JPH03109346A - シクロヘキサン―1,4―ジオンの製造方法 - Google Patents

シクロヘキサン―1,4―ジオンの製造方法

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JPH03109346A
JPH03109346A JP24869789A JP24869789A JPH03109346A JP H03109346 A JPH03109346 A JP H03109346A JP 24869789 A JP24869789 A JP 24869789A JP 24869789 A JP24869789 A JP 24869789A JP H03109346 A JPH03109346 A JP H03109346A
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hydroquinone
cyclohexane
dione
palladium
catalyst
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Terunori Fujita
照典 藤田
Kazunori Takahata
和紀 高畑
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Mitsui Chemicals Inc
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Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 皮粟上勿科■光互 本発明は、シクロヘキサン−1,4−ジオンの製造方法
に関する。
l米■及歪 シクロヘキサン−1,4−ジオンは、重合体や医薬品製
造の中間原料として重要である。
従来、このようなシクロヘキサン−1,4−ジオンの製
造方法としては、コハク酸ジエチルをアルドール縮合さ
せた後、加水分解して、2.5−ジオキシシクロヘキサ
ンジカルボン酸ジエチルエステルとし、これを熱分解脱
炭酸する方法が知られている(Org、 Syn、、 
45. 25 (1965) 、5ynthesis。
427  (1971))。
しかし、このような方法は、収率が低いうえに、原料で
あるコハク酸ジエチルに対して、当量以上の塩基を必要
とし、更に、中和工程を必要として、工程数が多いので
、特に、工業的な製造方法としては、実用的ではない。
B <”° しよ゛と るi 本発明は、従来のシクロヘキサン−1,4−ジオンの製
造における上記した問題を解決するためになされたもの
であって、入手容易なハイドロキノンを原料として用い
、これを還元して、直ちに高収率にてシクロヘキサン−
1,4−ジオンを得ることができる工業上、非常に有利
な方法を提供することを目的とする。
i を”′ るための1 本発明によるシクロヘキサン−1,4−ジオンの製造方
法は、炭化水素溶剤中、パラジウム又はニッケル触媒の
存在下に、ハイドロキノンを水素にて還元することを特
徴とする特 本発明においては、触媒として、パラジウム又はニッケ
ル触媒が用いられる。通常、これらは、シリカ、アルミ
ナ、活性炭、グラファイト、ケイソウ土、軽石、テトラ
シリシックマイカ、ヘクトライト、テニオライト、モン
モリロナイト等を担体とし、これに担持させて用いられ
る。このような担持触媒の具体例としては、例えば、パ
ラジウム/活性炭、パラジウム/シリカ、パラジウム/
アルミナ、パラジウム/テトラシリシックマイカ、ニッ
ケル/ケイソウ土、ニッケル/軽石等を挙げることがで
きる。
このような担持触媒において、パラジウム又はニッケル
の担体への担持量は、特に、限定されるものではないが
、通常、担体に対して、0.01〜20重量%の範囲で
あり、好ましくは、0.3〜10重量%の範囲である。
本発明においては、ラネーニッケルもまた、好ましく用
いられる。
用いる触媒量は、担持触媒の場合、通常、ハイドロキノ
ン100重量部に対して、0.01〜20重量部、好ま
しくは、0.5〜10重量部の範囲である。ラネーニッ
ケルの場合、還元ニッケル換算にて、ハイドロキノン1
00重量部に対して、0゜01〜20重量部、好ましく
は、0.5〜10重量部の範囲である。
本発明による方法において、ハイドロキノンの還元は、
上記触媒の存在下に、非極性の炭化水素溶剤中にて、水
素を用いて行なわれる。上記炭化水素溶剤としては、例
えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の
芳香族炭化水素、シクロヘキサン、シクロへブタン等の
脂環式炭化水素、又はこれらの混合溶剤が用いられる。
これら溶剤は、通常、溶剤1mlに対して、ハイドロキ
ノン量が0.05〜Ig、好ましくは、0.1〜0.5
gとなるように用いられる。
反応は、通常、常圧又は加圧水素雰囲気下で0〜200
°C1好ましくは、常温乃至180°C程度の温度で行
なわれる。
反応終了後、反応混合物から濾過等の適宜手段にて触媒
を分離した後、抽出、蒸留等の通常の手段によって、目
的物であるシクロヘキサン−1,4−ジオンを得ること
ができる。
光里勿苅果 以上のように、本発明の方法によれば、ハイドロキノン
を直接に還元して、高収率にシクロヘキサン−1,4−
ジオンを得ることができ、しかも、原料であるハイドロ
キノンは入手が容易である。
従って、本発明の方法によれば、工業原料として重要な
シクロヘキサン−1,4−ジオンを低廉に製造すること
ができ、工業上、非常に有利である。
裏施班 以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れら実施例により何ら限定されるものではない。
実施例1 反応容器中にてハイドロキノン4.0g、2%パラジウ
ム/活性炭0.1g及びメシチレン25m1からなる混
合物を加熱還流させつつ、この混合物に水素を50m1
/分の割合にて3時間吹き込んだ。
反応成績はハイドロキノン転化率52%、シクロヘキサ
ン−1,4−ジオン選択率91%であった。
実施例2 実施例1において、触媒として、2%パラジウム/活性
炭に代えて、3%パラジウム/シリカ0゜1gを用いた
以外は、実施例1と同様にして、反応を行なった。
反応成績はハイドロキノン転化率54%、シクロヘキサ
ン−1,4−ジオン選択率89%であった。
比較例1 実施例1において、溶媒として、メシチレンに代えて、
メタノール25m1を用いた以外は、実施例1と同様に
して、反応を行なった。
反応成績はハイドロキノン転化率59%、シクロヘキサ
ン−1,4−ジオン選択率38%であった。
また、シクロヘキサン−1,4−ジオンが更に還元され
た4−ヒドロキシシクロヘキサノン及び1.4−ジヒド
ロキシシクロヘキサンが併せて選択率58%にて生成し
ていることが認められた。
比較例2 実施例1において、触媒として、2%パラジウム/活性
炭に代えて、酸化白金0.05 gを用いた以外は、実
施例1と同様にして、反応を行なった。
反応成績はハイドロキノン転化率62%、シクロヘキサ
ン−14−ジオン選択率31%であった。
シクロヘキサン−1,4−ジオンが更に還元された4−
ヒドロキシシクロヘキサノン及び1.4−ジヒドロキシ
シクロヘキサンが併せて選択率62%にて生成している
ことが認められた。
比較例3 実施例1において、触媒として、2%パラジウム/活性
炭に代えて、2%イリジウム/シリカO0tgを用いた
以外は、実施例1と同様にして、反応を行なった。
反応成績はハイドロキノン転化率55%、シクロヘキサ
ン−1,4−ジオン選択率21%であった。
4−ヒドロキシシクロヘキサノン及び1.4−ジヒドロ
キシシクロヘキサンが併せて選択率74%にて生成して
いることが認められた。
実施例3 ハイドロキノン4.0g、ラネーニッケルW2を0.2
g及びシクロヘキサン25m1をオートクレーブに仕込
み、水素を10気圧導入した。この水素の導入後、50
°Cにて1時間撹拌して、ハイドロキノンを還元した。
反応成績はハイドロキノン転化率71%、シクロヘキサ
ン−1,4−ジオン選択率80%であった。
比較例4 実施例1において、反応基質として、ハイドロキノンに
代えて、レゾルシン4.0gを用いた以外は、実施例1
と同様にして、反応を行なった。
反応成績は、レゾルシン転化率21%、シクロヘキサン
−1,3−ジオン選択率26%であった。
ほかに、タール状物質の生成が認められた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)炭化水素溶剤中、パラジウム又はニッケル触媒の
    存在下に、ハイドロキノンを水素にて還元することを特
    徴とするシクロヘキサン−1,4−ジオンの製造方法。
JP1248697A 1989-09-25 1989-09-25 シクロヘキサン―1,4―ジオンの製造方法 Expired - Fee Related JP2739504B2 (ja)

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JPH03109346A true JPH03109346A (ja) 1991-05-09
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007157091A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Inx Japan Inc 試験接触部を保護するためのメモリカード

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JP2739504B2 (ja) 1998-04-15

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