JPS6235621A - 縮小投影型露光方法 - Google Patents
縮小投影型露光方法Info
- Publication number
- JPS6235621A JPS6235621A JP60175383A JP17538385A JPS6235621A JP S6235621 A JPS6235621 A JP S6235621A JP 60175383 A JP60175383 A JP 60175383A JP 17538385 A JP17538385 A JP 17538385A JP S6235621 A JPS6235621 A JP S6235621A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- point
- reticle
- shot
- reduction projection
- distortion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造プロセス中フォトレジスト塗布後の
目合せ露光工程における縮小投影型露光方法に関するも
のである。
目合せ露光工程における縮小投影型露光方法に関するも
のである。
一般に縮小投影型露光装置（以下ステッパーという）に
おいては、半導体基板（以下、ウェハーという）位置決
めを露光軸以外で行い露光軸での各ショットのアライメ
ントヲウエハーステージの精度に依存して露光するオフ
・アクシス（ＯＦＦ−ＡＸＩＳ）方式及び各ショット毎
に露光軸でアライメントを行い露光するオン・アクシス
（ＯＮ−■ＩＳ）方式の２つに大別されるが、パターン
の微細化とともニ後者のレンズを通してアライメントを
実行する０Ｎ−ＡＸＩＳ方式へと移行しつつある。
おいては、半導体基板（以下、ウェハーという）位置決
めを露光軸以外で行い露光軸での各ショットのアライメ
ントヲウエハーステージの精度に依存して露光するオフ
・アクシス（ＯＦＦ−ＡＸＩＳ）方式及び各ショット毎
に露光軸でアライメントを行い露光するオン・アクシス
（ＯＮ−■ＩＳ）方式の２つに大別されるが、パターン
の微細化とともニ後者のレンズを通してアライメントを
実行する０Ｎ−ＡＸＩＳ方式へと移行しつつある。
従来０Ｎ−ＡＸＩＳ方式においては、レチクル上のマー
クとウェハー上の合わせマークをレンズを通して重ねる
場合にレチクル中心から一定距離離れた場所で目合せす
るのが普通である。
クとウェハー上の合わせマークをレンズを通して重ねる
場合にレチクル中心から一定距離離れた場所で目合せす
るのが普通である。
これはレチクルパターン製作上及びステッパーの原理上
レチクル中心にはアライメントマークを入れないことが
多い為である。
レチクル中心にはアライメントマークを入れないことが
多い為である。
又一般に縮小投影レンズには特有の歪（ディストーショ
ン）があり、レンズの中心から周辺に行く程その影響は
大きくなるとされている。さらにディストーションは通
常レンズ中心からの理想格子点に対して全体が膨らんだ
り逆に縮んだりすることが多い。
ン）があり、レンズの中心から周辺に行く程その影響は
大きくなるとされている。さらにディストーションは通
常レンズ中心からの理想格子点に対して全体が膨らんだ
り逆に縮んだりすることが多い。
レチクルの周辺部に入れたマークは当然縮小投影レンズ
の周辺を通ってウェハー上へ投影されるから、レチクル
中心から一定距離離れた場所でアライメントを実行した
場合、露光されたパターンのショット中尼・は前記アラ
イメントされた場所のディストーション値分だけ前工程
のショット中心からズレるという欠点をもっている。
の周辺を通ってウェハー上へ投影されるから、レチクル
中心から一定距離離れた場所でアライメントを実行した
場合、露光されたパターンのショット中尼・は前記アラ
イメントされた場所のディストーション値分だけ前工程
のショット中心からズレるという欠点をもっている。
本発明は前記問題点を解消した露光方法を提供するもの
である。
である。
本発明は予め測定した縮小投影レンズのディストーショ
ンを装置内部の記憶装置に記憶しておき、アライメント
箇所のディストーションによるズレ量を露光時にウエノ
・−ステージに対してフィードバックさせることにより
、前工程のショット中心とレチクル中心とのズレを１０
“にし前工程・（ターンに対する本工程パターンのショ
ット内全面におけるズレ量を最小限におさえることを特
徴とする縮小投影型露光方法である。
ンを装置内部の記憶装置に記憶しておき、アライメント
箇所のディストーションによるズレ量を露光時にウエノ
・−ステージに対してフィードバックさせることにより
、前工程のショット中心とレチクル中心とのズレを１０
“にし前工程・（ターンに対する本工程パターンのショ
ット内全面におけるズレ量を最小限におさえることを特
徴とする縮小投影型露光方法である。
以下、本発明の一実施例を図面によって説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は第１
図のＡＡ断面図、第３図・第４図は第２図の矢視Ｂ Ｅ
’図、第５図は本発明の一実施例を示すブロック図であ
る。
図のＡＡ断面図、第３図・第４図は第２図の矢視Ｂ Ｅ
’図、第５図は本発明の一実施例を示すブロック図であ
る。
第１図、第２図において、レチクル中心（０点）とウェ
ハー上の前工程ショット中心（０°点）との間でアライ
メントを実行したと仮定すると、レチクル１上の０点像
は縮小投影レンズ２を通してウェハーステージ５のウェ
ハー３上に投影され、その露光軸４の延長線上である０
°点に結像する。０゜点は前工程のショット中心（Ｐ点
）と一致している。ところがレチクル周辺のＤ点及びＦ
点はディストーションの影響により理論結像点（Ｄ’及
びＦ′）ではなく、Ｅ点及びＧ点に結像する。
ハー上の前工程ショット中心（０°点）との間でアライ
メントを実行したと仮定すると、レチクル１上の０点像
は縮小投影レンズ２を通してウェハーステージ５のウェ
ハー３上に投影され、その露光軸４の延長線上である０
°点に結像する。０゜点は前工程のショット中心（Ｐ点
）と一致している。ところがレチクル周辺のＤ点及びＦ
点はディストーションの影響により理論結像点（Ｄ’及
びＦ′）ではなく、Ｅ点及びＧ点に結像する。
第３図がこの状態を示しており、図中前工程は←−１で
表され、ディストーションがのった本工程はｘ−＝ ｘ
で示される。
表され、ディストーションがのった本工程はｘ−＝ ｘ
で示される。
この時、昨−△Ｘｌｌ阿−ΔＸ２（△Ｘ□≧０．△Ｘ２
≧０）とすると、前工程に対するＥ点、Ｇ点のズレは各
々△Ｘ、 ｌ△Ｘ２ということになる・但し、この場合
のズレはショット中心から均等にバラまかれており、シ
ョット全体からみると、各点のズレは最小限に押えられ
ている。
≧０）とすると、前工程に対するＥ点、Ｇ点のズレは各
々△Ｘ、 ｌ△Ｘ２ということになる・但し、この場合
のズレはショット中心から均等にバラまかれており、シ
ョット全体からみると、各点のズレは最小限に押えられ
ている。
ところが通常のアライメントはレチクル１上のＤ点とウ
ェハー３上のＥ点でアライメントを実行する為、露光軸
４でみた場合にレチクル中心（０点）のウェハー上投影
点（０’点）と前工程のショット中心（Ｐ点）との間で
△Ｘ１だけズレが生じる（第４図）。
ェハー３上のＥ点でアライメントを実行する為、露光軸
４でみた場合にレチクル中心（０点）のウェハー上投影
点（０’点）と前工程のショット中心（Ｐ点）との間で
△Ｘ１だけズレが生じる（第４図）。
第４図より明らかな様に昨−０，−６〒＝△Ｘ１．−６
丁“＝△Ｘ１＋△Ｘ２とな９パターンの微細化を考慮す
ると特にＧ Ｆ’は無視できないレベルである。
丁“＝△Ｘ１＋△Ｘ２とな９パターンの微細化を考慮す
ると特にＧ Ｆ’は無視できないレベルである。
そこで第５図に示した様に、装置内部、の記憶装置６に
予め測定した各ポイントのディストーション値（△Ｘ１
１△ｘ２・・・）を記憶しておく。
予め測定した各ポイントのディストーション値（△Ｘ１
１△ｘ２・・・）を記憶しておく。
第４図の如くアライメントされた後、露光直前に内部記
憶装置６に記憶されているＤ’Ｅ間のディストーション
値（△ＸＩ）’ｔ”ウェハーステージ系７にフィードバ
ックし、矢視Ｃ方向にステージをズレして露光する。８
は露光系、９は座標アライメント系を示す。
憶装置６に記憶されているＤ’Ｅ間のディストーション
値（△ＸＩ）’ｔ”ウェハーステージ系７にフィードバ
ックし、矢視Ｃ方向にステージをズレして露光する。８
は露光系、９は座標アライメント系を示す。
この為、前工程に対する本工程のズレは第３図と同じ様
にＤ’Ｅ＝△Ｘ□、 Ｏ’Ｐ＝Ｏ、ＣＦ’−△Ｘ２とな
り、ズレ量は最小限に押えられる。
にＤ’Ｅ＝△Ｘ□、 Ｏ’Ｐ＝Ｏ、ＣＦ’−△Ｘ２とな
り、ズレ量は最小限に押えられる。
上記はＸ方向についてのみの説明であるが、Ｙ方向につ
いても全く同様である。尚、本発明の一実施例において
は１３ポイントのディストーション図を使用し、０Ｎ−
ＡＸＩＳ方式としてレチクル像とウェハー像を重ねる方
式を使用し、又アライメント後のズレ補正をウェハース
テージ系を移動する方式を使用したが、本発明の特徴で
あるアライメント楓ニデイストーションのズレ分を補正
して露光するという方法を用いている限り方法・形状の
如何は問わないものである。
いても全く同様である。尚、本発明の一実施例において
は１３ポイントのディストーション図を使用し、０Ｎ−
ＡＸＩＳ方式としてレチクル像とウェハー像を重ねる方
式を使用し、又アライメント後のズレ補正をウェハース
テージ系を移動する方式を使用したが、本発明の特徴で
あるアライメント楓ニデイストーションのズレ分を補正
して露光するという方法を用いている限り方法・形状の
如何は問わないものである。
以上説明した様に本発明によれば、ディス） −ジョン
が判明している限りそのズレ分を補正して露光する為、
レグ−クル上のどのポイントでアライメントを行っても
レチクル中心と前工程のショット中心との間でアライメ
ントを実行したのと同一の結果を得てズレの絶対値を最
小限に押えることができる。
が判明している限りそのズレ分を補正して露光する為、
レグ−クル上のどのポイントでアライメントを行っても
レチクル中心と前工程のショット中心との間でアライメ
ントを実行したのと同一の結果を得てズレの絶対値を最
小限に押えることができる。
最近の半導体プロセスにおいては、急速にパターンの微
細化が進んでおりデイストーンヨンによるズレ量も無視
できない領域に達している為、本発明の方式音用いれば
非常に有効である。
細化が進んでおりデイストーンヨンによるズレ量も無視
できない領域に達している為、本発明の方式音用いれば
非常に有効である。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は第１
図のＡ−Ａ断面図、第３図はレチクル中心と前工程ショ
ット中心とをアライメントした時のショット内の状態を
示す図、第４図はレチクル周辺と前工程ショットの周辺
とをアライメントした時のショット内の状態を示す図、
第５図は本発明の一実施例を示すブロック図である。 尚、図において１・・・レチクル、２・・・縮小投影レ
ンズ、３・・ウェハー、４・・・露光軸、５・・・ウェ
ハーステージである。 特許出願人 九州日本電気株式会社 パ−、＼ 代理人 弁理士菅野 中・−１／ （’−５ 第１図 第２図 第３図
図のＡ−Ａ断面図、第３図はレチクル中心と前工程ショ
ット中心とをアライメントした時のショット内の状態を
示す図、第４図はレチクル周辺と前工程ショットの周辺
とをアライメントした時のショット内の状態を示す図、
第５図は本発明の一実施例を示すブロック図である。 尚、図において１・・・レチクル、２・・・縮小投影レ
ンズ、３・・ウェハー、４・・・露光軸、５・・・ウェ
ハーステージである。 特許出願人 九州日本電気株式会社 パ−、＼ 代理人 弁理士菅野 中・−１／ （’−５ 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）縮小投影レンズを通して半導体基板とレチクルと
の間でダイパイダイアライメントを実行する機能を有す
る縮小投影型露光装置において、前記縮小投影レンズの
歪値を予め装置内部の記憶装置に記憶し、アライメント
実行後にアライメント箇所の前記縮小投影レンズの歪値
をズレ量として半導体基板ステージ系にフィードバック
することによつて、前記縮小投影レンズの歪によるアラ
イメント誤差を除去することを特徴とする縮小投影型露
光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175383A JPS6235621A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 縮小投影型露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175383A JPS6235621A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 縮小投影型露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235621A true JPS6235621A (ja) | 1987-02-16 |
| JPH0311085B2 JPH0311085B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15995147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60175383A Granted JPS6235621A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 縮小投影型露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235621A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439726A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | Contraction projecting aligner |
| JPH03241728A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 投影式露光装置 |
| US5454762A (en) * | 1991-10-08 | 1995-10-03 | Mitsubishi Jidosha Kogyo Kabushiki Kaisha | Hydraulic circuit construction for vehicular left/right drive force adjusting apparatus |
| US11391684B2 (en) | 2017-12-27 | 2022-07-19 | Hanwha Solutions Corporation | Method for measuring aromatic contents in hydrocarbon solution |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60175383A patent/JPS6235621A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439726A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | Contraction projecting aligner |
| JPH03241728A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 投影式露光装置 |
| US5454762A (en) * | 1991-10-08 | 1995-10-03 | Mitsubishi Jidosha Kogyo Kabushiki Kaisha | Hydraulic circuit construction for vehicular left/right drive force adjusting apparatus |
| US11391684B2 (en) | 2017-12-27 | 2022-07-19 | Hanwha Solutions Corporation | Method for measuring aromatic contents in hydrocarbon solution |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311085B2 (ja) | 1991-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5894350A (en) | Method of in line intra-field correction of overlay alignment | |
| US5008702A (en) | Exposure method and apparatus | |
| US6238851B1 (en) | Exposure method | |
| US5792580A (en) | Method of aligning reticle pattern | |
| JP4198877B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0263285B2 (ja) | ||
| JPS6235621A (ja) | 縮小投影型露光方法 | |
| JPH0147006B2 (ja) | ||
| JPH07142326A (ja) | マスク重ね合わせ方法 | |
| JP2003512740A (ja) | レチクル、ウェーハ、及び、ステッパにおけるアラインメント誤差の決定方法 | |
| WO2001029617A1 (en) | Reticle, wafer, measuring stepper and methods for preventative maintenance | |
| JP3104636B2 (ja) | 露光方法 | |
| KR100722136B1 (ko) | 웨이퍼 정렬방법 | |
| JPH0423311A (ja) | パターン転写方法 | |
| JPH0282510A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP3013421B2 (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPS61288423A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP2003037038A (ja) | 投影露光方法 | |
| JPH0458166B2 (ja) | ||
| JP2987899B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP2000124125A (ja) | 半導体露光装置 | |
| JPH03246921A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04282822A (ja) | 縮小投影型露光装置のステージ | |
| JPS6077421A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPH04214612A (ja) | 投影露光装置 |