JPH03106897A - 3’―アジド―3’―デオキシチミジン誘導体及びその製造法 - Google Patents
3’―アジド―3’―デオキシチミジン誘導体及びその製造法Info
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- JPH03106897A JPH03106897A JP24010889A JP24010889A JPH03106897A JP H03106897 A JPH03106897 A JP H03106897A JP 24010889 A JP24010889 A JP 24010889A JP 24010889 A JP24010889 A JP 24010889A JP H03106897 A JPH03106897 A JP H03106897A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は3′−アジドー3′−デオキシチミジン誘導体
及びその製造法に関する。
及びその製造法に関する。
さらに詳しくは、本発明は、3′−アジドー3′−デオ
キシチミジンモノリン酸のエステル類及びその製造法に
関し、かかる化合物は、例えば、後天性免疫不全症候群
、いわゆるエイズ(AIDS)ウイルス(HIV)等の
レトロウイルス、単純ヘルペスウイルス(HSV),水
痘一帯状包疹ウイルス(VZV) 、サイトメガロウイ
ルス(CMV)等のDNAウイルスの増殖阻害活性を有
する抗ウイルス剤として、これらのウイルス性疾患の治
療に有用である。また、本発明の3′−アジドー3′−
デオキシチミジン誘導体は、癌の増殖阻害活性を有する
薬物として癌の治療に、さらに、真薗、細菌、リケッチ
ア、マイコブラズマ、クラミジア等の増殖阻害活性を有
する薬物として、これらの感染症の治療に有用であると
期待される。
キシチミジンモノリン酸のエステル類及びその製造法に
関し、かかる化合物は、例えば、後天性免疫不全症候群
、いわゆるエイズ(AIDS)ウイルス(HIV)等の
レトロウイルス、単純ヘルペスウイルス(HSV),水
痘一帯状包疹ウイルス(VZV) 、サイトメガロウイ
ルス(CMV)等のDNAウイルスの増殖阻害活性を有
する抗ウイルス剤として、これらのウイルス性疾患の治
療に有用である。また、本発明の3′−アジドー3′−
デオキシチミジン誘導体は、癌の増殖阻害活性を有する
薬物として癌の治療に、さらに、真薗、細菌、リケッチ
ア、マイコブラズマ、クラミジア等の増殖阻害活性を有
する薬物として、これらの感染症の治療に有用であると
期待される。
{ロ}従来技術及び発明が解決しようとする課題3′−
アジドー3′−デオキシチミジン(AZT)は、エイズ
ウイルス、HIVの増殖阻害剤としてエイズの治療に使
用されている。しかしながら、AZTの活性は十分でな
く、且つ血中半減期も短く、そのため頻回投与せねば効
果がでず、さらに、大量投与による副作用が治療効果の
障害となっている。
アジドー3′−デオキシチミジン(AZT)は、エイズ
ウイルス、HIVの増殖阻害剤としてエイズの治療に使
用されている。しかしながら、AZTの活性は十分でな
く、且つ血中半減期も短く、そのため頻回投与せねば効
果がでず、さらに、大量投与による副作用が治療効果の
障害となっている。
かかるAZTの欠点を克服する試みとして、AZTの5
′一位水酸基をアシル化、アルキル化またはベンジル化
等した誘導体が知られている(例えば、特開昭61−2
57925号公報、特開昭63−250396号公報参
照〉。
′一位水酸基をアシル化、アルキル化またはベンジル化
等した誘導体が知られている(例えば、特開昭61−2
57925号公報、特開昭63−250396号公報参
照〉。
このAZTは、ウイルスその他の病原体の感染細胞など
に取り込まれ、キナーゼの作用により、5′一位リン酸
化物に変換されてDNAの合成、又、HIVのごときレ
トロウイルスにあっては逆転写酵素を阻害することが知
られている。従って、AZTの5′一位がリン酸化され
た3′−デオキシ−3′−アジドチミジン 5′−ホス
フェートを細胞内に導入すれば、AZTよりも高い活性
を発現し得るのみならず、キナーゼが欠損あるいは低下
している場合にも薬効を発現することが期待される。し
かしながら、一般に上記のごときホスフェート類は、そ
の低い膜通過性のために、直接細胞内に導入することは
困難である。本発明者等は鋭意検討の結果、A Z T
5’−モノホスフェートのアルキルエステル誘導体が
、細胞感染のウイルスに対して、直接強い抗ウイルス作
用を示し得ることを知見し、その作用機序としてこれら
の誘導体が細胞内のAZT5’−ホスフェート濃度を効
果的に上昇させることができることによるものとの考察
を通して本発明に到達したものである。
に取り込まれ、キナーゼの作用により、5′一位リン酸
化物に変換されてDNAの合成、又、HIVのごときレ
トロウイルスにあっては逆転写酵素を阻害することが知
られている。従って、AZTの5′一位がリン酸化され
た3′−デオキシ−3′−アジドチミジン 5′−ホス
フェートを細胞内に導入すれば、AZTよりも高い活性
を発現し得るのみならず、キナーゼが欠損あるいは低下
している場合にも薬効を発現することが期待される。し
かしながら、一般に上記のごときホスフェート類は、そ
の低い膜通過性のために、直接細胞内に導入することは
困難である。本発明者等は鋭意検討の結果、A Z T
5’−モノホスフェートのアルキルエステル誘導体が
、細胞感染のウイルスに対して、直接強い抗ウイルス作
用を示し得ることを知見し、その作用機序としてこれら
の誘導体が細胞内のAZT5’−ホスフェート濃度を効
果的に上昇させることができることによるものとの考察
を通して本発明に到達したものである。
本発明により、エイズに対しより高い治療効果が得られ
ることはもとより、低毒性で活性が高いより優れた薬剤
の開発が待たれている他のウイルス性疾患、癌、真菌感
染症、細菌感染症、リケッチア感染症、マイコブラズマ
感染症、クラミジア感染症にも治療効果が期待できる。
ることはもとより、低毒性で活性が高いより優れた薬剤
の開発が待たれている他のウイルス性疾患、癌、真菌感
染症、細菌感染症、リケッチア感染症、マイコブラズマ
感染症、クラミジア感染症にも治療効果が期待できる。
すなわち、本発明は、下記式[工]、
O
で表わされる3′−アジドー3′−デオキシチミジン誘
導体及びその薬理学的に許容される塩ならびに、下記式
[II]、 で表わされる3′−アジドー3′−デオキシチミジンと
、官能基の保護基残基を有するか有しないリン酸モノエ
ステルを縮合させ、必要に応じて保護基残基を除去する
ことを特徴とする、前記式[工]で表わされる3′−ア
ジドー3′−デオキシチミジン誘導体、及びその薬理学
的に許容される塩の製造法である。
導体及びその薬理学的に許容される塩ならびに、下記式
[II]、 で表わされる3′−アジドー3′−デオキシチミジンと
、官能基の保護基残基を有するか有しないリン酸モノエ
ステルを縮合させ、必要に応じて保護基残基を除去する
ことを特徴とする、前記式[工]で表わされる3′−ア
ジドー3′−デオキシチミジン誘導体、及びその薬理学
的に許容される塩の製造法である。
一般式[I]において、Aは飽和または不飽和の2価の
脂肪族炭化水素基を表わす。炭化水素基は直鎖状のもの
であっても分校を有しているものであってもよい。不飽
和の炭化水素基とは、任意の位置に二重結合または三重
結合を1〜5個、特に好ましくは1〜3個有するものを
いう。
脂肪族炭化水素基を表わす。炭化水素基は直鎖状のもの
であっても分校を有しているものであってもよい。不飽
和の炭化水素基とは、任意の位置に二重結合または三重
結合を1〜5個、特に好ましくは1〜3個有するものを
いう。
?般式[I]において、Yが水素原子の場合nは1を表
わし、基Y−(A>。はH−Aと表わされるが、これは
炭素数がl〜30の飽和または不飽和の1価の脂肪族炭
化水素基を表わす。
わし、基Y−(A>。はH−Aと表わされるが、これは
炭素数がl〜30の飽和または不飽和の1価の脂肪族炭
化水素基を表わす。
かかる飽和の脂肪族炭化水素基の例としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロビル基、ブチル基、ベンチル
基(C5)、ヘキシル基(C6)、ヘプチル基<C7)
、オクチル基(Cs),ノニル基(C9)、デシル基(
Cto)、ウンデシル基(Ct■〉、ドデシル基〈C1
2〉、トリデシル(Cxi)、テトラデシル基(C14
),ペンタデシル基(C15)、ヘキサデシル基(C1
6)、ヘブタデシル基(C17)、オクタデシル基(C
ts),ノナデシル基(C19)、エイコシル基(C2
。〉、ヘンエイコシル基(C21>,ドコシル基(C2
■〉、トリコシル基(C23)、テトラコシル基(C2
4)、ペンタコシル基(C25)、ヘキサコシル基(C
26)、ヘブタコシル基(C27) 、オクタコシル基
(C28) 、ノナコシル基(C29) 、}リアコン
チル基(C30)、イソプロビル基、イソブチル基、s
ee−ブチル基、tert−ブチル基、イソベンチ,レ
基、2−ウンデシル基、2−メチル−2−ウンデシル基
、3−ドデシル基、2−テトラデシル基、2−メチル−
2−テトラデシル基、4−メチルー2−テトラデシル基
、2−ペンタデシル基、2−メチル−2−ペンタデシル
基、2−メチル−3−ヘキサデシル基、2−ヘブタデシ
ル基、2−メチル−2−ヘプタデシル基、2−ノナデシ
ル基、2一メチル−2一ノナデシル基、3−エチル−3
一エイコシル基、2−ヘンエイコシル基、2−メチル−
2−ヘンエイコシル基、2−トリコシル基、2−メチル
−2−トリコシル基、4.6−ジメチル−2−トリコシ
ル基等を挙げることができるがこれに限定されるもので
はない。
メチル基、エチル基、プロビル基、ブチル基、ベンチル
基(C5)、ヘキシル基(C6)、ヘプチル基<C7)
、オクチル基(Cs),ノニル基(C9)、デシル基(
Cto)、ウンデシル基(Ct■〉、ドデシル基〈C1
2〉、トリデシル(Cxi)、テトラデシル基(C14
),ペンタデシル基(C15)、ヘキサデシル基(C1
6)、ヘブタデシル基(C17)、オクタデシル基(C
ts),ノナデシル基(C19)、エイコシル基(C2
。〉、ヘンエイコシル基(C21>,ドコシル基(C2
■〉、トリコシル基(C23)、テトラコシル基(C2
4)、ペンタコシル基(C25)、ヘキサコシル基(C
26)、ヘブタコシル基(C27) 、オクタコシル基
(C28) 、ノナコシル基(C29) 、}リアコン
チル基(C30)、イソプロビル基、イソブチル基、s
ee−ブチル基、tert−ブチル基、イソベンチ,レ
基、2−ウンデシル基、2−メチル−2−ウンデシル基
、3−ドデシル基、2−テトラデシル基、2−メチル−
2−テトラデシル基、4−メチルー2−テトラデシル基
、2−ペンタデシル基、2−メチル−2−ペンタデシル
基、2−メチル−3−ヘキサデシル基、2−ヘブタデシ
ル基、2−メチル−2−ヘプタデシル基、2−ノナデシ
ル基、2一メチル−2一ノナデシル基、3−エチル−3
一エイコシル基、2−ヘンエイコシル基、2−メチル−
2−ヘンエイコシル基、2−トリコシル基、2−メチル
−2−トリコシル基、4.6−ジメチル−2−トリコシ
ル基等を挙げることができるがこれに限定されるもので
はない。
不飽和の脂肪族炭化水素基の例としては、例えば、アリ
ル基、3−ブテニル基、インブテニル基、2−へキセニ
ル基、3−へキセニル基、4−オクテニル基、2−オク
テニル基、3−ノネニル基、2−デセニル基、2−ドデ
セニル基、2−トリデセニル基、4−テトラデセニル基
、4−ペンタデセニル基、2−へキサデセニル基、9−
へキサデセニル基、9−ブタデセニル基、シスー6−オ
クタデセニル基、シスー9−オクタデセニル基、トラン
ス−11−オクタデセニル基、2−エイコセニル基、2
−トリアコンテニル基、ゲラニル基、2.5−デカジエ
ニル基、2, 5. 8−テトラデ力トリエニル基、リ
ノリル基、リノレニル基、アラキドニル基、エイコサベ
ンタエニル基、プロビニル基、3−ブチニル基、3−ベ
ンチニル基、4−オクチニル基、2−デシニル基、3−
テトラデシニル基、3,5−テトラデ力ジイニル基、3
−オクタデシニル基、4−エイコシニル基、エイコサペ
ンタイニル基、テトラデ力−3−エンー6−イニル基、
オクタデ力−3−エンー6−イニル基が挙げられる。
ル基、3−ブテニル基、インブテニル基、2−へキセニ
ル基、3−へキセニル基、4−オクテニル基、2−オク
テニル基、3−ノネニル基、2−デセニル基、2−ドデ
セニル基、2−トリデセニル基、4−テトラデセニル基
、4−ペンタデセニル基、2−へキサデセニル基、9−
へキサデセニル基、9−ブタデセニル基、シスー6−オ
クタデセニル基、シスー9−オクタデセニル基、トラン
ス−11−オクタデセニル基、2−エイコセニル基、2
−トリアコンテニル基、ゲラニル基、2.5−デカジエ
ニル基、2, 5. 8−テトラデ力トリエニル基、リ
ノリル基、リノレニル基、アラキドニル基、エイコサベ
ンタエニル基、プロビニル基、3−ブチニル基、3−ベ
ンチニル基、4−オクチニル基、2−デシニル基、3−
テトラデシニル基、3,5−テトラデ力ジイニル基、3
−オクタデシニル基、4−エイコシニル基、エイコサペ
ンタイニル基、テトラデ力−3−エンー6−イニル基、
オクタデ力−3−エンー6−イニル基が挙げられる。
これらの中で特に好ましいのは、炭素数が1〜24の飽
和または不飽和の脂肪族炭化水素基である。
和または不飽和の脂肪族炭化水素基である。
一般式[I]のYがアルコキシ基の場合、かかるアルコ
キシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブ
ロボキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシル
オキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシ
ルオキシ基、イソブロポキシ基、イソブトキシ基、イン
アミルオキシ基、4−エチルへキシルオキシ基、3−プ
ロビルへプチルオキシ基、アリルオキシ基、2−ブテニ
ルオキシ基、インベンテニルオキシ基、プロパギルオキ
シ基、3−オクチニルオキシ基等のアルコキシ基が例示
される。
キシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブ
ロボキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシル
オキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシ
ルオキシ基、イソブロポキシ基、イソブトキシ基、イン
アミルオキシ基、4−エチルへキシルオキシ基、3−プ
ロビルへプチルオキシ基、アリルオキシ基、2−ブテニ
ルオキシ基、インベンテニルオキシ基、プロパギルオキ
シ基、3−オクチニルオキシ基等のアルコキシ基が例示
される。
一般式[I]においてYがアシル基の場合、かかるアシ
ル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロ
バノイル基、ブタノイル基、インブタノイル基、ペンタ
ノイル基、ビバロイル基、ヘキサノイル基、オクタノイ
ル基、6−メチルヘプタノイル基、デカノイル基、テト
ラデカノイル基、オクタデカノイル基、アクリロイル基
、2一ブテノイル基、4−ヘキセノイル基、5−デシノ
イル基等のアシル基が例示される。
ル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロ
バノイル基、ブタノイル基、インブタノイル基、ペンタ
ノイル基、ビバロイル基、ヘキサノイル基、オクタノイ
ル基、6−メチルヘプタノイル基、デカノイル基、テト
ラデカノイル基、オクタデカノイル基、アクリロイル基
、2一ブテノイル基、4−ヘキセノイル基、5−デシノ
イル基等のアシル基が例示される。
一般式[I]において、Yがアシロキシ基の場合、かか
るアシロキシ基としては、例えば、ホルミルオキシ基、
アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ブタノイルオキ
シ基、イソブタ7ノイルオキシ基、ペンタノイルオキシ
基、ビバロイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ヘプ
タノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ノナノイル
オキシ基、デカノイルオキシ基、アクリロイルオキシ基
、2ーブテノイルオキシ基、4−ヘキセノイルオキシ基
、5−デシノイルオキシ基等のアシルオキシ基が例示さ
れる。
るアシロキシ基としては、例えば、ホルミルオキシ基、
アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ブタノイルオキ
シ基、イソブタ7ノイルオキシ基、ペンタノイルオキシ
基、ビバロイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ヘプ
タノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ノナノイル
オキシ基、デカノイルオキシ基、アクリロイルオキシ基
、2ーブテノイルオキシ基、4−ヘキセノイルオキシ基
、5−デシノイルオキシ基等のアシルオキシ基が例示さ
れる。
一般式[I]においてYが、アルコキシ力ルボニル基の
場合、かかるアルコキシ力ルボニル基としては、例えば
、メトキシカルボニル基、エトキシ力ルボニル基、プロ
ビルオキシカルボニル基、ブトキシ力ルボニル基、ベン
チルオキシ力ルボニル基、イソプロボキシカルボニル基
、4−エチルへキシルオキシ力ルボニル基、アリルオキ
シ力ルボニル基、2−ブテニルオキシ力ルボニル基、プ
ロパギルオキシ力ルボニル基等のアルコキシ力ルボニル
基が例示される。
場合、かかるアルコキシ力ルボニル基としては、例えば
、メトキシカルボニル基、エトキシ力ルボニル基、プロ
ビルオキシカルボニル基、ブトキシ力ルボニル基、ベン
チルオキシ力ルボニル基、イソプロボキシカルボニル基
、4−エチルへキシルオキシ力ルボニル基、アリルオキ
シ力ルボニル基、2−ブテニルオキシ力ルボニル基、プ
ロパギルオキシ力ルボニル基等のアルコキシ力ルボニル
基が例示される。
一般式[I]において、Yがモノ置換アミン基の場合、
かかるモノ置換アミノ基としては、例えば、メチルアミ
ノ基、エチルアミノ基、プロビルアミノ基、プチルアミ
ノ基、ベンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチル
アミノ基、イソブチルアミノ基、イソアミルアミノ基、
4−エチルへキシルアミノ基、3−プロビルへプチルア
ミノ基、アリルアミノ基、2−ブテニルアミノ基、イソ
ベ?テニルアミノ基、プロパギルアミノ基、3−オクチ
ルアミノ基、アニリノ基等のモノ置換アミノ基が例示さ
れる。
かかるモノ置換アミノ基としては、例えば、メチルアミ
ノ基、エチルアミノ基、プロビルアミノ基、プチルアミ
ノ基、ベンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチル
アミノ基、イソブチルアミノ基、イソアミルアミノ基、
4−エチルへキシルアミノ基、3−プロビルへプチルア
ミノ基、アリルアミノ基、2−ブテニルアミノ基、イソ
ベ?テニルアミノ基、プロパギルアミノ基、3−オクチ
ルアミノ基、アニリノ基等のモノ置換アミノ基が例示さ
れる。
一般式[工]において、Yがジ置換アミノ基の場合、か
かるジ置換アミノ基としては、例えば、ジブロビルアミ
ノ基、ジイソブロピルアミノ基、ピロリジノ基、ビベリ
ジノ基、モルホリノ基等のジ置換アミノ基が例示される
。
かるジ置換アミノ基としては、例えば、ジブロビルアミ
ノ基、ジイソブロピルアミノ基、ピロリジノ基、ビベリ
ジノ基、モルホリノ基等のジ置換アミノ基が例示される
。
一般式[I]において、Yがトリ置換アンモニウム基の
場合、かかるトリアルキルアンモニウム基としては、例
えば、トリメチルアンモニオ基、トリエチルアンモニオ
基、エチルジメチルアンモニオ基、N−メチルピペリジ
ニウム基などが挙げられる。
場合、かかるトリアルキルアンモニウム基としては、例
えば、トリメチルアンモニオ基、トリエチルアンモニオ
基、エチルジメチルアンモニオ基、N−メチルピペリジ
ニウム基などが挙げられる。
一般式[工]において、Yがアリール基の場合は、かか
るアリール基として、例えば、フェニル基、ナフチル基
、アントリル基、フェナンチリル基等が挙げられる。
るアリール基として、例えば、フェニル基、ナフチル基
、アントリル基、フェナンチリル基等が挙げられる。
一般式[I]において、Yが置換アリール基の場合、か
かる置換アリール基は、例えば、上述のアリール基上に
1乃至数個の置換基が導入されたものである。置換基と
しては、例えば、ハロゲン原子、゜炭素数l〜20の直
鎖状または分枝を有する飽和または不飽和の脂肪族炭化
水素基、炭素数1〜20の直鎖状または分枝を有するア
シル基および不飽和アシル基、炭素数1〜10の直鎖状
または分枝を有するアルキルオキシ基および不飽和アル
キルオキシ基、炭素数1〜10の直鎖状または分校を有
するアシルオキシ基および不飽和アシルオキシ基等が挙
げられる。更に具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素等のハロゲン原子;メチル基、エチル基、プロビル基
、イソプロビル基、ブチル基、t−ブチル基、ベンチル
基、3−メチルブチル基、ヘキシル基、2−ヘキシル基
、ヘブチル基、3−へブチル基、オクチル基、ノニル基
、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、オクタデシ
ル基、8−エチルデシル基、3−プチルーテトラデシル
基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、3−ブテニル
基、イソペンテニル基、3−へキセニル基、4−デセニ
ル基、6−テトラデセニル基、3−メチル−4−オクテ
ニル基、7−エチル−5一メチル−3−デセニル基、2
.4−へキサジエニル基、エチニル基、プロパギル基、
3−ブチニル基、2−ペンチニル基、6−オクチニル基
、5−デシニル基、3,5−デカジイニル基等の不飽和
脂肪族炭化水素基;ホルミル”基、アセチル基、プロパ
ノイル基、ブタノイル基、イソブタノイル基、ペンタノ
イル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル
基、6−メチルヘプタノイル基、デカノイノレ基、テト
ラデカノイlレ基、オクタデカノイル基、アクリロイル
基、2−ブテノイル基、4一ヘキセノイル基、5−デシ
ノイル基等のアシル基;メトキシ基、エトキシ基、プロ
ピルオキシ基、ブトキシ基、ベンチルオキシ基、ヘキシ
ルオキシ基、ヘブチルオキシ基、オクチルオキシ基、デ
シルオキシ基、イソプロポキシ基、インブトキシ基、イ
ソアミルオキシ基、4−エチルへキシルオキシ基、3−
プロビルへプチルオキシ基、アリルオキシ基、2−ブテ
ニルオキシ基、イソベンテニルオキシ基、プロパギルオ
キシ基、3−オクチニルオキシ基等のアルコキシ基;ホ
ルミルオキシ基、アセトキシ基、プロバノイルオキシ基
、ブタノイルオキシ基、イソブタノイルオキシ基、ペン
タノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ヘキサノイル
オキシ基、ヘブタノイルオキシ基、オクタノイルオキシ
基、ノナノイルオキシ基、デカノイルオキシ基、アクリ
ロイルオキシ基、2−ブテノイルオキシ基、4−ヘキセ
ノイルオキシ基、5−デシノイルオキシ基等のアシルオ
キシ基が例示される。
かる置換アリール基は、例えば、上述のアリール基上に
1乃至数個の置換基が導入されたものである。置換基と
しては、例えば、ハロゲン原子、゜炭素数l〜20の直
鎖状または分枝を有する飽和または不飽和の脂肪族炭化
水素基、炭素数1〜20の直鎖状または分枝を有するア
シル基および不飽和アシル基、炭素数1〜10の直鎖状
または分枝を有するアルキルオキシ基および不飽和アル
キルオキシ基、炭素数1〜10の直鎖状または分校を有
するアシルオキシ基および不飽和アシルオキシ基等が挙
げられる。更に具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素等のハロゲン原子;メチル基、エチル基、プロビル基
、イソプロビル基、ブチル基、t−ブチル基、ベンチル
基、3−メチルブチル基、ヘキシル基、2−ヘキシル基
、ヘブチル基、3−へブチル基、オクチル基、ノニル基
、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、オクタデシ
ル基、8−エチルデシル基、3−プチルーテトラデシル
基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、3−ブテニル
基、イソペンテニル基、3−へキセニル基、4−デセニ
ル基、6−テトラデセニル基、3−メチル−4−オクテ
ニル基、7−エチル−5一メチル−3−デセニル基、2
.4−へキサジエニル基、エチニル基、プロパギル基、
3−ブチニル基、2−ペンチニル基、6−オクチニル基
、5−デシニル基、3,5−デカジイニル基等の不飽和
脂肪族炭化水素基;ホルミル”基、アセチル基、プロパ
ノイル基、ブタノイル基、イソブタノイル基、ペンタノ
イル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル
基、6−メチルヘプタノイル基、デカノイノレ基、テト
ラデカノイlレ基、オクタデカノイル基、アクリロイル
基、2−ブテノイル基、4一ヘキセノイル基、5−デシ
ノイル基等のアシル基;メトキシ基、エトキシ基、プロ
ピルオキシ基、ブトキシ基、ベンチルオキシ基、ヘキシ
ルオキシ基、ヘブチルオキシ基、オクチルオキシ基、デ
シルオキシ基、イソプロポキシ基、インブトキシ基、イ
ソアミルオキシ基、4−エチルへキシルオキシ基、3−
プロビルへプチルオキシ基、アリルオキシ基、2−ブテ
ニルオキシ基、イソベンテニルオキシ基、プロパギルオ
キシ基、3−オクチニルオキシ基等のアルコキシ基;ホ
ルミルオキシ基、アセトキシ基、プロバノイルオキシ基
、ブタノイルオキシ基、イソブタノイルオキシ基、ペン
タノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ヘキサノイル
オキシ基、ヘブタノイルオキシ基、オクタノイルオキシ
基、ノナノイルオキシ基、デカノイルオキシ基、アクリ
ロイルオキシ基、2−ブテノイルオキシ基、4−ヘキセ
ノイルオキシ基、5−デシノイルオキシ基等のアシルオ
キシ基が例示される。
置換基として特に好ましいのは、ハロゲン原子、炭素数
1〜8個のアルキル基または炭素数1〜8個のアシル基
である。
1〜8個のアルキル基または炭素数1〜8個のアシル基
である。
一般式[I]のYがアリール基または置換アリール基の
場合には、nが1でAは炭素数3〜8個の飽和または不
飽和の脂肪族炭化水素基であるか、あるいはnが0、す
なわちアリール基または置換アリール基が直接酸素原子
に結合しているものが特に好ましい。
場合には、nが1でAは炭素数3〜8個の飽和または不
飽和の脂肪族炭化水素基であるか、あるいはnが0、す
なわちアリール基または置換アリール基が直接酸素原子
に結合しているものが特に好ましい。
一般式[I]で表わされる本発明の3′−アジドー3′
−デオキシチミジン誘導体は、例えば下記式[II]、 O で表わされる3′−アジドー3′−デオキシチミジンと
、下記式[11I]、 O n Y−(A) ユー0−P−OH 富 OH ・・・[II] で表わされるリン酸モノエステルを、縮合剤の存在下反
応せしめることによって製造される。Yが、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、アミノ基またはモノアルキルアミノ
基である場合は、それらの官能基を保護した下記式[r
V] O 11 Y’ −A−0−P−OH ・・・[IV]
1 0H で表わされるリン酸モノエステルを、前記式[II]で
表わされる3′−アジドー3′−デオキシチミシンと縮
合剤の存在下反応せしめ、適当な方法によって保護基を
除去することによっても一般式[I]で表わされる3′
−アジドー3′−デオキシチミジン誘導体を製造するこ
とができる。
−デオキシチミジン誘導体は、例えば下記式[II]、 O で表わされる3′−アジドー3′−デオキシチミジンと
、下記式[11I]、 O n Y−(A) ユー0−P−OH 富 OH ・・・[II] で表わされるリン酸モノエステルを、縮合剤の存在下反
応せしめることによって製造される。Yが、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、アミノ基またはモノアルキルアミノ
基である場合は、それらの官能基を保護した下記式[r
V] O 11 Y’ −A−0−P−OH ・・・[IV]
1 0H で表わされるリン酸モノエステルを、前記式[II]で
表わされる3′−アジドー3′−デオキシチミシンと縮
合剤の存在下反応せしめ、適当な方法によって保護基を
除去することによっても一般式[I]で表わされる3′
−アジドー3′−デオキシチミジン誘導体を製造するこ
とができる。
前記式[IV]のY′におけるヒドロキシ基の保護基と
しては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロパノイ
ル基、ブタノイル基、イソブタノイル基、ベンゾイル基
、トルオイル基、p−クロロベンゾイル基等のアシル基
;1−エトキシエチル基等の置換エチル基;トリメチル
シリル基、ジメチルーt−プチルシリル基、t−プチル
ジフェニルシリル基等のシリル基;テトラヒドロピラニ
ル基、テトラヒドロフリル基等が挙げられる。
しては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロパノイ
ル基、ブタノイル基、イソブタノイル基、ベンゾイル基
、トルオイル基、p−クロロベンゾイル基等のアシル基
;1−エトキシエチル基等の置換エチル基;トリメチル
シリル基、ジメチルーt−プチルシリル基、t−プチル
ジフェニルシリル基等のシリル基;テトラヒドロピラニ
ル基、テトラヒドロフリル基等が挙げられる。
これらの保護基は、それぞれ、例えば、対応するカルボ
ン酸クロリド、酸無水物などカルボン酸活性化誘導体、
エトキシエチレン酸触媒、シリルハロゲン化物、ジヒド
ロビランと酸触媒、ジヒド口フランと酸触媒を用いて導
入することができる。
ン酸クロリド、酸無水物などカルボン酸活性化誘導体、
エトキシエチレン酸触媒、シリルハロゲン化物、ジヒド
ロビランと酸触媒、ジヒド口フランと酸触媒を用いて導
入することができる。
反応後の保護基の除去は、例えば、アシル基は塩基性条
件下で1−エトキシエチル基は5%酢酸によって、シリ
ル基は、n−テトラブチルアンモニウムフロライド(n
−B114 NF) /テトラヒドロフランによって、
テトラヒドロビラニル基およびテトラヒドロフリル基は
酸性条件下で容易に行うことができる。
件下で1−エトキシエチル基は5%酢酸によって、シリ
ル基は、n−テトラブチルアンモニウムフロライド(n
−B114 NF) /テトラヒドロフランによって、
テトラヒドロビラニル基およびテトラヒドロフリル基は
酸性条件下で容易に行うことができる。
前記式[111]のY′におけるカルボキシ基の保護基
としては、例えば、メチル基、フェナシル基、エチル基
、2,2.2−}リクロ口エチル基、フェニル基、ベン
ジル基等が挙げられる。
としては、例えば、メチル基、フェナシル基、エチル基
、2,2.2−}リクロ口エチル基、フェニル基、ベン
ジル基等が挙げられる。
これらの保護基は、例えば、フェナシル基の場合はフェ
ナニルプロミドを用いて、その他の場合は対応するアル
コール類と酸触媒存在下脱水縮合するか1,3−ジシク
ロへキシル力ルポジイミド(DCC> 、1.3−ジイ
ソプロビル力ルポジイミド等の縮合剤を用いて縮合せし
めて容易に導入できる。反応後の保護基の除去は、例え
ば、塩基性条件下、すなわち、メタノールーアンモニア
、炭酸カリウム/メタノールー水、トリエチルアミン/
メタノールー水等を作用させることによって容易に行う
ことができる。
ナニルプロミドを用いて、その他の場合は対応するアル
コール類と酸触媒存在下脱水縮合するか1,3−ジシク
ロへキシル力ルポジイミド(DCC> 、1.3−ジイ
ソプロビル力ルポジイミド等の縮合剤を用いて縮合せし
めて容易に導入できる。反応後の保護基の除去は、例え
ば、塩基性条件下、すなわち、メタノールーアンモニア
、炭酸カリウム/メタノールー水、トリエチルアミン/
メタノールー水等を作用させることによって容易に行う
ことができる。
前記式[IV]のY″におけるアミノ基、モノアルキル
アミノ基の保護基としては、例えば、ペンジlレオキシ
力lレボニル基、p−ニトロベンジノレオキシ力ルボニ
ル基、p−メトキシベンジルオキシ力ルボニル基、t−
ブトキシ力ルボニル基、トリフェニルメチル基〈トリチ
ル基〉、ホルミル基、トリフルオロアセチル基等が挙げ
られる。これらの保護基は、それぞれ、例えば、ペンジ
ルオキシ力ルポニルクロリド類、t−ブトキシ力ルポニ
ルアジド、トリフェニルメチルクロリド(トリチルクロ
リド)、ギ酸/無水酢酸混合物、無水トリフルオロ酢酸
を用いて導入することができる。反応後の保護基の除去
は、トリフルオロアセチル基は塩基を用いて、他の保護
基は酸を用いて行うことができる。
アミノ基の保護基としては、例えば、ペンジlレオキシ
力lレボニル基、p−ニトロベンジノレオキシ力ルボニ
ル基、p−メトキシベンジルオキシ力ルボニル基、t−
ブトキシ力ルボニル基、トリフェニルメチル基〈トリチ
ル基〉、ホルミル基、トリフルオロアセチル基等が挙げ
られる。これらの保護基は、それぞれ、例えば、ペンジ
ルオキシ力ルポニルクロリド類、t−ブトキシ力ルポニ
ルアジド、トリフェニルメチルクロリド(トリチルクロ
リド)、ギ酸/無水酢酸混合物、無水トリフルオロ酢酸
を用いて導入することができる。反応後の保護基の除去
は、トリフルオロアセチル基は塩基を用いて、他の保護
基は酸を用いて行うことができる。
本発明において用いられる式[II]で表わされる3′
−アジドー3′−デオキシチミジンは、いかなる方法で
製造してもかまわないが、例えば、G. W.Flee
tらによって報告されている、キシロースを原料とする
方法(テトラヘドロン レターズ、Tetrahedr
on Lett., 28. 3615 (1987)
参照〉、R.P. Gliuklらによって報告されて
いる、チミジンを原料とする方法(ジャーナル オブ
オーガニック ケミストリー、J. Org. Che
w., 38. 4299(1973+参照)を用いて
製造することができる。
−アジドー3′−デオキシチミジンは、いかなる方法で
製造してもかまわないが、例えば、G. W.Flee
tらによって報告されている、キシロースを原料とする
方法(テトラヘドロン レターズ、Tetrahedr
on Lett., 28. 3615 (1987)
参照〉、R.P. Gliuklらによって報告されて
いる、チミジンを原料とする方法(ジャーナル オブ
オーガニック ケミストリー、J. Org. Che
w., 38. 4299(1973+参照)を用いて
製造することができる。
また、本発明において用いられる前記式[1[[]およ
び[rV]で表わされるリン酸モノエステル類はいかな
る方法で製造してもがまわないが、例えば、C.B.
Reeseらによって報告されている過剰のオキシ塩化
リンとアルコール類を縮合し、これを加水分・解する方
法(シンセシス、Synthesis, 704(19
74>参照) 、Y. Okamotoらによって報告
されている五酸化リン、ヘキサメチルジシロキサンおよ
びアルコール類を反応させた後、加水分解による方法(
ブレタン オブ ケミカル ソサエティーオブ ジャパ
ン、Bull. Chem. Soc. Jpn.,
58.3393 (1985)参照〉等によって製造す
ることができる。
び[rV]で表わされるリン酸モノエステル類はいかな
る方法で製造してもがまわないが、例えば、C.B.
Reeseらによって報告されている過剰のオキシ塩化
リンとアルコール類を縮合し、これを加水分・解する方
法(シンセシス、Synthesis, 704(19
74>参照) 、Y. Okamotoらによって報告
されている五酸化リン、ヘキサメチルジシロキサンおよ
びアルコール類を反応させた後、加水分解による方法(
ブレタン オブ ケミカル ソサエティーオブ ジャパ
ン、Bull. Chem. Soc. Jpn.,
58.3393 (1985)参照〉等によって製造す
ることができる。
前記式[I[]の化合物と前記式[I[[]および[I
V]の化合物との縮合反応は、有機溶媒中で縮合剤を用
いて行われる。縮合剤としては、1,3一ジシクロへキ
シル力ルポジイミド,l,3−ジイソプロビル力ルポジ
イミド等のカルボジイミド類;2.4.6−}リイソプ
ロビルベンゼンスルホニルクロリド,ベンゼンスルホニ
ルクロリド,P一トルエンスルホニルクロリド. 2.
4.6 −トリメチルベンゼンスルホニルクロリド,8
−キノリンスルホニルクロリド等のアリールスルホニル
クロリド類;2,4.6−}リメチルベンゼンスルホニ
ルイミダゾリド, 2,4.6 −}リイソプ口ピルベ
ンゼンスルホニルイミダゾリド. 2,4.6 −}リ
メチルベンゼンスルホニルトリアゾリド,2,4.6−
トリイソプロビルベンゼンスルホニルトリアゾリド,
2,4.6 −トリメチルベンゼンスルホニル−3−ニ
トロトリアゾリド,2,4.6−トリイソプロビルベン
ゼンスルホニル−3−ニトロトリアゾリド等のアリール
スルホンアミド類が好ましく用いられる。反応溶媒は、
溶解力が充分でかつ反応の進行をさまたげない非プロト
ン性の有機溶媒が好ましい。最もよい結果を得るために
は、式[11[]または式[IV]で表わされる個々の
リン酸モノエステルの性質および用いられる縮合剤によ
って選定する必要があるが、一般的に好ましい溶媒とし
て、ピリジン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキ
サメチルホスホラストリアミド、酢酸エチル、テトラヒ
ド口フラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、クロロホ
ルム、塩化メチレン等を単独もしくは混合溶媒として用
いることができる。また、本綿合反応においては、縮合
補助剤として、例えば、トリエチルアミン、ビリジン、
γ−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、トリ
ブチルアミン等の有機塩基を用いる場合もある。
V]の化合物との縮合反応は、有機溶媒中で縮合剤を用
いて行われる。縮合剤としては、1,3一ジシクロへキ
シル力ルポジイミド,l,3−ジイソプロビル力ルポジ
イミド等のカルボジイミド類;2.4.6−}リイソプ
ロビルベンゼンスルホニルクロリド,ベンゼンスルホニ
ルクロリド,P一トルエンスルホニルクロリド. 2.
4.6 −トリメチルベンゼンスルホニルクロリド,8
−キノリンスルホニルクロリド等のアリールスルホニル
クロリド類;2,4.6−}リメチルベンゼンスルホニ
ルイミダゾリド, 2,4.6 −}リイソプ口ピルベ
ンゼンスルホニルイミダゾリド. 2,4.6 −}リ
メチルベンゼンスルホニルトリアゾリド,2,4.6−
トリイソプロビルベンゼンスルホニルトリアゾリド,
2,4.6 −トリメチルベンゼンスルホニル−3−ニ
トロトリアゾリド,2,4.6−トリイソプロビルベン
ゼンスルホニル−3−ニトロトリアゾリド等のアリール
スルホンアミド類が好ましく用いられる。反応溶媒は、
溶解力が充分でかつ反応の進行をさまたげない非プロト
ン性の有機溶媒が好ましい。最もよい結果を得るために
は、式[11[]または式[IV]で表わされる個々の
リン酸モノエステルの性質および用いられる縮合剤によ
って選定する必要があるが、一般的に好ましい溶媒とし
て、ピリジン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキ
サメチルホスホラストリアミド、酢酸エチル、テトラヒ
ド口フラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、クロロホ
ルム、塩化メチレン等を単独もしくは混合溶媒として用
いることができる。また、本綿合反応においては、縮合
補助剤として、例えば、トリエチルアミン、ビリジン、
γ−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、トリ
ブチルアミン等の有機塩基を用いる場合もある。
本綿合反応の反応時間は、個々のリン酸モノエステル、
縮合剤の種類、溶媒によっても異なるが、一般に1時間
〜4時間程度である。反応温度は一般に−30℃〜10
0℃で、中でもO℃〜室温で反応させ得る場合が多いが
、反応性が悪い場合には加熱してもよい。
縮合剤の種類、溶媒によっても異なるが、一般に1時間
〜4時間程度である。反応温度は一般に−30℃〜10
0℃で、中でもO℃〜室温で反応させ得る場合が多いが
、反応性が悪い場合には加熱してもよい。
前記式[IV]で表わされるリン酸モノエステルを反応
に用いた場合は縮合後、全中津の方法で脱保護を行う。
に用いた場合は縮合後、全中津の方法で脱保護を行う。
かかる操作の後に得られた3′−アジドー3′−デオキ
シチミジン誘導体は、抽出、シリカゲル力ラムクロマト
グラフィー、イオン交換力ラムクロマトグラフィー、高
速液体クロマトグラフィー(HPLC)、再結晶等の通
常の操作を適宜に選択応用し、組合せて施すことにより
単離することができる。
シチミジン誘導体は、抽出、シリカゲル力ラムクロマト
グラフィー、イオン交換力ラムクロマトグラフィー、高
速液体クロマトグラフィー(HPLC)、再結晶等の通
常の操作を適宜に選択応用し、組合せて施すことにより
単離することができる。
得られた3′−アジドー3′−デオキシチミジン誘導体
は、所望により公知の方法で、薬理学的に許容される塩
の形にされる。3′−アジドー3′−デオキシチミジン
誘導体の塩としては、例えば、アンモニア塩,モルホリ
ン塩,ビロリジン塩,ビペリジン塩,ビリジン塩,トリ
エチルアミン塩のようなアンモニウム塩;ナトリウム,
カリウム,リチウムのようなアルカリ金属塩;カルシウ
ム,マグネシウム,バリウムのようなアルカリ土類金属
塩;銅,亜鉛,銀,アルミニウムのような遷移金属塩を
挙げることができる。
は、所望により公知の方法で、薬理学的に許容される塩
の形にされる。3′−アジドー3′−デオキシチミジン
誘導体の塩としては、例えば、アンモニア塩,モルホリ
ン塩,ビロリジン塩,ビペリジン塩,ビリジン塩,トリ
エチルアミン塩のようなアンモニウム塩;ナトリウム,
カリウム,リチウムのようなアルカリ金属塩;カルシウ
ム,マグネシウム,バリウムのようなアルカリ土類金属
塩;銅,亜鉛,銀,アルミニウムのような遷移金属塩を
挙げることができる。
本発明の3′−アジドー3′−デオキシチミジン誘導体
およびその薬理学的に許容される塩は、文献未記載の新
規化合物であり、経口投与により強い抗ウイルス活性等
を示し、医薬として有用である。
およびその薬理学的に許容される塩は、文献未記載の新
規化合物であり、経口投与により強い抗ウイルス活性等
を示し、医薬として有用である。
以下、実施例により、本発明を詳述する。
実施例1
モノエチルホスフェート133. 6mg ( 1.
06mmolelと3′−アジドー3′−デオキシチ
ミシン270mg (1. 01mmole)を3ml
の無水ビリジンに溶かし、水冷攪拌下、p−}ルエンス
ルホニルクロリド404mg (2. 12mmole
)を加え、これを室温で一夜攪拌した。
06mmolelと3′−アジドー3′−デオキシチ
ミシン270mg (1. 01mmole)を3ml
の無水ビリジンに溶かし、水冷攪拌下、p−}ルエンス
ルホニルクロリド404mg (2. 12mmole
)を加え、これを室温で一夜攪拌した。
反応混合液に氷水を加えた後、ピリジンを減圧留去した
。
。
一方、陰イオン交換樹脂アンバーリストA−21〈ギ酸
型、160ml)のカラム内をメタノール置換した後、
上記反応混合物のメタノール溶液を流し、さらにメタノ
ールを流し、中性物質を溶出した。
型、160ml)のカラム内をメタノール置換した後、
上記反応混合物のメタノール溶液を流し、さらにメタノ
ールを流し、中性物質を溶出した。
このカラムに5%トリフルオロ酢酸−メタノール溶液を
流し、目的物を溶出した。目的物を含む部分を、減圧濃
縮後、逆相の液体クロマトグラフィ−(ODS力ラム、
移動相、アセトニトリル−0.05Mトリエチルアンモ
ニウム アセテート バッファーの混合溶媒)で精製し
た後、DEAE−セルロースを用い脱塩した。3′−ア
ジドー3′−デオキシチミシン 5′一エチルホスフェ
ー} 280mg(収率74.6%〉を得た。
流し、目的物を溶出した。目的物を含む部分を、減圧濃
縮後、逆相の液体クロマトグラフィ−(ODS力ラム、
移動相、アセトニトリル−0.05Mトリエチルアンモ
ニウム アセテート バッファーの混合溶媒)で精製し
た後、DEAE−セルロースを用い脱塩した。3′−ア
ジドー3′−デオキシチミシン 5′一エチルホスフェ
ー} 280mg(収率74.6%〉を得た。
Uv;λfI1ax 267.8nm, εnaw =
7950NMR (δル8th); 1. 33 (td, J=7. 0. I. 5HZ
, 3H) ,1. 91 (d, J=2. OHZ
, 3H), 2. 42(t, J=6. 2HZ,
2}1),4.10(dt,J=7.2. 7.3}
fz,2H),3. 90−4. 50(m. 4H)
, 6. 22(t, J=6. 2HZ, IH),
7. 61 (d, J=1. 5HZ, IH) .
MS (FD);376 (M+H” )実施例2 (Y=H, A=iCH2e−to, n= 1 >実
施例1におけるモノエチルホスフェートの代りに、モノ
一〇一デシルホスフェートを用いて、実施例1と同様の
方法によって3′−アジドー3′一デオキシチミシン
5′一n−デシルホスフェートを得たく収率73%〉。
7950NMR (δル8th); 1. 33 (td, J=7. 0. I. 5HZ
, 3H) ,1. 91 (d, J=2. OHZ
, 3H), 2. 42(t, J=6. 2HZ,
2}1),4.10(dt,J=7.2. 7.3}
fz,2H),3. 90−4. 50(m. 4H)
, 6. 22(t, J=6. 2HZ, IH),
7. 61 (d, J=1. 5HZ, IH) .
MS (FD);376 (M+H” )実施例2 (Y=H, A=iCH2e−to, n= 1 >実
施例1におけるモノエチルホスフェートの代りに、モノ
一〇一デシルホスフェートを用いて、実施例1と同様の
方法によって3′−アジドー3′一デオキシチミシン
5′一n−デシルホスフェートを得たく収率73%〉。
UV;λmax (ε=7980)
NMR (δl苦gth) ,
0.88(m,3H). 1.27(5,14H),
1.67(m.2H),1.90(S,3H), 2.
43(t,J=6.0Hz,2H).4.03(m,2
}1), 4.28(m,3H). 5.80(brs
,IH),6.17(t,J=6.OHx,IH),
7.45(s.IH)−MS (FD);488 (
M+H” )実施例3 実施例1におけるモノエチルホスフェートの代りに、モ
ノーn−テトラデシルホスフェートを用いて、実施例1
と同様の方法によって3′−アジト一3′−デオキシチ
ミジン 5’−n−テトラデシルホスフェートを得たく
収率71%〉。
1.67(m.2H),1.90(S,3H), 2.
43(t,J=6.0Hz,2H).4.03(m,2
}1), 4.28(m,3H). 5.80(brs
,IH),6.17(t,J=6.OHx,IH),
7.45(s.IH)−MS (FD);488 (
M+H” )実施例3 実施例1におけるモノエチルホスフェートの代りに、モ
ノーn−テトラデシルホスフェートを用いて、実施例1
と同様の方法によって3′−アジト一3′−デオキシチ
ミジン 5’−n−テトラデシルホスフェートを得たく
収率71%〉。
U V ; A−.. 268. 0nm ( e;
= 7950 >NMR (δl肘h); 0.88(m,3}11, 1.26(s,22H),
1.65(m,2H).1.91(s,3H), 2
.44(m,2H),4.12−4.37(m,6H)
, 6.17(t,J=6.OHx,2H),7. 5
0 (s, 1}1). MS (FD);544 (M+H+)実施例4 実施例1におけるモノエチルホスフェートの代りに、モ
ノーn一エイコシルホスフェートを用いて、実施例1と
同様の方法によって3′−アジドー3′−デオキシチミ
ジン 5′−n一エイコシルホスフェートを得たく収率
43%〉。
= 7950 >NMR (δl肘h); 0.88(m,3}11, 1.26(s,22H),
1.65(m,2H).1.91(s,3H), 2
.44(m,2H),4.12−4.37(m,6H)
, 6.17(t,J=6.OHx,2H),7. 5
0 (s, 1}1). MS (FD);544 (M+H+)実施例4 実施例1におけるモノエチルホスフェートの代りに、モ
ノーn一エイコシルホスフェートを用いて、実施例1と
同様の方法によって3′−アジドー3′−デオキシチミ
ジン 5′−n一エイコシルホスフェートを得たく収率
43%〉。
UV ; zmax 268nm ( e; =79
40)NMR (δ2苦h〉 ; 0.89(m,3H), f、26(brs,36H
), 1.52(m,2H),1. 89 (s,
IH) , 2、43 (m, 2H),4. 02
−4. 3Hm, 6H), 6. 17(brs,
J=5. 9HZ, IH),7. 52 (+,
IH), MS (FD);628 (M+H” )実施例5 実施例1におけるモノエチルホスフェートの代りに、モ
ノ−3−フェニルプロビルホスフエートを用いて、実施
例1と同様の方法によって3′−アジドー3′−デオキ
シチミジン 5’−(3−フエニルブロピル〉ホスフェ
ートを得た。(収率82.7%〉NMR (δ苫間.〉
; 1.87i,3tl), 2.06(dt,J=8.1
Hz,2H),2.38(m,2}!), 2.69(
t,J=8.1Hz,2H),4. 03 (t, J
=8. 1HZ, 2H) , 3. 90−4.
4 (m, 6Hl ,6.12(t,J=7.0Hz
), 7.20(s.5H),7.46(+1,IH
), 9.3<9,IH).MS (FD); 46
6 (M+H+)実施例6 単純ヘルベルウイルス(HSV)に対する抗ウイルス活
性 Vero細胞を、5%仔ウシ血清を加えたEagle’
sminimal essential mediu
mで培養し、単層になったところで培地を捨て、単純ヘ
ルペスウイルス1型(HSV−1’)KOS株または単
純ヘルペスウイルス2型(HSV−2)YS−4株希釈
液(200PFU/ 0. 025 ml )と被検薬
希釈液(2−゜希釈〉を添加し、37℃、5%C02条
件下で3日間培養した。
40)NMR (δ2苦h〉 ; 0.89(m,3H), f、26(brs,36H
), 1.52(m,2H),1. 89 (s,
IH) , 2、43 (m, 2H),4. 02
−4. 3Hm, 6H), 6. 17(brs,
J=5. 9HZ, IH),7. 52 (+,
IH), MS (FD);628 (M+H” )実施例5 実施例1におけるモノエチルホスフェートの代りに、モ
ノ−3−フェニルプロビルホスフエートを用いて、実施
例1と同様の方法によって3′−アジドー3′−デオキ
シチミジン 5’−(3−フエニルブロピル〉ホスフェ
ートを得た。(収率82.7%〉NMR (δ苫間.〉
; 1.87i,3tl), 2.06(dt,J=8.1
Hz,2H),2.38(m,2}!), 2.69(
t,J=8.1Hz,2H),4. 03 (t, J
=8. 1HZ, 2H) , 3. 90−4.
4 (m, 6Hl ,6.12(t,J=7.0Hz
), 7.20(s.5H),7.46(+1,IH
), 9.3<9,IH).MS (FD); 46
6 (M+H+)実施例6 単純ヘルベルウイルス(HSV)に対する抗ウイルス活
性 Vero細胞を、5%仔ウシ血清を加えたEagle’
sminimal essential mediu
mで培養し、単層になったところで培地を捨て、単純ヘ
ルペスウイルス1型(HSV−1’)KOS株または単
純ヘルペスウイルス2型(HSV−2)YS−4株希釈
液(200PFU/ 0. 025 ml )と被検薬
希釈液(2−゜希釈〉を添加し、37℃、5%C02条
件下で3日間培養した。
10%ホルマリンリン酸[[r化食塩水(PBS)で固
定後0.3%クリスタルバイオレットで染色し、ブラッ
ク数を測定し、ブラックを90%減少させる薬剤濃度を
求めた。
定後0.3%クリスタルバイオレットで染色し、ブラッ
ク数を測定し、ブラックを90%減少させる薬剤濃度を
求めた。
結果を第1表に示した。
第1表
検体2;3′−アジドー3′−デオキシチミジン5′−
n−デシルホスフェート 検体3;3′−アジドー3′−デオキシチミジン5’−
n−テトラデシルホスフェート 検体4;3′−アジドー3′−デオキシチミジン5′一
n一エイコシルホスフェート 実施例7 マイコプラズマに対する効果 PPLO寒天培地(Difco社)にウマ血清20%、
新鮮酵母エキス10%、酢酸タリウム0. 025%、
ぺ二シリンG1万Uを添加し5cmプラスチックシャー
レに5mlずつ分注し固めた。
n−デシルホスフェート 検体3;3′−アジドー3′−デオキシチミジン5’−
n−テトラデシルホスフェート 検体4;3′−アジドー3′−デオキシチミジン5′一
n一エイコシルホスフェート 実施例7 マイコプラズマに対する効果 PPLO寒天培地(Difco社)にウマ血清20%、
新鮮酵母エキス10%、酢酸タリウム0. 025%、
ぺ二シリンG1万Uを添加し5cmプラスチックシャー
レに5mlずつ分注し固めた。
ここにマイコブラズマ(M. argininil液を
0・5ml重層し、全面にマイコブラズマ液をぬった後
余分のマイコブラズマ液を吸引除去した。東洋枦紙No
. 2をライオン社製ONE HOLE PUNCHで
円形に切り、ここに被検薬5μlを吸収させ、この薬剤
吸着r紙を先のマイコプラズマ接種PPLO寒天培地に
のせ、BBL社ガスバックバウチに入れ、37℃21』
間培養後、枦紙のまわりにマイコプラズマコロニーが存
在するか否か顕微鏡下で判定した。
0・5ml重層し、全面にマイコブラズマ液をぬった後
余分のマイコブラズマ液を吸引除去した。東洋枦紙No
. 2をライオン社製ONE HOLE PUNCHで
円形に切り、ここに被検薬5μlを吸収させ、この薬剤
吸着r紙を先のマイコプラズマ接種PPLO寒天培地に
のせ、BBL社ガスバックバウチに入れ、37℃21』
間培養後、枦紙のまわりにマイコプラズマコロニーが存
在するか否か顕微鏡下で判定した。
被検薬は10°. 10−1. 10−2. 10−3
希釈の4 doseで行った。
希釈の4 doseで行った。
結果を第2表に示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記式[ I ]、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・[ I ] [式中、Aは炭素数1〜30の飽和または不飽和の2価
の脂肪族炭化水素基を表わす。Yは水素原子、アリール
基、置換アリール基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、カル
ボキシ基、アミノ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ
基またはトリ置換アンモニウム基を表わす、nは、Yが
アリール基または置換アリール基を表わす場合には、0
または1を表わし、nが0の場合には、Yは酸素原子に
直接結合している。nは、Yがアリール基及び置換アリ
ール基以外の基を表わす場合には、1を表わす。] で表わされる3′−アジド−3′−デオキシチミジン誘
導体及びその薬理学的に許容される塩。 2、前記式[ I ]中、Yが水素原子、フェニル基、ま
たは置換フェニル基である、請求項1記載の3′−アジ
ド−3′−デオキシチミジン誘導体及びその薬理学的に
許容される塩。 3、前記式[ I ]中、Aが炭素数1〜30の2価の飽
和脂肪族炭化水素基であり、nが1である請求項1又は
2記載の3′−アジド−3′−デオキシチミジン誘導体
及びその薬理学的に許容される塩。 4、下記式[II]、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・[II] で表わされる3′−アジド−3′−デオキシチミジンと
、下記式[III]、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・[III] [式中、Y、A、nの定義は式[ I ]の場合と同じ。
] で表わされるリン酸モノエステルを、縮合剤の存在下反
応せしめることを特徴とする、前記式[ I ]で表わさ
れる3′−アジド−3′−デオキシチミジン誘導体及び
その薬理学的に許容される塩の製造法。 5、前記式[II]で表わされる3′−アジド−3′−デ
オキシチミジンと、下記式[IV]、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・[IV] 式中、Aは前記式[ I ]の定義と同じ。Y′は保護さ
れたヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基またはモノ
アルキルアミノ基を表わす。 で表わされるリン酸モノエステルを、縮合剤の存在下反
応せしめた後、脱保護を行うことを特徴とする下記式[
V]、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・[V] 式中、Aは前記式[ I ]の定義と同じ。Y′はヒドロ
キシ基、カルボキシ基、アミノ基またはモノアルキルア
ミノ基を表わす。 で表わされる3′−アジド−3′−デオキシチミジン誘
導体及びその薬理学的に許容される塩の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24010889A JPH03106897A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 3’―アジド―3’―デオキシチミジン誘導体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24010889A JPH03106897A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 3’―アジド―3’―デオキシチミジン誘導体及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03106897A true JPH03106897A (ja) | 1991-05-07 |
Family
ID=17054610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24010889A Pending JPH03106897A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 3’―アジド―3’―デオキシチミジン誘導体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03106897A (ja) |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP24010889A patent/JPH03106897A/ja active Pending
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