JPH03100990A - ブロッホラインメモリにおける情報の消去方法 - Google Patents
ブロッホラインメモリにおける情報の消去方法Info
- Publication number
- JPH03100990A JPH03100990A JP1237900A JP23790089A JPH03100990A JP H03100990 A JPH03100990 A JP H03100990A JP 1237900 A JP1237900 A JP 1237900A JP 23790089 A JP23790089 A JP 23790089A JP H03100990 A JPH03100990 A JP H03100990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vbl
- erasing
- conductor
- current
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はブロッホラインメモリにおける情報の消去方法
に関し、詳しくは、垂直ブロッホライン対（ＶＢＬ対）
を記録信号として用いるブロッホラインメモリにあって
、バブルの生成、そのバブルをコラプスするという手段
を採用することなく情報信号（ＶＢＬ対）を消去する方
法に関する。
に関し、詳しくは、垂直ブロッホライン対（ＶＢＬ対）
を記録信号として用いるブロッホラインメモリにあって
、バブルの生成、そのバブルをコラプスするという手段
を採用することなく情報信号（ＶＢＬ対）を消去する方
法に関する。
高密度記憶素子の開発に伴なって、ブロッホラインメモ
リがその記憶容量の膨大さ及び不揮発性であることから
注目されている。
リがその記憶容量の膨大さ及び不揮発性であることから
注目されている。
ブロッホラインメモリは、情報記憶部をバブルドメイン
を細長く伸ばしたストライプドメイン周辺磁壁で構成し
、その磁壁に垂直ブロッホライン対（ＶＢＬ対）が書き
込まれ、この対の有無を＃ １ ｊｊ、０”のかたちで
情報として記憶されるためである。そして、このブロッ
ホラインメモリ（ＢＬＭ）は、大別して、第１図に示し
たように、バブル転送部（メジャーライン）１、信号書
込み・読み出し部２、信号記憶部（マイナーループ）３
の三要素から成立っている。 ここで、信号書込み・読
み出し部２を細かくみると、第３図に示したように、Ｖ
ＢＬ制御用コンダクタ４、信号書込み用コンダクタ５、
信号読み出し用コンダクタ６などが設けられており、信
号消去を行なう場合には、°後の二つのコンダクタ５，
６のいずれかを併用することが多い。
を細長く伸ばしたストライプドメイン周辺磁壁で構成し
、その磁壁に垂直ブロッホライン対（ＶＢＬ対）が書き
込まれ、この対の有無を＃ １ ｊｊ、０”のかたちで
情報として記憶されるためである。そして、このブロッ
ホラインメモリ（ＢＬＭ）は、大別して、第１図に示し
たように、バブル転送部（メジャーライン）１、信号書
込み・読み出し部２、信号記憶部（マイナーループ）３
の三要素から成立っている。 ここで、信号書込み・読
み出し部２を細かくみると、第３図に示したように、Ｖ
ＢＬ制御用コンダクタ４、信号書込み用コンダクタ５、
信号読み出し用コンダクタ６などが設けられており、信
号消去を行なう場合には、°後の二つのコンダクタ５，
６のいずれかを併用することが多い。
第３図は従来における信号消去の動作原理を表わしてい
る。ここでは、説明の便宜上、ストライプドメインＳ工
及びＳ、にはＶＢＬＢａＯ２在しており、ストライプド
メインＳ２にはＶＢＬ対が存在していない状態となって
いる。
る。ここでは、説明の便宜上、ストライプドメインＳ工
及びＳ、にはＶＢＬＢａＯ２在しており、ストライプド
メインＳ２にはＶＢＬ対が存在していない状態となって
いる。
初期状態において、各ストライプドメインのヘッド部に
はダミーのＶＢＬ７が一本存在せしめられている（第３
図（ａ））。従って、信号（ＶＢＬ対）を転送する際、
ＶＢＬ対はヘッド部を通過するため、ヘッド部には三本
のＶＢＬの並んだ状態が生じることになる。この状態を
維持しながらバイアス磁界ＨＢを弱めることにより、ヘ
ッド部はコンダクタ６をまたぐ位置まで引伸ばされる（
第３図（ｂ））、更に、コンダクタ６に電流を流しバイ
アス磁界と同方向の電流磁界を生じさせることによって
、ストライプヘッド部はチョッピングされる（第３図（
Ｃ））。これにより、消去されるべきＶＢＬ対は前記チ
ョッピングにより新たに生成されたバブル９に移り、同
時に、ストライプヘッド部にはダミーのＶＢＬが一本生
成される。そして、この状態のストライプヘッド部は、
バイアス磁界を元の強さまで強めることにより第３図（
ａ）に示した初期状態に戻り、ここにＶＢＬ対（信号）
が消去されたことになる。なお、第３図（ａ） （ｂ）
（ｃ）でＶＢＬは矢印をもって表わされている。
はダミーのＶＢＬ７が一本存在せしめられている（第３
図（ａ））。従って、信号（ＶＢＬ対）を転送する際、
ＶＢＬ対はヘッド部を通過するため、ヘッド部には三本
のＶＢＬの並んだ状態が生じることになる。この状態を
維持しながらバイアス磁界ＨＢを弱めることにより、ヘ
ッド部はコンダクタ６をまたぐ位置まで引伸ばされる（
第３図（ｂ））、更に、コンダクタ６に電流を流しバイ
アス磁界と同方向の電流磁界を生じさせることによって
、ストライプヘッド部はチョッピングされる（第３図（
Ｃ））。これにより、消去されるべきＶＢＬ対は前記チ
ョッピングにより新たに生成されたバブル９に移り、同
時に、ストライプヘッド部にはダミーのＶＢＬが一本生
成される。そして、この状態のストライプヘッド部は、
バイアス磁界を元の強さまで強めることにより第３図（
ａ）に示した初期状態に戻り、ここにＶＢＬ対（信号）
が消去されたことになる。なお、第３図（ａ） （ｂ）
（ｃ）でＶＢＬは矢印をもって表わされている。
一方、前記の生成されたバブル９はその後コラプスされ
る。
る。
だが、こうした従来法による信号（ＶＢＬ対）の消去は
その消去に伴なって新たにバブルが生成され、今度はこ
のバブルを何等かの手段でコラプスする必要があり、結
局、ＶＢＬ対の消去に要する時間は勢い長くなり勝ちに
なるといった欠点がある。
その消去に伴なって新たにバブルが生成され、今度はこ
のバブルを何等かの手段でコラプスする必要があり、結
局、ＶＢＬ対の消去に要する時間は勢い長くなり勝ちに
なるといった欠点がある。
本発明は、上記のごとき欠点を解消し、情報＝信号（Ｖ
ＢＬ対）消去に要する時間を短縮させ読み出し速度を速
めるようにした、ブロッホラインメモリにおける情報の
消去方法を提供するものである。
ＢＬ対）消去に要する時間を短縮させ読み出し速度を速
めるようにした、ブロッホラインメモリにおける情報の
消去方法を提供するものである。
本発明のブロッホラインメモリにおける情報（信号）の
消去方法は、信号記録をになう極性層上に信号消去用の
平行コンダクタを設け、垂直ブロッホライン対（ＶＢＬ
対）をなす二本のＶＢＬに挟まれたブロッホ磁壁部（Ｖ
ＢＬ対間磁壁）の磁化方向と逆向きの磁界を該コンダク
タに電流を流すことにより生ぜしめＶＢＬ対の消去を特
徴としている。
消去方法は、信号記録をになう極性層上に信号消去用の
平行コンダクタを設け、垂直ブロッホライン対（ＶＢＬ
対）をなす二本のＶＢＬに挟まれたブロッホ磁壁部（Ｖ
ＢＬ対間磁壁）の磁化方向と逆向きの磁界を該コンダク
タに電流を流すことにより生ぜしめＶＢＬ対の消去を特
徴としている。
ちなみに、本発明者らは、以前よりブロッホラインメモ
リでの情報信号の消去法について検射出を行なってきた
が、磁界の向きに操作を与えることで、バブルの生成及
びそのバブルのコラプスといった過程を採用することな
く ＶＢＬ対の消去が行なえる方法を見いだした１本発
明はこれによりなされたものである。
リでの情報信号の消去法について検射出を行なってきた
が、磁界の向きに操作を与えることで、バブルの生成及
びそのバブルのコラプスといった過程を採用することな
く ＶＢＬ対の消去が行なえる方法を見いだした１本発
明はこれによりなされたものである。
以下に、本発明のＶＢＬ対の消去法を図面（第２図）に
従がいながらさらに詳細に説明工する。
従がいながらさらに詳細に説明工する。
第２図においても、初期状態は第３図（ａ）とまったく
同じ状態を呈している（第２図（ａ））、第２図（ａ）
では、消去用コンダクタＣ，，Ｃ，及びＣ１は互いに平
行でかつストライプドメインＳ、、Ｓ、、Ｓ、に対して
垂直となるように配置されており、コンダクタＣｘｔＣ
，，Ｃ，にはそれぞれ独立に電流制御がなされるように
なっている。但し、第２図では、ＶＢＬ制御用コンダク
タ、信号書込み用コンダクタ、信号読み出し用コンダク
タの記載は省略されているが、それらの一部を消去用コ
ンダクタと併用することは可能である。
同じ状態を呈している（第２図（ａ））、第２図（ａ）
では、消去用コンダクタＣ，，Ｃ，及びＣ１は互いに平
行でかつストライプドメインＳ、、Ｓ、、Ｓ、に対して
垂直となるように配置されており、コンダクタＣｘｔＣ
，，Ｃ，にはそれぞれ独立に電流制御がなされるように
なっている。但し、第２図では、ＶＢＬ制御用コンダク
タ、信号書込み用コンダクタ、信号読み出し用コンダク
タの記載は省略されているが、それらの一部を消去用コ
ンダクタと併用することは可能である。
先に、触れたように、第２図（ａ）には、ストライプド
メインのヘッド部に最も近傍した位置にＶＢＬＢａＯ２
在しているストライプドメインＳ１及びＳ。
メインのヘッド部に最も近傍した位置にＶＢＬＢａＯ２
在しているストライプドメインＳ１及びＳ。
と、そうしたＶＢＬ対の存在していないストライプドメ
インＳ２とが示されている。いま、この初期状態（第２
図（ａ））からＶＢＬＢａＯ２置を固定したままバイア
ス磁界を弱めると、ストライプドメイン５ｔｙＳ２及び
Ｓ、のヘッドは第３図（ｂ）に示したように引き伸ばさ
れる。
インＳ２とが示されている。いま、この初期状態（第２
図（ａ））からＶＢＬＢａＯ２置を固定したままバイア
ス磁界を弱めると、ストライプドメイン５ｔｙＳ２及び
Ｓ、のヘッドは第３図（ｂ）に示したように引き伸ばさ
れる。
続いて、この状態から太線矢印で表わした方向に電を流
しく即ち、消去用コンダクタ下部に面内磁界が発生する
ように電流を印加し）、同時に、信号転送を行なうこと
によってＶＢＬＢａＯ２離し、それぞれ第３図（Ｃ）で
示した位置に移動する。その後、コンダクタＣ１の電流
方向を反転させて、第２図（ｄ）に示した位置にＶＢＬ
を移動させる。
しく即ち、消去用コンダクタ下部に面内磁界が発生する
ように電流を印加し）、同時に、信号転送を行なうこと
によってＶＢＬＢａＯ２離し、それぞれ第３図（Ｃ）で
示した位置に移動する。その後、コンダクタＣ１の電流
方向を反転させて、第２図（ｄ）に示した位置にＶＢＬ
を移動させる。
最後に、コンダクタＣ２の電流を切るか又は電流を逆方
向に反転させると、ＶＢＬ対を形成する二本のＶＢＬに
挟まれたブロッホ磁壁部の磁化方向とは逆向きの磁界が
印加されて磁化方向が反転し、ＶＢＬは消去される（第
２図（ｅ））。
向に反転させると、ＶＢＬ対を形成する二本のＶＢＬに
挟まれたブロッホ磁壁部の磁化方向とは逆向きの磁界が
印加されて磁化方向が反転し、ＶＢＬは消去される（第
２図（ｅ））。
本発明の方法で用いられるブロッホラインメモリ（デバ
イス）自体の構造については、従来から知られているも
のと比べて、消去用コンダクタＣＸｔＣ２及びＣ３が新
たに設けら九でいる（但し、従来における各コンダクタ
がこれに代わりうろことは既述のとおりである。）こと
、及び、チョッピング操作が採られないためバブルが生
成されずそれのコラプス手段を設ける必要がないこと等
において相違しているが、それら以外は実質上同じであ
る。
イス）自体の構造については、従来から知られているも
のと比べて、消去用コンダクタＣＸｔＣ２及びＣ３が新
たに設けら九でいる（但し、従来における各コンダクタ
がこれに代わりうろことは既述のとおりである。）こと
、及び、チョッピング操作が採られないためバブルが生
成されずそれのコラプス手段を設ける必要がないこと等
において相違しているが、それら以外は実質上同じであ
る。
本発明の方法によれば、ＶＢＬ対（情報信号）の消去に
おいてチョッピング、そのチョッピングにより生じたバ
ブルのコラプスという工程を含むことないため、高速で
ＶＢＬ対の消去が可能である。
おいてチョッピング、そのチョッピングにより生じたバ
ブルのコラプスという工程を含むことないため、高速で
ＶＢＬ対の消去が可能である。
第１図はブロッホラインメモリデバイスの主要部を概略
に表わした図である。 第２図は本発明方法を説明するための図である。 第３図は従来のＶＢＬ対の消去法を説明するための図で
ある。 Ｓ工ｔｓａｔｓａ・・・ストライプドメインＣ１，Ｃ，
、Ｃ，・・・消去用コンダクタ８・・・ＶＢＬ対
に表わした図である。 第２図は本発明方法を説明するための図である。 第３図は従来のＶＢＬ対の消去法を説明するための図で
ある。 Ｓ工ｔｓａｔｓａ・・・ストライプドメインＣ１，Ｃ，
、Ｃ，・・・消去用コンダクタ８・・・ＶＢＬ対
Claims (1)
- （１）ブロッホラインメモリから情報信号である垂直ブ
ロッホライン対（ＶＢＬ対）を消去する方法において、
信号記録になる磁性層上に信号消去用の平行コンダクタ
を設け、ＶＢＬ対をなす二本のＶＢＬに挟まれたブロッ
ホ磁壁部の磁化方向と逆向きの磁界を該コンダクタに電
流を流すことにより生じせしめＶＢＬ対を消去すること
を特徴とするブロッホラインメモリにおける情報の消去
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1237900A JP2869456B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | ブロッホラインメモリにおける情報の消去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1237900A JP2869456B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | ブロッホラインメモリにおける情報の消去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100990A true JPH03100990A (ja) | 1991-04-25 |
| JP2869456B2 JP2869456B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=17022093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1237900A Expired - Lifetime JP2869456B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | ブロッホラインメモリにおける情報の消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2869456B2 (ja) |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP1237900A patent/JP2869456B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2869456B2 (ja) | 1999-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4090251A (en) | Bubble memory redundancy storage | |
| US3793639A (en) | Device for the magnetic storage of data | |
| JPH03100990A (ja) | ブロッホラインメモリにおける情報の消去方法 | |
| US3760387A (en) | Magnetic bubble domain system using multiple magnetic sheets | |
| US3526899A (en) | Magneto-acoustic transducer for high track density recording | |
| US4458334A (en) | Redundancy map storage for bubble memories | |
| JPS5841594B2 (ja) | メジャ−マイナ−ル−プ型バブルメモリ | |
| JPH0770013B2 (ja) | フレキシブルディスク装置の情報記録方法 | |
| JPS60113390A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPH0459711B2 (ja) | ||
| JPS5998386A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JP2849724B2 (ja) | ブロッホラインメモリデバイス | |
| JPS6076079A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPH0456393B2 (ja) | ||
| JPS6338796B2 (ja) | ||
| Lian | Transient magnetic domain wall and vertical Bloch line motion | |
| JP2614232B2 (ja) | ブロッホラインメモリの読出し方法 | |
| JPH0346186A (ja) | 磁気記憶素子及びその駆動方法 | |
| JPS5998384A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5998383A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5947385B2 (ja) | 磁気バブル装置用転送パタ−ン | |
| JPH01124187A (ja) | ブロッホラインメモリの情報転送方法 | |
| JPS6069886A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5998379A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5816273B2 (ja) | エントウジクセイギヨソウチ |