JPH0311085B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0311085B2 JPH0311085B2 JP60175383A JP17538385A JPH0311085B2 JP H0311085 B2 JPH0311085 B2 JP H0311085B2 JP 60175383 A JP60175383 A JP 60175383A JP 17538385 A JP17538385 A JP 17538385A JP H0311085 B2 JPH0311085 B2 JP H0311085B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- reduction projection
- reticle
- center
- distortion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造プロセス中フオトレジスト
塗布後の目合せ露光工程における縮小投影型露光
方法に関するものである。
塗布後の目合せ露光工程における縮小投影型露光
方法に関するものである。
一般に縮小投影型露光装置（以下ステツパーと
いう）においては、半導体基板（以下、ウエハー
という）位置決めを露光軸以外で行い露光軸での
各シヨツトのアライメントをウエハーステージの
精度に依存して露光するオフ・アクシス（OFF
−AXIS）方式及び各シヨツト毎に露光軸でアラ
イメントを行い露光するオン・アクシス（ON−
AXIS）方式の２つに大別されるが、パターンの
微細化とともに後者のレンズを通してアライメン
トを実行するON−AXIS方式へと移行しつつあ
る。
いう）においては、半導体基板（以下、ウエハー
という）位置決めを露光軸以外で行い露光軸での
各シヨツトのアライメントをウエハーステージの
精度に依存して露光するオフ・アクシス（OFF
−AXIS）方式及び各シヨツト毎に露光軸でアラ
イメントを行い露光するオン・アクシス（ON−
AXIS）方式の２つに大別されるが、パターンの
微細化とともに後者のレンズを通してアライメン
トを実行するON−AXIS方式へと移行しつつあ
る。
従来ON−AXIS方式においては、レチクル上
のマークとウエハー上の合わせマークをレンズを
通して重ねる場合にレチクル中心から一定距離離
れた場所で目合せするのが普通である。
のマークとウエハー上の合わせマークをレンズを
通して重ねる場合にレチクル中心から一定距離離
れた場所で目合せするのが普通である。
これはレチクルパターン製作上及びステツパー
の原理上レチクル中心にはアライメントマークを
入れないことが多い為である。
の原理上レチクル中心にはアライメントマークを
入れないことが多い為である。
又一般に縮小投影レンズには特有の歪（デイス
トーシヨン）があり、レンズの中心から周辺に行
く程その影響は大きくなるとされている。さらに
デイストーシヨンは通常レンズ中心からの理想格
子点に対して全体が膨らんだり逆に縮んだりする
ことが多い。
トーシヨン）があり、レンズの中心から周辺に行
く程その影響は大きくなるとされている。さらに
デイストーシヨンは通常レンズ中心からの理想格
子点に対して全体が膨らんだり逆に縮んだりする
ことが多い。
レチクルの周辺部に入れたマークは当然縮小投
影レンズの周辺を通つてウエハー上へ投影される
から、レチクル中心から一定距離離れた場所でア
ライメントを実行した場合、露光されたパターン
のシヨツト中心は前記アライメントされた場所の
デイストーシヨン値分だけ前工程のシヨツト中心
からズレるという欠点を持つている。
影レンズの周辺を通つてウエハー上へ投影される
から、レチクル中心から一定距離離れた場所でア
ライメントを実行した場合、露光されたパターン
のシヨツト中心は前記アライメントされた場所の
デイストーシヨン値分だけ前工程のシヨツト中心
からズレるという欠点を持つている。
本発明は前記問題点を解消した露光方法を提供
するものである。
するものである。
本発明は予め測定した縮小投影レンズのデイス
トーシヨンを装置内部の記憶装置に記憶してお
き、アライメント箇所のデイストーシヨンによる
ズレ量を露光時にウエハーステージに対してフイ
ードバツクさせることにより、前工程のシヨツト
中心とレチクル中心とのズレを“０”にし前工程
パターンに対する本工程パターンのシヨツト内全
面におけるズレ量を最小限におさえることを特徴
とする縮小投影型露光方法である。
トーシヨンを装置内部の記憶装置に記憶してお
き、アライメント箇所のデイストーシヨンによる
ズレ量を露光時にウエハーステージに対してフイ
ードバツクさせることにより、前工程のシヨツト
中心とレチクル中心とのズレを“０”にし前工程
パターンに対する本工程パターンのシヨツト内全
面におけるズレ量を最小限におさえることを特徴
とする縮小投影型露光方法である。
以下、本発明の一実施例を図面によつて説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２
図は第１図のAA′断面図、第３図・第４図は第２
図の矢視BB′図、第５図は本発明の一実施例を示
すブロツク図である。
図は第１図のAA′断面図、第３図・第４図は第２
図の矢視BB′図、第５図は本発明の一実施例を示
すブロツク図である。
第１図、第２図において、レチクル中心（Ｏ
点）とウエハー上の前工程シヨツト中心（O′点）
との間でアライメントを実行したと仮定すると、
レチクル１上のＯ点像は縮小投影レンズ２を通し
てウエハーステージ５のウエハー３上に投影さ
れ、その露光軸４の最長線上であるO′点に結像
する。O′点は前工程のシヨツト中心（Ｐ点）と
一致している。ところがレチクル周辺のＤ点及び
Ｆ点はデイストーシヨンの影響により理論結像点
（D′及びF′）ではなく、Ｅ点及びＧ点に結像する。
点）とウエハー上の前工程シヨツト中心（O′点）
との間でアライメントを実行したと仮定すると、
レチクル１上のＯ点像は縮小投影レンズ２を通し
てウエハーステージ５のウエハー３上に投影さ
れ、その露光軸４の最長線上であるO′点に結像
する。O′点は前工程のシヨツト中心（Ｐ点）と
一致している。ところがレチクル周辺のＤ点及び
Ｆ点はデイストーシヨンの影響により理論結像点
（D′及びF′）ではなく、Ｅ点及びＧ点に結像する。
第３図がこの状態を示しており、図中前工程は
●―●で表され、デイストーシヨンがのつた本工
程は×…×で示される。
●―●で表され、デイストーシヨンがのつた本工
程は×…×で示される。
この時、′＝△X1、′＝△X2（△X1≧０、
△X2≧０）とすると、前工程に対するＥ点、Ｇ
点のズレは各々△X1、△X2ということになる。
△X2≧０）とすると、前工程に対するＥ点、Ｇ
点のズレは各々△X1、△X2ということになる。
但し、この場合のズレはシヨツト中心から均等
にバラまかれており、シヨツト全体からみると、
各点のズレは最小限に押えられている。
にバラまかれており、シヨツト全体からみると、
各点のズレは最小限に押えられている。
ところが通常のアライメントはレチクル１上の
Ｄ点とウエハー３上のＥ点でアライメントを実行
する為、露光軸４でみた場合にレチクル中心（Ｏ
点）のウエハー上投影点（O′点）と前工程のシ
ヨツト中心（Ｐ点）との間で△X1だけズレが生
じる（第４図）。
Ｄ点とウエハー３上のＥ点でアライメントを実行
する為、露光軸４でみた場合にレチクル中心（Ｏ
点）のウエハー上投影点（O′点）と前工程のシ
ヨツト中心（Ｐ点）との間で△X1だけズレが生
じる（第４図）。
第４図より明らかな様に′＝０、′＝△
X1、′＝△X1＋△X2となりパターンの微細化
を考慮すると特に′は無視できないレベルであ
る。
X1、′＝△X1＋△X2となりパターンの微細化
を考慮すると特に′は無視できないレベルであ
る。
そこで第５図に示した様に、装置内部の記憶装
置６に予め測定した各ポイントのデイストーシヨ
ン値（△X1、△X2…）を記憶しておく。
置６に予め測定した各ポイントのデイストーシヨ
ン値（△X1、△X2…）を記憶しておく。
第４図の如くアライメントされた後、露光直前
に内部記憶装置６に記憶されているD′E間のデイ
ストーシヨン値（△X1）をウエハーステージ系
７にフイードバツクし、矢視Ｃ方向にステージを
ズラして露光する。８は露光系、９は座標アライ
メント系を示す。
に内部記憶装置６に記憶されているD′E間のデイ
ストーシヨン値（△X1）をウエハーステージ系
７にフイードバツクし、矢視Ｃ方向にステージを
ズラして露光する。８は露光系、９は座標アライ
メント系を示す。
この為、前工程に対する本工程のズレは第３図
と同じ様に′＝△X1、′＝０、′＝△X2と
なり、ズレ量は最小限に押えられる。
と同じ様に′＝△X1、′＝０、′＝△X2と
なり、ズレ量は最小限に押えられる。
上記はＸ方向についてのみの説明であるが、Ｙ
方向についても全く同様である。尚、本発明の一
実施例においては13ポイントのデイストーシヨン
図を使用し、ON−AXIS方式としてレチクル像
とウエハー像を重ねる方式を使用し、又アライメ
ント後のズレ補正をウエハーステージ系を移動す
る方式を使用したが、本発明の特徴であるアライ
メント後にデイストーシヨンのズレ分を補正して
露光するという方法を用いている限り方法・形状
の如何は問わないものである。
方向についても全く同様である。尚、本発明の一
実施例においては13ポイントのデイストーシヨン
図を使用し、ON−AXIS方式としてレチクル像
とウエハー像を重ねる方式を使用し、又アライメ
ント後のズレ補正をウエハーステージ系を移動す
る方式を使用したが、本発明の特徴であるアライ
メント後にデイストーシヨンのズレ分を補正して
露光するという方法を用いている限り方法・形状
の如何は問わないものである。
以上説明した様に本発明によれば、デイストー
シヨンが判明している限りそのズレ分を補正して
露光する為、レチクル上のどのポイントでアライ
メントを行なつてもレチクル中心と前工程のシヨ
ツト中心との間でアライメントを実行したのと同
一の結果を得てズレの絶対値を最小限に押えるこ
とができる。
シヨンが判明している限りそのズレ分を補正して
露光する為、レチクル上のどのポイントでアライ
メントを行なつてもレチクル中心と前工程のシヨ
ツト中心との間でアライメントを実行したのと同
一の結果を得てズレの絶対値を最小限に押えるこ
とができる。
最近の半導体プロセスにおいては、急速にパタ
ーンの微細化が進んでおりデイストーシヨンによ
るズレ量も無視できない領域に達している為、本
発明の方式を用いれば非常に有効である。
ーンの微細化が進んでおりデイストーシヨンによ
るズレ量も無視できない領域に達している為、本
発明の方式を用いれば非常に有効である。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２
図は第１図のＡ−A′断面図、第３図はレチクル
中心と前工程シヨツト中心とをアライメントした
時のシヨツト内の状態を示す図、第４図はレチク
ル周辺と前工程シヨツトの周辺とをアライメント
した時のシヨツト内の状態を示す図、第５図は本
発明の一実施例を示すブロツク図である。 尚、図において１……レチクル、２……縮小投
影レンズ、３……ウエハー、４……露光軸、５…
…ウエハーステージである。
図は第１図のＡ−A′断面図、第３図はレチクル
中心と前工程シヨツト中心とをアライメントした
時のシヨツト内の状態を示す図、第４図はレチク
ル周辺と前工程シヨツトの周辺とをアライメント
した時のシヨツト内の状態を示す図、第５図は本
発明の一実施例を示すブロツク図である。 尚、図において１……レチクル、２……縮小投
影レンズ、３……ウエハー、４……露光軸、５…
…ウエハーステージである。
Claims (1)
- １ 縮小投影レンズを通して半導体基板とレチク
ルとの間でダイバイダイアライメントを実行する
機能を有する縮小投影型露光装置において、前記
縮小投影レンズの歪値を予め装置内部の記憶装置
に記憶し、アライメント実行後にアライメント箇
所の前記縮小投影レンズの歪値をズレ量として半
導体基板ステージ系にフイードバツクすることに
よつて、前記縮小投影レンズの歪によるアライメ
ント誤差を除去することを特徴とする縮小投影型
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175383A JPS6235621A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 縮小投影型露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175383A JPS6235621A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 縮小投影型露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235621A JPS6235621A (ja) | 1987-02-16 |
| JPH0311085B2 true JPH0311085B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15995147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60175383A Granted JPS6235621A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 縮小投影型露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235621A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439726A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | Contraction projecting aligner |
| JPH03241728A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 投影式露光装置 |
| WO1993007017A1 (fr) * | 1991-10-08 | 1993-04-15 | Mitsubishi Jidosha Kogyo Kabushiki Kaisha | Installation d'un circuit hydraulique dans le systeme de reglage des forces motrices droite et gauche d'un vehicule a moteur |
| KR102160602B1 (ko) | 2017-12-27 | 2020-09-28 | 한화솔루션 주식회사 | 탄화수소 함유 용액 내의 방향족 함량의 측정 방법 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60175383A patent/JPS6235621A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6235621A (ja) | 1987-02-16 |
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