JPH03112851A - 誘電体磁器の製造方法 - Google Patents
誘電体磁器の製造方法Info
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- JPH03112851A JPH03112851A JP1251409A JP25140989A JPH03112851A JP H03112851 A JPH03112851 A JP H03112851A JP 1251409 A JP1251409 A JP 1251409A JP 25140989 A JP25140989 A JP 25140989A JP H03112851 A JPH03112851 A JP H03112851A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は誘電体磁器の製造方法に関し、特に無負荷Q
が高く、低損失の高周波用として好適な誘電体磁器の製
造方法に関するものである。
が高く、低損失の高周波用として好適な誘電体磁器の製
造方法に関するものである。
[従来の技術]
一般にマイクロ波やミリ波等の高い周波数領域で使用さ
れる共振器の材料として、誘電体磁器が利用されている
。この高周波領域の共振器材料に求められる特性として
は、以下の■〜■があげられる。
れる共振器の材料として、誘電体磁器が利用されている
。この高周波領域の共振器材料に求められる特性として
は、以下の■〜■があげられる。
■比誘電率が大きいこと。
■共振周波数の温度係数を自由に設定できること。
■無負荷Qが大きいこと。
■高精度での製造が可能なこと。
ところで近年、通信および放送に使用される周波数の高
周波数化が進み、より一層高い無負荷Qを有する低損失
誘電体磁器の開発が望まれている。
周波数化が進み、より一層高い無負荷Qを有する低損失
誘電体磁器の開発が望まれている。
B a(Z r++/sT a2/3)O3、Ba(M
g+73T atz3) Osなどの複合ペロブスカ
イト構造を有する誘電体磁器のうち、10GHzにおい
て10000以上の高い無負荷Qを有する材料が報告さ
れている。(特開昭62−170102号公報など。)
[発明が解決しようとする課題] B a(Z Il+/3 T atzz) 03q
B a(M g+/3T at/s) 03などの複合
ペロブスカイト構造の誘電体磁器を中心に、より高い無
負荷Qを有するしのが開発されつつあるが、いまだQが
不充分であったり、Qは高いが、長時間(100時間)
あるいは高温度(1600℃以上)の焼成が必要である
ほか、急速加熱が必要であるなど、製造工程上の制約が
大きかった。
g+73T atz3) Osなどの複合ペロブスカ
イト構造を有する誘電体磁器のうち、10GHzにおい
て10000以上の高い無負荷Qを有する材料が報告さ
れている。(特開昭62−170102号公報など。)
[発明が解決しようとする課題] B a(Z Il+/3 T atzz) 03q
B a(M g+/3T at/s) 03などの複合
ペロブスカイト構造の誘電体磁器を中心に、より高い無
負荷Qを有するしのが開発されつつあるが、いまだQが
不充分であったり、Qは高いが、長時間(100時間)
あるいは高温度(1600℃以上)の焼成が必要である
ほか、急速加熱が必要であるなど、製造工程上の制約が
大きかった。
さらに長時間の高温加熱処理や、急速昇温加熱装置は設
備が大型化するとともに高価になり、量産には適さない
ので実用化に難点がある。
備が大型化するとともに高価になり、量産には適さない
ので実用化に難点がある。
この発明は上記課題を解決するためになされたものであ
って、長時間の高温加熱処理や急速加熱処理などを不要
とし、高い無負荷Qとともに大きい比誘電率および良好
な共振周波数の温度係数を示す誘電体磁器組成物を容易
に得ることができるような製造方法を提供することを目
的としている。
って、長時間の高温加熱処理や急速加熱処理などを不要
とし、高い無負荷Qとともに大きい比誘電率および良好
な共振周波数の温度係数を示す誘電体磁器組成物を容易
に得ることができるような製造方法を提供することを目
的としている。
[課題を解決するための手段]
この発明の誘電体磁器の製造方法は、一般式B a(B
l/3B ’ xyz)03(ただしBはMgまたは
Zn、B はNbまたはTaである。)で表される複合
ペロブスカイト構造の誘電体磁器の製造方法であって、
Baの化合物粉末と、Bの酸化物粉末と、Boの酸化物
粉末とを所定比率で混合した原料粉末を、1300〜1
600℃で仮焼成した後に、微粉砕し、ついで造粒した
後、加圧成形処理を施して加圧成形体とし、この加圧成
形体に本焼成を施すことを解決手段とした。
l/3B ’ xyz)03(ただしBはMgまたは
Zn、B はNbまたはTaである。)で表される複合
ペロブスカイト構造の誘電体磁器の製造方法であって、
Baの化合物粉末と、Bの酸化物粉末と、Boの酸化物
粉末とを所定比率で混合した原料粉末を、1300〜1
600℃で仮焼成した後に、微粉砕し、ついで造粒した
後、加圧成形処理を施して加圧成形体とし、この加圧成
形体に本焼成を施すことを解決手段とした。
[作用 ]
プレス成形していない粉末の状態で1300〜1600
°Cで仮焼成を施すと、複合ペロブスカイト構造のBサ
イトイオンの周期的配列が規則化される。次に圧密して
加圧成形体として、本焼成することで緻密化がなされる
。
°Cで仮焼成を施すと、複合ペロブスカイト構造のBサ
イトイオンの周期的配列が規則化される。次に圧密して
加圧成形体として、本焼成することで緻密化がなされる
。
以上により緻密かつ規則性の高い結晶構造の誘電体磁器
が得られる。
が得られる。
[実施例]
以下、この発明の詳細な説明する。
誘電体磁器の無負荷Qは、複合ペロブスカイト構造のB
サイトイオンの周期的配列の規則性を良好にし、かつ緻
密な結晶構造とすることによって、向上することが知ら
れている。この発明の製造方法は原料粉末に仮焼成を施
して複合ペロブスカイト構造のBサイトイオンの周期的
配列の規則化を行った後、成形体として本焼成で結晶構
造の緻密化を行うことにより、一般式B a(B l/
3B ’ !/3)03(ただしBはMgまたはZn、
B’はNbまたはTaである。)の複合ペロブスカイト
構造を示す誘電体磁器を得るものである。
サイトイオンの周期的配列の規則性を良好にし、かつ緻
密な結晶構造とすることによって、向上することが知ら
れている。この発明の製造方法は原料粉末に仮焼成を施
して複合ペロブスカイト構造のBサイトイオンの周期的
配列の規則化を行った後、成形体として本焼成で結晶構
造の緻密化を行うことにより、一般式B a(B l/
3B ’ !/3)03(ただしBはMgまたはZn、
B’はNbまたはTaである。)の複合ペロブスカイト
構造を示す誘電体磁器を得るものである。
Baの化合物粉末とBの酸化物粉末とBoの酸化物粉末
とを所定比率、たとえばB a(Mg+z:+T at
zz)0、の場合にはB a COy粉末55.I25
wt%、M g O粉末3.75wt%、TatOa粉
末41.、I25wt%の比率で混合して原料粉末とす
る。この原料粉末の秤量および混合、粉砕は、通常のセ
ラミックス製造時に行うものと同様であって、たとえば
樹脂ポット、樹脂コーティングボール、ボールミルなど
を用いて行うことができる。
とを所定比率、たとえばB a(Mg+z:+T at
zz)0、の場合にはB a COy粉末55.I25
wt%、M g O粉末3.75wt%、TatOa粉
末41.、I25wt%の比率で混合して原料粉末とす
る。この原料粉末の秤量および混合、粉砕は、通常のセ
ラミックス製造時に行うものと同様であって、たとえば
樹脂ポット、樹脂コーティングボール、ボールミルなど
を用いて行うことができる。
ついでこの原料粉末に粉末状態のままで仮焼成を施す。
この仮焼成は原料粉末に複合ペロブスカイト構造のBサ
イトイオンの周期的配列を付与するためのものであって
、1300℃以上1600℃以下で1時間以上の焼成条
件とする。焼成温度が1300℃未満であるとBサイト
イオンの周期的配列が十分でなく、誘電体磁器の無負荷
Qが悪化する原因となる。また焼成温度が1600℃を
越えると焼成が進行しすぎて本焼成工程前の微粉砕が困
難になる。
イトイオンの周期的配列を付与するためのものであって
、1300℃以上1600℃以下で1時間以上の焼成条
件とする。焼成温度が1300℃未満であるとBサイト
イオンの周期的配列が十分でなく、誘電体磁器の無負荷
Qが悪化する原因となる。また焼成温度が1600℃を
越えると焼成が進行しすぎて本焼成工程前の微粉砕が困
難になる。
このような仮焼成を受けた原料粉末は、Bサイトイオン
の周期的配列が行なわれた規則型複合ペロブスカイト構
造となっているものの、粉末体であるため緻密化が十分
に行なわれていないので、加圧成形した後に本焼成を施
して焼結体としての緻密化を計る。
の周期的配列が行なわれた規則型複合ペロブスカイト構
造となっているものの、粉末体であるため緻密化が十分
に行なわれていないので、加圧成形した後に本焼成を施
して焼結体としての緻密化を計る。
仮焼成を施した後の原料粉末を、その平均粒径が好まし
くは1μm以下となるように粉砕して微粉末化し、この
微粉末をバインダ合わせして平均粒径を3〜5μmにま
で造粒する。造粒した後の粒径が3μm未満であると本
焼成の際の緻密化が十分に進行せずに、また5μmを越
えると各拉界間に空孔が形成され、焼結後の相対密度が
低くなるので、いずれも無負荷Qを高くすることができ
ない。
くは1μm以下となるように粉砕して微粉末化し、この
微粉末をバインダ合わせして平均粒径を3〜5μmにま
で造粒する。造粒した後の粒径が3μm未満であると本
焼成の際の緻密化が十分に進行せずに、また5μmを越
えると各拉界間に空孔が形成され、焼結後の相対密度が
低くなるので、いずれも無負荷Qを高くすることができ
ない。
このようにして造粒された粉末を1〜2t/am’の圧
力で加圧成形を施して所望形状にした後、本焼成を行う
。
力で加圧成形を施して所望形状にした後、本焼成を行う
。
本焼成は、Bサイトイオンの周期的配列が規則化された
規則型複合ペロブスカイト結晶を焼結さU゛ることによ
り緻密化を進行させるためのらのであって、好ましくは
1500℃以上1650℃以下で1時間以上の焼成条件
とする。また、昇温速度は300℃/H程度で充分であ
る。焼成温度か1500℃未満であると結晶の緻密化が
十分に進行せず、また1650℃を越えると異常粒成長
が発生し、閉空孔を作り相対密度が低くなるので好まし
くない。
規則型複合ペロブスカイト結晶を焼結さU゛ることによ
り緻密化を進行させるためのらのであって、好ましくは
1500℃以上1650℃以下で1時間以上の焼成条件
とする。また、昇温速度は300℃/H程度で充分であ
る。焼成温度か1500℃未満であると結晶の緻密化が
十分に進行せず、また1650℃を越えると異常粒成長
が発生し、閉空孔を作り相対密度が低くなるので好まし
くない。
」−足の方法により、長時間高温の加熱処理、急速昇温
処理または焼成後の酸素雰囲気アニール処理を行わなく
とも、極めて低い誘電体損で比誘電率が高く、温度係数
の制御ら容易で、かつ無負荷Qが高い誘電体磁器を得る
ことができる。
処理または焼成後の酸素雰囲気アニール処理を行わなく
とも、極めて低い誘電体損で比誘電率が高く、温度係数
の制御ら容易で、かつ無負荷Qが高い誘電体磁器を得る
ことができる。
[製造例]
Ba COvを55.ll3wt%、MgOを3.75
2vt%、Taxesを41.135wt%の比率で混
合して原料粉末とした。この原料粉末に第1表に示した
ように1000〜1700℃で焼成温度を順次変化させ
て複合ペロブスカイト構造のBサイトイオンの規則化を
行った。なおこの時の焼成時間は10〜30時間まで変
化させた。
2vt%、Taxesを41.135wt%の比率で混
合して原料粉末とした。この原料粉末に第1表に示した
ように1000〜1700℃で焼成温度を順次変化させ
て複合ペロブスカイト構造のBサイトイオンの規則化を
行った。なおこの時の焼成時間は10〜30時間まで変
化させた。
ついでこの粉末をその平均粒径が1μm以下になるよう
に微粉砕したのち、バインダを用いて造粒したものを1
〜2t/cm’の圧力でプレス成形して塊とし、300
℃/Hで昇温して、1500〜1650℃で本焼成を施
し、結晶構造の緻密化を行い誘電体磁器とした。
に微粉砕したのち、バインダを用いて造粒したものを1
〜2t/cm’の圧力でプレス成形して塊とし、300
℃/Hで昇温して、1500〜1650℃で本焼成を施
し、結晶構造の緻密化を行い誘電体磁器とした。
このようにして得られた各誘電体磁器の無負荷Qと、比
誘電率εrと、相対密度ρと、規則度パラメータSとを
測定して、その特性を評価した。
誘電率εrと、相対密度ρと、規則度パラメータSとを
測定して、その特性を評価した。
この結果を第1表に併せて示した。
なお第1表中の規則度パラメータSは複合ペロブスカイ
ト構造としての周期的配列の規則性を示すものであって
、以下に説明する意義を有するものである。
ト構造としての周期的配列の規則性を示すものであって
、以下に説明する意義を有するものである。
一般式B a(B +/jB ’ t/s’)Osで示
される複合ペロブスカイト型誘電体磁器は、六方晶とな
る場合にはBサイトイオンすなわちBおよびBoがB−
B”B’の順に3層を一周期として広い範囲にわたって
繰り返す周期的配列をとることが知られている。そして
その周期的配列の規則性が長く続くほど、その誘電体磁
器の無負荷Q等の特性が向上することが知られている。
される複合ペロブスカイト型誘電体磁器は、六方晶とな
る場合にはBサイトイオンすなわちBおよびBoがB−
B”B’の順に3層を一周期として広い範囲にわたって
繰り返す周期的配列をとることが知られている。そして
その周期的配列の規則性が長く続くほど、その誘電体磁
器の無負荷Q等の特性が向上することが知られている。
よってこの周期的配列の規則性が結晶中にどの程度歯ま
れているかを調べることにより、誘電体磁器の特性評価
を行うことができるので、これを示すパラメータとして
規則度パラメータSを下記式にて定義する。
れているかを調べることにより、誘電体磁器の特性評価
を行うことができるので、これを示すパラメータとして
規則度パラメータSを下記式にて定義する。
ここでI、。。は、周期的配列に基づ(超格子の(+0
0)面のX線回折線の強度でありIll。、 lofは
(1 10)面および(102)重回折線の最強ピークの強度
である。そして(I Ioo/ I +to、+ot)
ObSは、実測値により算出した面積強度比であり、(
I+oa/ I + +o、 tow)orderは理
論値であって、Ba(Mg+/5Taey3)O−の場
合には、0.083である。
0)面のX線回折線の強度でありIll。、 lofは
(1 10)面および(102)重回折線の最強ピークの強度
である。そして(I Ioo/ I +to、+ot)
ObSは、実測値により算出した面積強度比であり、(
I+oa/ I + +o、 tow)orderは理
論値であって、Ba(Mg+/5Taey3)O−の場
合には、0.083である。
この規則度パラメータSは、製造された誘電体磁器中に
複合ペロブスカイト型の周期的配列の構造が存在すると
、これに基づく超格子のX線回折線(1、Oo)が観測
され、その規則性が完全であるとS=1となり、逆に完
全に無秩序であるとS=0となるものである。
複合ペロブスカイト型の周期的配列の構造が存在すると
、これに基づく超格子のX線回折線(1、Oo)が観測
され、その規則性が完全であるとS=1となり、逆に完
全に無秩序であるとS=0となるものである。
なお本製造例で製造したB a(Mg+/3T at/
Jo sのX線回折線図を第1図および第2図に示した
。
Jo sのX線回折線図を第1図および第2図に示した
。
第1図は規則化された六方晶の複合ペロブスカイト構造
を示すもののX線回折図であり、第2図は規則化されて
な゛い立方晶の複合ペロブスカイト構造を示すもののX
線回折図である。第1図および第2図中の回折線上に示
した数字は、いずれも納品格子の面方位を示すものであ
り、8が付与されたらのは、超格子構造による回折線で
ある。
を示すもののX線回折図であり、第2図は規則化されて
な゛い立方晶の複合ペロブスカイト構造を示すもののX
線回折図である。第1図および第2図中の回折線上に示
した数字は、いずれも納品格子の面方位を示すものであ
り、8が付与されたらのは、超格子構造による回折線で
ある。
製造された各誘電体磁器のX線回折を行い、上記第1図
および第2図に示した各回折線の強度を測定することに
より求めた。
および第2図に示した各回折線の強度を測定することに
より求めた。
また相対密度ρの値は、上記X線回折により求められた
理論密度値(7、63g/ cn+3)に対する百分率
で示し、無負荷Qおよび比誘電率εrは、いずれも平行
導体板形誘電体共振器法によって測定した値である。
理論密度値(7、63g/ cn+3)に対する百分率
で示し、無負荷Qおよび比誘電率εrは、いずれも平行
導体板形誘電体共振器法によって測定した値である。
第1表の結果から、比誘電率と無負荷Qの値の大きな誘
電体磁器を製造するには、仮焼成温度は1300〜16
00℃が好適であることが確認できたとともに、この発
明の製造方法によれば高特性の誘電体磁器を容易に製造
できることが確認できた。
電体磁器を製造するには、仮焼成温度は1300〜16
00℃が好適であることが確認できたとともに、この発
明の製造方法によれば高特性の誘電体磁器を容易に製造
できることが確認できた。
(以下、余白)
[発明の効果]
以上説明したように、この発明の誘電体磁器の製造方法
は、Baの化合物粉末とBの酸化物粉末とB′の酸化物
粉末とを所定比率で混合した原料粉末を、1300〜1
600℃で仮焼成した後に、微粉砕し、ついで造粒した
後、加圧成形処理を施して加圧成形体とし、この加圧成
形体に本焼成を施すものであるので、緻密かつ規則性の
高い誘電体磁器を容易に得ることができる。
は、Baの化合物粉末とBの酸化物粉末とB′の酸化物
粉末とを所定比率で混合した原料粉末を、1300〜1
600℃で仮焼成した後に、微粉砕し、ついで造粒した
後、加圧成形処理を施して加圧成形体とし、この加圧成
形体に本焼成を施すものであるので、緻密かつ規則性の
高い誘電体磁器を容易に得ることができる。
よって従来法のように長時間の高温加熱処理、急速昇温
処理、焼成後の酸素雰囲気中でのアニール処理を必要と
しないので、低い製造コストで高性能の誘電体磁器を得
ることができる。
処理、焼成後の酸素雰囲気中でのアニール処理を必要と
しないので、低い製造コストで高性能の誘電体磁器を得
ることができる。
またこの発明の製造方法によれば、仮焼成前の加圧成形
工程を不要としたので、製造工程を簡略化することがで
きる。
工程を不要としたので、製造工程を簡略化することがで
きる。
第1図および第2図はいずれも、B a(Mgl/3T
ay/、)03のX線回折図であり、第1図は規則化
された六方晶の複合ペロブスカイト構造のX線回折図、 第2図は規則化されてない立方晶の複合ペロブスカイト
構造のX線回折図である。 出顆人 アルプス電気株式会社 代表者 片開 政隆
ay/、)03のX線回折図であり、第1図は規則化
された六方晶の複合ペロブスカイト構造のX線回折図、 第2図は規則化されてない立方晶の複合ペロブスカイト
構造のX線回折図である。 出顆人 アルプス電気株式会社 代表者 片開 政隆
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式Ba(B_1_/_3B’_2_/_3)O_
3(ただしBはMgまたはZn、B’はNbまたはTa
である。)で表される複合ペロブスカイト構造の誘電体
磁器の製造方法であって、 Baの化合物粉末と、Bの酸化物粉末と、B’の酸化物
粉末とを所定比率で混合した原料粉末を、1300〜1
600℃で仮焼成した後に、微粉砕し、ついで造粒した
後、加圧成形処理を施して加圧成形体とし、この加圧成
形体に本焼成を施すことを特徴とする誘電体磁器の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251409A JPH03112851A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 誘電体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251409A JPH03112851A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 誘電体磁器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112851A true JPH03112851A (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=17222415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1251409A Pending JPH03112851A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 誘電体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03112851A (ja) |
-
1989
- 1989-09-27 JP JP1251409A patent/JPH03112851A/ja active Pending
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