JPH0421913A - パターン形成方法及びこの方法を用いて形成した薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、微細な薄膜パターンを形成するためのパター
ン形成方法およびこの方法を用いて形成した薄膜磁気ヘ
ッドに係り、特に炭素膜の接着性が悪いために起こるパ
ターンの抜け、欠けまたは変形をなくすために好適なパ
ターン形成方法およびこの方法を用いて形成した薄膜磁
気ヘッドに関する。

［従来の技術］ 薄膜デバイスの製造プロセスにおいては、周知のように
、薄膜の微細加工にレジストを用いた、いわゆるフ第１
−エツチング技術が主として使われている。特に、近年
は加工寸法の微細化が進むにつれて、反応性イオンエツ
チングやイオンミリングなどのアンダカットの少ない加
工方法が用いられるようになって来ている。しかしなが
らこれらの方法は、寸法精度が優れている反面、エツチ
ング時にレジストが高エネルギーイオンによって損傷を
受けるため、耐エツチング性の大きなレジストが要求さ
れる。このため、種々のレジスト材料が開発されており
、例えばフェノールノボラック系ポリマを主成分とする
レジストなどは、比較的価れた耐エツチング性を有して
いる。

しかしながら、パターンの微細化の要求がさらに高まる
につれて、ますます耐エツチング性の優れたレジストが
要求される。例えば、Ａｒのイオンビーｌ＼を用いたイ
オンミリングの場合、公知のレジストではそのエツチン
グ速度が被加工材料に対して１以上であり、通常、被加
工材料の２倍以上の薄膜が必要となる。このことは、加
工精度を悪くする原因となる。

前述の問題点を解決するために、特開昭６３−７６４３
８号公報には、炭素質薄膜とケイ素を含有する有機高分
子薄膜から成る２層膜を用いてパターン形成を行う方法
が提案されている。

また、特開昭６３−１６８８１０号公報には、炭素とフ
ォトレジストの２層膜を用いて薄膜磁気ヘッドの磁性体
をパターン化する方法が提案されている。

［発明が解決しようとする課題］ 前記従来技術では、炭素質薄膜と被加工薄膜との間の接
着性が悪く、炭素質薄膜が加工工程中にはく離するとい
う問題があった。このため、パターンの抜け、欠けまた
は変形が生じ、パターン精度が悪くなるという問題があ
り、実用に供し得なかった。

本発明の第１の目的は、被加工薄膜と炭素質薄膜の間の
はく離を防止し、パターンの抜け、欠けまたは変形のな
いパターン形成方法を提供することにある。

また、本発明の第２の目的は、精度の高いパターンを形
成し得るパターン形成方法を提供することにある。

さらに、本発明の第３の目的は、第１層および第２層を
除去し、被加工薄膜にのみパターンを形成し得るパター
ン形成方法を提供することにある。

さらにまた、本発明の第４の目的は、段差を有する被加
工薄膜に対しても、抜け、欠けまたは変形がなく、精度
の高いパターンを形成し得るパターン形成方法を提供す
ることにある。

そして、本発明の第５の目的は、主として炭素から成る
層を含む接着材の優れた３膜層を用いて高精度パターン
を有する薄膜磁気ヘッドを提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 前記第１の目的は、基板上の被加工薄膜の上に珪素を含
む第１層を形成する工程と、該第１層の上に主として炭
素から成る第２層を形成する工程と、該第２層の上に珪
素を含む第３層を形成する工程と、該第３層の上に光ま
たは放射線に感応する有機高分子から成る第４層を形成
する工程と、該第４層に所定のパターンを形成する工程
と、該第４層に形成されたパターンをマスクとして前記
第３層をパターン化する工程と、前記第４層を除去する
工程と、前記第３層に形成されたパターンをマスクとし
て前記第２層をパターン化する工程と、前記第２層に形
成されたパターンをマスクとして前記第１層および被加
工薄膜をパターン化する工程とを有する方法により、達
成される。

前記第２の目的は、基板上の被加工薄膜の上に、該被加
工薄膜および次の第２層との接着性に優れた材料から成
る第１層を形成する工程と、該第１層の上にイオンミリ
ング速度が前記被加工薄膜より遅くかつ酸素を用いたド
ライエツチング速度が次の第３層より速い材料から成る
第２層を形成する工程と、該第２層の上に酸素を用いた
ドライエツチング速度が前記第２層より遅い材料から成
る第３層を形成する工程と、該第３層の上に光または放
射線に感応する有機高分子から成る第４層を形成する工
程と、該第４層に所定のパターンを形成する工程と、該
第４層に形成されたパターンをマスクとして前記第３層
をパターン化する工程と、前記第４層を除去する工程と
、前記第３層に形成されたパターンをマスクとして前記
第２層をパターン化する工程と、前記第２層に形成され
たパターンをマスクとして前記第１層および被加工薄膜
をパターン化する工程を有する方法により、達成される
。

前記第３の目的は、前記第２層に形成されたパターンを
マスクとして前記被加工薄膜に所定のパターンを形成す
る工程の後に、前記第１層および第２層を除去する工程
を有する方法により、達成される。

前記第４の目的は、段差を有する被加工薄膜にパターン
を形成することにより、達成される。

そして、前記第５の目的は、第１乃至第４の目的を達成
するパターン形成方法を用いて薄膜磁気ヘッドの１−ラ
ック部をパターン化することにより、達成される。

［作用コ 本発明では、主として炭素から成る第２層にレジストパ
ターンを転写し、この第２層のパターンをマスクとして
エツチングを行い、被加工薄膜に所定のパターンを形成
するものである。この場合、第２層は主として炭素から
成る層で形成されているため、イオンミリングなどの高
エネルギーイオンに対する耐性が高く、薄い膜で被加工
薄膜に対する十分なエツチング速度比（選択比）を取る
ことができる。また、第２層は酸素プラズマにより容易
にエツチングされるので、酸素プラズマによるエツチン
グ速度の遅い第３層と感光層である第４層と組み合わせ
ることで、容易に難加工材料の高精度パターン化が達成
できる。

また、本発明では第１層に珪素を含む材料を用いたので
、被加工薄膜と第２層（炭素）の間の接着性が向上する
。これにより、抜け、欠けまたは変形のないパターンを
形成することができるとともに、精度のよいフォトエツ
チングが可能である。

さらにまた、本発明では段差を有する被加工薄膜に対し
ても、パターンの抜け、欠けまたは変形がなく、精度の
高いパターンを形成することができる。

そして、本発明では本パターン形成方法を用いて薄膜磁
気ヘッドのトラック部をパターン化しているので、上部
コアのトラック部を抜け、欠けまたは変形がなく、かつ
精度の高いパターンで形成することができる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面により説明する。

第１図（ａ）〜（ｋ）は、本発明パターン形成方法の一
実施例を工程順に示した図である。

この第１図に示すように、この実施例では（ａ）〜（ｋ
）工程をもって構成されてる。

（ａ）工程では、基板１上に形成された被加工薄膜２の
上に、珪素を含む第１層３を形成する。

この第１層３は、例えば気相堆積法によって形成するこ
とができる。本発明で用いる気相堆積法としては、モノ
シランなどを原料とするプラズマＣＶＤなどの化学的気
相堆積法、珪素をターゲットとして用いるスパッタリン
グなどの物理的気相堆積法がある。

次に、（ｂ）工程では前記第１相３の上に主として炭素
から成る第２層４を形成する。この第２層４は、気相堆
積法で形成することができる。例えば、 ｉ）炭素と水素もしくは炭素と水素と酸素または炭素と
水素と窒素から構成される有機化合物の蒸気を原料とし
て用いるプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、光ＣＶＤなどの化
学的気相堆積法、 ｉｆ）前記ｉ）と同じ原料ガスをイオン化し、生じたイ
オンを電解により加速して基板に衝突させ、堆積させる
イオンビーム堆積法、 ■）グラファイトをターゲットとして用いるスパッタリ
ング法、 ｉｖ）グラファイトの蒸着法、 が挙げられる。

ついで、ＣＱ）工程では前記第２層４の上に、前記（ａ
）工程と全く同様にして、第３層５を形成する。

ついで、（ｄ）工程では前記第３層５の上に光または放
射線に感応する有機高分子から成る第４層６を形成する
。この第４層６を形成するには、層を構成すべき材料を
適当な溶剤に溶解した溶液を回転塗布等の方法で塗布し
、ついで乾燥して皮膜とする湿式塗布法や、有機高分子
の蒸気を原料として用いるプラズマ重合法、真空蒸着法
などの気相堆積法がある。被加工薄膜が段差を有する場
合は、気相堆積法を用いる方が均一な膜厚が得られるの
で、高精度パターン化のために望ましい。

湿式塗布法に用いる材料としては、いわゆるフォトレジ
ストであれば制限は無いが、フェノールノボラック樹脂
を成分に持つＦＯＰＲ（東京応化製）などが好適に用い
られる。

また、前記プラズマ重合により感光性または放射線感応
性を有する高分子を形成し得る有機化合物の例として、
メチルアクリレート、メチルメタクリレート、メチルイ
ソプロペニルケトン、スチレン、ｐ−クロルスチレン、
クロルメチルスチレン、アリルアクリレート、グリシジ
ルメタクリレートなどが挙げられる。

続いて、（ｅ）工程では前記第４層６の通常のリソグラ
フィー（露光、現像）工程によって所定のパターンに形
成する。

さらに、（ｆ）工程では前記第４層６に形成されたパタ
ーンをマスクとして第３層５をパターン化する。第３層
５が珪素のみから成るときは例えばＣＦ４を用いたドラ
イエツチングが好適に行われる。なお、ＣＦ４を用いた
ドライエツチングとしてはりアクティブイオンエツチン
グ（ＲＩＥ）が高精度パターン形成のために望ましい。

次に、（ｇ）工程では前記第４層６を除去する。

通常用いられるフォトレジストはく離剤で除去すること
が可能である。

ついで、（ｈ）工程では、前記第３層５に形成されたパ
ターンをマスクとして前記第２層４をパターン化する。

このパターン化には、酸素を用いたドライエツチング法
が用いられる。前記第３層５のエツチング速度が第２層
４のそれよりも速い場合は、マスクとなる第３層の膜厚
が被エツチング層である第２層４よりも厚くなり、高精
度パターン化が不利となるので、第３層５のエツチング
速度は少なくとも第２層４よりも遅いことが必要である
。

なお、酸素を用いたドライエツチングとしては、異方性
の優れたりアクティブイオンエツチング（ＲＩＥ）が望
ましい。

ついで、（ｉ）工程では前記第２層４に形成されたパタ
ーンをマスクとして第１層３をパターン化する。前記第
１層３が珪素のみから成るときは、例えばＣＦ、を用い
たドライエツチングによりパターンを形成する。

続いて、（ｊ）工程では前記第２層４および第１層３に
形成されたパターンをマスクにして被加工薄膜２をパタ
ーン化する。パターン化には、異方性の優れたイオンエ
ツチングやイオンミリングが用いられる。このとき、被
加工薄膜２のマスクになるのは、主として炭素から成る
第２層４である。したがって、前記（ｉ）工程を省略し
て、この（ｊ）工程のみで第１層３と被加工薄膜２とを
同時にエツチングすることも可能である。

最後に、（Ｋ）工程では前記第２層４および第１層３を
除去する。第２層の除去には、酸素を用いたドライエツ
チングが用いられ、第１層３の除去には、ＣＦ４等を用
いたドライエツチングが有効である。また、この（ｋ）
工程を行わずには、第２層と第１層を残したまま用いて
も支障がない場合は、この（ｋ）工程を省略することも
できる。

次に、具体的な実施例を挙げて説明する。

［実施例１コ 基板として直径３インチのシリコンウェハ上に、厚さ１
．５μｍのパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）膜をスパッタリン
グ法により形成し、被加工薄膜とした。

ついで、前記被加工薄膜であるパーマロイ膜の上に、厚
さ０．１μｍの珪素膜をスパッタレグ法により形成し、
第１層とした。

第２層は、次の手順で作成した。すなわち、ステンレス
製真空槽内部に半径１０Ｇの一対の円板状平行電極を有
し、その一方は高周波電源とマツチングボックスを介し
て電気的に接続され、他方は真空槽と共に設置された電
極構造を有するプラズマＣＶＤ装置の高周波印加側電極
上に、前記基板を設置し、基板を２００℃に加熱した。

真空槽をＩ　Ｘ　Ｉ　Ｑ−’ｐａの真空度まで排気した
のち、ｎ　−ヘキサンを１気圧換算で毎分１０ｍＱ供給
し、排気速度を調節して真空槽内の圧力を２．６Ｐａに
保った。次に、基板の設置側電極に周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、電力２００Ｗの高周波電力を印加してプラズマを
発生させ、この状態で２０分間保持したのち、高周波電
力の印加を止め、基板を取り出したところ、第２層とし
て厚さ０．９μｍのアモルファスカーボン層が形成され
た。

次に、前記第２層の上に、厚さ０．１μｍの珪素膜をス
パッタリング法によって形成し、第３層とした。

次に、前記第３層の上に市販のポジ形フォトレジスト（
東京応化層０ＦＰＲ−８００，１５ＣＰ）を回転塗布し
た後溶剤を発揮させ、厚さ１μｍの第４層を形成した。

前述の工程を経た基板に、５μｍのラインアンドスペー
スのパターンを有するフォトマスクを通して紫外光を８
０　ｍ　Ｊ　／ｒｙｌ　（３６５層ｍ）のエネルギーで
照射したのち、２．８％のテトラメチルアンモニウムヒ
ドロオキシド水溶液に２分間浸して現像し、第３層のパ
ターンを得た。

ついで、この基板を先の第２層を形成したときと同じ真
空装置の同じ電極側に設置し、真空排気の後、ＣＦ４（
５％酸素入り）を毎分５ｍΩの流量で導入し、内圧を５
Ｐａに保ち、高周波電力１００Ｗを５分間印加した。こ
のようにして、第３層の露出部分を除去し、第２層を露
出させた。

次に、この基板を８０℃のはく離液（東京応化層Ｓ−１
０）に１０分間浸漬し、第４層のパターンを除去した。

ついで、この基板を先の第２層を形成したときと同じ真
空装置、同じ電極側に設置し、真空排気ののち、酸素ガ
スを毎分５ｍＭで導入した内圧を１．３Ｐａとし、高周
波電力１００Ｗを３０分間印加した。

その後、真空槽内への酸素ガスの導入を止め、いったん
真空排気して、ＣＦ４を毎分５ｍ１２で導入し、内圧を
５Ｐａに保ち、再び１００Ｗの高周波電力を５ｍ１ｎ間
印加して第１層の露出部分を除去し、パーマロイ層を露
出させた。

次に、パーマロイのイオンミリングを以下の通りに行っ
た。基板を基板ホルダに設置し、加速電圧が７００Ｖ、
減速電圧が２００Ｖ、アーク電圧が８０Ｖ、Ａｒ流量が
毎分１５ｍｆｌ、イオン入射角が０度の条件で２０分間
イオンミリングを行い、露光した部分のパーマロイを除
去した。

以上のようにして、パターン化が終わった基板を顕微鏡
観察したところ、パーマロイと珪素、また珪素と炭素と
の間ではく離は全く認められなかった。

最後に、前記基板を先の第２層（炭素）および第１層（
珪素）のパターン化のときに用いられたものと同一装置
、同一条件で第２層パターンを除去し、ついで第１層パ
ターンを除去した。

全ての工程を終了したのち、パーマロイのパターン幅を
測定したところ、基板内分布が５±０゜２μｍの範囲に
あり、優れたパターン精度を有していた。また、パター
ン全面にわたって、抜け、欠けまたは変形は全く認めら
れなかった。

［実施例２］ 実施例１と全く同様にして、基板としてのシリコンウェ
ハ上に、厚さ１．５μｍのパーマロイパターン（幅５μ
ｍのラインアンドスペース）を形成した。ただし、この
実施例２の場合は、パーマロイのパターン化後に第１層
（珪素）と第２層（炭素）の除去は行わずに両層を残し
たまま、さらに第２層の上に基板加熱温度が２００℃の
条件でＡｌ２Ｏ３を１０μｍの厚さにスパッタリング法
で形成した。

この実施例２において、Ａｌ２Ｏ３膜形成後、基板を室
温に戻したのちも、パーマロイと珪素、また珪素と炭素
の間ではく離現象は認められなかった。また、パーマロ
イのパターンの基板内分布は５±０．３μｍであり、優
れた精度を有していた。

［実施例３］ 第４層の形成およびパターン化以外は、実施例１と全く
同様にしてパーマロイのパターンを形成した。第４層の
光または放射線に感応する有機高分子層として、プラズ
マ重合によるレジスト膜形成を行った。すなわち、実施
例１の第２層（炭素）の形成に用いたものと同一装置に
より以下に示す手順で厚さ０．５μｍの第３層を形成し
た。

基板を８０℃に加温した設置側電極に設置し、真空室内
を１ｘｌｏ４Ｐａまで排気したのち、メチルイソプロペ
ニルケトンを大気圧換算で毎分１０ｍＱ供給し、排気速
度で調整して内圧を１３．３Ｐａに保った。次に、設置
されていない側の電極に周波数１．３　、５６ＭＨｚ、
高周波電力８０Ｗを印加したプラズマを発生させ、２０
分間プラズマ重合した。

第３層のパターン化は、以下のようにして行った。すな
わち、５μｍのラインアンドスペースのパターンを有す
る石英マスクを通して遠紫外線を照射（照射エネルギー
：２５４ｎｍにおいて８０００ｍＪ／ｄ）し、水とイソ
プロピルアルコールの１＝４（体積比）の混合溶剤に浸
して現像し、第３層のパターンを得た。

この実施例３における全ての工程を終了したのち、パー
マロイのパターン幅を測定したところ、基板内分布が４
．７±０．３μｍであり、優れたパターン精度を有して
いた。また、基板の全面にわたってパターンの抜け、欠
けまたは変形は全く認められなかった。

［実施例４コ シリコンウェハ上に、厚さ１０μｍのポリイミド系樹脂
（日立化成１ＰｒＱ）を５μｍのラインアンドスペース
でパターンを形成し、これを基板として実施例３と全く
同様にしてパーマロイのパターンを得た。なお、このと
きのポリイミドパターンテーパ角は３７°±５°であっ
た。また、パーマロイのパターンはポリイミド系樹脂の
パターンに直交するように形成した。

この実施例４のパターン幅は、４．９±０．３μｍであ
り、優れた精度を有していた。また、パターンの抜け、
欠けまたは変形も認められなかった。

＝２０− ［実施例５］ ついで、第２図および第３図により、薄膜磁気ヘッドの
製造における１−ラック幅加工について、以下に詳述す
る。

非磁性基板７にパーマロイを１．５μｍの厚さにスパッ
タリングし、フォトエツチング技術によって下部コア層
８とする。次に、Ａ１２ｏ３をスパッタリングにより０
．５μｍの厚さに形成し、フォトエツチング技術を用い
てギャップ層９とする。続いて、ポリイミド系樹脂（日
立化成製ＰＩＱ）を回転塗布し、ついで加熱硬化し、フ
ォトエツチング技術によりパターン化して厚さ２μｍの
絶縁層１０とする。さらに、Ｃｕを１．５μｍの厚さに
スパッタリングで形成し、フォトエツチング技術を用い
てらせん状にパターン化し、コイル１１とする。

このコイル１１上に、ポリイミド系樹脂の絶縁膜を形成
し、厚さ２．５μｎ１の絶縁層１２とした。続いて、パ
ーマロイを１．５μｍの厚さにスパッタリングして一様
に上部コア層１３のパターン化を実施例３と全く同様に
して行った。すなわち、珪素３とＣ４と珪素５とプラズ
マ重合膜１３のパターンを形成した。上部コア層１３の
先端部の幅がトラック幅１４となるが、この基板内ばら
つきは１０±０．８μｍであり、高い加工精度を示した
。また、パターンの抜け、欠けまたは変形も認められな
かった。

最後に、保護膜（図示せず）としてＡ１２ｏ３を１０μ
ｍの厚さにスパッタリングして形成し、薄膜磁気ヘッド
を得た。保護膜形成の後も、パターンのはく離、抜け、
欠けまたは変形のいずれも認められなかった。

〔比較例］ 第１層の珪素を形成せずに、実施例５と全く同様にして
薄膜磁気ヘッドを作成した。このようにして作成した薄
膜磁気ヘッドは、上部コア層のイオンミリング時に炭素
と上部コア層の界面で一部はく離が発生し、所望の磁気
特性が得られなかった。

［発明の効果］ 以上説明した本発明の請求項１および請求項２記載の発
明によれば、第２層である炭素膜の接着性が悪いために
起る不具合を、接着性の優れた材料から成る第１層を用
いることにより解消し、はく離、抜け、欠けまたは変形
のないパターンを形成し、炭素膜の優れた耐イオンミリ
ング性を十分に生かした精度の高いパターンを形成し得
る効果がある。

また、本発明の請求項３記載の発明によれば、前記第２
層および第１層に形成されたパターンをマスクとして前
記被加工薄膜に所定のパターンを形成する工程の後に、
前記第１層および第２層を除去する工程を有しているの
で、第１層、第２層を除去して、被加工薄膜にのみパタ
ーンを形成し得る効果がある。

さらにまた、本発明の請求項４記載の発明によれば、段
差を有する被加工薄膜を対象として、前記請求項１〜３
のいずれかに記載の発明を適用することにより、前記段
差を有する被加工薄膜に、抜け、欠けまたは変形がなく
、かつ精度の高いパターンを形成し得る効果がある。

そして、本発明の請求項５記載の発明によれば、パター
ン形成方法を用いて薄膜磁気ヘッドのトラック部の抜け
、欠けまたは変形がなく、かつ精度の高いパターンを有
する薄膜磁気ヘッドを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｋ）は本発明パターン形成方法の一実
施例を示す工程図、第２図は本発明パターン形成方法を
用いて形成した薄膜磁気ヘッドの一例を示す一部縦断面
図であって、第３図のＡ−Ａ′切断拡大断面図、第３図
は同薄膜磁気ヘッドの一部平面図である。 １・・・基板、２・・・被加工薄膜、３・・・第１層、
４・・・第２層、５・・・第３層、６・・・第４層、７
・・・薄膜磁気ヘッド形成用非磁性基板、８・・・同下
部コア層、９・・・同ギャップ層、１０・・・同絶縁層
、１１・・・同コイル、１２・・・同絶縁層、１３・・
・同上部コア層、１４同１−ラック幅。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. １．基板上の被加工薄膜の上に珪素を含む第１層を形成
   する工程と、該第１層の上に主として炭素から成る第２
   層を形成する工程と、該第２層の上に珪素を含む第３層
   を形成する工程と、該第３層の上に光また放射線に感応
   する有機高分子から成る第４層を形成する工程と、該第
   ４層に所定のパターンを形成する工程と、該第４層に形
   成されたパターンをマスクとして前記第３層をパターン
   化する工程と、前記第４層を除去する工程と、前記第３
   層に形成されたパターンをマスクとして前記第２層をパ
   ターン化する工程と、前記第２層に形成されたパターン
   をマスクとして前記第１層および被加工薄膜をパターン
   化する工程とを有することを特徴とするパターン形成方
   法。
2. ２．基板上の被加工薄膜の上に、該被加工薄膜および次
   の第２層との接着性に優れた材料から成る第１層を形成
   する工程と、該第１層の上にイオンミリング速度が前記
   被加工薄膜より遅くかつ酸素を用いたドライエッチング
   速度が次の第３層より速い材料から成る第２層を形成す
   る工程と、該第２層の上に酸素を用いたドライエッチン
   グ速度が前記第２層より遅い材料から成る第３層を形成
   する工程と、該第３層の上に光または放射線に感応する
   有機高分子から成る第４層を形成する工程と、該第４層
   に所定のパターンを形成する工程と、該第４層に形成さ
   れたパターンをマスクとして前記第３層をパターン化す
   る工程と、前記第４層を除去する工程と、前記第３層に
   形成されたパターンをマスクとして前記第２層をパター
   ン化する工程と、前記第２層に形成されたパターンをマ
   スクとして前記第１層および被加工薄膜をパターン化す
   る工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
3. ３．請求項１または２記載のパターン形成方法において
   、前記第２層に形成されたパターンをマスクとして前記
   被加工薄膜に所定のパターンを形成する工程の後に、前
   記第１層および第２層を除去する工程を有することを特
   徴とするパターン形成方法。
4. ４．請求項１、２または３記載のパターン形成方法にお
   いて、段差を有する被加工薄膜にパターンを形成するこ
   とを特徴とするパターン形成方法。
5. ５．請求項１乃至４記載のパターン形成方法を用いて薄
   膜磁気ヘッドのトラック部をパターン化したことを特徴
   とする薄膜磁気ヘッド。