JPH0310209B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0310209B2 JPH0310209B2 JP58162197A JP16219783A JPH0310209B2 JP H0310209 B2 JPH0310209 B2 JP H0310209B2 JP 58162197 A JP58162197 A JP 58162197A JP 16219783 A JP16219783 A JP 16219783A JP H0310209 B2 JPH0310209 B2 JP H0310209B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- magnetic head
- tic
- substrate
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 BaCO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は基板に蒸着された薄膜の皮膜強度を高
くする範膜磁気ヘツド用基板に関する。 従来例の構成とその問題点 従来、TiC系のセラミツクはその高い耐摩耗性
により広く普及している。特にTiC−Al2O3系セ
ラミツクは、薄膜用ベース基板として最近特に注
目されている。しかしながら、これら基板の鏡面
研摩面に磁性材料(特にフエライト系)を蒸着し
た場合、蒸着した皮膜強度が弱いという欠点があ
つた。原因としては、TiC−Al2O3と磁性材料と
の反応性が低いためである。 発明の目的 本発明は従来の欠点を除去し、蒸着した皮膜強
度を高めると共に、機械特性(特に加工時のチツ
ピング)を向上させることが可能な薄膜磁気ヘツ
ド用基板を得るにある。 発明の構成 本発明の薄膜磁気ヘツド用基板を、表面にFe
系磁気ヘツドコアが形成される薄膜磁気ヘツド用
基板であつて、TiC,Al2O3の両者合計70〜98重
量%と、Fe2O3又はFe2O3を主成分とし、NiO,
CoO,ZnOの1種以上よりなる磁性材料30〜2重
量%から成り、前記TiCは50重量%を超えず、焼
結助成剤10重量%以下を含有させ、前記焼結助成
剤が、アルカリ土類酸化物及びSiO2の1種以上
より成るよう構成したものである。 実施例の説明 本発明を実施例に基づいて説明する。 試料の調整工程としては市販の工業用原料(純
度99%以上)のTiC,Al2O3,BaCO3,MgO,
CaCO3,SiO2,Fe2O3,NiO,CoO,MnO,
ZnO粉末を準備し、第1表に示す組成比に薄膜磁
気ヘツド用基板組成物(以下単に組成物という。)
を配合する。
くする範膜磁気ヘツド用基板に関する。 従来例の構成とその問題点 従来、TiC系のセラミツクはその高い耐摩耗性
により広く普及している。特にTiC−Al2O3系セ
ラミツクは、薄膜用ベース基板として最近特に注
目されている。しかしながら、これら基板の鏡面
研摩面に磁性材料(特にフエライト系)を蒸着し
た場合、蒸着した皮膜強度が弱いという欠点があ
つた。原因としては、TiC−Al2O3と磁性材料と
の反応性が低いためである。 発明の目的 本発明は従来の欠点を除去し、蒸着した皮膜強
度を高めると共に、機械特性(特に加工時のチツ
ピング)を向上させることが可能な薄膜磁気ヘツ
ド用基板を得るにある。 発明の構成 本発明の薄膜磁気ヘツド用基板を、表面にFe
系磁気ヘツドコアが形成される薄膜磁気ヘツド用
基板であつて、TiC,Al2O3の両者合計70〜98重
量%と、Fe2O3又はFe2O3を主成分とし、NiO,
CoO,ZnOの1種以上よりなる磁性材料30〜2重
量%から成り、前記TiCは50重量%を超えず、焼
結助成剤10重量%以下を含有させ、前記焼結助成
剤が、アルカリ土類酸化物及びSiO2の1種以上
より成るよう構成したものである。 実施例の説明 本発明を実施例に基づいて説明する。 試料の調整工程としては市販の工業用原料(純
度99%以上)のTiC,Al2O3,BaCO3,MgO,
CaCO3,SiO2,Fe2O3,NiO,CoO,MnO,
ZnO粉末を準備し、第1表に示す組成比に薄膜磁
気ヘツド用基板組成物(以下単に組成物という。)
を配合する。
【表】
前記組成物をステンレスポツト、ステンレスボ
ールを用い24時間混合し、乾燥し乾燥体とした。 前記乾燥体に精製水を加え50mm×50mm×10mmの
角形に1t/cm2の加圧力で成形し、これらの成形体
を水素ガス気流中、1600℃〜1700℃の温度で2時
間焼結した。前記焼結体をアルゴンガス中1500℃
−2000atmにて熱間静水圧プレス(HIP)し、そ
の後N2中1000〜1100℃にてアニール処理をした。
このようにして得られたTiC−Al2O3基板に
Fe2O3系磁気材料をスパツタ蒸着させる。 前記基板について第2表のような各諸特性を調
べた。
ールを用い24時間混合し、乾燥し乾燥体とした。 前記乾燥体に精製水を加え50mm×50mm×10mmの
角形に1t/cm2の加圧力で成形し、これらの成形体
を水素ガス気流中、1600℃〜1700℃の温度で2時
間焼結した。前記焼結体をアルゴンガス中1500℃
−2000atmにて熱間静水圧プレス(HIP)し、そ
の後N2中1000〜1100℃にてアニール処理をした。
このようにして得られたTiC−Al2O3基板に
Fe2O3系磁気材料をスパツタ蒸着させる。 前記基板について第2表のような各諸特性を調
べた。
【表】
【表】
第1表、第2表より明らかなように本発明範囲
内の実施例はサンプルNo.1〜No.8、No.10であり、
他は範囲外の比較例である。本発明範囲内の試料
は、用途に適した機械的特性、皮膜強度などを示
している。またNo.9、No.11〜No.14は範囲外であ
り、皮膜強度、熱衝撃性が悪いものである。 なお、前記範囲において、TiC量が50重量%を
超えると焼結性が著しく低下する。TiC,Al2O3
の合計が70重量%未満では添加物相の結晶粒界へ
の偏析が起こり、熱衝撃性の低下及び機械強度の
低下をもたらす。98重量%を超えると、TiC−
Al2O3間の焼結助成分が少なくなり、焼結性の低
下をおこす。磁性材料が2重量%未満では皮膜強
度は添加しない場合に比較して差は発生しない。
30重量%を超えると、皮膜強度の増加がないばか
りか、磁性材料相の偏析がおこり、熱衝撃性が低
下するとともに、皮膜の磁気特性に悪影響を与え
る。また焼結助成剤が10重量部を超えると、機械
強度が低下するとともに、機械加工時のチツピン
グ発生率増加や、異相析出による熱衝撃性の低下
をきたす。 ここで焼結助成剤としてSiO2,CaCO3を用い
たが、BaCO3,MgOなどTiC−Al2O3,Al2O3−
Al2O3間の焼結を促進させる成分であれば特に限
定はしない。 また磁性材料としてFe2O3などを用いたが、薄
膜に用いる材料でも同等の結果が得られる。ただ
し、金属を薄膜にする場合は、前記金属の酸化物
を添加する。金属成分のまま添加すると、前記金
属が偏析し、磁気ヘツドの磁気特性に悪影響を与
える。 発明の効果 本発明の薄膜磁気ヘツド用基板は、基板中に
Fe2O3が入つているので、Fe系(Fe・Al−Si,
Fe−Ni,Fe2O3等)の磁気ヘツドコアであれば
どのようなものでも結合強度が大きくなる。 この理由として、基板中に存在しているFe原
子と、磁気ヘツドコア中に存在しているFe原子
とが密接に結合することが考えられる。 したがつて、本発明の基板では、Fe系の磁気
ヘツドコアであればよく、必ずしも基板と磁気ヘ
ツドコアの磁性材料を同一物にする必要はない。 本発明により磁気材料皮膜と薄膜磁気ヘツド用
基板間の結合強度が30〜70%アツプするものであ
る。
内の実施例はサンプルNo.1〜No.8、No.10であり、
他は範囲外の比較例である。本発明範囲内の試料
は、用途に適した機械的特性、皮膜強度などを示
している。またNo.9、No.11〜No.14は範囲外であ
り、皮膜強度、熱衝撃性が悪いものである。 なお、前記範囲において、TiC量が50重量%を
超えると焼結性が著しく低下する。TiC,Al2O3
の合計が70重量%未満では添加物相の結晶粒界へ
の偏析が起こり、熱衝撃性の低下及び機械強度の
低下をもたらす。98重量%を超えると、TiC−
Al2O3間の焼結助成分が少なくなり、焼結性の低
下をおこす。磁性材料が2重量%未満では皮膜強
度は添加しない場合に比較して差は発生しない。
30重量%を超えると、皮膜強度の増加がないばか
りか、磁性材料相の偏析がおこり、熱衝撃性が低
下するとともに、皮膜の磁気特性に悪影響を与え
る。また焼結助成剤が10重量部を超えると、機械
強度が低下するとともに、機械加工時のチツピン
グ発生率増加や、異相析出による熱衝撃性の低下
をきたす。 ここで焼結助成剤としてSiO2,CaCO3を用い
たが、BaCO3,MgOなどTiC−Al2O3,Al2O3−
Al2O3間の焼結を促進させる成分であれば特に限
定はしない。 また磁性材料としてFe2O3などを用いたが、薄
膜に用いる材料でも同等の結果が得られる。ただ
し、金属を薄膜にする場合は、前記金属の酸化物
を添加する。金属成分のまま添加すると、前記金
属が偏析し、磁気ヘツドの磁気特性に悪影響を与
える。 発明の効果 本発明の薄膜磁気ヘツド用基板は、基板中に
Fe2O3が入つているので、Fe系(Fe・Al−Si,
Fe−Ni,Fe2O3等)の磁気ヘツドコアであれば
どのようなものでも結合強度が大きくなる。 この理由として、基板中に存在しているFe原
子と、磁気ヘツドコア中に存在しているFe原子
とが密接に結合することが考えられる。 したがつて、本発明の基板では、Fe系の磁気
ヘツドコアであればよく、必ずしも基板と磁気ヘ
ツドコアの磁性材料を同一物にする必要はない。 本発明により磁気材料皮膜と薄膜磁気ヘツド用
基板間の結合強度が30〜70%アツプするものであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 表面にFe系磁気ヘツドコアが形成される薄
膜磁気ヘツド用基板であつて、TiC,Al2O3の両
者合計70〜98重量%と、Fe2O3又はFe2O3を主成
分とし、NiO,CoO,ZnOの1種以上よりなる磁
性材料30〜2重量%から成り、前記TiCは50重量
%を超えず、焼結助成剤10重量%以下を含有する
薄膜磁気ヘツド用基板。 2 前記焼結助成剤が、アルカリ土類酸化物及び
SiO2の1種以上よりなることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の薄膜磁気ヘツド用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58162197A JPS6054410A (ja) | 1983-09-03 | 1983-09-03 | 薄膜磁気ヘッド用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58162197A JPS6054410A (ja) | 1983-09-03 | 1983-09-03 | 薄膜磁気ヘッド用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054410A JPS6054410A (ja) | 1985-03-28 |
| JPH0310209B2 true JPH0310209B2 (ja) | 1991-02-13 |
Family
ID=15749833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58162197A Granted JPS6054410A (ja) | 1983-09-03 | 1983-09-03 | 薄膜磁気ヘッド用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054410A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060097A (en) * | 1989-01-06 | 1991-10-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disc file including a slider which exhibits reduced deformation during operation |
| JP2549095Y2 (ja) * | 1991-06-18 | 1997-09-24 | 株式会社サンエー化研 | 金魚等の水棲生物入り袋 |
-
1983
- 1983-09-03 JP JP58162197A patent/JPS6054410A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6054410A (ja) | 1985-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100237316B1 (ko) | 자성 박막 형성을 위한 스파터링 타겟 및 그 제조방법 | |
| JPH0310209B2 (ja) | ||
| JPS6021940B2 (ja) | 磁気ヘツド用非磁性セラミツクス | |
| JPS5851402B2 (ja) | 磁気ヘツド構造部品用磁器およびその製造方法 | |
| JPS63134559A (ja) | 磁気ヘツド用非磁性セラミツクス | |
| KR100191350B1 (ko) | 고밀도 mn-zn 자성체 제조용 매몰분 제조 방법 | |
| JPH07111221A (ja) | 磁性スパッタターゲットとそれを用いて形成した磁性薄膜、および薄膜磁気ヘッド | |
| JPH05319896A (ja) | 非磁性セラミックス | |
| JPS6224386B2 (ja) | ||
| JP2799238B2 (ja) | Mn―Znフェライト接合体の製造方法 | |
| JPS63134558A (ja) | 磁気ヘツド用非磁性セラミツクス | |
| JPS59190261A (ja) | 磁気ヘツド用磁器組成物 | |
| JPH0329739B2 (ja) | ||
| JPH05283230A (ja) | 磁気ヘッド用非磁性基板 | |
| JPH04231370A (ja) | 酸化アルミニウム質焼結体 | |
| JPH03279259A (ja) | 磁気ヘッド用磁器組成物 | |
| JPS59213670A (ja) | 磁気ヘツド用磁器組成物 | |
| JPH0744111B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド用基板材料 | |
| JPH01253210A (ja) | 多結晶フェライト材料及びその製造法 | |
| JPS6378760A (ja) | 感熱記録用ヘツドの保護層形成用スパツタリングタ−ゲツト材 | |
| JPS59214212A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPH04273405A (ja) | 磁気ヘッド用非磁性基板 | |
| JPH0896317A (ja) | 磁気ヘッド用非磁性材料 | |
| JPH0612611A (ja) | 磁気ヘッド用非磁性セラミックス | |
| JPH02283654A (ja) | 磁気ヘッド用磁器組成物 |