JPH03106596A - ろう付け用フラックス - Google Patents
ろう付け用フラックスInfo
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- JPH03106596A JPH03106596A JP24232389A JP24232389A JPH03106596A JP H03106596 A JPH03106596 A JP H03106596A JP 24232389 A JP24232389 A JP 24232389A JP 24232389 A JP24232389 A JP 24232389A JP H03106596 A JPH03106596 A JP H03106596A
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Landscapes
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、アルミニウム又はアルミニウム合金材料のろ
う付けに用いるブラックスに関するものである．
う付けに用いるブラックスに関するものである．
アルミニウム又はアルミニウム合金材料（以下、単に＾
ｌ材料）の部材をろう付けする為に、＾ｌ−Ｓｉ共晶合
金からなるろう材が用いられている．そして、＾１材料
を上記ろう材で良好に接合する為には、＾ｌ材料の表面
に存在する酸化皮膜等を除去する必要があり、この点か
らフラックスが使用されている． このようなフラックスとしては、ＫＦ−ＡｌＦ３系の錯
体からなるフラックスが知られている．このフラックス
はκＦ−＾ＩＦ３の共晶点で融解し、フラックスとして
優れた作用を発揮するが、融解開始温度が５６０℃以上
と高い．従って、使用されるろう材には５６０℃より数
十度高い融点を有することが要求され、そしてろう付け
時の加熱温度もこれに伴って高くなる． ところで、このような高温は＾１材料にとっては融点に
近い温度であり、＾１材料の溶融の問題がある． 又、Ｍ．を含有した＾１材料の場合には、例えばＫＦ−
ＡｌＦ３系のフラックスを用いた場合のろう付け性が著
しく劣っており、Ｍｇ高含有＾１材料には用いられない
． さらに、ろう付けがトーチろう付けのような場合にあっ
ては、前記のような高い温度での実施はその温度制御が
難しく、高度の熟練技術が必要でもある．
ｌ材料）の部材をろう付けする為に、＾ｌ−Ｓｉ共晶合
金からなるろう材が用いられている．そして、＾１材料
を上記ろう材で良好に接合する為には、＾ｌ材料の表面
に存在する酸化皮膜等を除去する必要があり、この点か
らフラックスが使用されている． このようなフラックスとしては、ＫＦ−ＡｌＦ３系の錯
体からなるフラックスが知られている．このフラックス
はκＦ−＾ＩＦ３の共晶点で融解し、フラックスとして
優れた作用を発揮するが、融解開始温度が５６０℃以上
と高い．従って、使用されるろう材には５６０℃より数
十度高い融点を有することが要求され、そしてろう付け
時の加熱温度もこれに伴って高くなる． ところで、このような高温は＾１材料にとっては融点に
近い温度であり、＾１材料の溶融の問題がある． 又、Ｍ．を含有した＾１材料の場合には、例えばＫＦ−
ＡｌＦ３系のフラックスを用いた場合のろう付け性が著
しく劣っており、Ｍｇ高含有＾１材料には用いられない
． さらに、ろう付けがトーチろう付けのような場合にあっ
ては、前記のような高い温度での実施はその温度制御が
難しく、高度の熟練技術が必要でもある．
本発明の第１の目的は、比較的低い温度での使用が可能
なろう付け゛用フラックスを提供することである． 本発明の第２の目的は、＾１材料を腐食することがない
ろう付け用フラックスを提供することである． 本発明の第３の目的は、Ｍｅ含有＾１材料の場合にも適
用できるろう付け用フラックスを提供することである． 上記本発明の目的は、Ｒｈ、＾ｌ及びＦで楕成される錯
化合物を含むことを特徴とするろう付け用フラックスに
よって達成される． 又、Ｒｂ、＾１及びＦで構成される錯化合物とフッ化ア
ルミニウムとを含むことを特徴とするろう付け用フラッ
クスによっても達成される．尚、上記の錯化合物として
は例えばＲｂ，ＡｌＦ３、ＲｂＡｌＦ３、Ｒｂ２＾ＩＦ
，のようなフルオロアルミニウム酸ルビジウム、特にフ
ッ化アルミニウム／フッ化ルビジウム（モル比）が６７
／ ３３〜２６／７４のフルオロアルミニウム酸ルビジ
ウムがある． そして、このようなフラックスは、約５００℃前後の比
較的低い温度で＾１材料のろう付け部における酸化皮膜
等の汚れを除去でき、ろう材の流動性を高めることにな
り、ろう材が均一に分散し、良好なろう付け特性を呈す
る． すなわち、このフラックスの融点は＾ＩＦ３とＲｂＦの
組戒割合によって多少変化するが、＾Ｉ Ｆ ，／Ｒｂ
Ｆのモル比が６７／３３〜２６／ ７４のフルオロアル
ミニウム酸ルビジウムは４８０〜５３０℃の温度範囲で
溶融ないしは溶融開始する． しかも、遊離のＲｂＦを含まない、又は、特にフッ化ア
ルミニウムを余分に多少添加しておいて遊離のＲｂＦを
含まないようにしているから、ろう付け後のフラックス
残渣が＾１材料を腐食することが無い． 本発明のフラックスは種々の方法で製造できるが、例え
ば次のようにして製造される．ＲｂＦと＾ＩＦ３の粉末
を所定の割合で混合し、これをルツボで加熱溶融した後
、冷却して固化物とする． このようにして得た固化物を粉砕すれば、本発明のろう
付け用フラックスが得られる．そして、このようにして
得たろう付け用フラックスの使用方法は従来からのブラ
ックスと同様にして良い． 例えば、フラックス粉末を水あるいはアルコール等の溶
媒に分敗させたペースト状物あるいは懸濁液を＾１材料
のろう付け部に八ヶ塗り、スプレー塗布あるいは浸漬す
る等の手段で供給する．又、ろう付け部にろう材を供給
する．ろう材としては、ブラックスの融点程度〜ｌＯＯ
℃高いものが用いられる．例えば、＾ｌ−Ｓｉ共晶合金
、＾ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金、＾ｌ−Ｚｎ−Ｓｉ系合金等
が用いられる．ろう付けの加熱は炉中加熱、トーチ加熱
等が有り、炉中加熱の場合には大気雰囲気でも良いが、
窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気が好ましい．
なろう付け゛用フラックスを提供することである． 本発明の第２の目的は、＾１材料を腐食することがない
ろう付け用フラックスを提供することである． 本発明の第３の目的は、Ｍｅ含有＾１材料の場合にも適
用できるろう付け用フラックスを提供することである． 上記本発明の目的は、Ｒｈ、＾ｌ及びＦで楕成される錯
化合物を含むことを特徴とするろう付け用フラックスに
よって達成される． 又、Ｒｂ、＾１及びＦで構成される錯化合物とフッ化ア
ルミニウムとを含むことを特徴とするろう付け用フラッ
クスによっても達成される．尚、上記の錯化合物として
は例えばＲｂ，ＡｌＦ３、ＲｂＡｌＦ３、Ｒｂ２＾ＩＦ
，のようなフルオロアルミニウム酸ルビジウム、特にフ
ッ化アルミニウム／フッ化ルビジウム（モル比）が６７
／ ３３〜２６／７４のフルオロアルミニウム酸ルビジ
ウムがある． そして、このようなフラックスは、約５００℃前後の比
較的低い温度で＾１材料のろう付け部における酸化皮膜
等の汚れを除去でき、ろう材の流動性を高めることにな
り、ろう材が均一に分散し、良好なろう付け特性を呈す
る． すなわち、このフラックスの融点は＾ＩＦ３とＲｂＦの
組戒割合によって多少変化するが、＾Ｉ Ｆ ，／Ｒｂ
Ｆのモル比が６７／３３〜２６／ ７４のフルオロアル
ミニウム酸ルビジウムは４８０〜５３０℃の温度範囲で
溶融ないしは溶融開始する． しかも、遊離のＲｂＦを含まない、又は、特にフッ化ア
ルミニウムを余分に多少添加しておいて遊離のＲｂＦを
含まないようにしているから、ろう付け後のフラックス
残渣が＾１材料を腐食することが無い． 本発明のフラックスは種々の方法で製造できるが、例え
ば次のようにして製造される．ＲｂＦと＾ＩＦ３の粉末
を所定の割合で混合し、これをルツボで加熱溶融した後
、冷却して固化物とする． このようにして得た固化物を粉砕すれば、本発明のろう
付け用フラックスが得られる．そして、このようにして
得たろう付け用フラックスの使用方法は従来からのブラ
ックスと同様にして良い． 例えば、フラックス粉末を水あるいはアルコール等の溶
媒に分敗させたペースト状物あるいは懸濁液を＾１材料
のろう付け部に八ヶ塗り、スプレー塗布あるいは浸漬す
る等の手段で供給する．又、ろう付け部にろう材を供給
する．ろう材としては、ブラックスの融点程度〜ｌＯＯ
℃高いものが用いられる．例えば、＾ｌ−Ｓｉ共晶合金
、＾ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金、＾ｌ−Ｚｎ−Ｓｉ系合金等
が用いられる．ろう付けの加熱は炉中加熱、トーチ加熱
等が有り、炉中加熱の場合には大気雰囲気でも良いが、
窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気が好ましい．
【実施例１
】 ＾ＩＦ，／ＲｂＦ（モル比）が４５／５５のものとなる
ようにＡｌＦ３とＲｂＦとの粉末を混合し、これをルッ
ポで加熱溶融した後、冷却して固化物とする．そして、
このようにして得た固化物を粉砕して本発明になるブラ
ックスを得た． このようにして得たフラックスを水に懸濁させた懸濁液
中に、＾１−１０％Ｈｎ−１．４ｗＬ％Ｓｉ−０．５ｗ
ｔ％Ｃｕ−０．５ｍｔ％Ｎｇ合金の板とこの板の両面に
ＪＩＳＢ＾４１４５を張り合わせたプレージングシ一ト
とを逆丁字形状に組み合わせたものを浸漬する．そして
、乾燥後、窒素ガス雰囲気中で５５０℃×５ｍｉｎの条
件でろう付けを行った．
】 ＾ＩＦ，／ＲｂＦ（モル比）が４５／５５のものとなる
ようにＡｌＦ３とＲｂＦとの粉末を混合し、これをルッ
ポで加熱溶融した後、冷却して固化物とする．そして、
このようにして得た固化物を粉砕して本発明になるブラ
ックスを得た． このようにして得たフラックスを水に懸濁させた懸濁液
中に、＾１−１０％Ｈｎ−１．４ｗＬ％Ｓｉ−０．５ｗ
ｔ％Ｃｕ−０．５ｍｔ％Ｎｇ合金の板とこの板の両面に
ＪＩＳＢ＾４１４５を張り合わせたプレージングシ一ト
とを逆丁字形状に組み合わせたものを浸漬する．そして
、乾燥後、窒素ガス雰囲気中で５５０℃×５ｍｉｎの条
件でろう付けを行った．
【実施例２】
実施例１のフラックスと＾ｌ− ４５＋ｓｔ％Ｚｎ−５
ｗｔ％Ｓｉろう粉末と熱可塑性のアクリル系樹脂バイン
ダとを重量比で１：５０：２の割合で混合したろう付け
用組成物を水で溶き、これをＪＩＳ ７ＮＯ１合金の板
を逆丁字形状に組み合わせた接合部に八ケ塗りで付着さ
せた． そして、乾燥後、窒素ガス雰囲気中で５３０℃×５＋ｉ
ｉｎの条件でろう付けを行った．
ｗｔ％Ｓｉろう粉末と熱可塑性のアクリル系樹脂バイン
ダとを重量比で１：５０：２の割合で混合したろう付け
用組成物を水で溶き、これをＪＩＳ ７ＮＯ１合金の板
を逆丁字形状に組み合わせた接合部に八ケ塗りで付着さ
せた． そして、乾燥後、窒素ガス雰囲気中で５３０℃×５＋ｉ
ｉｎの条件でろう付けを行った．
【実施例３】
実施例１において、＾ＩＦ，／ＲｂＦ（モル比）が６５
／３５のものとなるようにＡｌＦ３とＲｌ）Ｆとの粉末
を混合して得たフラックスを用いる他は同様に行った．
／３５のものとなるようにＡｌＦ３とＲｌ）Ｆとの粉末
を混合して得たフラックスを用いる他は同様に行った．
【実施例４】
実施例１において、＾ＩＦ，／ＲｂＦ（モル比）が３０
／７０のものとなるようにＡｌＦ３とＲｂＦとの粉末を
混合して得たフラックスを用いる他は同様に行った．
／７０のものとなるようにＡｌＦ３とＲｂＦとの粉末を
混合して得たフラックスを用いる他は同様に行った．
【比較例１】
実施例１において、＾ｌＦｚ／ＲｂＦ（モル比）が４５
／５５のフラックスを用いる代わりに＾ｌＦ．／ＫＦ（
モル比）が４５／５５のフラックスを用いて同様に行っ
た．
／５５のフラックスを用いる代わりに＾ｌＦ．／ＫＦ（
モル比）が４５／５５のフラックスを用いて同様に行っ
た．
【比較例２】
実施例１において、＾ＩＦ３／ＲｂＦ（モル比）が４５
７５５のフラックスを用いる代わりに＾ｌＦ３／ＫＦ（
モル比）が４５／５５のフラックスを用い、プレージン
グシ一トのろう材をＪＩＳ Ｂ＾４０４５にし、かつ、
ろう付け温度を６００℃にした他は同様に行った．
７５５のフラックスを用いる代わりに＾ｌＦ３／ＫＦ（
モル比）が４５／５５のフラックスを用い、プレージン
グシ一トのろう材をＪＩＳ Ｂ＾４０４５にし、かつ、
ろう付け温度を６００℃にした他は同様に行った．
【比
較例３】 実施例１において、フラックスとしてＬｉＣｌ−ＫＣＩ
系のものを用い、そしてろう付けを大気中で行う他は同
様に行った．
較例３】 実施例１において、フラックスとしてＬｉＣｌ−ＫＣＩ
系のものを用い、そしてろう付けを大気中で行う他は同
様に行った．
上記のろう付け結果は、次の表１に示す通りである．
表 １
腐食試験はＣＡＳＳ試験７２０時間
この表１から判るように本発明のフラックスでは比較的
低温でのろう付けが可能であり、しかも比較的低温での
ろう付けによってもろう付け特性は良好であり、そして
母材の溶融が起きない．又、腐食の心配も無い． これに対して、従来のフラックスではろう付け温度が比
較的低温であると、母材の溶融が起きないものの、ろう
付け特性が悪い．そして、ろう付けが行なわれるように
ろう付温度を高めると、母材の溶融が起きてしまう．
低温でのろう付けが可能であり、しかも比較的低温での
ろう付けによってもろう付け特性は良好であり、そして
母材の溶融が起きない．又、腐食の心配も無い． これに対して、従来のフラックスではろう付け温度が比
較的低温であると、母材の溶融が起きないものの、ろう
付け特性が悪い．そして、ろう付けが行なわれるように
ろう付温度を高めると、母材の溶融が起きてしまう．
Claims (4)
- （１）Ｒｂ、Ａｌ及びＦで構成される錯化合物を含むこ
とを特徴とするろう付け用フラックス。 - （２）Ｒｂ、Ａｌ及びＦで構成される錯化合物とフッ化
アルミニウムとを含むことを特徴とするろう付け用フラ
ックス。 - （３）特許請求の範囲第１項又は第２項記載のろう付け
用フラックスにおいて、錯化合物がフルオロアルミニウ
ム酸ルビジウムであるもの。 - （４）特許請求の範囲第３項記載のろう付け用フラック
スにおいて、フルオロアルミニウム酸ルビジウムのＡｌ
Ｆ＿３／ＲｂＦは６７／３３〜２６／７４（モル比）で
あるもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1242323A JP2724885B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | ろう付け用フラックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1242323A JP2724885B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | ろう付け用フラックス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03106596A true JPH03106596A (ja) | 1991-05-07 |
| JP2724885B2 JP2724885B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=17087499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1242323A Expired - Fee Related JP2724885B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | ろう付け用フラックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2724885B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117206742A (zh) * | 2023-10-12 | 2023-12-12 | 南京理工大学 | 一种高活性铝钎剂 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58132394A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-06 | Hitachi Ltd | アルミニウムのろう付用粉末フラックス |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP1242323A patent/JP2724885B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58132394A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-06 | Hitachi Ltd | アルミニウムのろう付用粉末フラックス |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117206742A (zh) * | 2023-10-12 | 2023-12-12 | 南京理工大学 | 一种高活性铝钎剂 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2724885B2 (ja) | 1998-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |