JPH03104128A - 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型 - Google Patents

半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型

Info

Publication number
JPH03104128A
JPH03104128A JP1241164A JP24116489A JPH03104128A JP H03104128 A JPH03104128 A JP H03104128A JP 1241164 A JP1241164 A JP 1241164A JP 24116489 A JP24116489 A JP 24116489A JP H03104128 A JPH03104128 A JP H03104128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor element
mold
semiconductor
bottom force
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1241164A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2748592B2 (ja
Inventor
Akitoshi Hara
明稔 原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP1241164A priority Critical patent/JP2748592B2/ja
Priority to KR1019900013346A priority patent/KR100196601B1/ko
Priority to GB9020100A priority patent/GB2236212B/en
Priority to US07583813 priority patent/US5077237B1/en
Publication of JPH03104128A publication Critical patent/JPH03104128A/ja
Priority to US08/114,413 priority patent/US5302850A/en
Priority to HK106297A priority patent/HK106297A/xx
Application granted granted Critical
Publication of JP2748592B2 publication Critical patent/JP2748592B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01—Manufacture or treatment
    • H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C2045/1486—Details, accessories and auxiliary operations
    • B29C2045/14942—Floating inserts, e.g. injecting simultaneously onto both sides of an insert through a pair of opposed gates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、半導体装置の製造工程の一部である熱硬化性
樹脂によってトランスファ成形される封止工程における
半導体素子の位置が変動する不具合や、内部リードの変
形を防ぐ半導体封止用成形金型に関する。
［発明の概要コ 本発明は、半導体封止用成形金型において、半導体素子
に対し、対向するように上面・下面に樹脂流入口を設け
る事により半導体素子が上面・下面に流入樹脂の圧力が
ほぼ均等に加わるため上面方向や下面方向への移動をな
くす事を可能とし、さらに、内部リードや内部リードと
半導体素子を接続するワイヤーの方向と樹脂の流れ方向
が近くなる事によって内部リードやワイヤーの変形防止
を可能としたものである。
［従来の技術コ 従来の半導体封止用金型の樹脂流入口を含む周辺の構造
は、第２図（α），第２図（ｂ）に示すとおりである、
１６０℃から１８０℃に・加熱されている金型上型１５
，下型１４の間に、半導体素子載置部６に半導体素子８
が接着剤又は共晶合金などによって固定され、その半導
体素子８と内部リード２は、金や銅・アルミニウムなど
の金属細線９によって接続され、それらとダムパー３・
外部リード４・パイロットホール５・外枠７を持つリー
ドフレームを配置する。さらに所定の圧力でリードフレ
ームを加圧する。このとき金型温度によって低粘度化し
た熱硬化性樹脂がランナー１１を流れ、キャビティ１２
の端に配置された樹脂流入口１０を通り、キャビティに
充填する。
［発明が解決しようとする課題コ しかし、従来の半導体封止用金型で成形しようとしたと
き、外部リード４に対し樹脂流入口は下型測に配置して
いるので、外部リード４や半導体素子載置６によって樹
脂流入０１０より流入した熱硬化性樹脂は上型キャビテ
ィ１２αの方が下型キャビティ１２ｂに比べ充填具合が
おそい。このように、早く下型に充填した樹脂が上型に
流れる時、半導体素子載置部６や内部リード２を上型側
に移動させるため、■半導体素子の位置が変動する。■
内部リードが変形するといった問題が発生する。
［課題を解決するための手段コ 本発明の半導体封止用成形金型は、上型キャビティと下
型キャビティ共に同程度に樹脂を充填させ、半導体素子
及び半導体素子載置部に対し上下方向同一に樹脂流入圧
が加わるように考慮し、半導体素子の能動部側および裏
面側に対し、対向する樹脂流入口を持つことを特徴とす
る。
［実施例コ 以下、本発明について実施例に基づいて詳細に説明する
。第１図は本発明の１実施例であり、１６０℃から１８
０℃に加熱されている１５α上型キャビティプレート●
１３ｂ上型プレート●１４α下型キャビティプレート・
１４ｂ下型プレートの１３α上型キャビティプレートと
１４α下型キャビティプレートの間に、半導体素子載置
部６上に熱硬化性樹脂接着剤を少量塗布し半導体素子８
をマウントし高温放置によって熱硬化性樹脂接着剤を硬
化させ半導体素子８を固定し，その固定した半導体素子
８の能動部上の接続用パッドと内部リード２とを金の細
線９によって接線したリードフレームを配置する。さら
に、そのリードフレームを下型側から所定の圧力によっ
て加圧する。
シリンダーによって押し出された熱硬化性樹脂は、金型
の加熱温度によってさらに低粘度化し上型ランナー１１
αと下型ランナー１１．６を同時に流れ、上型サブラン
ナー１５αと下型サプランナー１５ｂを同時に流れ、上
型樹脂流入口１０αと下型樹脂流入口１０．６から上型
キャビティ１２αと下型キャピティ１２ｂそれぞれに流
入する。このときサブランナーに比べ樹脂流入口は非常
に小さいので樹脂流入口から熱硬化性樹脂は勢いよく半
導体素子８の能動部側と半導体素子載置部６の裏面に当
たり、当たった場所から放射状に流れてキャピティに充
填される。さらに、この状態を保持する事により、金型
加熱温度で熱硬化性樹脂が硬化する。
このように半導体素子と半導体素子載置部をはさんで対
向する方向から熱硬化性樹脂を流入する事により半導体
素子および半導体素子載置部は上下方向に変動せず安定
した状態で封止される。
［発明の効果コ 本発明の半導体封止用成形金型は、上述のように半導体
素子および半導体素子載置部なはさんで対向する方向に
樹脂流入口を設けたため、イ．流入樹脂圧力によって半
導体素子が上下に変動しない。
口．樹脂の流れが中心から外側に放射状に、上下キャビ
ティそれぞれへの移動が少ないほどにより内部リード先
端の上下変動がない。
ハ．樹脂の流れが中心から外側に放射状と、内部リード
と半導体素子を接続する細線とほぼ同一方向となるため
、流入樹脂圧力によって細線の変形が少ない。
など、多くの利点を有する。さらに効果的にするため、
熱硬化性樹脂を１シリンダーで押し、それを分枝させて
上下それぞれのランナーに流せば上下樹脂流入口からの
流入樹脂圧力は全く均一となる。
【図面の簡単な説明】
第１図（α）は本発明の半導体封止用成形金型の樹脂流
入口平面図。 第１図（ｂ）は本発明の半導体封止用成形金型の樹脂流
入口断面図（第１図（ｃＬ）のＡ−Ａ’断面）。 第２図（α）は従来の半導体封止用成形金型の樹脂流入
口平面図。 第２図（Ａ）は従来の半導体封止用成形金型の樹脂流入
口断面図（第２図（α）のＡ−Ａ’断面）。 １・・・・・・・・・半導体素子載置部の保持部２・・
・・・・・・・内部リード ３・・・・・・・・・ダムパー ４・・・・・・・・・外部リード ５・・・・・・・・・パイロットホール６・・・・・・
・・・半導体素子載置部７・・・・・・・・・外　枠 ８・・・・・・・・・半導体素子 ９・・・・・・・・・細　線 １０・・・・・・・・・樹脂流入口 ０゛沈・・・・・・上型樹脂流入口 Ｏｂ・・・・・・下型樹脂流入口 １・・・・・・・・・ランナー １α・・・・・・上型ランナー １ｂ・・・・・・下型ランナー ２α・・・・・・上型キャビティ ２ｂ・・・・・・下型キャビティ ３・・・・・・・・・上　型 ３α・・・・・・上型キャビティプレー３ｂ・・・・・
・上型プレート ４・・・・・・・・・下　型 ４α・・・・・・下型キャビティ ４ｂ・・・・・・下型プレート ５α・・・・・・上型サブランナー ５ｂ・・・・・・下型サブランナー プレート

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を熱硬化性樹脂で封止する金型において、半
    導体素子の能動部側および裏面側に対し、対向する樹脂
    流入口を持つことを特徴とする半導体封止用成形金型。
JP1241164A 1989-09-18 1989-09-18 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型 Expired - Fee Related JP2748592B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1241164A JP2748592B2 (ja) 1989-09-18 1989-09-18 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型
KR1019900013346A KR100196601B1 (ko) 1989-09-18 1990-08-29 수지밀봉용 금형 및 이를 이용하여 수지를 밀봉하는 반도체 장치의 제조방법
GB9020100A GB2236212B (en) 1989-09-18 1990-09-14 Method of encapsulating a semiconductor element in resin or sealing it therewith,and a mould therefor
US07583813 US5077237B1 (en) 1989-09-18 1990-09-17 Method of encapsulating a semiconductor element using a resin mold having upper and lower mold half resin inflow openings
US08/114,413 US5302850A (en) 1989-09-18 1993-08-30 Semiconductor sealing mold
HK106297A HK106297A (en) 1989-09-18 1997-06-26 Method of encapsulating a semiconductor element in resin or sealing it therewith, and a mould therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1241164A JP2748592B2 (ja) 1989-09-18 1989-09-18 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03104128A true JPH03104128A (ja) 1991-05-01
JP2748592B2 JP2748592B2 (ja) 1998-05-06

Family

ID=17070208

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1241164A Expired - Fee Related JP2748592B2 (ja) 1989-09-18 1989-09-18 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5077237B1 (ja)
JP (1) JP2748592B2 (ja)
KR (1) KR100196601B1 (ja)
GB (1) GB2236212B (ja)
HK (1) HK106297A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002323094A (ja) * 2001-04-23 2002-11-08 Sumitomo Heavy Ind Ltd ２段形ウォーム減速機、ウォームギヤドモータ及びこれらのシリーズ

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1060559A (zh) * 1990-10-10 1992-04-22 三星电子株式会社 用带有倾斜浇口的设备将半导体器件密封在模制物料中
JPH05206365A (ja) * 1992-01-30 1993-08-13 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置およびその組立用リードフレーム
US5254501A (en) * 1992-09-11 1993-10-19 Cypress Semiconductor Corporation Same-side gated process for encapsulating semiconductor devices
US5409362A (en) * 1992-11-24 1995-04-25 Neu Dynamics Corp. Encapsulation molding equipment
US5405255A (en) * 1992-11-24 1995-04-11 Neu Dynamics Corp. Encapsulaton molding equipment
US5316463A (en) * 1992-11-24 1994-05-31 Neu Dynamics Corporation Encapsulating molding equipment
US5429488A (en) * 1992-11-24 1995-07-04 Neu Dynamics Corporation Encapsulating molding equipment and method
US5780924A (en) * 1996-05-07 1998-07-14 Lsi Logic Corporation Integrated circuit underfill reservoir
JP3300254B2 (ja) * 1997-04-28 2002-07-08 矢崎総業株式会社 樹脂被覆実装基板及びその製造方法
US5981312A (en) * 1997-06-27 1999-11-09 International Business Machines Corporation Method for injection molded flip chip encapsulation
JPH11121488A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
KR100265461B1 (ko) * 1997-11-21 2000-09-15 윤종용 더미본딩와이어를포함하는반도체집적회로소자
US6117382A (en) * 1998-02-05 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Method for encasing array packages
JP3784597B2 (ja) * 1999-12-27 2006-06-14 沖電気工業株式会社 封止樹脂及び樹脂封止型半導体装置
US6856006B2 (en) * 2002-03-28 2005-02-15 Siliconix Taiwan Ltd Encapsulation method and leadframe for leadless semiconductor packages
JP2002270638A (ja) * 2001-03-06 2002-09-20 Nec Corp 半導体装置および樹脂封止方法および樹脂封止装置
CA2350747C (en) * 2001-06-15 2005-08-16 Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee Improved transfer molding of integrated circuit packages
JP3711333B2 (ja) * 2001-07-27 2005-11-02 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置
SG118103A1 (en) * 2001-12-12 2006-01-27 Micron Technology Inc BOC BGA package for die with I-shaped bond pad layout
JP4039298B2 (ja) * 2003-04-08 2008-01-30 株式会社デンソー 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法ならびに成形型
JP2008004570A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造方法、樹脂封止型半導体装置の製造装置、および樹脂封止型半導体装置
JP2010074142A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Panasonic Corp 半導体装置及びそれを用いた電子機器
US9070679B2 (en) 2009-11-24 2015-06-30 Marvell World Trade Ltd. Semiconductor package with a semiconductor die embedded within substrates
US9387613B2 (en) * 2014-05-23 2016-07-12 Infineon Technologies Ag Semiconductor formation arrangement
US11114313B2 (en) * 2019-05-16 2021-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer level mold chase
CN113276359B (zh) * 2020-02-19 2022-11-08 长鑫存储技术有限公司 注塑模具及注塑方法
KR102693034B1 (ko) * 2021-08-25 2024-08-08 주식회사 해규 불소 변성 실리콘 코팅제 조성물 및 이를 사용한 불소 변성 실리콘 코팅층 형성방법
KR20230079848A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 한국전자기술연구원 반도체 밀봉용 조성물 및 이를 통해 성형된 반도체 부품
KR20230079847A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 한국전자기술연구원 반도체 밀봉용 조성물 및 이를 통해 성형된 반도체 부품

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61145835A (ja) * 1984-12-20 1986-07-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS637639A (ja) * 1986-06-28 1988-01-13 Towa Erekutoron Kk 電子素子の樹脂モ−ルド方法及びそのモ−ルド金型

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB510393A (en) * 1937-09-11 1939-08-01 Marcello Cavalieri Ducati Improvements in or relating to a method of and apparatus for making containers or protective coverings for electric condensers and other objects
US4043027A (en) * 1963-12-16 1977-08-23 Texas Instruments Incorporated Process for encapsulating electronic components in plastic
GB1204619A (en) * 1967-04-26 1970-09-09 Rca Corp Formerly Radio Corp O Fabrication of semiconductor devices having molded enclosures
NL189379C (nl) * 1977-05-05 1993-03-16 Richardus Henricus Johannes Fi Werkwijze voor inkapselen van micro-elektronische elementen.
JPS6396947A (ja) * 1986-10-13 1988-04-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
US5018003A (en) * 1988-10-20 1991-05-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Lead frame and semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61145835A (ja) * 1984-12-20 1986-07-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS637639A (ja) * 1986-06-28 1988-01-13 Towa Erekutoron Kk 電子素子の樹脂モ−ルド方法及びそのモ−ルド金型

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002323094A (ja) * 2001-04-23 2002-11-08 Sumitomo Heavy Ind Ltd ２段形ウォーム減速機、ウォームギヤドモータ及びこれらのシリーズ

Also Published As

Publication number Publication date
HK106297A (en) 1997-08-22
GB9020100D0 (en) 1990-10-24
US5077237B1 (en) 1997-07-08
JP2748592B2 (ja) 1998-05-06
GB2236212B (en) 1993-08-04
KR910007095A (ko) 1991-04-30
KR100196601B1 (ko) 1999-06-15
US5077237A (en) 1991-12-31
GB2236212A (en) 1991-03-27
US5302850A (en) 1994-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03104128A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型
US6388336B1 (en) Multichip semiconductor assembly
KR0169187B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
US6316822B1 (en) Multichip assembly semiconductor
US8558367B2 (en) Semiconductor module
JP2000323623A (ja) 半導体装置
WO1998029903A1 (fr) Dispositif a semiconducteur encapsule dans de la resine et son procede de production
KR20010090606A (ko) 반도체장치, 반도체장치의 제조방법, 수지밀봉금형 및반도체 제조시스템
JPH0955455A (ja) 樹脂封止型半導体装置、リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
US5252783A (en) Semiconductor package
JP2765542B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
CN107305879B (zh) 半导体器件及相应的方法
JPH08510092A (ja) プラスチック封止の集積回路パッケージ及びその製造方法
JPH08264569A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS5848442A (ja) 電子部品の封止方法
CN215578541U (zh) 框架和封装集成电路
JP2873009B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2555931B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003174123A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH05121473A (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR20000011664A (ko) 반도체장치및그제조방법
JPH11340400A (ja) 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム
JP4002235B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP4294462B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS5978537A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080220

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090220

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees