JPH09183656A - 誘電体磁器及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH09183656A JPH09183656A JP7342416A JP34241695A JPH09183656A JP H09183656 A JPH09183656 A JP H09183656A JP 7342416 A JP7342416 A JP 7342416A JP 34241695 A JP34241695 A JP 34241695A JP H09183656 A JPH09183656 A JP H09183656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- porcelain
- dielectric
- dielectric porcelain
- dielectric ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 83
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 57
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 43
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 22
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 6
- 229910004446 Ta2 O5 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 14
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- -1 inorganic acid salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 測定周波数が１０ＧＨｚにおけるＱ値が３０
０００以上、特に４００００以上、更には５００００以
上の著しく高い誘電体磁器並びにその有効な製造方法を
提供し、また３０ＧＨｚを越えるような高周波帯におい
ても適用可能な誘電体磁器及びその製造方法を提供する
こと。 【構成】 一般式：Ｂａx Ｍｇy Ｔａz Ｏw （但し、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｗはＢａ、Ｍｇ、Ｔａの陽イオン
の合計の電荷を中和し、磁器全体として電気的に中性と
する数である）にて表される組成を有する誘電体磁器で
あって、該式中、０．４９４≦ｘ＜０．５００、０．１
６１≦ｙ≦０．１６９、０．３３４≦ｚ≦０．３４１で
あるように構成した。
０００以上、特に４００００以上、更には５００００以
上の著しく高い誘電体磁器並びにその有効な製造方法を
提供し、また３０ＧＨｚを越えるような高周波帯におい
ても適用可能な誘電体磁器及びその製造方法を提供する
こと。 【構成】 一般式：Ｂａx Ｍｇy Ｔａz Ｏw （但し、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｗはＢａ、Ｍｇ、Ｔａの陽イオン
の合計の電荷を中和し、磁器全体として電気的に中性と
する数である）にて表される組成を有する誘電体磁器で
あって、該式中、０．４９４≦ｘ＜０．５００、０．１
６１≦ｙ≦０．１６９、０．３３４≦ｚ≦０．３４１で
あるように構成した。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、誘電体磁器及びその製造方法に
係り、特に、３０ＧＨｚを越えるような高周波に好適に
適用し得る高周波用誘電体磁器と、その有利な製造方法
に関するものである。
係り、特に、３０ＧＨｚを越えるような高周波に好適に
適用し得る高周波用誘電体磁器と、その有利な製造方法
に関するものである。
【０００２】
【背景技術】近年、特開昭５３−６０５４４号公報や特
開昭５８−２０６００３号公報、特開平５−１９４０１
７号公報等において明らかにされている複合ペロブスカ
イト型結晶構造を有するＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系
の誘電体磁器は、ＢａＯ−ＺｎＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体
磁器と同様に、高周波用の高Ｑ材料として有望であるこ
とが認められているが、そのようなＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔ
ａ2 Ｏ5 系の誘電体磁器は、従来より、化学量論的組
成、つまりＢａ（Ｍｇ1/3 、Ｔａ2/3 ）Ｏ3 を満たす組
成（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｔａ＝１とすると、Ｂａ＝０．５０
０、Ｍｇ＝０．１６７、Ｔａ＝０．３３３に相当する）
が最も望ましいと考えられてきており、上記の特開平５
−１９４０１７号公報にも、そのことが明らかにされて
いるが、そのような化学量論的組成を採用した従来のＢ
ａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器のＱ値は低く、
そのために、必要な特性が得られないという問題を内在
するものであった。
開昭５８−２０６００３号公報、特開平５−１９４０１
７号公報等において明らかにされている複合ペロブスカ
イト型結晶構造を有するＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系
の誘電体磁器は、ＢａＯ−ＺｎＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体
磁器と同様に、高周波用の高Ｑ材料として有望であるこ
とが認められているが、そのようなＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔ
ａ2 Ｏ5 系の誘電体磁器は、従来より、化学量論的組
成、つまりＢａ（Ｍｇ1/3 、Ｔａ2/3 ）Ｏ3 を満たす組
成（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｔａ＝１とすると、Ｂａ＝０．５０
０、Ｍｇ＝０．１６７、Ｔａ＝０．３３３に相当する）
が最も望ましいと考えられてきており、上記の特開平５
−１９４０１７号公報にも、そのことが明らかにされて
いるが、そのような化学量論的組成を採用した従来のＢ
ａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器のＱ値は低く、
そのために、必要な特性が得られないという問題を内在
するものであった。
【０００３】例えば、特公平５−４２７６２号公報に
は、その実施例や比較例に、各種のＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔ
ａ2 Ｏ5 系誘電体磁器が明らかにされ、それらのＱ値の
評価が為されているが、その中でＱ値が３００００を越
えるものは特殊な焼成条件を採用しており、酸素中での
第二段加熱処理をしないものでは、すべて、そのＱ値が
３００００未満となっている。
は、その実施例や比較例に、各種のＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔ
ａ2 Ｏ5 系誘電体磁器が明らかにされ、それらのＱ値の
評価が為されているが、その中でＱ値が３００００を越
えるものは特殊な焼成条件を採用しており、酸素中での
第二段加熱処理をしないものでは、すべて、そのＱ値が
３００００未満となっている。
【０００４】また、上記の化学量論的組成を外れたＢａ
Ｏ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器として、特開平５
−５４７１８号公報では、その比較例にＢａx Ｍｇy Ｔ
ａzＯw 表示においてｘ＝０．５００、ｙ＝０．１６
５、ｚ＝０．３３５に相当する組成のものが挙げられて
いるが、そのＱ値は２２０００と、低いものであったの
であり、更に特開平３−２４１６０５号公報の比較例に
おいては、ｘ＝０．４９５、ｙ＝０．１７０、ｚ＝０．
３３５に相当する組成のものも挙げられているが、その
Ｑ値は１６８００に過ぎないものであった。更にまた、
添加成分としてジルコニウムを用いたＢａ（Ｚｒ、Ｍ
ｇ、Ｔａ）Ｏ3 系組成において、組成依存性を調べた例
として、特開平５−２６６７１２号公報があり、その比
較例の中で、Ｚｒを含まない組成例も示されてはいる
が、それらのＱ値のうちで最高のものは２３１００に過
ぎないものであった。
Ｏ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器として、特開平５
−５４７１８号公報では、その比較例にＢａx Ｍｇy Ｔ
ａzＯw 表示においてｘ＝０．５００、ｙ＝０．１６
５、ｚ＝０．３３５に相当する組成のものが挙げられて
いるが、そのＱ値は２２０００と、低いものであったの
であり、更に特開平３−２４１６０５号公報の比較例に
おいては、ｘ＝０．４９５、ｙ＝０．１７０、ｚ＝０．
３３５に相当する組成のものも挙げられているが、その
Ｑ値は１６８００に過ぎないものであった。更にまた、
添加成分としてジルコニウムを用いたＢａ（Ｚｒ、Ｍ
ｇ、Ｔａ）Ｏ3 系組成において、組成依存性を調べた例
として、特開平５−２６６７１２号公報があり、その比
較例の中で、Ｚｒを含まない組成例も示されてはいる
が、それらのＱ値のうちで最高のものは２３１００に過
ぎないものであった。
【０００５】
【解決課題】ここにおいて、本発明は、かかる事情を背
景にして為されたものであって、その解決すべき課題と
するところは、測定周波数が１０ＧＨｚにおけるＱ値が
３００００以上、特に４００００以上、更には５０００
０以上の著しく高い誘電体磁器並びにその有効な製造方
法を提供することにあり、また、３０ＧＨｚを越えるよ
うな高周波帯においても適用可能な誘電体磁器及びその
製造方法を提供することにある。
景にして為されたものであって、その解決すべき課題と
するところは、測定周波数が１０ＧＨｚにおけるＱ値が
３００００以上、特に４００００以上、更には５０００
０以上の著しく高い誘電体磁器並びにその有効な製造方
法を提供することにあり、また、３０ＧＨｚを越えるよ
うな高周波帯においても適用可能な誘電体磁器及びその
製造方法を提供することにある。
【０００６】
【解決手段】そして、そのような課題を解決すべく、本
発明者らが種々の検討を行なった結果、ＢａＯ−ＭｇＯ
−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器において、その化学量論的組
成から外れた極く近傍の狭い領域の組成において、Ｑ値
の向上に著しく寄与する組成依存領域が存する事実が見
い出されたのである。
発明者らが種々の検討を行なった結果、ＢａＯ−ＭｇＯ
−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器において、その化学量論的組
成から外れた極く近傍の狭い領域の組成において、Ｑ値
の向上に著しく寄与する組成依存領域が存する事実が見
い出されたのである。
【０００７】本発明は、上記の知見に基づいて、極めて
狭い特定の組成範囲に維持せしめることにより、従来技
術では極めて困難であった、測定周波数が１０ＧＨｚに
おけるＱ値が３００００以上のＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2
Ｏ5 系誘電体磁器を実現したものであって、その特徴と
するところは、一般式：Ｂａx Ｍｇy Ｔａz Ｏw （但
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｗはＢａ、Ｍｇ、Ｔａの陽
イオンの合計の電荷を中和し、磁器全体として電気的に
中性とする数である）にて表される組成を有する誘電体
磁器であって、該式中、０．４９４≦ｘ＜０．５００、
０．１６１≦ｙ≦０．１６９、０．３３４≦ｚ≦０．３
４１であると共に、測定周波数が１０ＧＨｚにおけるＱ
値が３００００以上の特性を有する誘電体磁器にある。
狭い特定の組成範囲に維持せしめることにより、従来技
術では極めて困難であった、測定周波数が１０ＧＨｚに
おけるＱ値が３００００以上のＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2
Ｏ5 系誘電体磁器を実現したものであって、その特徴と
するところは、一般式：Ｂａx Ｍｇy Ｔａz Ｏw （但
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｗはＢａ、Ｍｇ、Ｔａの陽
イオンの合計の電荷を中和し、磁器全体として電気的に
中性とする数である）にて表される組成を有する誘電体
磁器であって、該式中、０．４９４≦ｘ＜０．５００、
０．１６１≦ｙ≦０．１６９、０．３３４≦ｚ≦０．３
４１であると共に、測定周波数が１０ＧＨｚにおけるＱ
値が３００００以上の特性を有する誘電体磁器にある。
【０００８】また、本発明は、一般式：Ｂａx Ｍｇy Ｔ
ａz Ｏw （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｗはＢａ、Ｍ
ｇ、Ｔａの陽イオンの合計の電荷を中和し、磁器全体と
して電気的に中性とする数である）にて表される組成を
有する誘電体磁器であって、該式中、０．４９６≦ｘ≦
０．４９９、０．１６３≦ｙ≦０．１６８、０．３３５
≦ｚ≦０．３３９であると共に、測定周波数が１０ＧＨ
ｚにおけるＱ値が４００００以上の特性を有する誘電体
磁器をも、その要旨とするものである。
ａz Ｏw （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｗはＢａ、Ｍ
ｇ、Ｔａの陽イオンの合計の電荷を中和し、磁器全体と
して電気的に中性とする数である）にて表される組成を
有する誘電体磁器であって、該式中、０．４９６≦ｘ≦
０．４９９、０．１６３≦ｙ≦０．１６８、０．３３５
≦ｚ≦０．３３９であると共に、測定周波数が１０ＧＨ
ｚにおけるＱ値が４００００以上の特性を有する誘電体
磁器をも、その要旨とするものである。
【０００９】さらに、本発明は、一般式：Ｂａx Ｍｇy
Ｔａz Ｏw （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｗはＢａ、
Ｍｇ、Ｔａの陽イオンの合計の電荷を中和し、磁器全体
として電気的に中性とする数である）にて表される組成
を有する誘電体磁器であって、該式中、０．４９７≦ｘ
≦０．４９９、０．１６４≦ｙ≦０．１６６、０．３３
６≦ｚ≦０．３３８であると共に、測定周波数が１０Ｇ
ＨｚにおけるＱ値が５００００以上の特性を有する誘電
体磁器をも、その要旨としている。
Ｔａz Ｏw （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｗはＢａ、
Ｍｇ、Ｔａの陽イオンの合計の電荷を中和し、磁器全体
として電気的に中性とする数である）にて表される組成
を有する誘電体磁器であって、該式中、０．４９７≦ｘ
≦０．４９９、０．１６４≦ｙ≦０．１６６、０．３３
６≦ｚ≦０．３３８であると共に、測定周波数が１０Ｇ
ＨｚにおけるＱ値が５００００以上の特性を有する誘電
体磁器をも、その要旨としている。
【００１０】そして、このような本発明に従う誘電体磁
器の好ましい態様によれば、それら誘電体磁器は、白金
を実質的に含有していないものであることが望ましく、
これによって誘電体磁器特性の更なる向上が図られ得る
のである。
器の好ましい態様によれば、それら誘電体磁器は、白金
を実質的に含有していないものであることが望ましく、
これによって誘電体磁器特性の更なる向上が図られ得る
のである。
【００１１】ところで、かくの如き本発明に従う誘電体
磁器を製造するに際しては、該誘電体磁器を与える原料
組成物を、６００℃〜９００℃の温度で、少なくとも１
分以上、保持することにより、仮焼せしめた後、セラミ
ックス製容器内において、焼成することからなる手法
が、有利に採用されることとなるのである。
磁器を製造するに際しては、該誘電体磁器を与える原料
組成物を、６００℃〜９００℃の温度で、少なくとも１
分以上、保持することにより、仮焼せしめた後、セラミ
ックス製容器内において、焼成することからなる手法
が、有利に採用されることとなるのである。
【００１２】また、上記した本発明に従う誘電体磁器
は、それを与える原料組成物を仮焼せしめた後、セラミ
ックス製容器内において、該誘電体磁器を構成する成分
若しくはその原料又はその仮焼物若しくは焼成体の存在
下、焼成することからなる手法によっても、有利に、製
造され得るものである。
は、それを与える原料組成物を仮焼せしめた後、セラミ
ックス製容器内において、該誘電体磁器を構成する成分
若しくはその原料又はその仮焼物若しくは焼成体の存在
下、焼成することからなる手法によっても、有利に、製
造され得るものである。
【００１３】さらに、前記した本発明に従う誘電体磁器
は、それを与える原料組成物を、６００℃〜９００℃の
温度で、少なくとも１分以上、保持することにより、仮
焼せしめた後、セラミックス製容器内において、該誘電
体磁器を構成する成分若しくはその原料又はその仮焼物
若しくは焼成体の存在下、焼成することからなる手法を
採用することによって、より効果的に製造され得るので
ある。
は、それを与える原料組成物を、６００℃〜９００℃の
温度で、少なくとも１分以上、保持することにより、仮
焼せしめた後、セラミックス製容器内において、該誘電
体磁器を構成する成分若しくはその原料又はその仮焼物
若しくは焼成体の存在下、焼成することからなる手法を
採用することによって、より効果的に製造され得るので
ある。
【００１４】
【発明の実施の形態】ところで、このような本発明に従
う誘電体磁器を製造するに際しては、前記一般式：Ｂａ
x Ｍｇy Ｔａz Ｏw （ｘ、ｙ、ｚ、ｗは、前記規定の通
りである）で表される組成を有する誘電体磁器を与える
ように、ＢａＯ源原料、ＭｇＯ源原料及びＴａ2 Ｏ5 源
原料が調合されて、原料組成物が調製されることとなる
が、本発明で重要なことは、誘電体磁器の出来上がり
（焼成後）の組成であって、最終的に前記一般式にて示
される組成となるように、それぞれの原料を配合せしめ
る必要がある。
う誘電体磁器を製造するに際しては、前記一般式：Ｂａ
x Ｍｇy Ｔａz Ｏw （ｘ、ｙ、ｚ、ｗは、前記規定の通
りである）で表される組成を有する誘電体磁器を与える
ように、ＢａＯ源原料、ＭｇＯ源原料及びＴａ2 Ｏ5 源
原料が調合されて、原料組成物が調製されることとなる
が、本発明で重要なことは、誘電体磁器の出来上がり
（焼成後）の組成であって、最終的に前記一般式にて示
される組成となるように、それぞれの原料を配合せしめ
る必要がある。
【００１５】従って、例えば、長時間の焼成を行なう場
合、焼成中に誘電体磁器の組成が変化し、そしてその組
成が変化した結果、焼成時間によってＱ値が異なるとい
う結果が生じることがあるところから、そのような焼成
時における変化を見越して、原料組成物が調合せしめら
れる必要があるのである。また、後述するように、原料
組成物の組成が、前記一般式にて規定される組成（最終
組成）と異なっていても、焼成時において、それを補う
ような組成の粉末等の材料を、焼成るつぼの如き焼成容
器内に投入して、出来上がりの組成を、前記一般式にて
規定される組成範囲内に制御することも可能である。な
お、ここで用いられるＢａＯ源原料、ＭｇＯ源原料、Ｔ
2 Ｏ5 源原料は、何れも、Ｂａ、Ｍｇ、Ｔａの酸化物、
水酸化物の他、炭酸塩等の無機酸塩、酢酸塩等の有機酸
塩等の形態において用いられることとなる。
合、焼成中に誘電体磁器の組成が変化し、そしてその組
成が変化した結果、焼成時間によってＱ値が異なるとい
う結果が生じることがあるところから、そのような焼成
時における変化を見越して、原料組成物が調合せしめら
れる必要があるのである。また、後述するように、原料
組成物の組成が、前記一般式にて規定される組成（最終
組成）と異なっていても、焼成時において、それを補う
ような組成の粉末等の材料を、焼成るつぼの如き焼成容
器内に投入して、出来上がりの組成を、前記一般式にて
規定される組成範囲内に制御することも可能である。な
お、ここで用いられるＢａＯ源原料、ＭｇＯ源原料、Ｔ
2 Ｏ5 源原料は、何れも、Ｂａ、Ｍｇ、Ｔａの酸化物、
水酸化物の他、炭酸塩等の無機酸塩、酢酸塩等の有機酸
塩等の形態において用いられることとなる。
【００１６】そして、かかるＢａＯ源原料、ＭｇＯ源原
料及びＴａ2 Ｏ5 源原料からなる原料成分は、焼成条件
を考慮して、目的とする誘電体磁器組成を与えるように
調合され、混合粉砕せしめられて、均一な原料組成物と
された後、それには、従来と同様な仮焼操作が施される
こととなる。尤も、この仮焼工程においては、６００℃
〜９００℃の仮焼温度を採用して、１分間以上、好まし
くは１時間〜４時間の仮焼操作を実施することが望まし
く、これによって、本発明の目的とする特性を有利に実
現せしめることが出来る。なお、仮焼温度が９００℃を
越えるようになると、仮焼物が固くなり、その粉砕工程
における玉石の摩耗等からの不純物の混入が惹起される
ようになる問題もあり、また、６００℃未満の仮焼で
は、焼結体に不均一が生じ、割れ等の問題も惹起される
ようになる。
料及びＴａ2 Ｏ5 源原料からなる原料成分は、焼成条件
を考慮して、目的とする誘電体磁器組成を与えるように
調合され、混合粉砕せしめられて、均一な原料組成物と
された後、それには、従来と同様な仮焼操作が施される
こととなる。尤も、この仮焼工程においては、６００℃
〜９００℃の仮焼温度を採用して、１分間以上、好まし
くは１時間〜４時間の仮焼操作を実施することが望まし
く、これによって、本発明の目的とする特性を有利に実
現せしめることが出来る。なお、仮焼温度が９００℃を
越えるようになると、仮焼物が固くなり、その粉砕工程
における玉石の摩耗等からの不純物の混入が惹起される
ようになる問題もあり、また、６００℃未満の仮焼で
は、焼結体に不均一が生じ、割れ等の問題も惹起される
ようになる。
【００１７】次いで、このようにして、仮焼して得られ
た仮焼物は、その後、常法に従って粉砕され、更に必要
に応じて造粒された後、所望の形状に成形され、そして
公知の焼成操作に従って焼成されることとなるが、その
際、望ましくは、焼成るつぼの如き焼成容器やセッター
等の部材は、非白金製とされ、焼成系内に白金材料が存
在しないようにされる。けだし、従来から高温で安定と
されている白金にあっても、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ
5 系誘電体磁器の焼成において採用される焼成温度、例
えば１５００〜１７００℃の高温の焼成温度下において
は、ある程度揮発して、誘電体磁器中に混入するように
なり、それが、誘電体磁器の特性に悪影響をもたらすか
らである。
た仮焼物は、その後、常法に従って粉砕され、更に必要
に応じて造粒された後、所望の形状に成形され、そして
公知の焼成操作に従って焼成されることとなるが、その
際、望ましくは、焼成るつぼの如き焼成容器やセッター
等の部材は、非白金製とされ、焼成系内に白金材料が存
在しないようにされる。けだし、従来から高温で安定と
されている白金にあっても、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ
5 系誘電体磁器の焼成において採用される焼成温度、例
えば１５００〜１７００℃の高温の焼成温度下において
は、ある程度揮発して、誘電体磁器中に混入するように
なり、それが、誘電体磁器の特性に悪影響をもたらすか
らである。
【００１８】従って、本発明にあっては、そのような白
金の混入を避け、誘電体磁器中に白金が実質的に含有さ
れないように、具体的には１ｐｐｍ以下の含有量とされ
ることが望ましく、これによって、得られる誘電体磁器
の特性が著しく向上せしめられ得るのである。特に、本
発明にあっては、そのような焼成系内に白金材料が存在
しないように、焼成るつぼの如き焼成容器としては、有
利には、セラミックス製容器が用いられ、またセッター
等にあっても、セラミックス製のものが有利に用いられ
るが、なかでも、高純度のマグネシアセラミックスから
なる焼成るつぼやセッターが有利に用いられることとな
る。
金の混入を避け、誘電体磁器中に白金が実質的に含有さ
れないように、具体的には１ｐｐｍ以下の含有量とされ
ることが望ましく、これによって、得られる誘電体磁器
の特性が著しく向上せしめられ得るのである。特に、本
発明にあっては、そのような焼成系内に白金材料が存在
しないように、焼成るつぼの如き焼成容器としては、有
利には、セラミックス製容器が用いられ、またセッター
等にあっても、セラミックス製のものが有利に用いられ
るが、なかでも、高純度のマグネシアセラミックスから
なる焼成るつぼやセッターが有利に用いられることとな
る。
【００１９】また、かかる焼成に際しては、長時間の焼
成によって、得られる誘電体磁器の組成が変化して、前
記した一般式にて規定される組成から外れる恐れがある
ところから、目的とする誘電体磁器を構成する成分若し
くはその原料又はその仮焼物若しくは焼成体の存在下に
おいて、焼成を行ない、その焼成雰囲気を調製すること
が望ましい。具体的には、焼成系内に、誘電体磁器を構
成するＢａ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｏの各成分が、単独で或いは
その原料の形態において、または誘電体磁器を与える仮
焼物の形態において、更には焼成された磁器そのものの
形態において、存在せしめられるのである。そして、そ
の存在によって、最終の誘電体磁器の組成が前記一般式
を満足するように制御されるのである。従って、目的と
する誘電体磁器を与える原料組成物の組成が最終の誘電
体磁器の組成範囲から外れていても、それを補うような
組成の誘電体磁器構成成分の粉末等の上記した材料を、
焼成るつぼの如き焼成容器内に投入して、焼成操作を実
施すれば、得られる誘電体磁器の出来上がりの組成を目
的とする範囲内に制御することが出来るのであり、これ
によって、そのＱ値を効果的に高めることが出来るので
ある。
成によって、得られる誘電体磁器の組成が変化して、前
記した一般式にて規定される組成から外れる恐れがある
ところから、目的とする誘電体磁器を構成する成分若し
くはその原料又はその仮焼物若しくは焼成体の存在下に
おいて、焼成を行ない、その焼成雰囲気を調製すること
が望ましい。具体的には、焼成系内に、誘電体磁器を構
成するＢａ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｏの各成分が、単独で或いは
その原料の形態において、または誘電体磁器を与える仮
焼物の形態において、更には焼成された磁器そのものの
形態において、存在せしめられるのである。そして、そ
の存在によって、最終の誘電体磁器の組成が前記一般式
を満足するように制御されるのである。従って、目的と
する誘電体磁器を与える原料組成物の組成が最終の誘電
体磁器の組成範囲から外れていても、それを補うような
組成の誘電体磁器構成成分の粉末等の上記した材料を、
焼成るつぼの如き焼成容器内に投入して、焼成操作を実
施すれば、得られる誘電体磁器の出来上がりの組成を目
的とする範囲内に制御することが出来るのであり、これ
によって、そのＱ値を効果的に高めることが出来るので
ある。
【００２０】かくして得られる前記一般式：Ｂａx Ｍｇ
y Ｔａz Ｏw で表される組成を有する本発明に従う誘電
体磁器は、従来から望ましいとされている化学量論的組
成（ｘ＝０．５００、ｙ＝０．１６７、ｚ＝０．３３
３）から僅かに外れ、その近傍組成：０．４９４≦ｘ＜
０．５００、０．１６１≦ｙ≦０．１６９、０．３３４
≦ｚ≦０．３４１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、好ましくは０．４
９６≦ｘ≦０．４９９、０．１６３≦ｙ≦０．１６８、
０．３３５≦ｚ≦０．３３９、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、更に好
ましくは０．４９７≦ｘ≦０．４９９、０．１６４≦ｙ
≦０．１６６、０．３３６≦ｚ≦０．３３８、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１なる、極めて狭い領域の組成（ここでは、ガラス
ビード法を用いた公知の蛍光Ｘ線分析手法にて分析され
る）を満たすようにされ、以て目的とする測定周波数が
１０ＧＨｚにおけるＱ値の著しい向上、即ち、かかるＱ
値が３００００以上、特に４００００を越え、５０００
０にも達するような特性を有する誘電体磁器を得ること
が出来ることとなったのである。
y Ｔａz Ｏw で表される組成を有する本発明に従う誘電
体磁器は、従来から望ましいとされている化学量論的組
成（ｘ＝０．５００、ｙ＝０．１６７、ｚ＝０．３３
３）から僅かに外れ、その近傍組成：０．４９４≦ｘ＜
０．５００、０．１６１≦ｙ≦０．１６９、０．３３４
≦ｚ≦０．３４１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、好ましくは０．４
９６≦ｘ≦０．４９９、０．１６３≦ｙ≦０．１６８、
０．３３５≦ｚ≦０．３３９、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、更に好
ましくは０．４９７≦ｘ≦０．４９９、０．１６４≦ｙ
≦０．１６６、０．３３６≦ｚ≦０．３３８、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１なる、極めて狭い領域の組成（ここでは、ガラス
ビード法を用いた公知の蛍光Ｘ線分析手法にて分析され
る）を満たすようにされ、以て目的とする測定周波数が
１０ＧＨｚにおけるＱ値の著しい向上、即ち、かかるＱ
値が３００００以上、特に４００００を越え、５０００
０にも達するような特性を有する誘電体磁器を得ること
が出来ることとなったのである。
【００２１】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示し、本発明を更
に具体的に明らかにすることとするが、本発明が、その
ような実施例の記載によって、何等の制約をも受けるも
のでないことは、言うまでもないところである。また、
本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発明の
趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づい
て、種々なる変更、修正、改良等を加え得るものである
ことが、理解されるべきである。
に具体的に明らかにすることとするが、本発明が、その
ような実施例の記載によって、何等の制約をも受けるも
のでないことは、言うまでもないところである。また、
本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発明の
趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づい
て、種々なる変更、修正、改良等を加え得るものである
ことが、理解されるべきである。
【００２２】先ず、高純度の炭酸バリウム、酸化マグネ
シウム及び酸化タンタルを、各焼成条件下、下記表１に
て示される最終の誘電体磁器組成を与える所定のモル比
となるように、それぞれ秤量し、ジルコニア玉石と共
に、エタノール中で湿式混合した後、乾燥せしめ、そし
てその乾燥物を、マグネシアるつぼ内で、８００℃×２
時間、仮焼した。次いで、この得られた仮焼物を、ジル
コニア玉石と共に、エタノール中で湿式粉砕せしめ、そ
して１００メッシュの篩を通して造粒した後、一軸プレ
ス装置を用いて仮成形し、更に、その得られた仮成形体
に対して、４トン／ｃｍ2 の荷重をかけて、ＣＩＰ成形
することにより、１２ｍｍ×５ｍｍの矩形の各種の成形
体を得た。
シウム及び酸化タンタルを、各焼成条件下、下記表１に
て示される最終の誘電体磁器組成を与える所定のモル比
となるように、それぞれ秤量し、ジルコニア玉石と共
に、エタノール中で湿式混合した後、乾燥せしめ、そし
てその乾燥物を、マグネシアるつぼ内で、８００℃×２
時間、仮焼した。次いで、この得られた仮焼物を、ジル
コニア玉石と共に、エタノール中で湿式粉砕せしめ、そ
して１００メッシュの篩を通して造粒した後、一軸プレ
ス装置を用いて仮成形し、更に、その得られた仮成形体
に対して、４トン／ｃｍ2 の荷重をかけて、ＣＩＰ成形
することにより、１２ｍｍ×５ｍｍの矩形の各種の成形
体を得た。
【００２３】次いで、このようにして得られた各種組成
の成形体について、次のような焼成操作を実施した。先
ず、実験Ｎo.１〜１５の成形体については、マグネシア
セラミックスからなる焼成るつぼを用い、その焼成るつ
ぼ内に、各成形体に用いた粉砕仮焼物をそれぞれ１００
ｇ程投入し、そしてその中のマグネシアセッター上に、
焼成されるべき成形体を載置して、１６００℃で２４時
間の焼成を行なった。また、実験Ｎo.１６の成形体の焼
成にあっては、１０００℃×２時間の仮焼工程を経た仮
焼物を用いて成形されてなる成形体を用いる以外は、実
験Ｎo.１〜１５の成形体と同様にして、誘電体磁器を製
造した。
の成形体について、次のような焼成操作を実施した。先
ず、実験Ｎo.１〜１５の成形体については、マグネシア
セラミックスからなる焼成るつぼを用い、その焼成るつ
ぼ内に、各成形体に用いた粉砕仮焼物をそれぞれ１００
ｇ程投入し、そしてその中のマグネシアセッター上に、
焼成されるべき成形体を載置して、１６００℃で２４時
間の焼成を行なった。また、実験Ｎo.１６の成形体の焼
成にあっては、１０００℃×２時間の仮焼工程を経た仮
焼物を用いて成形されてなる成形体を用いる以外は、実
験Ｎo.１〜１５の成形体と同様にして、誘電体磁器を製
造した。
【００２４】かくして得られた実験Ｎo.１〜１６の各種
の誘電体磁器（焼結体）について、その磁器組成を分析
すると共に、比誘電率、測定周波数が１０ＧＨｚにおけ
るＱ値及び焼結密度について評価し、それらの結果を、
下記表１に示した。なお、Ｑ値の測定は、両端短絡平行
導体板型誘電体共振器法によって行なった。また、誘電
体磁器が所定の組成になっているか、どうか、ガラスビ
ード法を用いた蛍光Ｘ線分析によって確認した。このと
きのガラスビードは、焼結体（誘電体磁器）を１００メ
ッシュ以下に粉砕し、その１ｇを８ｇの四ホウ酸リチウ
ムと共に１１５０℃で２０分間保持して加熱溶融せしめ
ることにより、ガラスを作製し、そしてその表面が平滑
になるように鏡面研磨したものである。このガラスビー
ドに対する蛍光Ｘ線分析において、マグネシウムにはＫ
α線を、またバリウムとタンタルにはＬα線を使用し
て、成分分析した。そして、あらかじめ高純度の試薬を
用いて作製したガラスビードで検量線を作成し、その検
量線と比較することにより、その組成を定量した。
の誘電体磁器（焼結体）について、その磁器組成を分析
すると共に、比誘電率、測定周波数が１０ＧＨｚにおけ
るＱ値及び焼結密度について評価し、それらの結果を、
下記表１に示した。なお、Ｑ値の測定は、両端短絡平行
導体板型誘電体共振器法によって行なった。また、誘電
体磁器が所定の組成になっているか、どうか、ガラスビ
ード法を用いた蛍光Ｘ線分析によって確認した。このと
きのガラスビードは、焼結体（誘電体磁器）を１００メ
ッシュ以下に粉砕し、その１ｇを８ｇの四ホウ酸リチウ
ムと共に１１５０℃で２０分間保持して加熱溶融せしめ
ることにより、ガラスを作製し、そしてその表面が平滑
になるように鏡面研磨したものである。このガラスビー
ドに対する蛍光Ｘ線分析において、マグネシウムにはＫ
α線を、またバリウムとタンタルにはＬα線を使用し
て、成分分析した。そして、あらかじめ高純度の試薬を
用いて作製したガラスビードで検量線を作成し、その検
量線と比較することにより、その組成を定量した。
【００２５】
【表１】
【００２６】かかる表１の結果から明らかな如く、前記
一般式におけるｘ、ｙ及びｚを満たす本発明に従う実験
Ｎo.２、５〜１０、１２、１３、１６の磁器組成物にあ
っては、何れも、Ｑ値が３００００以上、特に４０００
０以上、更には５００００を越える優れた特性を有する
ものであった。これに対して、前記一般式のｘ、ｙ及び
ｚの何れかを満たさない組成の実験Ｎo.１、３、４、１
１、１４、１５のものにあっては、Ｑ値の低いものとな
った。
一般式におけるｘ、ｙ及びｚを満たす本発明に従う実験
Ｎo.２、５〜１０、１２、１３、１６の磁器組成物にあ
っては、何れも、Ｑ値が３００００以上、特に４０００
０以上、更には５００００を越える優れた特性を有する
ものであった。これに対して、前記一般式のｘ、ｙ及び
ｚの何れかを満たさない組成の実験Ｎo.１、３、４、１
１、１４、１５のものにあっては、Ｑ値の低いものとな
った。
【００２７】また、上記と同様に仮焼した得られた仮焼
粉砕粉の組成が、下記表２に示されるものを用いて、上
記と同様にして得られた成形体（矩形板）について、焼
成時間を種々異ならしめて、上記と同様にして焼成し、
その得られた焼成体（誘電体磁器）について、Ｑ値及び
ｘ、ｙ、ｚの値について調べ、その結果を、下記表２に
示した。
粉砕粉の組成が、下記表２に示されるものを用いて、上
記と同様にして得られた成形体（矩形板）について、焼
成時間を種々異ならしめて、上記と同様にして焼成し、
その得られた焼成体（誘電体磁器）について、Ｑ値及び
ｘ、ｙ、ｚの値について調べ、その結果を、下記表２に
示した。
【００２８】
【表２】
【００２９】この表２の結果から明らかな如く、仮焼粉
砕粉、ひいては原料組成物の組成が最終の誘電体磁器組
成を外れていても、長時間の焼成操作を実施することに
よって、ｘ、ｙ及びｚの各値が本発明の規定範囲内とな
った場合においては、優れたＱ値が実現されるのであ
る。
砕粉、ひいては原料組成物の組成が最終の誘電体磁器組
成を外れていても、長時間の焼成操作を実施することに
よって、ｘ、ｙ及びｚの各値が本発明の規定範囲内とな
った場合においては、優れたＱ値が実現されるのであ
る。
【００３０】さらに、下記表３には、マグネシア製焼成
るつぼ内に、成形体と同一組成の仮焼粉砕粉を投入した
場合と、成形体とは異なる組成の仮焼粉砕粉を投入した
場合における得られた焼結体（誘電体磁器）の最終組成
並びにＱ値についての結果が示されているが、仮焼粉組
成、ひいては原料組成物組成が、本発明の範囲外であっ
ても、焼成るつぼ内に投入される仮焼粉砕粉の組成によ
っては、本発明の範囲内となる焼結体を得ることが出
来、それによって、得られた焼結体のＱ値も、効果的に
改善され得ることが認められる。
るつぼ内に、成形体と同一組成の仮焼粉砕粉を投入した
場合と、成形体とは異なる組成の仮焼粉砕粉を投入した
場合における得られた焼結体（誘電体磁器）の最終組成
並びにＱ値についての結果が示されているが、仮焼粉組
成、ひいては原料組成物組成が、本発明の範囲外であっ
ても、焼成るつぼ内に投入される仮焼粉砕粉の組成によ
っては、本発明の範囲内となる焼結体を得ることが出
来、それによって、得られた焼結体のＱ値も、効果的に
改善され得ることが認められる。
【００３１】
【表３】
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に従うＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器は、そ
の化学量論的組成の極く近傍の狭い領域の組成を満たす
ように調製された誘電体磁器であって、これにより、マ
イクロ波帯域において高いＱ値を有し、しかも大きな比
誘電率を有し、３０ＧＨｚを越えるような高い周波数帯
に特に有利に適用可能な誘電体磁器を与え得たところ
に、大きな技術的意義を有するものであり、またそのよ
うな優れた特徴を有する誘電体磁器は、特定の仮焼操作
を採用することにより、或いはそれと共に、若しくはそ
れに代えて、誘電体磁器構成成分若しくはその原料等の
存在下にて、焼成雰囲気を調整しつつ、焼成を行なうこ
とにより、工業的に有利に製造され得ることとなったの
であって、そこに、本発明の大きな技術的意義が存する
のである。
に従うＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器は、そ
の化学量論的組成の極く近傍の狭い領域の組成を満たす
ように調製された誘電体磁器であって、これにより、マ
イクロ波帯域において高いＱ値を有し、しかも大きな比
誘電率を有し、３０ＧＨｚを越えるような高い周波数帯
に特に有利に適用可能な誘電体磁器を与え得たところ
に、大きな技術的意義を有するものであり、またそのよ
うな優れた特徴を有する誘電体磁器は、特定の仮焼操作
を採用することにより、或いはそれと共に、若しくはそ
れに代えて、誘電体磁器構成成分若しくはその原料等の
存在下にて、焼成雰囲気を調整しつつ、焼成を行なうこ
とにより、工業的に有利に製造され得ることとなったの
であって、そこに、本発明の大きな技術的意義が存する
のである。
Claims (7)
- 【請求項１】 一般式：Ｂａx Ｍｇy Ｔａz Ｏw （但
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｗはＢａ、Ｍｇ、Ｔａの陽
イオンの合計の電荷を中和し、磁器全体として電気的に
中性とする数である）にて表される組成を有する誘電体
磁器であって、該式中、０．４９４≦ｘ＜０．５００、
０．１６１≦ｙ≦０．１６９、０．３３４≦ｚ≦０．３
４１であると共に、測定周波数が１０ＧＨｚにおけるＱ
値が３００００以上の特性を有する誘電体磁器。 - 【請求項２】 一般式：Ｂａx Ｍｇy Ｔａz Ｏw （但
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｗはＢａ、Ｍｇ、Ｔａの陽
イオンの合計の電荷を中和し、磁器全体として電気的に
中性とする数である）にて表される組成を有する誘電体
磁器であって、該式中、０．４９６≦ｘ≦０．４９９、
０．１６３≦ｙ≦０．１６８、０．３３５≦ｚ≦０．３
３９であると共に、測定周波数が１０ＧＨｚにおけるＱ
値が４００００以上の特性を有する誘電体磁器。 - 【請求項３】 一般式：Ｂａx Ｍｇy Ｔａz Ｏw （但
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｗはＢａ、Ｍｇ、Ｔａの陽
イオンの合計の電荷を中和し、磁器全体として電気的に
中性とする数である）にて表される組成を有する誘電体
磁器であって、該式中、０．４９７≦ｘ≦０．４９９、
０．１６４≦ｙ≦０．１６６、０．３３６≦ｚ≦０．３
３８であると共に、測定周波数が１０ＧＨｚにおけるＱ
値が５００００以上の特性を有する誘電体磁器。 - 【請求項４】 白金を実質的に含有していない請求項１
乃至３の何れかに記載の誘電体磁器。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の何れかに記載の誘電体
磁器を製造する方法にして、該誘電体磁器を与える原料
組成物を、６００℃〜９００℃の温度で、少なくとも１
分以上、保持することにより、仮焼せしめた後、セラミ
ックス製容器内において、焼成することを特徴とする誘
電体磁器の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至４の何れかに記載の誘電体
磁器を製造する方法にして、該誘電体磁器を与える原料
組成物を仮焼せしめた後、セラミックス製容器内におい
て、該誘電体磁器を構成する成分若しくはその原料又は
その仮焼物若しくは焼成体の存在下、焼成することを特
徴とする誘電体磁器の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至４の何れかに記載の誘電体
磁器を製造する方法にして、該誘電体磁器を与える原料
組成物を、６００℃〜９００℃の温度で、少なくとも１
分以上、保持することにより、仮焼せしめた後、セラミ
ックス製容器内において、該誘電体磁器を構成する成分
若しくはその原料又はその仮焼物若しくは焼成体の存在
下、焼成することを特徴とする誘電体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7342416A JPH09183656A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7342416A JPH09183656A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09183656A true JPH09183656A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=18353565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7342416A Pending JPH09183656A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09183656A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004315330A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
| US20160115084A1 (en) * | 2014-10-27 | 2016-04-28 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| EP3113189A1 (en) * | 2015-06-29 | 2017-01-04 | TDK Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| EP3113188A1 (en) * | 2015-06-29 | 2017-01-04 | TDK Corporation | Dielectric composition and electronic component |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP7342416A patent/JPH09183656A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004315330A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
| US20160115084A1 (en) * | 2014-10-27 | 2016-04-28 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| US9567263B2 (en) * | 2014-10-27 | 2017-02-14 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| EP3113189A1 (en) * | 2015-06-29 | 2017-01-04 | TDK Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| EP3113188A1 (en) * | 2015-06-29 | 2017-01-04 | TDK Corporation | Dielectric composition and electronic component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004277226A (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた誘電体共振器 | |
| JPH08319162A (ja) | 誘電体磁器及びその製造方法 | |
| JPH05345662A (ja) | フォルステライト磁器の作製方法 | |
| JPH02199052A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| EP0369768A2 (en) | Process for producing a dielectric ceramic | |
| JPH0542762B2 (ja) | ||
| JP2902923B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP2002068837A (ja) | 誘電体セラミック組成物の製造方法 | |
| Nurmi et al. | The effect of titanium excess and deficiency on the microstructure and dielectric properties of lanthanum doped Ba0. 55Sr0. 45TiO3 with colossal permittivity | |
| JPH0625025B2 (ja) | 誘電体磁器の製造方法 | |
| JPH04220905A (ja) | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 | |
| JPH0261762B2 (ja) | ||
| JPH101360A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3754780B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2842756B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH05194017A (ja) | 誘電体磁器の製造方法 | |
| JP2002255640A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04303512A (ja) | 誘電体磁器用仮焼物の製造方法 | |
| JP2001302331A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH09165260A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2887244B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH0977556A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH05109316A (ja) | マイクロ波用誘電体磁器の製造方法 | |
| JPH06275126A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2003300773A (ja) | 誘電体組成物および誘電体磁器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040902 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050329 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050927 |