JPH03122002A - 原子酸素発生方法 - Google Patents
原子酸素発生方法Info
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- JPH03122002A JPH03122002A JP25809889A JP25809889A JPH03122002A JP H03122002 A JPH03122002 A JP H03122002A JP 25809889 A JP25809889 A JP 25809889A JP 25809889 A JP25809889 A JP 25809889A JP H03122002 A JPH03122002 A JP H03122002A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/02—Preparation of oxygen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は人工衛星等の宇宙飛行体の如く、低地球高度軌
跡を飛行して宇宙大気に暴露される材料の耐環境性評価
に使用する原子酸素を発生させるための原子酸素発生方
法に関するものである。
跡を飛行して宇宙大気に暴露される材料の耐環境性評価
に使用する原子酸素を発生させるための原子酸素発生方
法に関するものである。
［従来の技術］
低地球高度（２００〜５００Ｋｍ）の軌道には原子酸素
Ｏか存在するため、上記低地球高度を飛行する飛行体の
表面か原子酸素の衝突により酸化して劣化することが知
られている。そのため、低地球高度での原子酸素による
材料の劣化を評価すると共に、原子酸素と材料との反応
メカニズムを明らかにすることを目的として、原子酸素
発生装置により発生させた原子酸素を用いて種々の試験
か行われている。
Ｏか存在するため、上記低地球高度を飛行する飛行体の
表面か原子酸素の衝突により酸化して劣化することが知
られている。そのため、低地球高度での原子酸素による
材料の劣化を評価すると共に、原子酸素と材料との反応
メカニズムを明らかにすることを目的として、原子酸素
発生装置により発生させた原子酸素を用いて種々の試験
か行われている。
上記原子酸素発生装置では、原子酸素を発生させるため
に、従来、第５図に一例を示す如ざ型式の直流アークジ
ェットが用いられている。
に、従来、第５図に一例を示す如ざ型式の直流アークジ
ェットが用いられている。
詳述すると、上記従来の直流アークジェットは、本体ケ
ーシングａの前面板の外側面に、原子酸素ビームｂを噴
射させるためのノズルオリフィスＣを有するノズルチッ
プｄを取り付け、一方、上記本体ケーシングａの前面板
の内側面に、内部に上記ノズルオリフィスＣに直通する
プラズマ流路ｅを有し且つ該プラズマ流路ｅの下流部に
酸素供給流路ｆを導設してなる陽極ｑを配置して、該陽
極ｑを電極ホルダーｈの先端に支持さけると共に、該電
（へホルダーｈの先端部に、外周部に上記プラズマ流路
ｅと連絡するキャリアガス流路ｉが形成されるようにし
た陰極ｊを、その先端部が上記プラズマ流路ｅ内に臨む
ようにして同心状に支持させ、上記キャリアガス流路ｉ
を通してプラズマ流路ｅに送給したヘリウムガスとアル
ゴンガス（又は酸素）との混合ガスからなるキャリアカ
スに中で直流アーク放電させ、該アーク放電で生成され
たプラズマ中に酸素供給流路ｆを通して酸素（０２＞
１を供給することにより、酸素１を解離させてノズルチ
ップｄのノズルオリフィスＣから原子酸素ビームｂを噴
射させるようにしである。なお、ｍ、 ｎ、 ｑはそれ
ぞれノズルチップｄ、陽極ｑ１陰（１ｊを冷却するため
の冷却水流路である。
ーシングａの前面板の外側面に、原子酸素ビームｂを噴
射させるためのノズルオリフィスＣを有するノズルチッ
プｄを取り付け、一方、上記本体ケーシングａの前面板
の内側面に、内部に上記ノズルオリフィスＣに直通する
プラズマ流路ｅを有し且つ該プラズマ流路ｅの下流部に
酸素供給流路ｆを導設してなる陽極ｑを配置して、該陽
極ｑを電極ホルダーｈの先端に支持さけると共に、該電
（へホルダーｈの先端部に、外周部に上記プラズマ流路
ｅと連絡するキャリアガス流路ｉが形成されるようにし
た陰極ｊを、その先端部が上記プラズマ流路ｅ内に臨む
ようにして同心状に支持させ、上記キャリアガス流路ｉ
を通してプラズマ流路ｅに送給したヘリウムガスとアル
ゴンガス（又は酸素）との混合ガスからなるキャリアカ
スに中で直流アーク放電させ、該アーク放電で生成され
たプラズマ中に酸素供給流路ｆを通して酸素（０２＞
１を供給することにより、酸素１を解離させてノズルチ
ップｄのノズルオリフィスＣから原子酸素ビームｂを噴
射させるようにしである。なお、ｍ、 ｎ、 ｑはそれ
ぞれノズルチップｄ、陽極ｑ１陰（１ｊを冷却するため
の冷却水流路である。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、上記従来のアークジェットにより原子酸素を
発生させると、キャリアガスにとしてヘリウムガスを含
むガスを用いているため陽極Ｑ及び陰極ｊの各電極に悪
影響を与えること、酸素ｆが高温になった電極（陽極ｇ
）に直接触れるため電極を酸化させてしまうこと、酸素
を解離させて高密度の原子酸素をｊｑるために投入する
アーク放電用の電力が大きい（１０〜１５ＫＷ）こと、
等の理由により、陽極Ｑ及び陰極ｊの各電極の損耗が激
しくなり、飛散した電極材（タングステン）が混入され
た状態で原子酸素ビームｂが噴射される結果、材料劣化
試験中に試験片が電極材により汚染され、本来の材料劣
化試験が正確に実施できなくなる問題があった。
発生させると、キャリアガスにとしてヘリウムガスを含
むガスを用いているため陽極Ｑ及び陰極ｊの各電極に悪
影響を与えること、酸素ｆが高温になった電極（陽極ｇ
）に直接触れるため電極を酸化させてしまうこと、酸素
を解離させて高密度の原子酸素をｊｑるために投入する
アーク放電用の電力が大きい（１０〜１５ＫＷ）こと、
等の理由により、陽極Ｑ及び陰極ｊの各電極の損耗が激
しくなり、飛散した電極材（タングステン）が混入され
た状態で原子酸素ビームｂが噴射される結果、材料劣化
試験中に試験片が電極材により汚染され、本来の材料劣
化試験が正確に実施できなくなる問題があった。
そこで、本発明は、キャリアガスによって電極に悪影響
を与えることがないようにすると共に、アーク放電に伴
う電（への損耗を防止し、且つ小さな投入電力によって
高密度の原子酸素が得られるような原子酸素発生方法を
提供しようとするものである。
を与えることがないようにすると共に、アーク放電に伴
う電（への損耗を防止し、且つ小さな投入電力によって
高密度の原子酸素が得られるような原子酸素発生方法を
提供しようとするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記課題を解決するために、先端部にノズル
部を有する筒状の陽極内に、陰極を配置して、該陰極の
先端と上記ノズル部との間にアーク放電領域か形成され
るようにし、且つ上記陽極と陰極の両電極間に中空形状
の仕切壁を配置して、該仕切壁の内外側を上記アーク放
電領域へ向かうキャリアガス流路とし、更に酸素か直接
電極に触れないようにするため上記仕切壁の内部を、上
記アーク放電領域へ向かう酸素流路としてなる構成の直
流アークジェットを用い、上記アーク放電領域に上記キ
ャリアガス流路を通しアルゴンカスのみを送給して該ア
ルゴンカスのみをキャリアカスとしてアーク放電させ、
該アーク放電により生成されたプラズマ中に、上記アル
ゴンガスの流量に対して１〜５％の流量の酸素を上記酸
素流路を通して添加させることを特徴とする原子酸素発
生方法とする。
部を有する筒状の陽極内に、陰極を配置して、該陰極の
先端と上記ノズル部との間にアーク放電領域か形成され
るようにし、且つ上記陽極と陰極の両電極間に中空形状
の仕切壁を配置して、該仕切壁の内外側を上記アーク放
電領域へ向かうキャリアガス流路とし、更に酸素か直接
電極に触れないようにするため上記仕切壁の内部を、上
記アーク放電領域へ向かう酸素流路としてなる構成の直
流アークジェットを用い、上記アーク放電領域に上記キ
ャリアガス流路を通しアルゴンカスのみを送給して該ア
ルゴンカスのみをキャリアカスとしてアーク放電させ、
該アーク放電により生成されたプラズマ中に、上記アル
ゴンガスの流量に対して１〜５％の流量の酸素を上記酸
素流路を通して添加させることを特徴とする原子酸素発
生方法とする。
［作 用１
アルゴンガスのみをキャリアカスとしてアーク放電させ
るようにするので、従来の如きヘリウムガスが電極に与
えていた悪影響をなくすことができる。又、酸素の添加
量をアルゴンガスの流量に対して１〜５％とすることに
より、酸素の解離度を高められて投入電源の低減化を図
ることができるようになる。
るようにするので、従来の如きヘリウムガスが電極に与
えていた悪影響をなくすことができる。又、酸素の添加
量をアルゴンガスの流量に対して１〜５％とすることに
より、酸素の解離度を高められて投入電源の低減化を図
ることができるようになる。
［実 施 例］
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の原子酸素発生方法の実施に用いる直流
アークジェット１１の一例を示すもので、先端部に内径
を絞ってノズル部１を形成した筒状の陽極２内に、先端
が上記ノズル部１より所要量内側に引き込まれた位置に
あるように棒状の陰極３を同心状に配置し、且つ上記陽
極２と陰極３の両電極間に、窒化ボロン等からなる筒状
の仕切壁４を、その先端が陰極３の先端と陽極２のノズ
ル部１との間におけるアーク放電領Ｖｉ５より僅かに上
流位置まで延びるように配設して、該仕切壁４の内側と
外側に、キレリアガス６を流通させるためのキャリアガ
ス流路７と８を分割して形成し、更に上記仕切壁４内に
、酸素９を上記アーク放電領域５へ向けて送給するため
の酸素流路１０を形成させた構成としである。なお、第
１図において、１２は陽極の先端部内に形成した冷却水
流路である。
アークジェット１１の一例を示すもので、先端部に内径
を絞ってノズル部１を形成した筒状の陽極２内に、先端
が上記ノズル部１より所要量内側に引き込まれた位置に
あるように棒状の陰極３を同心状に配置し、且つ上記陽
極２と陰極３の両電極間に、窒化ボロン等からなる筒状
の仕切壁４を、その先端が陰極３の先端と陽極２のノズ
ル部１との間におけるアーク放電領Ｖｉ５より僅かに上
流位置まで延びるように配設して、該仕切壁４の内側と
外側に、キレリアガス６を流通させるためのキャリアガ
ス流路７と８を分割して形成し、更に上記仕切壁４内に
、酸素９を上記アーク放電領域５へ向けて送給するため
の酸素流路１０を形成させた構成としである。なお、第
１図において、１２は陽極の先端部内に形成した冷却水
流路である。
上記直流アークジェット１１にアルゴンガスを送って該
アルゴンガスのみをキャリアカス６として直流アーク放
電により生成させたプラズマＰ中に、アルゴンガスの流
量に対して１〜５％の添加量で酸素９を送給させるよう
にするため、上記仕切壁４の内、外に形成されたキャリ
アガス流路７，８に、第２図に示す如く、マスフローコ
ントローラ等のガス制御器１３と開閉弁１４を介してア
ルゴンガスボンベ１５を接続し、且つ上記仕切壁４内に
形成された酸素流路１０に、上記ガス制御器１３と同様
なカス制御器１６と開閉弁１７を介して酸素ボンベ１８
を接続し、上記各キャリアガス流路７，８を通してアー
ク放電領域５に送ったアルゴンガスボンベ１５からのア
ルゴンカスをキャリアガス６として、直流の定電流電源
１９によって陽極２と陰極３の間のアーク放電領域５で
直流アークを放電させ、該直流アークの放電により生成
されたプラズマＰ中に、酸素ボンベ１８からの酸素９を
、酸素流路１０を通して上記キャリアガス６の流量に対
し１〜５％の流量で添加することにより、酸素９を解離
させてノズル部１からクリーンな状態の原子酸素ビーム
２０を発生させるようにする。
アルゴンガスのみをキャリアカス６として直流アーク放
電により生成させたプラズマＰ中に、アルゴンガスの流
量に対して１〜５％の添加量で酸素９を送給させるよう
にするため、上記仕切壁４の内、外に形成されたキャリ
アガス流路７，８に、第２図に示す如く、マスフローコ
ントローラ等のガス制御器１３と開閉弁１４を介してア
ルゴンガスボンベ１５を接続し、且つ上記仕切壁４内に
形成された酸素流路１０に、上記ガス制御器１３と同様
なカス制御器１６と開閉弁１７を介して酸素ボンベ１８
を接続し、上記各キャリアガス流路７，８を通してアー
ク放電領域５に送ったアルゴンガスボンベ１５からのア
ルゴンカスをキャリアガス６として、直流の定電流電源
１９によって陽極２と陰極３の間のアーク放電領域５で
直流アークを放電させ、該直流アークの放電により生成
されたプラズマＰ中に、酸素ボンベ１８からの酸素９を
、酸素流路１０を通して上記キャリアガス６の流量に対
し１〜５％の流量で添加することにより、酸素９を解離
させてノズル部１からクリーンな状態の原子酸素ビーム
２０を発生させるようにする。
本発明の方法により発生させた原子酸素を用いて材料劣
化試験を行う場合は、第２図に示す如く、油回転ポンプ
やメカニカルブースタポンプ等の排気装置２１によって
真空に近い状態にされる真空チャンバー２２に、直流ア
ークジエツ１〜１１を設置して、該真空チャンバー２２
内にセットされた試料２３に向けて原子酸素ビーム２０
を照射させられるようにして使用する。なお、第２図に
おいて、２４は試料２３がセットされている試料ホルダ
ー、２５は該試料ホルダー２４にて保持される試料２３
の前面側にあって開閉可能に設けであるシャッター、２
６は排ガスを冷却するためのヒートシンク、２７は真空
計を示す。
化試験を行う場合は、第２図に示す如く、油回転ポンプ
やメカニカルブースタポンプ等の排気装置２１によって
真空に近い状態にされる真空チャンバー２２に、直流ア
ークジエツ１〜１１を設置して、該真空チャンバー２２
内にセットされた試料２３に向けて原子酸素ビーム２０
を照射させられるようにして使用する。なお、第２図に
おいて、２４は試料２３がセットされている試料ホルダ
ー、２５は該試料ホルダー２４にて保持される試料２３
の前面側にあって開閉可能に設けであるシャッター、２
６は排ガスを冷却するためのヒートシンク、２７は真空
計を示す。
地上での宇宙用材料の質量損失（劣化）試験として、た
とえば、人工衛星等の断熱材として用いられているポリ
イミドを、第２図に示す如く、真空チＶンバー２２内の
試料ホルダー２４に試料２３として保持させ、且つ上記
真空チャンバ２２内を真空に近い状態にしておいて、本
発明の方法により直流アークジェット１１から発生させ
た原子酸素ビーム２０を、試料２３である上記ポリイミ
ドに照射すると、該試料２３の貿伍損失試験を電極材飛
散による汚染を受けることなくクリーンな状態で行うこ
とかできる一二すなわち、本発明においては、直流アー
クジェット１１でア−り放電させる際のキャリアガス６
としてアルゴンガスのみを使用しているので、従来の如
きヘリウムガスが電極に与える悪影響かない。又、酸素
９は仕切壁４内の酸素流路１０を通してアーク放電によ
り生成されたプラズマＰ中に供給するので、酸素９が電
極に直接触れるようなことはなく電極の酸化が防止され
る。したかって、損耗により飛散した電極材が原子酸素
ビーム２０に混入して試料２３に衝突してしまうような
ことはなく、本来の試料２３の劣化試験を確実に行うこ
とができる。更にこの際、上記プラズマＰ中に添加する
酸素９の流量を、アルゴンカスのみからなるキャリアガ
ス６の流量に対して１〜５％としであるため、酸素分子
の原子への解離度を非常に高くすることができて酸素の
分子やイオン等の存在しない状態にでき、これにより、
直流アーク放電のために要する投入電力が１ ＫＷ前後
で済み、従来に比して大幅に電力を低減することができ
る。なお、酸素９のキャリアカス６に対する添加量を１
〜５％としたのは、１％以下では酸素濃度が低くなって
劣化加速試験としての有効性かなくなってしまうからで
あり、５％以上では第３図に示す如く、酸素の解離度が
極端に低下するからである。
とえば、人工衛星等の断熱材として用いられているポリ
イミドを、第２図に示す如く、真空チＶンバー２２内の
試料ホルダー２４に試料２３として保持させ、且つ上記
真空チャンバ２２内を真空に近い状態にしておいて、本
発明の方法により直流アークジェット１１から発生させ
た原子酸素ビーム２０を、試料２３である上記ポリイミ
ドに照射すると、該試料２３の貿伍損失試験を電極材飛
散による汚染を受けることなくクリーンな状態で行うこ
とかできる一二すなわち、本発明においては、直流アー
クジェット１１でア−り放電させる際のキャリアガス６
としてアルゴンガスのみを使用しているので、従来の如
きヘリウムガスが電極に与える悪影響かない。又、酸素
９は仕切壁４内の酸素流路１０を通してアーク放電によ
り生成されたプラズマＰ中に供給するので、酸素９が電
極に直接触れるようなことはなく電極の酸化が防止され
る。したかって、損耗により飛散した電極材が原子酸素
ビーム２０に混入して試料２３に衝突してしまうような
ことはなく、本来の試料２３の劣化試験を確実に行うこ
とができる。更にこの際、上記プラズマＰ中に添加する
酸素９の流量を、アルゴンカスのみからなるキャリアガ
ス６の流量に対して１〜５％としであるため、酸素分子
の原子への解離度を非常に高くすることができて酸素の
分子やイオン等の存在しない状態にでき、これにより、
直流アーク放電のために要する投入電力が１ ＫＷ前後
で済み、従来に比して大幅に電力を低減することができ
る。なお、酸素９のキャリアカス６に対する添加量を１
〜５％としたのは、１％以下では酸素濃度が低くなって
劣化加速試験としての有効性かなくなってしまうからで
あり、５％以上では第３図に示す如く、酸素の解離度が
極端に低下するからである。
上記試料２３の貿吊］［１失試験を、−例として、キャ
リアカス６として用いるアルゴンガスの流量を２ｊ／ｍ
ｉｎとし、アルゴンガスに添加する酸素９の流量を６０
ＣＣ／ｍｉｎとし、直流アーク放電に用いる投入電力を
４５Ａ−２０Ｖ （０，９にΔ）とし、真空度を０．０
６Ｔ ｏｒｒの各条件で行うと、試料２３に衝突する原
子酸素ビーム２０のガス速度は１〜２Ｋｍ／ｓｅｃとな
り、宇宙空間での人工衛星か原子酸素に衝突する速度と
同一レベルの速度が（ｑられる。このとぎ、解離した原
子酸素の濃度は１０１２個／ｃｍ３程度となり、流束（
ガス速度×原子酸素淵度）としては１０” （（ｉ！１
／ ｃｍ３− ｓｅｃとなり、宇宙空間の１００〜１ｏ
ｏｏ倍の流束となる。
リアカス６として用いるアルゴンガスの流量を２ｊ／ｍ
ｉｎとし、アルゴンガスに添加する酸素９の流量を６０
ＣＣ／ｍｉｎとし、直流アーク放電に用いる投入電力を
４５Ａ−２０Ｖ （０，９にΔ）とし、真空度を０．０
６Ｔ ｏｒｒの各条件で行うと、試料２３に衝突する原
子酸素ビーム２０のガス速度は１〜２Ｋｍ／ｓｅｃとな
り、宇宙空間での人工衛星か原子酸素に衝突する速度と
同一レベルの速度が（ｑられる。このとぎ、解離した原
子酸素の濃度は１０１２個／ｃｍ３程度となり、流束（
ガス速度×原子酸素淵度）としては１０” （（ｉ！１
／ ｃｍ３− ｓｅｃとなり、宇宙空間の１００〜１ｏ
ｏｏ倍の流束となる。
したかつて、宇宙空間の１００〜１０００倍の速さで試
験を行うことができる。囚に、ポリイミドの質量損失（
劣化量）は原子酸素ビーム２０の照射時間に比例し、宇
宙空間の約１０００倍の速さで第４図に示す如き試験結
果が得られた。第４図において、Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄはアル
ゴンガスだけが照射されたときの各種ポリイミドの質量
損失■を示し、Ａ’、 Ｂ’、 Ｃ’、 Ｄ’はアルゴ
ンガスと原子酸素との混合カス、つまり、直流アークジ
ェット１１で発生させた原子酸素ビーム２０が照射され
たときの各種ポリイミドの質量損失量を示す。
験を行うことができる。囚に、ポリイミドの質量損失（
劣化量）は原子酸素ビーム２０の照射時間に比例し、宇
宙空間の約１０００倍の速さで第４図に示す如き試験結
果が得られた。第４図において、Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄはアル
ゴンガスだけが照射されたときの各種ポリイミドの質量
損失■を示し、Ａ’、 Ｂ’、 Ｃ’、 Ｄ’はアルゴ
ンガスと原子酸素との混合カス、つまり、直流アークジ
ェット１１で発生させた原子酸素ビーム２０が照射され
たときの各種ポリイミドの質量損失量を示す。
なお、上記実施例では、試料の質量損失試験について実
施した場合を示したが、原子酸素ビーム２０を材料の表
面に照射すると、緻密な酸化膜を形成させることができ
るので、酸化劣化促進による材料評価装置、材料表面酸
化処理装置、酸化物薄膜製造装置等を用いた各種の酸化
処理のために利用することもできること、その細氷発明
の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得る
ことは勿論でおる。
施した場合を示したが、原子酸素ビーム２０を材料の表
面に照射すると、緻密な酸化膜を形成させることができ
るので、酸化劣化促進による材料評価装置、材料表面酸
化処理装置、酸化物薄膜製造装置等を用いた各種の酸化
処理のために利用することもできること、その細氷発明
の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得る
ことは勿論でおる。
［発明の効果］
以上）ホべた如く、本発明の原子酸素発生方法によれば
、酸素が電極に直接触れないようにした直流アークジェ
ットを用い、且つアルゴンガスのみをキャリアカスとし
てアーク放電させるようにするので、電極材の損耗を防
止できて、電極材飛散による汚染を受けることなくクリ
ーンな材料の試験を行うことかでき、又、酸素の添加量
をアルゴンカスの流量に対し１〜５％としたので、酸素
の解離度を高めることができて投入電力を低減すること
ができ、酸素のイオン化を防止できる、等の優れた効果
を発揮する。
、酸素が電極に直接触れないようにした直流アークジェ
ットを用い、且つアルゴンガスのみをキャリアカスとし
てアーク放電させるようにするので、電極材の損耗を防
止できて、電極材飛散による汚染を受けることなくクリ
ーンな材料の試験を行うことかでき、又、酸素の添加量
をアルゴンカスの流量に対し１〜５％としたので、酸素
の解離度を高めることができて投入電力を低減すること
ができ、酸素のイオン化を防止できる、等の優れた効果
を発揮する。
第１図は本発明の原子酸素発生方法の実施に用いる直流
アークジェットの一例を示す断面図、第２図は第１図に
示す直流アークジェットを用いて材料の劣化試験を行っ
ている状態を示Ｖ概要図、第３図はアルゴンカスへの酸
素添加■と酸素解離との関係を示す図、第４図は各種ポ
リイミドの質量損失の状態を照射時間との関係において
示す図、第５図は従来の直流アークジェットの一例を示
す断面図である。 １・・・ノズル部、２・・・陽（※（電・１へ）、３・
・・陰極（電極）、４・・・仕切壁、５・・・アーク放
電領域、６・・・キャリアガス（アルゴンガス）、γ８
・・・キャリアガス流路、９・・・酸素、１０・・・酸
素流路、１１・・・直流アークジェット、２０・・・原
子酸素ビーム、Ｐ・・・プラズマ。
アークジェットの一例を示す断面図、第２図は第１図に
示す直流アークジェットを用いて材料の劣化試験を行っ
ている状態を示Ｖ概要図、第３図はアルゴンカスへの酸
素添加■と酸素解離との関係を示す図、第４図は各種ポ
リイミドの質量損失の状態を照射時間との関係において
示す図、第５図は従来の直流アークジェットの一例を示
す断面図である。 １・・・ノズル部、２・・・陽（※（電・１へ）、３・
・・陰極（電極）、４・・・仕切壁、５・・・アーク放
電領域、６・・・キャリアガス（アルゴンガス）、γ８
・・・キャリアガス流路、９・・・酸素、１０・・・酸
素流路、１１・・・直流アークジェット、２０・・・原
子酸素ビーム、Ｐ・・・プラズマ。
Claims (1)
- （１）先端部にノズル部を有する筒状の陽極内に、陰極
を配置して、該陰極の先端と上記ノズル部との間にアー
ク放電領域が形成されるようにし、且つ上記陽極と陰極
の両電極間に中空形状の仕切壁を配置して、該仕切壁の
内外側を上記アーク放電領域へ向かうキャリアガス流路
とし、更に酸素が直接電極に触れないようにするため上
記仕切壁の内部を、上記アーク放電領域へ向かう酸素流
路としてなる構成の直流アークジェットを用い、上記ア
ーク放電領域に上記キャリアガス流路を通しアルゴンガ
スのみを送給して該アルゴンガスのみをキャリアガスと
してアーク放電させ、該アーク放電により生成されたプ
ラズマ中に、上記アルゴンガスの流量に対して１〜５％
の流量の酸素を上記酸素流路を通して添加させることを
特徴とする原子酸素発生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25809889A JPH03122002A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | 原子酸素発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25809889A JPH03122002A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | 原子酸素発生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122002A true JPH03122002A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17315483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25809889A Pending JPH03122002A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | 原子酸素発生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03122002A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09165206A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | オゾン発生方法およびオゾン発生装置 |
| JPH11255505A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-21 | Nissan Motor Co Ltd | 原子状酸素収集装置 |
-
1989
- 1989-10-03 JP JP25809889A patent/JPH03122002A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09165206A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | オゾン発生方法およびオゾン発生装置 |
| JPH11255505A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-21 | Nissan Motor Co Ltd | 原子状酸素収集装置 |
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