報、特公昭63−26128号公報)、溌水
性の添加剤やワックスにより吸水性を低下させ、半田浴
での水分による応力発生を下げる方法(特開昭60−6
5023号公法)などがある。
止用樹脂にゴム成分を配合し内部応力を低下させる方法
(特開昭58−219218号公報、特開昭59−96
122号公報)、無機充填剤の品種を運択する方法(特
開昭58−19136号公報、特開昭60−20214
5号公報)、無機充填剤の形状を球形化したり粒子径を
コントロールすることにより応力、ひずみを均一化させ
る方法(特開昭60−171750号公報、特開昭60
−17937号公報、特開昭62−74924号公報、
特開昭62−124143号公報、特開昭62−209
128号公報、特公昭63−26128号公報)、溌水
性の添加剤やワックスにより吸水性を低下させ、半田浴
での水分による応力発生を下げる方法(特開昭60−6
5023号公法)などがある。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかるに乾燥パッケージを容器に封入する方法は製造工
程および製品の取扱作業が煩雑になるうえ、製品価格が
きわめて高価になる欠点がある。
程および製品の取扱作業が煩雑になるうえ、製品価格が
きわめて高価になる欠点がある。
また種々の方法で改良された樹脂も、それぞれ少しずつ
効果をあげてきているが、実装技術の進歩に伴うより過
酷な要請に答えるには十分でない、具体的にはこれら従
来の方法で得られた樹脂により封止された半導体装置を
加湿処理後、たとえば、85°C/85%RH処理72
時間、または121’C/2気圧PCT (プレッシャ
ー・クツカー・テスト)処理72時間後に半田浴に浸す
と樹脂部分にはことごとく膨れまたはクラックが発生し
、信頼性が低下する。
効果をあげてきているが、実装技術の進歩に伴うより過
酷な要請に答えるには十分でない、具体的にはこれら従
来の方法で得られた樹脂により封止された半導体装置を
加湿処理後、たとえば、85°C/85%RH処理72
時間、または121’C/2気圧PCT (プレッシャ
ー・クツカー・テスト)処理72時間後に半田浴に浸す
と樹脂部分にはことごとく膨れまたはクラックが発生し
、信頼性が低下する。
すなわち、まだ半田付は加熱時のクラック発生を防止し
、信頼性の高い封止用樹脂は得られておらず、表面実装
化技術の進展に対応した半田耐熱性が優れた封止用樹脂
の開発が望まれているのが現状である。
、信頼性の高い封止用樹脂は得られておらず、表面実装
化技術の進展に対応した半田耐熱性が優れた封止用樹脂
の開発が望まれているのが現状である。
本発明の目的は、かかる半田付は工程で生じるクラック
の問題を解消し、信頼性の高いエポキシ樹脂組成物を提
供することにあり、表面実装ができる樹脂封止半導体装
置を可能にすることにある。
の問題を解消し、信頼性の高いエポキシ樹脂組成物を提
供することにあり、表面実装ができる樹脂封止半導体装
置を可能にすることにある。
く課題を解決するための手段〉
すなわち本発明は、エポキシ樹脂(A)、硬化側(B)
および平均粒径20μm以下の溶融シリカ(C)75〜
85重量%を含有するエポキシ樹脂組成物であって、前
記溶融シリカ(C)が平均粒径10μmの破砕溶融シリ
カfc’+90〜50重量%と平均粒径30μm以下の
球状溶融シリカ(C’)10〜50重景%か重量り、か
つ前記組成物の線膨脹係数が15 x 10−6/’C
以下であるエポキシ樹脂組成物である。
および平均粒径20μm以下の溶融シリカ(C)75〜
85重量%を含有するエポキシ樹脂組成物であって、前
記溶融シリカ(C)が平均粒径10μmの破砕溶融シリ
カfc’+90〜50重量%と平均粒径30μm以下の
球状溶融シリカ(C’)10〜50重景%か重量り、か
つ前記組成物の線膨脹係数が15 x 10−6/’C
以下であるエポキシ樹脂組成物である。
以下、本発明の構成を詳述する。
本発明におけるエポキシ樹脂(A)は、1分子中にエポ
キシ基を2個以上有するものであれば特に限定されない
。
キシ基を2個以上有するものであれば特に限定されない
。
たとえば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビス
ヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール
A型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エ
ポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキ
シ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂などが挙げられる。
ヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール
A型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エ
ポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキ
シ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂などが挙げられる。
用途によっては二種以上のエポキシ樹脂を併用してもよ
いが、半導体装置封止用としては耐熱性、耐湿性の点か
らクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスヒドロキ
シビフェニル型エポキシ樹脂などのエポキシ当量が50
0以下、特に300以下のエポキシ樹脂を全エポキシ樹
脂中に50重量%以上含むことが好ましい。
いが、半導体装置封止用としては耐熱性、耐湿性の点か
らクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスヒドロキ
シビフェニル型エポキシ樹脂などのエポキシ当量が50
0以下、特に300以下のエポキシ樹脂を全エポキシ樹
脂中に50重量%以上含むことが好ましい。
本発明においてエポキシ樹脂(A)の配合量は通常、5
〜25重量%である。5重量%未満では、成形性、接着
性が不十分であり、25重1%を越えると線膨脹係数が
大きくなり、低応力化が困難になる。
〜25重量%である。5重量%未満では、成形性、接着
性が不十分であり、25重1%を越えると線膨脹係数が
大きくなり、低応力化が困難になる。
本発明における硬化剤(B)としてはエポキシ樹脂fA
>と反応して硬化させるものであれば特に限定されない
。
>と反応して硬化させるものであれば特に限定されない
。
たとえば、フェノールノボラック、クレゾールノボラッ
クなどのノボラック樹脂、テトラブロムビスフェノール
Aなどのビスフェノール化合物、無水マレイン酸、無水
フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物、メタフ
ェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミ
ノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどが挙げら
れる。半導体装置封止用としては耐熱性、保存性の点か
らフェノールノボラック、クレゾールノボラックが好ま
しく用いられる。用途によっては二種以上の硬化剤を併
用してらよい。
クなどのノボラック樹脂、テトラブロムビスフェノール
Aなどのビスフェノール化合物、無水マレイン酸、無水
フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物、メタフ
ェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミ
ノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどが挙げら
れる。半導体装置封止用としては耐熱性、保存性の点か
らフェノールノボラック、クレゾールノボラックが好ま
しく用いられる。用途によっては二種以上の硬化剤を併
用してらよい。
本発明において硬化剤(B)の配合量は通常、2〜15
重量%である。
重量%である。
さらには、エポキシ樹脂(八)と硬化剤fB)の配合比
は、機械的性質、耐湿性の点から(A)に対する(8)
の化学当量比が0.5〜1.6、特に0゜8〜1.3の
範囲にあることが好ましい、、tた、本発明においてエ
ポキシ樹脂(A)と硬化剤(B)の硬化反応を促進する
ため硬化触媒を用いてもよい、硬化触媒は硬化反応を促
進させるものならば特に限定されない、たとえば、2−
メチルイミダゾール、2.4−ジメチルイミダゾール、
2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイ
ミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、
2−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール類、
トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチ
ルベンジルジメチルアミン、2−(ジメチルアミノメチ
ル)フェノール、2.4.6−トリス(ジメチルアミノ
メチル)フェノール、1,8−ジアザビシクロ(5,4
,0)ウンデセン−7などの3級アミン類、ジルコニウ
ムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド
、テトラキス(アセチルアセトナト)ジルコニウム、ト
リ(アセチルアセトナト)アルミニウムなどの有機金属
類、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスフィン、
トリブチルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ(
p−メチルフェニル)ホスフィン、トリ(ノニルフェニ
ル)ホスフィンなどの有機ホスフィン類などが挙げられ
る。用途によっては二種以上の硬化触媒を併用してもよ
い、硬化触媒の添加量はエポキシ樹脂(A)100重量
部に対して0.3〜10重量部が好ましい。
は、機械的性質、耐湿性の点から(A)に対する(8)
の化学当量比が0.5〜1.6、特に0゜8〜1.3の
範囲にあることが好ましい、、tた、本発明においてエ
ポキシ樹脂(A)と硬化剤(B)の硬化反応を促進する
ため硬化触媒を用いてもよい、硬化触媒は硬化反応を促
進させるものならば特に限定されない、たとえば、2−
メチルイミダゾール、2.4−ジメチルイミダゾール、
2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイ
ミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、
2−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール類、
トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチ
ルベンジルジメチルアミン、2−(ジメチルアミノメチ
ル)フェノール、2.4.6−トリス(ジメチルアミノ
メチル)フェノール、1,8−ジアザビシクロ(5,4
,0)ウンデセン−7などの3級アミン類、ジルコニウ
ムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド
、テトラキス(アセチルアセトナト)ジルコニウム、ト
リ(アセチルアセトナト)アルミニウムなどの有機金属
類、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスフィン、
トリブチルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ(
p−メチルフェニル)ホスフィン、トリ(ノニルフェニ
ル)ホスフィンなどの有機ホスフィン類などが挙げられ
る。用途によっては二種以上の硬化触媒を併用してもよ
い、硬化触媒の添加量はエポキシ樹脂(A)100重量
部に対して0.3〜10重量部が好ましい。
本発明における溶融シリカ(C)は平均粒径が20μm
以下であり、平均粒径10μm以下の破砕溶融シリカ(
C’+90〜50重量%と平均粒径30μm以下の球状
溶融シリカ(C’+10〜50重量%からなる。ここで
、平均粒径とは累積重量が50%になる粒径(メジアン
径)を意味する。溶融 シリカ(C)の平均粒径が20
μmを越えるか、または破砕溶融シリカ(C′)の平均
粒径が10μmを越えると半田耐熱性が不十分である。
以下であり、平均粒径10μm以下の破砕溶融シリカ(
C’+90〜50重量%と平均粒径30μm以下の球状
溶融シリカ(C’+10〜50重量%からなる。ここで
、平均粒径とは累積重量が50%になる粒径(メジアン
径)を意味する。溶融 シリカ(C)の平均粒径が20
μmを越えるか、または破砕溶融シリカ(C′)の平均
粒径が10μmを越えると半田耐熱性が不十分である。
また、球状溶融シリカ(C′)の平均粒径が30μmを
越えると半導体のAβ配線にダメージを与える。溶融シ
リカ(C)の平均粒径は好ましくは15μm以下である
。
越えると半導体のAβ配線にダメージを与える。溶融シ
リカ(C)の平均粒径は好ましくは15μm以下である
。
本発明の溶融シリカ(C)における破砕溶融シリカ(C
′)と球状溶融シリカ(C′)の比率は、(C゛)が9
0〜50重景%、重量′)が10〜50重量%である。
′)と球状溶融シリカ(C′)の比率は、(C゛)が9
0〜50重景%、重量′)が10〜50重量%である。
破砕溶融シリカ(C′)の比率が90重1%を越えると
、成形時の流動性が低下し、50重量%未満では半田耐
熱性が不十分である本発明において、溶融シリカ(C)
の配合量は75〜85重量%、好ましくは75〜83重
量%である。75重量%未満では半田耐熱性が不十分で
あり、85重量%を越えると成形時の流動性が低下し、
実用的ではない。
、成形時の流動性が低下し、50重量%未満では半田耐
熱性が不十分である本発明において、溶融シリカ(C)
の配合量は75〜85重量%、好ましくは75〜83重
量%である。75重量%未満では半田耐熱性が不十分で
あり、85重量%を越えると成形時の流動性が低下し、
実用的ではない。
本発明において、溶融シリカ(C)はシランカップリン
グ剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤
で、あらかじめ表面処理することが耐湿性および機械的
性質の点で好ましい。
グ剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤
で、あらかじめ表面処理することが耐湿性および機械的
性質の点で好ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物は線膨脹係数が15 x
10−6/℃以下、好ましくは13X10−6/’C以
下である。線膨脹係数が15X10−6/℃を越えると
熱応力が大きくなり半田耐熱性が低下する。ここで、線
膨脹係数はエポキシ樹脂組成物を十分硬化させた状態で
ASTM D696規格に基づいて測定したガラス転
移温度以下での値である。
10−6/℃以下、好ましくは13X10−6/’C以
下である。線膨脹係数が15X10−6/℃を越えると
熱応力が大きくなり半田耐熱性が低下する。ここで、線
膨脹係数はエポキシ樹脂組成物を十分硬化させた状態で
ASTM D696規格に基づいて測定したガラス転
移温度以下での値である。
本発明のエポキシ樹脂組成物には結晶性シリカ、炭酸カ
ルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、
クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、アス
ベスト、ガラス繊維などの充填剤、ハロゲン化エポキシ
樹脂などのハロゲン化合物、リン化合物などの難燃剤、
三酸化アンチモンなどの難燃助剤、カーボンブラック、
酸化鉄などの着色剤、シリコーンオイル、変成ニトリル
ゴム、変成ポリブタジェンゴム、オレフィン系ゴム、ス
チレン系ゴムなどのエラストマー、シランカップリング
剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤、
長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステ
ル、長鎖脂肪酸のアミド、パラフィンワックスなどの飛
型剤、有機過酸化物などの架橋剤を任意に添加すること
ができる。
ルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、
クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、アス
ベスト、ガラス繊維などの充填剤、ハロゲン化エポキシ
樹脂などのハロゲン化合物、リン化合物などの難燃剤、
三酸化アンチモンなどの難燃助剤、カーボンブラック、
酸化鉄などの着色剤、シリコーンオイル、変成ニトリル
ゴム、変成ポリブタジェンゴム、オレフィン系ゴム、ス
チレン系ゴムなどのエラストマー、シランカップリング
剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤、
長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステ
ル、長鎖脂肪酸のアミド、パラフィンワックスなどの飛
型剤、有機過酸化物などの架橋剤を任意に添加すること
ができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は溶融混練することが好ま
しく、溶融混練は公知の方法を用いることができる。た
とえば、バンバリーミキサ、ニーダ−、ロール、−軸も
しくは二軸の押出機、コニーダーなどを用い、通常50
〜150°Cの温度で樹脂組成物とすることができる。
しく、溶融混練は公知の方法を用いることができる。た
とえば、バンバリーミキサ、ニーダ−、ロール、−軸も
しくは二軸の押出機、コニーダーなどを用い、通常50
〜150°Cの温度で樹脂組成物とすることができる。
〈実施例〉
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例中の部数は重量部を意味する。
実施例1〜7、比較例1〜5
表1および表2に示す配合処方の組成比で試薬をミキサ
ーによりトライブレンドした。これを、ロール表面温度
90゛Cのミキシングロールを用いて5分間加熱混練後
、冷却・粉砕してエポキシ樹脂組成物を製造した。
ーによりトライブレンドした。これを、ロール表面温度
90゛Cのミキシングロールを用いて5分間加熱混練後
、冷却・粉砕してエポキシ樹脂組成物を製造した。
この組成物を用い、低圧トランスファー成形法により1
75°CX4分の条件で成形して、模擬素子を封止した
44p i nQFPを得た後、成形品とランナ一部分
を175 ’Cで5時間ポストキュアした。ボストキュ
ア後、次の物性測定法により、各組成物の物性を測定し
た。
75°CX4分の条件で成形して、模擬素子を封止した
44p i nQFPを得た後、成形品とランナ一部分
を175 ’Cで5時間ポストキュアした。ボストキュ
ア後、次の物性測定法により、各組成物の物性を測定し
た。
半田耐熱性:44ptnQFP16個を85°C185
%RHで72時間加温処理後、 ペーパーフェーズリフロー215 ℃で90秒処理し、クラックの発 生しないQFPの個数の割合を求 めた。
%RHで72時間加温処理後、 ペーパーフェーズリフロー215 ℃で90秒処理し、クラックの発 生しないQFPの個数の割合を求 めた。
線膨脹係数: 44p t nQFP成形時のランナ一
部分を用いてASTM D−6 96規格に従い測定し、50〜1 70℃の値を求めた。
部分を用いてASTM D−6 96規格に従い測定し、50〜1 70℃の値を求めた。
信 頼 性:前記の半田耐熱性試験を行った44p i
nQFPを用い、121°C1100%RHで加熱処
理し、ピン 不良発生率50%になる時間を求 めた。
nQFPを用い、121°C1100%RHで加熱処
理し、ピン 不良発生率50%になる時間を求 めた。
これらの結果を合せて表2に示す。
比較例6
表1に示すエポキシ樹脂(A)、硬化触媒のかわりに各
々エポキシ当量190のクレゾールノボラックエポキシ
樹脂と2−フェニルイミダゾールを使用した以外は表1
および表3に示す配合処方で実施例1〜7、比較例1〜
5と同様に混疎し、成形・評価した。これらの結果を表
3に示す。
々エポキシ当量190のクレゾールノボラックエポキシ
樹脂と2−フェニルイミダゾールを使用した以外は表1
および表3に示す配合処方で実施例1〜7、比較例1〜
5と同様に混疎し、成形・評価した。これらの結果を表
3に示す。
比較例7
エラストマーの添加量を0重量%とじ、エポキシ樹脂(
人)、硬化剤(B)および溶融シリカ(C)の添加量を
表3に示す割合に変更した以外は比較例6と同じ配合処
方で混練し、成形・評価しな、これらの結果を合せて表
3に示す。
人)、硬化剤(B)および溶融シリカ(C)の添加量を
表3に示す割合に変更した以外は比較例6と同じ配合処
方で混練し、成形・評価しな、これらの結果を合せて表
3に示す。
のエポキシ樹脂組成物は、半田耐熱性が69%以上、信
頼性が1290hと優れている。
頼性が1290hと優れている。
これに対して、比較例1.3にみられるように、破砕溶
融シリカ(C1の平均粒径が10μmを越える場合、破
砕溶融シリカ(C”)のシリカ中の割合が50重量%未
満の場合は、半田耐熱性が25%以下、信頼性が300
h以下と劣っている。
融シリカ(C1の平均粒径が10μmを越える場合、破
砕溶融シリカ(C”)のシリカ中の割合が50重量%未
満の場合は、半田耐熱性が25%以下、信頼性が300
h以下と劣っている。
また、比較例2にみられるようにシリカ中の破砕シリカ
の比率が90重量%を越える場合は、信頼性が570h
と劣っている。
の比率が90重量%を越える場合は、信頼性が570h
と劣っている。
さらに比較例4にみられるように、溶融シリカ(C>の
添加量が75重量%未満で線膨脹係数が15X10”6
/’Cを越える場合は、半田耐熱性が13%、信頼性が
260hと劣っている。
添加量が75重量%未満で線膨脹係数が15X10”6
/’Cを越える場合は、半田耐熱性が13%、信頼性が
260hと劣っている。
比較例5にみらられるように溶融シリカ(C)の添加量
が85重量%を越えると、流動性が低下し、成形時に未
充填が発生した。
が85重量%を越えると、流動性が低下し、成形時に未
充填が発生した。
(以下本頁余白)
表3にみられるように、比較例6.7では平均粒径10
μm以下の破砕溶融シリカtc’190〜50重量%と
平均粒径30μm以下の球状溶融シリカ10〜90重量
%からなる平均粒径20μm以下の溶融シリカfc)を
75〜851JLi%含有しているが線膨脹係数が15
X10−6/℃を越えている。この場合は、半田耐熱性
が73%以下、信頼性が280h以下と劣っている。
μm以下の破砕溶融シリカtc’190〜50重量%と
平均粒径30μm以下の球状溶融シリカ10〜90重量
%からなる平均粒径20μm以下の溶融シリカfc)を
75〜851JLi%含有しているが線膨脹係数が15
X10−6/℃を越えている。この場合は、半田耐熱性
が73%以下、信頼性が280h以下と劣っている。
このことから本発明においては、線膨脹係数が15 X
10−6/’C以下であることが必要なことが明白で
ある。
10−6/’C以下であることが必要なことが明白で
ある。
〈発明の効果〉
本発明は、エポキシ樹脂に硬化剤および特定の組成の溶
融シリカを添加し、線膨脹係数を小さくすることにより
半田耐熱性および信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物が
得られる。
融シリカを添加し、線膨脹係数を小さくすることにより
半田耐熱性および信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物が
得られる。
Claims (1)
- エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)および平均粒径20
μm以下の溶融シリカ(C)75〜85重量%を含有す
るエポキシ樹脂組成物であって、前記溶融シリカ(C)
が平均粒径10μm以下の破砕溶融シリカ(C′)90
〜50重量%と平均粒径30μm以下の球状溶融シリカ
(C″)10〜50重量%からなり、かつ前記組成物の
線膨脹係数が15×10^−^6/℃以下であるエポキ
シ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63253580A JPH0672202B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63253580A JPH0672202B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0299552A true JPH0299552A (ja) | 1990-04-11 |
| JPH0672202B2 JPH0672202B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=17253352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63253580A Expired - Fee Related JPH0672202B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0672202B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228354A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH04226123A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-08-14 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60210643A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-10-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 充填剤及びその組成物 |
| JPS6164755A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-03 | Nippon Steel Corp | バリが発生しない封止材用シリカ充填樹脂組成物 |
| JPS61268750A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6274924A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-06 | Toshiba Corp | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6281446A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6296538A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 無機充填材及び樹脂組成物 |
| JPS62261161A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
| JPS63107050A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63128020A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63178121A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物 |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP63253580A patent/JPH0672202B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60210643A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-10-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 充填剤及びその組成物 |
| JPS6164755A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-03 | Nippon Steel Corp | バリが発生しない封止材用シリカ充填樹脂組成物 |
| JPS61268750A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6274924A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-06 | Toshiba Corp | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6281446A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6296538A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 無機充填材及び樹脂組成物 |
| JPS62261161A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
| JPS63107050A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63128020A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63178121A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228354A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH04226123A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-08-14 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0672202B2 (ja) | 1994-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2001010955A1 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP3649535B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP4348775B2 (ja) | エポキシ系樹脂組成物 | |
| JP2697510B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2955013B2 (ja) | エポキシ樹脂系組成物 | |
| JPH0299514A (ja) | 半導体封止用半田耐熱性エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0299552A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH04218523A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0782343A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH0668010B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JP3413923B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3632936B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001114994A (ja) | エポキシ系樹脂組成物および半導体装置 | |
| JPH0971635A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2964559B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0676539B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ含有組成物 | |
| JPH04325516A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3528925B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2823569B2 (ja) | エポキシ系組成物 | |
| JPH10279665A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0450222A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3092176B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH03119052A (ja) | エポキシ系樹脂組成物 | |
| JPH10279671A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP2000169670A (ja) | 樹脂封止型半導体装置および半導体装置封止用樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |