JPH03116045U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH03116045U JPH03116045U JP1990024708U JP2470890U JPH03116045U JP H03116045 U JPH03116045 U JP H03116045U JP 1990024708 U JP1990024708 U JP 1990024708U JP 2470890 U JP2470890 U JP 2470890U JP H03116045 U JPH03116045 U JP H03116045U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode body
- semiconductor substrate
- insulator
- lower electrode
- upper electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
- H10W72/07354—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/341—Dispositions of die-attach connectors, e.g. layouts
- H10W72/347—Dispositions of multiple die-attach connectors
Description
第１図は本考案の一実施例におけるスタツド型
半導体装置の断面図、第２図は本考案の異なる実
施例におけるスタツド型半導体装置の断面図、第
３図は第１図および第２図の本考案におけるスタ
ツド型半導体装置に冷却フインを取り付けた状態
を示す正面図、第４図は従来のスタツド型半導体
装置の断面図、第５図は第４図の従来のスタツド
型半導体装置に冷却フインを取り付けた状態を示
す正面図である。 １……上部電極体、１ＢＢ……鍔（上部電極体
の）、３……絶縁体、５……ダイオード（半導体
基体）、６……下部電極体、６Ｂ……鍔（下部電
極体の）、１１……シール部。
半導体装置の断面図、第２図は本考案の異なる実
施例におけるスタツド型半導体装置の断面図、第
３図は第１図および第２図の本考案におけるスタ
ツド型半導体装置に冷却フインを取り付けた状態
を示す正面図、第４図は従来のスタツド型半導体
装置の断面図、第５図は第４図の従来のスタツド
型半導体装置に冷却フインを取り付けた状態を示
す正面図である。 １……上部電極体、１ＢＢ……鍔（上部電極体
の）、３……絶縁体、５……ダイオード（半導体
基体）、６……下部電極体、６Ｂ……鍔（下部電
極体の）、１１……シール部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基体と、この半導体基体の下面電極に固
定された下部電極体と、この半導体基体の上面電
極に固定された上部電極体とからなり、前記上部
電極体と前記下部電極体の間が前記半導体基体お
よびその電極部を取り囲むよう絶縁体を介して気
密に結合されたスタツド型半導体装置において、 上記電極体および下部電極体はそれぞれ鍔付の
円柱形からなり、これらの鍔の間に半導体基体お
よびその電極部を取り囲む円筒形の絶縁体が設け
られ、その絶縁体の上端面は前記上部電極体の鍔
下面に気密に結合され、その絶縁体の下端面はこ
の下端面と前記下部電極体の鍔上面とのそれぞれ
に気密に接合されたリング状の金属からなり、そ
れらの外周部を溶接することにより形成されるシ
ール部を介して下部電極体に気密に結合されたこ
とを特徴とするスタツド型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990024708U JPH03116045U (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990024708U JPH03116045U (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116045U true JPH03116045U (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=31527664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990024708U Pending JPH03116045U (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116045U (ja) |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP1990024708U patent/JPH03116045U/ja active Pending