JPH0311324A - 有機非線型光学材料 - Google Patents
有機非線型光学材料Info
- Publication number
- JPH0311324A JPH0311324A JP14520389A JP14520389A JPH0311324A JP H0311324 A JPH0311324 A JP H0311324A JP 14520389 A JP14520389 A JP 14520389A JP 14520389 A JP14520389 A JP 14520389A JP H0311324 A JPH0311324 A JP H0311324A
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- JP
- Japan
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- nonlinear optical
- optical
- formula
- mmol
- optical material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機非線型光学材料に関し、より詳しくは、
光素子、光情報処理、光通信、光計測、光集積回路など
光エレクトロニクス分野等に好適に利用することができ
る有機非線型光学材料に関する。
光素子、光情報処理、光通信、光計測、光集積回路など
光エレクトロニクス分野等に好適に利用することができ
る有機非線型光学材料に関する。
一般に、非線型光学材料は、光の電界の二乗あるいはそ
れ以上の累乗に比例する非線型応答を示す材料であって
、光高調波発生、光整流、光混合、光パラメトリツク増
幅、ポッケルス効果など様々な効果をもたらすことから
、近年光コンピューターや光エレクトロニクスなどの各
種素材として注目されている。また、高性能の光素子や
光集積回路の開発には、大きな光学的非線型性を有する
物質が不可欠である。
れ以上の累乗に比例する非線型応答を示す材料であって
、光高調波発生、光整流、光混合、光パラメトリツク増
幅、ポッケルス効果など様々な効果をもたらすことから
、近年光コンピューターや光エレクトロニクスなどの各
種素材として注目されている。また、高性能の光素子や
光集積回路の開発には、大きな光学的非線型性を有する
物質が不可欠である。
従来、このような非線型光学材料としては、主として無
機物、特に強誘電体が用いられてきた。
機物、特に強誘電体が用いられてきた。
しかし、このような無機系の非線型光学材料は、非線型
光学特性が十分でなく、また応答か遅いなどの問題があ
り、光情報処理や光集積回路などへの応用が困難である
。
光学特性が十分でなく、また応答か遅いなどの問題があ
り、光情報処理や光集積回路などへの応用が困難である
。
一方、近年に至って、有機系の非線型光学材料が多数開
発されてきている。しかしながら、加工性が悪いこと、
あるいは非線型光学特性が十分でないなどの理由により
、実用的な微小素子を得るには至っていないのが現状で
ある。
発されてきている。しかしながら、加工性が悪いこと、
あるいは非線型光学特性が十分でないなどの理由により
、実用的な微小素子を得るには至っていないのが現状で
ある。
非線型光学特性のうち、特に3次の非線型光学定数(γ
)については、これを測定した例は少ないが、例えばJ
、P、Hermann、 J、Ducuing、 J、
Appl。
)については、これを測定した例は少ないが、例えばJ
、P、Hermann、 J、Ducuing、 J、
Appl。
Phys、 45.5100 (1974)にはβ−
カロチンのγの測定値が1. I X 10−”esu
であることが記載されている。しかしながら、この程度
のγの値では、光コンピューターや光エレクトロニクス
の素材としては不十分であり、さらに大きいγ値を有す
る素材が要望されていた。
カロチンのγの測定値が1. I X 10−”esu
であることが記載されている。しかしながら、この程度
のγの値では、光コンピューターや光エレクトロニクス
の素材としては不十分であり、さらに大きいγ値を有す
る素材が要望されていた。
本発明は、前記事情に基づいてなされたもので、その目
的とするところは、3次の非線型光学定数が大きい有機
非線型光学材料を提供することを目的とする。
的とするところは、3次の非線型光学定数が大きい有機
非線型光学材料を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究を重
ねた結果、炭素−炭素二重結合と窒素含有複素環を二つ
有する特定な化合物が前記目的を満足することを見出し
、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
ねた結果、炭素−炭素二重結合と窒素含有複素環を二つ
有する特定な化合物が前記目的を満足することを見出し
、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、一般式
%式%
11i記の一般式で表される化合物の具体例としては、
次のような化合物を挙げることができる。
次のような化合物を挙げることができる。
で表される化合物からなることを特徴とする有機非線型
光学材料を提供するものである。
光学材料を提供するものである。
[式中、
R1は千CH2→「(但しtは4から6の整数)又は−
CHtCH20CH*C1b−であり、R1は炭素数、
1〜3のアルキル基であり、Xは一〇−1−S−1−3
e−及び−CH=CH−整数、mはO又は1であり、Z
−はCl−1Br−1■−1CH,<φΣ5Os−、C
H*5Oa−及びCIO,−から選ばれる陰イオンであ
る。] R1は具体的にはテトラメチレン基、ペンタメチレン基
、又はヘキサメチレン基である。また、R2としては例
えばメチル基、エチル基、プロピル基Hs CHI 上記化合物は大きな3次の非線型光学定数を有している
。ここで3次の非線型光学定数γの意義について若干の
説明を加えると、一般に光が物質に入射すると、光の電
界Eによって分極が生じ、その関係は次式 %式% で表される。ここでχ、は感受率、χ2は2次の非線型
光学定数、χ、は3次の非線型光学定数である。
CHtCH20CH*C1b−であり、R1は炭素数、
1〜3のアルキル基であり、Xは一〇−1−S−1−3
e−及び−CH=CH−整数、mはO又は1であり、Z
−はCl−1Br−1■−1CH,<φΣ5Os−、C
H*5Oa−及びCIO,−から選ばれる陰イオンであ
る。] R1は具体的にはテトラメチレン基、ペンタメチレン基
、又はヘキサメチレン基である。また、R2としては例
えばメチル基、エチル基、プロピル基Hs CHI 上記化合物は大きな3次の非線型光学定数を有している
。ここで3次の非線型光学定数γの意義について若干の
説明を加えると、一般に光が物質に入射すると、光の電
界Eによって分極が生じ、その関係は次式 %式% で表される。ここでχ、は感受率、χ2は2次の非線型
光学定数、χ、は3次の非線型光学定数である。
」−2関係式は巨視的な分極と電界の関係式であるが、
分子1個に対しても同様な式が成り立つと考えられる。
分子1個に対しても同様な式が成り立つと考えられる。
つまり、有機分子の微視的分極μは次式で表される。
μ=μ。+αE+βE2+γE1+吻φ・(式中、μ。
は永久双極子モーメント、Eは光による電界、αは分極
率、βは2次の非線型光学定数、γは3次の非線型光学
定数を示す。)本発明においてγは縮退四光波混合(D
FWM)により測定した。
率、βは2次の非線型光学定数、γは3次の非線型光学
定数を示す。)本発明においてγは縮退四光波混合(D
FWM)により測定した。
ここでDFWMについて簡単に説明すると、−般に、D
FWMは第1図に示したような配置で行われる。ここで
ポンプ光E、 、E、の強度は等しく、プローブ光E、
の強度より2〜3桁強くなっている。また、Et 、E
、の進行方向は正反対であり、Er SEb 、E−が
試料A中で重なるように配置しである。E、 SE、
、E、の波長は同じである。
FWMは第1図に示したような配置で行われる。ここで
ポンプ光E、 、E、の強度は等しく、プローブ光E、
の強度より2〜3桁強くなっている。また、Et 、E
、の進行方向は正反対であり、Er SEb 、E−が
試料A中で重なるように配置しである。E、 SE、
、E、の波長は同じである。
ここで、八が大きなχ、をもっていれば入射光によりA
中に誘起される3次の非線型分極p′″ゝによって、E
、と正反対の方向へ進行する位相共役波E lleが発
生する(第1図の破線)。この現象はDFWMと呼ばれ
ている。
中に誘起される3次の非線型分極p′″ゝによって、E
、と正反対の方向へ進行する位相共役波E lleが発
生する(第1図の破線)。この現象はDFWMと呼ばれ
ている。
位相共役波の反射率R2゜を
ポンプ光強度が弱く、R26が小さな領域では、Re−
〜I zs + ” (E、Eb )’ exp
(aL)x (1−exp (−aL))” /a”で
与えられることが知られている。
〜I zs + ” (E、Eb )’ exp
(aL)x (1−exp (−aL))” /a”で
与えられることが知られている。
ただし、αはAの吸収係数
りはAの光路長
(Caro、 R,G、; Gover、 M、C,、
IEEE J、 QuantumElectron、
甥」、 1376(’82))従って、Rpcとポン
プ光強度を測定すれば、両者の関係より試料Aのχ、が
求まる。
IEEE J、 QuantumElectron、
甥」、 1376(’82))従って、Rpcとポン
プ光強度を測定すれば、両者の関係より試料Aのχ、が
求まる。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
合成例1
2.3−ジメチルベンズオキサシリウムヨウ化物4g
(14,6ミリモル)、ジフェニルホルムアミジン2.
9g (14,6ミリモル)を無水酢酸8mlに懸濁
させ、140℃で20分加熱した。
(14,6ミリモル)、ジフェニルホルムアミジン2.
9g (14,6ミリモル)を無水酢酸8mlに懸濁
させ、140℃で20分加熱した。
室温まで放冷した後、エーテルを少量入れて放置したと
ころ、結晶が生じた。この結晶をろ別し、メタノール:
エーテル=1:1の混合物で洗浄して褐色粉末4.5g
(73%)を得た。
ころ、結晶が生じた。この結晶をろ別し、メタノール:
エーテル=1:1の混合物で洗浄して褐色粉末4.5g
(73%)を得た。
得られた褐色粉末0. 7g (1,6ミリモル)及び
モルホリン0. 3g (3,2ミリモル)をメタノー
ル20m1に溶かし、2時間還流した。生じた結晶をろ
別し、メタノールで洗浄して、淡黄色針状晶0.6g
(90%)を得た。このものは次に示す測定値から下記
の構造を有していることが判明した。
モルホリン0. 3g (3,2ミリモル)をメタノー
ル20m1に溶かし、2時間還流した。生じた結晶をろ
別し、メタノールで洗浄して、淡黄色針状晶0.6g
(90%)を得た。このものは次に示す測定値から下記
の構造を有していることが判明した。
m、凱259℃
λmax (logε) 350nm (4,8)
’H−NMR(60MHz : HMDS/DMSO−
di)3.8 s a、b、c 1
1.5 115.8 db
O,917,2〜7.8 me
4.0 ’ 4合成例2 2.3−ジメチルベンズオキサシリウムヨウ化物7g(
25ミリモル)、アニリノアクラルデヒドアニル5.7
g (25ミリモル:英国Laneaster社製)を
無水酢酸10m1に懸濁させた。140℃で20分加熱
した後、室温まで放冷して、生じた結晶をろ別し、メタ
ノールで洗浄して黄褐色針状晶7.5g (67%)を
得た。
’H−NMR(60MHz : HMDS/DMSO−
di)3.8 s a、b、c 1
1.5 115.8 db
O,917,2〜7.8 me
4.0 ’ 4合成例2 2.3−ジメチルベンズオキサシリウムヨウ化物7g(
25ミリモル)、アニリノアクラルデヒドアニル5.7
g (25ミリモル:英国Laneaster社製)を
無水酢酸10m1に懸濁させた。140℃で20分加熱
した後、室温まで放冷して、生じた結晶をろ別し、メタ
ノールで洗浄して黄褐色針状晶7.5g (67%)を
得た。
この結晶1g(2,2ミリモル)、モルホリン0、 2
3g (2,6ミリモル)をメタノール20m1に溶か
し1時間還流した。室温まで放冷して生じた結晶をろ別
し、メタノールで洗浄して橙色針状晶0.53g (6
1%)を得た。このものは次に示す測定値から下記の構
造を有していることが判明した。
3g (2,6ミリモル)をメタノール20m1に溶か
し1時間還流した。室温まで放冷して生じた結晶をろ別
し、メタノールで洗浄して橙色針状晶0.53g (6
1%)を得た。このものは次に示す測定値から下記の構
造を有していることが判明した。
m、 p、242℃
λwax (log e”) 450nm (5
,2)”H−NMR(60MHz : HMDS/DM
SO−da)3.7 s a、b、c
11.0 115.9 d d
1.9 2合成例3 2.3−ジメチルベンズオキサシリウムヨウ化物5g
(18,2ミリモル)、グルタコンアルデヒドシアニル
塩酸塩5.2g (18,2ミリモル)を無水酢酸10
+111に懸濁させ、140℃で20分加熱した。室温
まで放冷して、少量のエーテルを入れて放置したところ
、結晶が生じた。この結晶をろ別し、メタノールで洗浄
して褐色針状晶4g(47%)を得た。
,2)”H−NMR(60MHz : HMDS/DM
SO−da)3.7 s a、b、c
11.0 115.9 d d
1.9 2合成例3 2.3−ジメチルベンズオキサシリウムヨウ化物5g
(18,2ミリモル)、グルタコンアルデヒドシアニル
塩酸塩5.2g (18,2ミリモル)を無水酢酸10
+111に懸濁させ、140℃で20分加熱した。室温
まで放冷して、少量のエーテルを入れて放置したところ
、結晶が生じた。この結晶をろ別し、メタノールで洗浄
して褐色針状晶4g(47%)を得た。
この針状晶1g(2,1ミリモル)、モルホリン014
g (4,6ミリモル)をメタノール10@lに溶かし
40分還流した。室温まで放冷して生じた結晶をろ別し
、メタノールで洗浄して青紫色板状晶0.6g (67
%)を得た。このものは次に示す測定値から下記の構造
を有していることが判明した。
g (4,6ミリモル)をメタノール10@lに溶かし
40分還流した。室温まで放冷して生じた結晶をろ別し
、メタノールで洗浄して青紫色板状晶0.6g (67
%)を得た。このものは次に示す測定値から下記の構造
を有していることが判明した。
m、p、130℃
λmax (log ε)560nm (5,2)’
H−NMR(60MHz : HMDS/DMSO−d
a)δ値(ppm )分裂 帰属 積分比 理論比58
〜6.5 m 2.8 上記合成例及び上記合成例の方法に準じて合成した本発
明の化合物[ON+CH=CH−+−QS“トコ−J の収率を表1に、融点を表2に、DMSO中のλwax
/nm(logε)を表3に、γ値(532na+での
値)を表4に示す。
H−NMR(60MHz : HMDS/DMSO−d
a)δ値(ppm )分裂 帰属 積分比 理論比58
〜6.5 m 2.8 上記合成例及び上記合成例の方法に準じて合成した本発
明の化合物[ON+CH=CH−+−QS“トコ−J の収率を表1に、融点を表2に、DMSO中のλwax
/nm(logε)を表3に、γ値(532na+での
値)を表4に示す。
各化合物のχ、は次のようにして前記文献に記載された
方法に準拠して測定した。以下測定法について具体的に
説明する。第2図に光学機器の配置を示す。
方法に準拠して測定した。以下測定法について具体的に
説明する。第2図に光学機器の配置を示す。
試料としては、合成例により得られた化合物をジメチル
スルホ牛シト(DMSO)に10−6〜10−2Mの濃
度で溶かしたものを用い、これを石英セルに入れて(1
0)の位置に固定した。
スルホ牛シト(DMSO)に10−6〜10−2Mの濃
度で溶かしたものを用い、これを石英セルに入れて(1
0)の位置に固定した。
光源としてQスイッチYAGレーザ(1)の第二高調波
を用いた(λ〜532nm)。ポンプ光強度は、第2高
調波発生器(2)とハーフミラ−(3)の間にND (
Neutral Density)フィルターを挿入す
ることにより100 KW/cab”〜100MW/c
m”まで変化させることができる。
を用いた(λ〜532nm)。ポンプ光強度は、第2高
調波発生器(2)とハーフミラ−(3)の間にND (
Neutral Density)フィルターを挿入す
ることにより100 KW/cab”〜100MW/c
m”まで変化させることができる。
光源(1)から照射されたポンプ光をハーフミラ−(3
)で強度の同じ2つのビームに分け、その一方はミラー
(4)、偏光子(7)をへて試料(10)へ入射させる
。他方は、ミラー(4)、ビームスプリッタ−(5)、
遅延ライン(9)、偏光子(6)をへて試料(10)へ
入射させる。
)で強度の同じ2つのビームに分け、その一方はミラー
(4)、偏光子(7)をへて試料(10)へ入射させる
。他方は、ミラー(4)、ビームスプリッタ−(5)、
遅延ライン(9)、偏光子(6)をへて試料(10)へ
入射させる。
それぞれ第1図のポンプ光Eb、Etに相当する。
遅延ライン(9)を動かし、E、、E、が試料(10)
に同時に入射するようにした。プローブ光の強度IE、
!”はフォトダイオード(13)にて、発生した位相共
役波の強度I E、、 + 2は、ハーフミラ−(11
)、偏光子(12)をへて光電子増倍管(14)にて測
定した。
に同時に入射するようにした。プローブ光の強度IE、
!”はフォトダイオード(13)にて、発生した位相共
役波の強度I E、、 + 2は、ハーフミラ−(11
)、偏光子(12)をへて光電子増倍管(14)にて測
定した。
なお、本測定では熱誘起回折格子の影響を除くため、偏
光子を用いて、各ビーム間の偏光方向を以下のように設
定した。
光子を用いて、各ビーム間の偏光方向を以下のように設
定した。
Et//Eb 工 E、(E、。//E、)//:平
行、土:垂直 実際、下記文献1)を参考にして遅延ライン(9)を動
かし、位相共役波の強度と遅延時間の関係を調べること
により緩和時間の測定を行なったところ、少なくとも3
0psより速い過程であるとの結果を得た。
行、土:垂直 実際、下記文献1)を参考にして遅延ライン(9)を動
かし、位相共役波の強度と遅延時間の関係を調べること
により緩和時間の測定を行なったところ、少なくとも3
0psより速い過程であるとの結果を得た。
基準物質としては、下記文献2)によりχ3の値が知ら
れているC8.を用いた。
れているC8.を用いた。
C32zs 〜1.6X10−12esu(7値に換算
すると3. I X 10 ””’esu)文献1)
Kurokawa、 K、; Hattori、 T
、; KobayashiT、、 Phys、 Rev
、A36 、1298C87)文献2) Yariv
、 A、、 IEEE J、 Quantum Ele
ctron。
すると3. I X 10 ””’esu)文献1)
Kurokawa、 K、; Hattori、 T
、; KobayashiT、、 Phys、 Rev
、A36 、1298C87)文献2) Yariv
、 A、、 IEEE J、 Quantum Ele
ctron。
QE−14、650,(’78)
比較例としてC8,のγは3. I X 10−”es
uテあった。
uテあった。
表1
収率
(%)
表3
λmax/止(log
ε)
in DMSO
表2
表4
融点
(”C)
γ
〔発明の効果〕
本発明により3次の非線型光学定数の大きい有機非線型
光学材料が得られた。本発明の非線型光学材料は、光素
子、光情報処理、光通信、光計測、光集積回路等への応
用が可能である。
光学材料が得られた。本発明の非線型光学材料は、光素
子、光情報処理、光通信、光計測、光集積回路等への応
用が可能である。
第1図は、縮退四光波混合を説明するための説明図であ
り、第2図はχ、を測定するための装置の光学機器の配
置を示す説明図である。
り、第2図はχ、を測定するための装置の光学機器の配
置を示す説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表される化合物からなることを特徴とする有機非線型
光学材料。 [式中、 R^1は▲数式、化学式、表等があります▼(但しtは
4から6の整数である。)又は−CH_2CH_2OC
H_2CH_2−であり、R^1は炭素数1〜3のアル
キル基であり、Xは−O−、−S−、Se−及び−CH
=CH−から選ばれるものであり、Yは▲数式、化学式
、表等があります▼、−CH_2−C(CH_3)_2
−又は単結合であり、nは1〜4の整数であり、mは0
又は1であり、Z^−はCl^−、Br^−、I^−、
▲数式、化学式、表等があります▼、CH_2SO_4
^−及びClO_4^−から選ばれる陰イオンである。 )
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14520389A JPH0311324A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 有機非線型光学材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14520389A JPH0311324A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 有機非線型光学材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311324A true JPH0311324A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15379792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14520389A Pending JPH0311324A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 有機非線型光学材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311324A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0351828A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非線形光学材料組成物及びその製造方法 |
| WO2006035554A1 (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Adeka Corporation | 複素環化合物及び光学記録材料 |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14520389A patent/JPH0311324A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0351828A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非線形光学材料組成物及びその製造方法 |
| WO2006035554A1 (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Adeka Corporation | 複素環化合物及び光学記録材料 |
| JP2006089434A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Asahi Denka Kogyo Kk | 複素環化合物及び光学記録材料 |
| US7683184B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-23 | Adeka Corporation | Heterocyclic compounds and optical recording materials |
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