JPH03120701A - 正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタInfo
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- JPH03120701A JPH03120701A JP1258518A JP25851889A JPH03120701A JP H03120701 A JPH03120701 A JP H03120701A JP 1258518 A JP1258518 A JP 1258518A JP 25851889 A JP25851889 A JP 25851889A JP H03120701 A JPH03120701 A JP H03120701A
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- 150000002500 ions Chemical group 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910004481 Ta2O3 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019714 Nb2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical group [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(III) oxide Inorganic materials O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は常温で極めて低い抵抗値を有する正特性サーミ
スタに関する。
スタに関する。
(従来の技術)
キュリー温度をこえると急激に抵抗値が増大する正特性
サーミスタは、BaTiO3に8rTiO3やPbTi
O3等を混合して焼成する。キュリー温度を変えるには
種々の添加物を調合する。
サーミスタは、BaTiO3に8rTiO3やPbTi
O3等を混合して焼成する。キュリー温度を変えるには
種々の添加物を調合する。
(発明の解決すべき課題)
キュリー温度以下の常温域で比抵抗は20〜50Ω・儂
が下限であシ、これ以下には不可能であった。正特性サ
ーミスタの構成イオン群である、(Ba、5rpb+2
)サイトとTl+4サイトそしてo2 サイトのう
ち、少なくとも二つ以上のサイトに属する各イオンを適
当なイオン群によって適量置換すれば、常温域で著るし
く比抵抗が低い正特性サーミスタが得られたという、知
見に基ついて、本発明は案出された。
が下限であシ、これ以下には不可能であった。正特性サ
ーミスタの構成イオン群である、(Ba、5rpb+2
)サイトとTl+4サイトそしてo2 サイトのう
ち、少なくとも二つ以上のサイトに属する各イオンを適
当なイオン群によって適量置換すれば、常温域で著るし
く比抵抗が低い正特性サーミスタが得られたという、知
見に基ついて、本発明は案出された。
(手段)
Ba T Io 3f主成分とし、これにS r T
+ 03および(あるいは) P b T J Oaを
混合したものをベースとし、このベースを構成するイオ
ン群を、(Ba 、Sr 、Pb)サイト、T1
サイト、0 サイトに分類し、少なくとも二つ以上の
サイトの一部イオンを、イオン半径が比較的近くかつ原
子価が1つ異なるイオンで同時に置換する。(Ba
、Sr 、Pb )サイトに対しては、(La+
3. Ce+3. Sb+3. Dy+3. Y+3.
8m+3)イオン群あるいは(K+1 、 Na+1
)イオン群が選択され、T+ サイトに対しては、(
W 、Ta 、Nb■+5)イオン群あるいは(C
r 、Co )イオン群、0 サイトに対しては(
Br 、I 、C−e 、F )イオン群が選
択される。Ba 群サイトの一部置換に使用されるL
a イオン群は、1つ以上を酸化物の形で0.01
〜1.0%(重量)混合される。同じくBa+2群サイ
トの一部置換に使用されるに+1イオン群も1つ以上を
酸化物の形で0.01〜0.8%混合される。Ti+4
サイトの一部置換に使用されるW+5イオン群あるいは
Cr+3イオン群は、1つ以上を酸化物の形で帆01〜
0.8%混合される。最後のOサイトの一部置換に使用
される計 イオノ群は、CaBr2、Ba I 2、S
IC−1) <、BaF2の形で1〜5%混合される
。
+ 03および(あるいは) P b T J Oaを
混合したものをベースとし、このベースを構成するイオ
ン群を、(Ba 、Sr 、Pb)サイト、T1
サイト、0 サイトに分類し、少なくとも二つ以上の
サイトの一部イオンを、イオン半径が比較的近くかつ原
子価が1つ異なるイオンで同時に置換する。(Ba
、Sr 、Pb )サイトに対しては、(La+
3. Ce+3. Sb+3. Dy+3. Y+3.
8m+3)イオン群あるいは(K+1 、 Na+1
)イオン群が選択され、T+ サイトに対しては、(
W 、Ta 、Nb■+5)イオン群あるいは(C
r 、Co )イオン群、0 サイトに対しては(
Br 、I 、C−e 、F )イオン群が選
択される。Ba 群サイトの一部置換に使用されるL
a イオン群は、1つ以上を酸化物の形で0.01
〜1.0%(重量)混合される。同じくBa+2群サイ
トの一部置換に使用されるに+1イオン群も1つ以上を
酸化物の形で0.01〜0.8%混合される。Ti+4
サイトの一部置換に使用されるW+5イオン群あるいは
Cr+3イオン群は、1つ以上を酸化物の形で帆01〜
0.8%混合される。最後のOサイトの一部置換に使用
される計 イオノ群は、CaBr2、Ba I 2、S
IC−1) <、BaF2の形で1〜5%混合される
。
二原子側制御例としては、Ba 群サイトに対して、
La+3イオン群で一部置換し、同時に、T1+4サイ
トに対して、W+5イオン群で一部置換する方法や、B
a+2群サイトに対するLa イオン群による一部
置換と、同時に、0−2サイトに対してBr−当オン群
による一部置換する方法が採用される。三原予価制御例
としては、 Ba 群サイトに対するLa イオノ
群による一部置換と、T+ サイトに対するW イオ
ノ群による一部置換と、o2サイトに対するBr−”イ
オン群による一部置換する方法が採用される。
La+3イオン群で一部置換し、同時に、T1+4サイ
トに対して、W+5イオン群で一部置換する方法や、B
a+2群サイトに対するLa イオン群による一部
置換と、同時に、0−2サイトに対してBr−当オン群
による一部置換する方法が採用される。三原予価制御例
としては、 Ba 群サイトに対するLa イオノ
群による一部置換と、T+ サイトに対するW イオ
ノ群による一部置換と、o2サイトに対するBr−”イ
オン群による一部置換する方法が採用される。
これら二原子価制御あるいは三原予価制御のいづれにお
いでも、更に5IO2とM n O2を夫々0.01〜
5%混合して焼成する。
いでも、更に5IO2とM n O2を夫々0.01〜
5%混合して焼成する。
(実施例)
BaTiO3を95重量部、5rT103を5重量部、
Ba+2群サイトに対する一部置換材料として5b20
3e o、 1重量部、T+ サイトに対する一部置
換材料としてTa2O3を0.03重量部、そして、M
nO2を帆1重量部、S + 02 ヲ0−4M’t
m トに混合し、200r/時間の割合で昇温し、13
3(I’で30分間保持し、1020Cまで1時間で冷
却する。焼成雰囲気は空気であるが3%の5ici4を
混入して、o2サイトにc−e’が一部置換するように
した。その結果、比抵抗は置換前は20Ω・傭だったも
のが、0.3Ω・crn(常温)になった。この正特性
サーミスタを10iI+II直径で長さが1鰭の円板に
成形すると、抵抗値は0.060になる。リバンプルヒ
ューズとして採用しえる低抵抗値である。
Ba+2群サイトに対する一部置換材料として5b20
3e o、 1重量部、T+ サイトに対する一部置
換材料としてTa2O3を0.03重量部、そして、M
nO2を帆1重量部、S + 02 ヲ0−4M’t
m トに混合し、200r/時間の割合で昇温し、13
3(I’で30分間保持し、1020Cまで1時間で冷
却する。焼成雰囲気は空気であるが3%の5ici4を
混入して、o2サイトにc−e’が一部置換するように
した。その結果、比抵抗は置換前は20Ω・傭だったも
のが、0.3Ω・crn(常温)になった。この正特性
サーミスタを10iI+II直径で長さが1鰭の円板に
成形すると、抵抗値は0.060になる。リバンプルヒ
ューズとして採用しえる低抵抗値である。
他の実施例として、Ba 群サイトに対する一部置換
材料としてDy2O3を帆05%、T+ サイトに対
する一部置換材料としてTa2O3を帆05%添加し、
その他の材料や焼成条件(ただし、SiC/?4は混入
せず空気のみ)を上記実施例と同じにした場合、得られ
た正特性サーミスタの比抵抗は5Ω・儂であった。
材料としてDy2O3を帆05%、T+ サイトに対
する一部置換材料としてTa2O3を帆05%添加し、
その他の材料や焼成条件(ただし、SiC/?4は混入
せず空気のみ)を上記実施例と同じにした場合、得られ
た正特性サーミスタの比抵抗は5Ω・儂であった。
更に別の実施例として、Ba 群サイトに対する一部
置換材料としてY2O3を帆05%、TI サイトに
対する一部置換材料としてNb2O3を帆05%、0−
2サイトに対する一部置換材料としてB a F 2
f帆05%添加したものは、比抵抗が0.30・鑞であ
った。
置換材料としてY2O3を帆05%、TI サイトに
対する一部置換材料としてNb2O3を帆05%、0−
2サイトに対する一部置換材料としてB a F 2
f帆05%添加したものは、比抵抗が0.30・鑞であ
った。
(効果)
要するに、本発明はB a T IO3に5rT103
および(あるいは) PbTiO3を混合したものをベ
ースとし、これに、Ba 群サイトに対する一部置換
材料としてLa+3イオン群やK イオン群、T+
サイトに対する一部置換材料としてW+5イオン群やC
r+3イオン群、0−2サイトに対する一部置換材料と
してBr イオン群を添加して焼成したため、常温
域では著るしく比抵抗の小さい正特性サーミスタを提供
できる。
および(あるいは) PbTiO3を混合したものをベ
ースとし、これに、Ba 群サイトに対する一部置換
材料としてLa+3イオン群やK イオン群、T+
サイトに対する一部置換材料としてW+5イオン群やC
r+3イオン群、0−2サイトに対する一部置換材料と
してBr イオン群を添加して焼成したため、常温
域では著るしく比抵抗の小さい正特性サーミスタを提供
できる。
Claims (10)
- (1)BaTiO_3にSrTiO_3および(あるい
は)PbTiO_3を混合したものをベースとし、更に
、(Ba^+^2,Sr^+^2,Pb^+^2)サイ
ト、Ti^+^4サイト、そしてO^−^2サイトのう
ち、少なくとも二つ以上のサイトの一部を、各サイトの
置換すべきイオン半径に比較的近くかつ原子価が1つ異
なるイオンで同時に置換してなる、正特性サーミスタ。 - (2)(Ba^+^2、Sr^+^2,Pb^+^2)
サイトに対して、(La^+^3,Ce^+^3,Sb
^+^3,Dy^+^3,Y^+^3,Sm^+^3)
のうち1つ以上を酸化物の形で0.01〜1.0%混合
して焼成する、請求項(1)記載の正特性サーミスタ。 - (3)(Ba^+^2,Sr^+^2,Pb^+2)サ
イトに対して、(K^+^1,Na^+^1)のうち1
つ以上を酸化物の形で0.01〜0.8%混合して焼成
する、請求項(1)記載の正特性サーミスタ。 - (4)Ti^+^4サイトに対して、(W^+^5,T
a^+^5,Nb^+^5,V^+^5)のうち1つ以
上を酸化物の形で0.01〜0.8%混合して焼成する
、請求項(1)記載の正特性サーミスタ。 - (5)O^−^2サイトに対して、(Br^−^1,I
^−^1,Cl^−^1,F^−^1)のうち1つ以上
をCaBr_2、BaI_2、SiCl_4、BaF_
2の形で1〜5%混合して焼成する、請求項(1)記載
の正特性サーミスタ。 - (6)(Ba^+^2,Sr^+^2,Pb^+^2)
サイトに対して、(La^+^3,Ce^+^3,Sb
^+^3,Dy^+^3,Y^+^3,Sm^+^3)
のうち1つ以上を酸化物の形で0.01〜1.0%混合
し、Ti^+^4サイトに対して、(W^+^5,Ta
^+^5,Nb^+^5,V^+^5)のうち1つ以上
を酸化物の形で0.01〜0.8%混合し焼成する、請
求項(1)記載の正特性サーミスタ。 - (7)O^−^2サイトに対して、(Br^+^1,I
^−^1,Cl^+^1,F^−^1)のうち1つ以上
をCaBr_2、BaI_2、SiC_4、BaF_2
の形で1〜5%混合して焼成する、請求項(6)記載の
正特性サーミスタ。 - (8)(Ba^+^2,Sr^+^2,Pb^+^2)
サイトに対して、(La^+^3,Ce^+^3,Sb
^+^3,Dy^+^3,Y^+^3,Sm^+^3)
のうち1つ以上を酸化物の形で0.01〜1.0%混合
し、O^−^2サイトに対して、(Br^−^1,I^
−^1,Cl^+^1,F^−^1)のうち1つ以上を
CaBr_2、BaI_2、SiCl_4、BaF_2
の形で1〜5%混合して焼成する、請求項(1)記載の
正特性サーミスタ。 - (9)SiO_2とMnO_2を夫々0.01〜5%添
加する、請求項(6)、(7)、(8)記載の正特性サ
ーミスタ。 - (10)Ti^+^4サイトに対して、(Cr^+^3
,Co^+^3)のうち1つ以上を酸化物の形で0.0
1〜0.8%混合して焼成する、請求項(1)記載の正
特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1258518A JPH03120701A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | 正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1258518A JPH03120701A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | 正特性サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120701A true JPH03120701A (ja) | 1991-05-22 |
Family
ID=17321326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1258518A Pending JPH03120701A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | 正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03120701A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205343A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Tdk Corp | 積層型サーミスタの製造方法 |
| JP2008210907A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Tdk Corp | 積層型サーミスタおよびその製造方法 |
| JP2012060099A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-22 | Leader Well Technology Co Ltd | 高温動作酸化亜鉛サージ防止素子 |
-
1989
- 1989-10-03 JP JP1258518A patent/JPH03120701A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205343A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Tdk Corp | 積層型サーミスタの製造方法 |
| JP2008210907A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Tdk Corp | 積層型サーミスタおよびその製造方法 |
| JP2012060099A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-22 | Leader Well Technology Co Ltd | 高温動作酸化亜鉛サージ防止素子 |
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