JPH0312312A - 超伝導薄膜の製造方法 - Google Patents
超伝導薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0312312A JPH0312312A JP14792989A JP14792989A JPH0312312A JP H0312312 A JPH0312312 A JP H0312312A JP 14792989 A JP14792989 A JP 14792989A JP 14792989 A JP14792989 A JP 14792989A JP H0312312 A JPH0312312 A JP H0312312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- film
- superconducting
- prepared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、超伝導薄膜の製造方法にかかり、特に、成膜
後の焼成工程での処理手法に改良を加えた技術に関する
。
後の焼成工程での処理手法に改良を加えた技術に関する
。
〈従来の技術〉
近年、超伝導材を薄膜化する技術が種々研究されている
。その手法としては、薄膜化の対象となる所定の物質を
、その組成が所定の比率となるように試料に堆積させる
成膜工程と、所定の雰囲気中において前記試料を加熱す
る焼成工程とで構成されている。
。その手法としては、薄膜化の対象となる所定の物質を
、その組成が所定の比率となるように試料に堆積させる
成膜工程と、所定の雰囲気中において前記試料を加熱す
る焼成工程とで構成されている。
そして、焼成工程においては、チャンバ内に活性ガスを
供給し、試料に堆積した薄膜を雰囲気ガス中にさらした
ままの状態で、試料およびチャンバ内を所定の温度条件
で加熱することを行う。
供給し、試料に堆積した薄膜を雰囲気ガス中にさらした
ままの状態で、試料およびチャンバ内を所定の温度条件
で加熱することを行う。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上記従来の手法では、次のような不都合
がある。
がある。
焼成工程において、処理温度を高温とするため、温度上
昇に伴い、成膜工程で各元素の組成を合わせたにもかか
わらず、薄膜を構成する物質の一部が欠乏して薄膜の組
成ずれを起こすことが往々にしてあり、製作した薄膜が
超伝導特性を示さなくなってしまうことがある。この現
象は、比較的高温で超伝導特性を示す超伝導材料として
の酸化物系高温超伝導材のように構成物質が多元系のも
のの場合に顕著に表れる。
昇に伴い、成膜工程で各元素の組成を合わせたにもかか
わらず、薄膜を構成する物質の一部が欠乏して薄膜の組
成ずれを起こすことが往々にしてあり、製作した薄膜が
超伝導特性を示さなくなってしまうことがある。この現
象は、比較的高温で超伝導特性を示す超伝導材料として
の酸化物系高温超伝導材のように構成物質が多元系のも
のの場合に顕著に表れる。
このように、従来手法では、所定の超伝導特性を持つ薄
膜を安定的に製作することが困難であるなど、超伝導薄
膜の製造技術が未だ確立できていない。
膜を安定的に製作することが困難であるなど、超伝導薄
膜の製造技術が未だ確立できていない。
本発明はこのような事情に鑑みて創案されたもので、超
伝導特性を示す薄膜を安定的に製作できるようにするこ
とを目的としている。
伝導特性を示す薄膜を安定的に製作できるようにするこ
とを目的としている。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、このような目的を達成するために、薄膜化の
対象となる所定の物質を、その組成が所定の比率となる
ように試料に堆積させる成膜工程と、所定の雰囲気中に
おいて前記試料を加熱する焼成工程とを具備した超伝導
薄膜の製造方法において、次のような構成をとる。
対象となる所定の物質を、その組成が所定の比率となる
ように試料に堆積させる成膜工程と、所定の雰囲気中に
おいて前記試料を加熱する焼成工程とを具備した超伝導
薄膜の製造方法において、次のような構成をとる。
本発明の超伝導薄膜の製造方法は、被焼成薄膜とほぼ同
じ構成の薄膜を形成した部材を用意しておき、前記焼成
工程で、前記用意した部材の薄膜を試料の被焼成薄膜に
対して重ね合わせた状態として、焼成処理を行うことに
特徴を有する。
じ構成の薄膜を形成した部材を用意しておき、前記焼成
工程で、前記用意した部材の薄膜を試料の被焼成薄膜に
対して重ね合わせた状態として、焼成処理を行うことに
特徴を有する。
〈作用〉
上記構成において、被焼成薄膜の表面を、それと同様構
成の薄膜によって覆うことにより、被焼成薄膜を焼成雰
囲気から隔絶させるから、温度上昇させたときに薄膜の
構成物質が欠乏するといった現象が発生しにくくなる。
成の薄膜によって覆うことにより、被焼成薄膜を焼成雰
囲気から隔絶させるから、温度上昇させたときに薄膜の
構成物質が欠乏するといった現象が発生しにくくなる。
しかも、被焼成薄膜を覆う、別の薄膜についてもその構
成要素をほぼ同じにしているから、両者間での化学反応
による表面品質変化が起きにくくなる。
成要素をほぼ同じにしているから、両者間での化学反応
による表面品質変化が起きにくくなる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第1図および第2図に本発明の一実施例を示している。
ここでは、試料として例えばMgOなどの基板の表面全
面に酸化物系高温超伝導材の薄膜を形成する例とする。
面に酸化物系高温超伝導材の薄膜を形成する例とする。
まず、基板Aを図示しないスパッタ装置のチャンバ内に
配置し、基板Aおよびチャンバ内の温度をiA節すると
ともに、チャンバ内を酸素雰囲気とする。このスパッタ
装置の各ターゲットとして薄膜化する対象の物質、例え
ばBi、 Pb、 5rCa、Cuを用意しておいて
、それら各組成が所望の比率に近くなるように成膜条件
を制御しながら基板Aに堆積させる〔成膜工程〕。この
ようにして、基板Aの表面に、例えばB i +、s
P bo、5Srz Cat Cu3−08から
なる薄膜1を形成する。
配置し、基板Aおよびチャンバ内の温度をiA節すると
ともに、チャンバ内を酸素雰囲気とする。このスパッタ
装置の各ターゲットとして薄膜化する対象の物質、例え
ばBi、 Pb、 5rCa、Cuを用意しておいて
、それら各組成が所望の比率に近くなるように成膜条件
を制御しながら基板Aに堆積させる〔成膜工程〕。この
ようにして、基板Aの表面に、例えばB i +、s
P bo、5Srz Cat Cu3−08から
なる薄膜1を形成する。
ここで、前記基板Aとほぼ同一の外形を有し、かつ前記
薄膜1とほぼ同一の構成を持つ薄膜2が表面全面に形成
された別の基板Bを用意する。
薄膜1とほぼ同一の構成を持つ薄膜2が表面全面に形成
された別の基板Bを用意する。
この一方の基板Bを、スパッタ装置内に配置しである基
板へに対して、両薄膜1.2が密接するように重ね合わ
せておき、スパッタ装置のチャンバ内を例えばArなど
の活性ガス雰囲気とし、基板Aを例えば500℃に、ま
た、チャンバ内を例えば900℃に加熱する〔焼成工程
〕。これにより、薄膜2が結晶化されることになる。
板へに対して、両薄膜1.2が密接するように重ね合わ
せておき、スパッタ装置のチャンバ内を例えばArなど
の活性ガス雰囲気とし、基板Aを例えば500℃に、ま
た、チャンバ内を例えば900℃に加熱する〔焼成工程
〕。これにより、薄膜2が結晶化されることになる。
次いで、前記状態のまま、基板Aおよびそれに形成の薄
膜1を冷却する〔冷却工程〕。
膜1を冷却する〔冷却工程〕。
ところで、予め成膜工程で、二つの基板に同一の条件で
薄膜をそれぞれ形成しておき、この二つの基板の各薄膜
を上述したように焼成工程で重ね合わせて、二つの基板
の薄膜について同時に焼成処理するようにしてもよい。
薄膜をそれぞれ形成しておき、この二つの基板の各薄膜
を上述したように焼成工程で重ね合わせて、二つの基板
の薄膜について同時に焼成処理するようにしてもよい。
勿論、重ね合わせる基板Bについては、重ね合わせ専用
として用意しておいてもよい。
として用意しておいてもよい。
以上のようにして得た薄膜1についての焼成前と焼成後
との組成分析結果を、従来例のものと対比して第3図に
示す。なお、図はCaに対する各元素の組成比を表して
いる。図の結果から明らかなように、従来例のものでは
、どの物質についても焼成後に組成ずれが発生している
ことが判り、本実施例のものでは、従来例のような著し
い組成ずれがなく、焼成前の組成のまま、はぼ維持でき
ていることが判る。このように、焼成過程で、被焼成薄
膜1をチャンバ内の雰囲気にさらさないようにしたから
、上述したように組成ずれを極く小さく抑えることがで
きるとともに、結晶化が適正に行われる結果、超伝導特
性を示す薄膜1を得ることができるようになる。
との組成分析結果を、従来例のものと対比して第3図に
示す。なお、図はCaに対する各元素の組成比を表して
いる。図の結果から明らかなように、従来例のものでは
、どの物質についても焼成後に組成ずれが発生している
ことが判り、本実施例のものでは、従来例のような著し
い組成ずれがなく、焼成前の組成のまま、はぼ維持でき
ていることが判る。このように、焼成過程で、被焼成薄
膜1をチャンバ内の雰囲気にさらさないようにしたから
、上述したように組成ずれを極く小さく抑えることがで
きるとともに、結晶化が適正に行われる結果、超伝導特
性を示す薄膜1を得ることができるようになる。
なお、本発明は上述した例のみに限定されず、酸化物系
の構成要素からなる超伝導薄膜の製造に適用できること
は言うまでもない。
の構成要素からなる超伝導薄膜の製造に適用できること
は言うまでもない。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、焼成過程におい
て被焼成薄膜の組成ずれを防止できるから、被焼成薄膜
を適正に結晶化することができ、その結果として、超伝
導特性を示す薄膜を安定的に得ることができるようにな
る。
て被焼成薄膜の組成ずれを防止できるから、被焼成薄膜
を適正に結晶化することができ、その結果として、超伝
導特性を示す薄膜を安定的に得ることができるようにな
る。
第1図および第2図は本発明の一実施例にかかす、第1
図は焼成過程での処理形態を示す模式図、第2図は超伝
導薄膜の焼成前と焼成後の組成分析結果を示す図である
。 A・・・基板(試料)、 ■・・・薄膜、B・・・
基板(部材)、 2・・・薄膜。
図は焼成過程での処理形態を示す模式図、第2図は超伝
導薄膜の焼成前と焼成後の組成分析結果を示す図である
。 A・・・基板(試料)、 ■・・・薄膜、B・・・
基板(部材)、 2・・・薄膜。
Claims (1)
- (1)薄膜化の対象となる所定の物質を、その組成が所
定の比率となるように試料に堆積させる成膜工程と、所
定の雰囲気中において前記試料を加熱する焼成工程とを
具備した超伝導薄膜の製造方法において、 被焼成薄膜とほぼ同じ構成の薄膜を形成した部材を用意
しておき、前記焼成工程で、前記用意した部材の薄膜を
試料の被焼成薄膜に対して重ね合わせた状態として、焼
成処理を行うことを特徴とする超伝導薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14792989A JPH0312312A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 超伝導薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14792989A JPH0312312A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 超伝導薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312312A true JPH0312312A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15441266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14792989A Pending JPH0312312A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 超伝導薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312312A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0597408A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-20 | Fujikura Ltd | イオン伝導体薄膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14792989A patent/JPH0312312A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0597408A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-20 | Fujikura Ltd | イオン伝導体薄膜の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5217754A (en) | Organometallic precursors in conjunction with rapid thermal annealing for synthesis of thin film ceramics | |
| US10854808B2 (en) | Ferroelectric ceramics, electronic component and manufacturing method of ferroelectric ceramics | |
| JPH0312312A (ja) | 超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH04365853A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 | |
| JPH06107491A (ja) | 結晶性薄膜製造方法 | |
| JPS63239742A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JP2002324924A (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
| JPH01208327A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JPS63273371A (ja) | 超電導電気回路の製造方法 | |
| RU2308789C1 (ru) | Способ изготовления толстопленочной структуры на основе высокотемпературного сверхпроводника | |
| JPH02243504A (ja) | 高温超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH01152770A (ja) | 超電導薄膜を有する基板 | |
| JP2702711B2 (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JPH0238302A (ja) | 超電導薄膜形成方法 | |
| JPH0761870B2 (ja) | 高温超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH04295017A (ja) | 自立形ペロブスカイト型タンタル酸鉛スカンジウム薄膜の製造方法 | |
| JP2817299B2 (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| Afanasyev et al. | Acquiring MIS Structures Based on Bа0. 8Sr0. 2TiО3 Ferroelectric Films and their Properties | |
| JPH06216420A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の作製方法 | |
| JPH10287983A (ja) | チタン含有セラミックス薄膜の製造方法 | |
| JPH06107489A (ja) | 結晶性薄膜製造方法 | |
| JP2016066822A (ja) | 強誘電体結晶膜及びその製造方法 | |
| JPH0764679B2 (ja) | セラミックス超電導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0417217A (ja) | 酸化物系超電導膜及びその製造方法 | |
| JPH02311355A (ja) | 酸化物超電導薄膜の製法 |