JPH0312093A - 磁気記憶素子およびその形成方法 - Google Patents
磁気記憶素子およびその形成方法Info
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- JPH0312093A JPH0312093A JP1144896A JP14489689A JPH0312093A JP H0312093 A JPH0312093 A JP H0312093A JP 1144896 A JP1144896 A JP 1144896A JP 14489689 A JP14489689 A JP 14489689A JP H0312093 A JPH0312093 A JP H0312093A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、不揮発生の超高密度固体磁気記憶素子に関す
る。
る。
（従来技術とその問題点）
膜面に垂直方向を磁化容易方向とする強磁性体（フェリ
磁性体も含む）膜に存在するストライプドメインの周囲
のブロッホ磁壁中に作った相隣る２本のＶＢＬからなる
ＶＢＬ対を記憶単位として用いる磁気記憶素子において
、前記ストライプドメイン保持層表面に前記ストライプ
ドメインを安定化したい領域にわたって選択的に溝掘り
して、溝の中に前記ストライプドメインをリング状スト
ライプドメインの形で安定化させていた。その構成の概
略を説明する。第３図に示すストライプドメイン保持層
１の表面にストライプドメインをリング状に保持したい
部分だけ選択的に溝掘りして溝３をつける。この幅はス
トライプドメインの自然幅Ｗ０（無磁界状態での幅）よ
り大きく、かつ２Ｗ０以下程度とする。
磁性体も含む）膜に存在するストライプドメインの周囲
のブロッホ磁壁中に作った相隣る２本のＶＢＬからなる
ＶＢＬ対を記憶単位として用いる磁気記憶素子において
、前記ストライプドメイン保持層表面に前記ストライプ
ドメインを安定化したい領域にわたって選択的に溝掘り
して、溝の中に前記ストライプドメインをリング状スト
ライプドメインの形で安定化させていた。その構成の概
略を説明する。第３図に示すストライプドメイン保持層
１の表面にストライプドメインをリング状に保持したい
部分だけ選択的に溝掘りして溝３をつける。この幅はス
トライプドメインの自然幅Ｗ０（無磁界状態での幅）よ
り大きく、かつ２Ｗ０以下程度とする。
この理由は溝が狭すぎると、ドメインが溝の中を安定性
よく伸びて行かない。また広すぎると、ドメインが内側
の膜厚段差境界から逃げ出したり、ドメインがもう１本
溝に入ったりする。溝の境界の内、境界４はその内側に
凸部が存在するため、リング状ストライプドメイン６の
内側磁壁を４に引きつける役目をし、境界５はリング状
ストライプドメイン６を初期設定するとき、内側磁壁が
４からあまり離れた状態にならないようにするためのガ
イドの役目をしている。さらに、４の境界をもつ凸部の
幅はＷ０以上にしておく必要がある。こうしておかない
と、ストライプドメイン６を溝の中にリング状に保持し
たとき、境界４を持つ凸部を挟む両側の直線状ドメイン
間の反発相互作用が強くなり、リング状ストライプドメ
インの内側磁壁が境界４直下にしっかり固定されなくな
る。以上の条件を満たすように溝３をつけると、ストラ
イプドメインは第３図の６に示すように溝掘り境界４を
内側径とするリング状に固定される。このようにストラ
イプドメインを保持すると、リング状ドメインの外側の
磁壁（境界４から離れて存在する磁壁）部のポテンシャ
ルウェルは主にストライプドメイン幅から決る反磁界効
果によって定まり、溝掘り部境界の微細なでき上がりむ
らに影響されなくなる。このような磁壁に外部印加パル
スバイアス磁界を加えた場合の磁壁移動は磁壁７の全体
に亘って均一となる。したがって、この磁壁の中にＶＢ
Ｌ対の有無の形で記憶した情報をドメイン保持用の静バ
イアス磁界１６と同じ方向にパルスバイアス磁界を印加
して、生じるジャイロ力を利用してＶＢＬ対を移動させ
る際に、その移動量をパルスバイアス磁界形状によって
制御することが容易になる。図中８．９はそれぞれドメ
イン内外の磁化の向きである。
よく伸びて行かない。また広すぎると、ドメインが内側
の膜厚段差境界から逃げ出したり、ドメインがもう１本
溝に入ったりする。溝の境界の内、境界４はその内側に
凸部が存在するため、リング状ストライプドメイン６の
内側磁壁を４に引きつける役目をし、境界５はリング状
ストライプドメイン６を初期設定するとき、内側磁壁が
４からあまり離れた状態にならないようにするためのガ
イドの役目をしている。さらに、４の境界をもつ凸部の
幅はＷ０以上にしておく必要がある。こうしておかない
と、ストライプドメイン６を溝の中にリング状に保持し
たとき、境界４を持つ凸部を挟む両側の直線状ドメイン
間の反発相互作用が強くなり、リング状ストライプドメ
インの内側磁壁が境界４直下にしっかり固定されなくな
る。以上の条件を満たすように溝３をつけると、ストラ
イプドメインは第３図の６に示すように溝掘り境界４を
内側径とするリング状に固定される。このようにストラ
イプドメインを保持すると、リング状ドメインの外側の
磁壁（境界４から離れて存在する磁壁）部のポテンシャ
ルウェルは主にストライプドメイン幅から決る反磁界効
果によって定まり、溝掘り部境界の微細なでき上がりむ
らに影響されなくなる。このような磁壁に外部印加パル
スバイアス磁界を加えた場合の磁壁移動は磁壁７の全体
に亘って均一となる。したがって、この磁壁の中にＶＢ
Ｌ対の有無の形で記憶した情報をドメイン保持用の静バ
イアス磁界１６と同じ方向にパルスバイアス磁界を印加
して、生じるジャイロ力を利用してＶＢＬ対を移動させ
る際に、その移動量をパルスバイアス磁界形状によって
制御することが容易になる。図中８．９はそれぞれドメ
イン内外の磁化の向きである。
前記ストライプドメイン保持層表面に前記ストライプド
メインを安定化したい領域にわたって選択的に第１の溝
堀りをして、溝の中に前記ストライプドメインをリング
状ストライプドメインの形で安定化させ、さらにその溝
の外側をもう一段掘った第２の溝領域を持っている。
メインを安定化したい領域にわたって選択的に第１の溝
堀りをして、溝の中に前記ストライプドメインをリング
状ストライプドメインの形で安定化させ、さらにその溝
の外側をもう一段掘った第２の溝領域を持っている。
第２の溝掘り部の内側境界５はリング状ストライプドメ
イン６を境界５に寄せつけず、むしろ逆に境界４に押し
つけるような有効磁界を発生している。
イン６を境界５に寄せつけず、むしろ逆に境界４に押し
つけるような有効磁界を発生している。
そして、４の境界を持つ凸部の幅はＷ０以上にしておく
。こうしておかないと、ストライプドメイン６を溝の中
にリング状に保持した時、境界４を持つ凸部を挾む両側
の直線状ドメイン間の反発相互作用が強くなり、リング
状ストライプドメインの内側磁壁が境界４直下にしっか
り固定されなくなる。
。こうしておかないと、ストライプドメイン６を溝の中
にリング状に保持した時、境界４を持つ凸部を挾む両側
の直線状ドメイン間の反発相互作用が強くなり、リング
状ストライプドメインの内側磁壁が境界４直下にしっか
り固定されなくなる。
以上の方法でストライプドメイン安定化領域に溝３をつ
けると、ストライプドメインは第３図に６で示すように
、溝掘り境界４を内側径とするリング状に固定される。
けると、ストライプドメインは第３図に６で示すように
、溝掘り境界４を内側径とするリング状に固定される。
しかし、この方法では信頼性に問題が残った。ドメイン
を接合する導体線２３が第２の溝の内側境界５を横切っ
ているため、所定の場所１４でドメインを結合しようと
して導体線２３に電流を与えると、その磁界によって、
接合しようとしたドメインの外側磁壁の一部が第２の溝
に落ち込んでしまう現象がしばしばでてきた。−旦ドメ
インが溝に落ち込むと、もとの状態に戻すことは不可能
であった。
を接合する導体線２３が第２の溝の内側境界５を横切っ
ているため、所定の場所１４でドメインを結合しようと
して導体線２３に電流を与えると、その磁界によって、
接合しようとしたドメインの外側磁壁の一部が第２の溝
に落ち込んでしまう現象がしばしばでてきた。−旦ドメ
インが溝に落ち込むと、もとの状態に戻すことは不可能
であった。
また、リング状ドメイン形成のため、ドメインを配置さ
せたい溝の中の先端部１３にバブルを発生させ、バイア
ス磁界を下げて、このドメインを溝３．３′の中へ伸し
ていく際、バブルの伸び方が期待通りでなく、凸部の両
側３．３′を伸びてきたドメイン先端が導入部１５．１
５′に同じように入っていかないことがしばしば生じた
。このため、第１の溝で、バブルを発生した側と反対側
の先端１４で、該凸部の両側の溝３．３′を伸びてきた
ドメインを接合することができず、リング状ドメインの
形成の信頼性が低い欠点があった。
せたい溝の中の先端部１３にバブルを発生させ、バイア
ス磁界を下げて、このドメインを溝３．３′の中へ伸し
ていく際、バブルの伸び方が期待通りでなく、凸部の両
側３．３′を伸びてきたドメイン先端が導入部１５．１
５′に同じように入っていかないことがしばしば生じた
。このため、第１の溝で、バブルを発生した側と反対側
の先端１４で、該凸部の両側の溝３．３′を伸びてきた
ドメインを接合することができず、リング状ドメインの
形成の信頼性が低い欠点があった。
本発明は従来の欠点を除去するため、前記ストライプド
メイン保持層表面に前記ストライプドメインを安定化し
たい領域にわたって選択的に第１の溝掘りをして、溝の
中に前記ストライプドメインをリング状ストライプドメ
インの形で安定化させ、さらにその溝の外側をもう一段
掘った第２の溝領域を持っている構成において、主要領
域においてドメインの一部が深い溝に落ち込むエラーを
除去し、かつストライプドメインを安定化させたい溝掘
り領域の先端部１３に発生させたバブルが凸部先端をＵ
字型に囲んで溝内に安定化されるようにして、ストライ
プドメインを安定性よくリング状ストライプドメインの
形で安定化させることができる磁気記憶素子を提示する
ことにある。
メイン保持層表面に前記ストライプドメインを安定化し
たい領域にわたって選択的に第１の溝掘りをして、溝の
中に前記ストライプドメインをリング状ストライプドメ
インの形で安定化させ、さらにその溝の外側をもう一段
掘った第２の溝領域を持っている構成において、主要領
域においてドメインの一部が深い溝に落ち込むエラーを
除去し、かつストライプドメインを安定化させたい溝掘
り領域の先端部１３に発生させたバブルが凸部先端をＵ
字型に囲んで溝内に安定化されるようにして、ストライ
プドメインを安定性よくリング状ストライプドメインの
形で安定化させることができる磁気記憶素子を提示する
ことにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、情報読み出し手段、情報書き込み手段および
情報蓄積手段を有し、かつ膜面に垂直な方向を磁化容易
方向とする強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在す
るストライプドメインの境界のブロッホ磁壁中に作った
相隣る２本の垂直ブロッホラインからなる垂直ブロッホ
ライン対を記憶情報単位として用い、該垂直ブロッホラ
インをブロッホ磁壁内で転送する手段を有し、前記スト
ライプドメインを細長いリング状ストライプドメインと
し、該リング状ストライプドメインの内部となる強磁性
体の部分を除いてその周囲を溝掘りし、さらに前記リン
グ状ストライプドメインの両側にその長手方向に沿って
さらに深い第２の溝を形成してなる磁気記憶素子の形成
方法において、リング状ストライプドメインの形成過程
で外部から加える局所磁界において両先端邪近傍の第２
の溝の周縁部の膜面垂直方向磁界の絶対値を他の領域に
比べて大きくすることを特徴とする磁気記憶素子の形成
方法と、前記構成においてリング状ストライプドメイン
の画先端部近傍の第２の溝の周縁部に電流印加用導体線
を配置し、さらにリング状ストライプドメインの先端部
領域またはその近傍にＷ形状の導体線を配置して構成し
た磁気記憶素子である。
情報蓄積手段を有し、かつ膜面に垂直な方向を磁化容易
方向とする強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在す
るストライプドメインの境界のブロッホ磁壁中に作った
相隣る２本の垂直ブロッホラインからなる垂直ブロッホ
ライン対を記憶情報単位として用い、該垂直ブロッホラ
インをブロッホ磁壁内で転送する手段を有し、前記スト
ライプドメインを細長いリング状ストライプドメインと
し、該リング状ストライプドメインの内部となる強磁性
体の部分を除いてその周囲を溝掘りし、さらに前記リン
グ状ストライプドメインの両側にその長手方向に沿って
さらに深い第２の溝を形成してなる磁気記憶素子の形成
方法において、リング状ストライプドメインの形成過程
で外部から加える局所磁界において両先端邪近傍の第２
の溝の周縁部の膜面垂直方向磁界の絶対値を他の領域に
比べて大きくすることを特徴とする磁気記憶素子の形成
方法と、前記構成においてリング状ストライプドメイン
の画先端部近傍の第２の溝の周縁部に電流印加用導体線
を配置し、さらにリング状ストライプドメインの先端部
領域またはその近傍にＷ形状の導体線を配置して構成し
た磁気記憶素子である。
（作用）
本発明は上述の構成を取ることにより、従来技術で、ド
メイン保持部溝の先端部１３に発生したバブルを凸部を
囲む両側の溝の中へ同時に伸ばす信頼性が低かったこと
、およびリング状ストライプドメインの形を形成するた
めの導体線電流磁界によってドメインが深い方の溝に落
ち込んでいた欠点を改善し、マイナループ用ストライプ
ドメイン初期設定に関する問題点を解決した。構成の詳
細を説明する。
メイン保持部溝の先端部１３に発生したバブルを凸部を
囲む両側の溝の中へ同時に伸ばす信頼性が低かったこと
、およびリング状ストライプドメインの形を形成するた
めの導体線電流磁界によってドメインが深い方の溝に落
ち込んでいた欠点を改善し、マイナループ用ストライプ
ドメイン初期設定に関する問題点を解決した。構成の詳
細を説明する。
第１図に示すストライプドメイン保持層１の表面をスト
ライプドメインをリング状に保持したい部分だけ選択的
に溝掘りして溝３をつける。この幅はストライプドメイ
ンの自然幅Ｗ０（無磁界状態での幅）より大きく、かつ
２Ｗ０以下程度とする。この理由は溝が狭ずぎると、ド
メインが溝の中を安定性よく伸びて行かない。また広す
ぎると、ドメインが内側の膜厚段差境界４から逃げ出し
たり、ドメインがもう１本溝に入ったりする。溝の境界
の内、境界４はその内側に凸部が存在するため、ストラ
イプドメイン６の内側磁壁が４からあまり離れた状態に
ならないようにするためのガイドの役目もしている。
ライプドメインをリング状に保持したい部分だけ選択的
に溝掘りして溝３をつける。この幅はストライプドメイ
ンの自然幅Ｗ０（無磁界状態での幅）より大きく、かつ
２Ｗ０以下程度とする。この理由は溝が狭ずぎると、ド
メインが溝の中を安定性よく伸びて行かない。また広す
ぎると、ドメインが内側の膜厚段差境界４から逃げ出し
たり、ドメインがもう１本溝に入ったりする。溝の境界
の内、境界４はその内側に凸部が存在するため、ストラ
イプドメイン６の内側磁壁が４からあまり離れた状態に
ならないようにするためのガイドの役目もしている。
境界５の外側をさらに掘って、境界５がリング状ストラ
イプドメイン６を境界５に寄せつけず、むしろ逆に境界
４に押しつけるような有効磁界を発生させている。なお
、４の境界を持つ凸部の幅はＷ０以上にして、ストライ
プドメイン６を溝の中にリング状に保持したとき、境界
４を持つ凸部を挾む両側の直線状ドメイン間の反発相互
作用のため、リング状ストライプドメインの内側磁壁が
境界４直下にしっかり固定されなくなる不安定性を取除
いている。このような有効な特徴を持った構造に信頼性
よくリング状ドメインを配置するため、主要領域におけ
る深い方の溝の周縁において膜面垂直向きに静的に加え
られている磁界を他の領域とその向きは同じであるが、
絶対値を大きくするようにドメイン発生用およびドメイ
ン接合用の電流印加導体線を配置し、さらにリング状ス
トライプドメインを安定化させたい溝の先端部１３．１
３′にＷ型の導体線１０を配置して、該溝の中に凸部先
端を囲むＵ字型のドメインを発生させることによって、
発生したドメインを所定の溝３．３′の中を所定の位置
１５．１５′まで伸ばし、１４で示す位置で、ドメイン
を境界５の外側の溝に落とすことなく、導体パターン１
１に与えた電流磁界によって接合し、リング状ドメイン
を形成できるようにする。
イプドメイン６を境界５に寄せつけず、むしろ逆に境界
４に押しつけるような有効磁界を発生させている。なお
、４の境界を持つ凸部の幅はＷ０以上にして、ストライ
プドメイン６を溝の中にリング状に保持したとき、境界
４を持つ凸部を挾む両側の直線状ドメイン間の反発相互
作用のため、リング状ストライプドメインの内側磁壁が
境界４直下にしっかり固定されなくなる不安定性を取除
いている。このような有効な特徴を持った構造に信頼性
よくリング状ドメインを配置するため、主要領域におけ
る深い方の溝の周縁において膜面垂直向きに静的に加え
られている磁界を他の領域とその向きは同じであるが、
絶対値を大きくするようにドメイン発生用およびドメイ
ン接合用の電流印加導体線を配置し、さらにリング状ス
トライプドメインを安定化させたい溝の先端部１３．１
３′にＷ型の導体線１０を配置して、該溝の中に凸部先
端を囲むＵ字型のドメインを発生させることによって、
発生したドメインを所定の溝３．３′の中を所定の位置
１５．１５′まで伸ばし、１４で示す位置で、ドメイン
を境界５の外側の溝に落とすことなく、導体パターン１
１に与えた電流磁界によって接合し、リング状ドメイン
を形成できるようにする。
以上の方法でストライプドメイン安定化領域に溝３をつ
けると、ストライプドメインは第１図に６で示すように
、溝掘り境界４を内側径とするリング状に固定される。
けると、ストライプドメインは第１図に６で示すように
、溝掘り境界４を内側径とするリング状に固定される。
このようにストライプドメインを保持すると、リング状
ドメインの外側の磁壁（境界４から離れて存在する磁壁
）部のポテンシャルウェルは主にストライプドメイン幅
から決まる反磁界効果によって定まり、溝掘り部境界の
微細な出来上がりむらに影響されなくなる。このような
磁壁に外部印加パルスバイアス磁界を加えた場合の磁壁
移動は磁壁７の全体に亘って均一となる。したがって、
この磁壁の中にＶＢＬ対の有無の形で記憶した情報をド
メイン保持用の静バイアス磁界１６と同じ方向に加えた
パルスバイアス磁界によってＶＢＬ対に生じるジャイロ
力を利用して移動させる際に、その移動量をパルスバイ
アス磁界形状によって制御することが容易になる。図中
８．９はそれぞれドメイン内外の磁化の向きである。
ドメインの外側の磁壁（境界４から離れて存在する磁壁
）部のポテンシャルウェルは主にストライプドメイン幅
から決まる反磁界効果によって定まり、溝掘り部境界の
微細な出来上がりむらに影響されなくなる。このような
磁壁に外部印加パルスバイアス磁界を加えた場合の磁壁
移動は磁壁７の全体に亘って均一となる。したがって、
この磁壁の中にＶＢＬ対の有無の形で記憶した情報をド
メイン保持用の静バイアス磁界１６と同じ方向に加えた
パルスバイアス磁界によってＶＢＬ対に生じるジャイロ
力を利用して移動させる際に、その移動量をパルスバイ
アス磁界形状によって制御することが容易になる。図中
８．９はそれぞれドメイン内外の磁化の向きである。
（実施例）
以下、実施例を示す。第１図はストライプドメインをリ
ング状に形成していく過程を、この素子で必要条件とさ
れているストライプドメイン磁壁内にＶＢＬ対で記憶さ
れた情報を読み出しの際、バブルドメインに変換し、あ
るいは書き込みの際、メインジャライン１９にバブルの
有無の形で表したデータをストライプドメイン磁壁内に
ＶＢＬ対で記憶する機能を果たすためのゲート部１２を
含む溝掘りパターン形状の一例について具体的動作過程
を示す。溝掘り部３の先端１３にＷ型バブル発生器１０
をおく。予め、有効チップ全体にバイアス磁界１６と同
じ向きの磁界を加えてチップ全体の磁化を１６の向きに
飽和させておく。そして、適当なバイアス磁界Ｈｚを加
えた状態で、このバブル発生器１０にパルス電流を与え
ると、Ｗ型導体パターンの２つのノツチの中１３に先端
を持ち、１３′でつながったＵ字型のドメインが発生し
、凸部両側の溝の中を凸部のもう一方の先端のさらに先
の導入部１５．１５′まで伸びていく。そしてＵ字型ド
メインになる。このようなドメインに対して導体パター
ン１１にパルス電流を与えて、二つの導体パターンの間
の領域１４で１５の中に伸びたドメインと１５”の中に
伸びたドメインとを接合する。接合されたストライプド
メインの形状はバイアス磁界Ｈｚと磁壁の表面エネルギ
ーを最小にしようとする磁壁表面張力の作用できまる。
ング状に形成していく過程を、この素子で必要条件とさ
れているストライプドメイン磁壁内にＶＢＬ対で記憶さ
れた情報を読み出しの際、バブルドメインに変換し、あ
るいは書き込みの際、メインジャライン１９にバブルの
有無の形で表したデータをストライプドメイン磁壁内に
ＶＢＬ対で記憶する機能を果たすためのゲート部１２を
含む溝掘りパターン形状の一例について具体的動作過程
を示す。溝掘り部３の先端１３にＷ型バブル発生器１０
をおく。予め、有効チップ全体にバイアス磁界１６と同
じ向きの磁界を加えてチップ全体の磁化を１６の向きに
飽和させておく。そして、適当なバイアス磁界Ｈｚを加
えた状態で、このバブル発生器１０にパルス電流を与え
ると、Ｗ型導体パターンの２つのノツチの中１３に先端
を持ち、１３′でつながったＵ字型のドメインが発生し
、凸部両側の溝の中を凸部のもう一方の先端のさらに先
の導入部１５．１５′まで伸びていく。そしてＵ字型ド
メインになる。このようなドメインに対して導体パター
ン１１にパルス電流を与えて、二つの導体パターンの間
の領域１４で１５の中に伸びたドメインと１５”の中に
伸びたドメインとを接合する。接合されたストライプド
メインの形状はバイアス磁界Ｈｚと磁壁の表面エネルギ
ーを最小にしようとする磁壁表面張力の作用できまる。
バイアス磁界Ｈｚを調整すると、最終的には第１図に６
で示すようなリング状ストライプイドメインになる。
で示すようなリング状ストライプイドメインになる。
このドメイン６の外周磁壁７に情報担体であるＶＢＬ対
を書き込む。領域１２はブロッホラインメモリに必要な
バブルの有無で情報を表したメイジャライン１９とＶＢ
Ｌ対の有無の形で情報を記憶しているリング状ストライ
プドメイン磁壁部７とを結ぶゲート用のものである。
を書き込む。領域１２はブロッホラインメモリに必要な
バブルの有無で情報を表したメイジャライン１９とＶＢ
Ｌ対の有無の形で情報を記憶しているリング状ストライ
プドメイン磁壁部７とを結ぶゲート用のものである。
なお、第１の溝の深さはストライプドメイン保持層の全
膜厚の５％〜４０％の範囲まで実際に評価したが、リン
グ状ストライプドメイン形成に関しては問題はなかった
。第２図は第１図に示したユニットを多数本配したメイ
ジャ・マイナ構成の１例である。
膜厚の５％〜４０％の範囲まで実際に評価したが、リン
グ状ストライプドメイン形成に関しては問題はなかった
。第２図は第１図に示したユニットを多数本配したメイ
ジャ・マイナ構成の１例である。
（発明の効果）
本発明により、従来問題となっていたリング状ストライ
プドメインの内側磁壁が溝掘り段差境界から離れてしま
う不安定性が大幅に改善された。
プドメインの内側磁壁が溝掘り段差境界から離れてしま
う不安定性が大幅に改善された。
ストライプドメイン安定化の際の磁壁部のポテンシャル
ウェルの不均一性は従来通り取り除くことができるため
、ブロッホライン対の転送の安定性が高くなり、したが
って、ブロッホラインメモリの信頼性が改善された。さ
らに、多数本のリング状ドメインを平行して安定化する
ことができるようになった。
ウェルの不均一性は従来通り取り除くことができるため
、ブロッホライン対の転送の安定性が高くなり、したが
って、ブロッホラインメモリの信頼性が改善された。さ
らに、多数本のリング状ドメインを平行して安定化する
ことができるようになった。
第１図は本発明のリング状ストライプドメイン保持層の
構成例を示す図。第２図は本発明のストライプドメイン
保持法を用いたチップの構成例を示す図。第３図は従来
のリング状ドメイン保持法の構造例を示す図。 図において、１ニスドライブドメイン保持層、２：第１
の溝掘り部内の凸部（プラトー）、３：第１の溝掘り部
、４：溝掘り部内側境界、５：第２の溝掘り部内側境界
、６：リング状ストライプドメイン、７：ストライプド
メイン外周磁壁、８ニドメイン内磁化向き、９ニドメイ
ンの外側の磁化向き、１０：Ｗ型バブル発生器導体パタ
ーン、１１：Ｕ字型ドメイン先端結合用導体パターン、
１２ニドランスフアゲ一ト部、１３．１３゛：第１の溝
掘り部先端（Ｕ字型ドメイン発生部）、１４：第１の溝
のもう一つの先端部、１５．１５′＝ストライプドメイ
ン先端部導入ガイド、１６：静バイアス磁界の向き、１
７：第２の溝掘り部（ゲート部ガイド）、１８：第２の
溝掘り部（Ｕ字型ドメイン導入部外枠）、１９：メイジ
ャライン（バブル転送路）、２０：メイジャラインのガ
イド（第２の溝掘り部）、２１．２２：バブルドメイン
発生器、２３ニスドライブドメイン結合用導体パターン
。
構成例を示す図。第２図は本発明のストライプドメイン
保持法を用いたチップの構成例を示す図。第３図は従来
のリング状ドメイン保持法の構造例を示す図。 図において、１ニスドライブドメイン保持層、２：第１
の溝掘り部内の凸部（プラトー）、３：第１の溝掘り部
、４：溝掘り部内側境界、５：第２の溝掘り部内側境界
、６：リング状ストライプドメイン、７：ストライプド
メイン外周磁壁、８ニドメイン内磁化向き、９ニドメイ
ンの外側の磁化向き、１０：Ｗ型バブル発生器導体パタ
ーン、１１：Ｕ字型ドメイン先端結合用導体パターン、
１２ニドランスフアゲ一ト部、１３．１３゛：第１の溝
掘り部先端（Ｕ字型ドメイン発生部）、１４：第１の溝
のもう一つの先端部、１５．１５′＝ストライプドメイ
ン先端部導入ガイド、１６：静バイアス磁界の向き、１
７：第２の溝掘り部（ゲート部ガイド）、１８：第２の
溝掘り部（Ｕ字型ドメイン導入部外枠）、１９：メイジ
ャライン（バブル転送路）、２０：メイジャラインのガ
イド（第２の溝掘り部）、２１．２２：バブルドメイン
発生器、２３ニスドライブドメイン結合用導体パターン
。
Claims (3)
- （１）情報読み出し手段、情報書き込み手段および情報
蓄積手段を有し、かつ膜面に垂直な方向を磁化容易方向
とする強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するス
トライプドメインの境界のブロッホ磁壁中に作った相隣
る２本の垂直ブロッホラインからなる垂直ブロッホライ
ン対を記憶情報単位として用い、該垂直ブロッホライン
をブロッホ磁壁内で転送する手段を有し、前記ストライ
プドメインを細長いリング状ストライプドメインとし、
該リング状ストライプドメインの内部となる強磁性体の
部分を除いてその周囲を溝掘りし、さらに前記リング状
ストライプドメインの両側にその長手方向に沿ってさら
に深い第２の溝を形成してなる磁気記憶素子の形成方法
において、リング状ストライプドメインの形成過程で外
部から加える局所磁界において両先端部近傍の第２の溝
の周縁部の膜面垂直方向磁界の絶対値を他の領域に比べ
て大きくすることを特徴とする磁気記憶素子の形成方法
。 - （２）情報読み出し手段、情報書き込み手段および情報
蓄積手段を有し、かつ膜面に垂直な方向を磁化容易方向
とする強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するス
トライプドメインの境界のブロッホ磁壁中に作った相隣
る２本の垂直ブロッホラインからなる垂直ブロッホライ
ン対を記憶情報単位として用い、該垂直ブロッホライン
をブロッホ磁壁内で転送する手段を有し、前記ストライ
プドメインを細長いリング状ストライプドメインとし、
該リング状ストライプドメインの内部となる強磁性体の
部分を除いてその周囲を溝掘りし、さらに前記リング状
ストライプドメインの両側にその長手方向に沿ってさら
に深い第２の溝を形成してなる磁気記憶素子において、
リング状ストライプドメインの両先端部近傍の第２の溝
の周縁部に電流印加用導体線を配置してあることを特徴
とする磁気記憶素子。 - （３）特許請求の範囲第２項記載の磁気記憶素子であっ
て、リング状ストライプドメインの先端部領域またはそ
の近傍にＷ形状の導体線を配置してあることを特徴とす
る磁気記憶素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144896A JPH0312093A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 磁気記憶素子およびその形成方法 |
| US07/533,511 US5036485A (en) | 1989-06-06 | 1990-06-05 | Bloch-line memory device capable of stably generating a magnetic domain |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144896A JPH0312093A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 磁気記憶素子およびその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312093A true JPH0312093A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15372851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1144896A Pending JPH0312093A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 磁気記憶素子およびその形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5036485A (ja) |
| JP (1) | JPH0312093A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4583200A (en) * | 1982-10-18 | 1986-04-15 | Nec Corporation | Magnetic memory device capable of memorizing information in a stripe domain in the form of a vertical Bloch line pair |
| US4731752A (en) * | 1985-04-15 | 1988-03-15 | Nec Corporation | Bloch line memory device with stripe domain stabilizing means |
| JPH0782745B2 (ja) * | 1987-04-13 | 1995-09-06 | 日本電気株式会社 | 磁気記憶素子 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP1144896A patent/JPH0312093A/ja active Pending
-
1990
- 1990-06-05 US US07/533,511 patent/US5036485A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5036485A (en) | 1991-07-30 |
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