JPH03123750A - 光学活性な液晶性化合物 - Google Patents
光学活性な液晶性化合物Info
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は２表示素子又は電気光学素子に有用な光学活性
な液晶性化合物に関する。
な液晶性化合物に関する。
近年強誘電性液晶は、従来のネマチック型液晶に比べて
応答速度が大きいことに特徴があることから応用研究が
盛んになされている。
応答速度が大きいことに特徴があることから応用研究が
盛んになされている。
強誘電性は９分子の配列上分類命名されているカイラル
スメクチックＣ相、カイラルスメクチック！相、カイラ
ルスメクチックＦ相、カイラルスメクチックＣ相及びカ
イラルスメクチックＨ相（以下それぞれＳｃ＊相、Ｓご
相 Ｓ、＊相、 Ｓｃ＊相及びＳ＋＋＊相と略す）に発
現し１強誘電性に基づく応答は次式〔ａ〕ｒ ＝ ７７
／Ｐｉ ｅ Ｅ ［：ａ：］（式中τは応答時
間、ηは液晶材料の粘度、 Ｐｓは自発分極、Ｅは電界
をそれぞれ示す）として表わされるため、理論上１μｓ
まで応答できる表示素子を得ることが可能となる。
スメクチックＣ相、カイラルスメクチック！相、カイラ
ルスメクチックＦ相、カイラルスメクチックＣ相及びカ
イラルスメクチックＨ相（以下それぞれＳｃ＊相、Ｓご
相 Ｓ、＊相、 Ｓｃ＊相及びＳ＋＋＊相と略す）に発
現し１強誘電性に基づく応答は次式〔ａ〕ｒ ＝ ７７
／Ｐｉ ｅ Ｅ ［：ａ：］（式中τは応答時
間、ηは液晶材料の粘度、 Ｐｓは自発分極、Ｅは電界
をそれぞれ示す）として表わされるため、理論上１μｓ
まで応答できる表示素子を得ることが可能となる。
一方実際に利用される強誘電性液晶表示材料には多くの
特性が要求され、現状では１つの液晶性化合物にそれら
の特性を持たせることは困難であるので、数種類の液晶
性化合物を混合して実用的な表示材料を得る試みがなさ
れている。
特性が要求され、現状では１つの液晶性化合物にそれら
の特性を持たせることは困難であるので、数種類の液晶
性化合物を混合して実用的な表示材料を得る試みがなさ
れている。
そこで強誘電性の光学活性な液晶性化合物としては、熱
・光及び化学的にも安定であるとともに。
・光及び化学的にも安定であるとともに。
カイラヌヌメクチックＣ相を示す温度範囲が広く種々の
液晶性化合物と混合が可能であることが要請される。
液晶性化合物と混合が可能であることが要請される。
本発明者等は上記観点から鋭意研究の結果、安定性にす
ぐれ、カイラルヌメクチックＣ相を示す温度範囲が広く
、他のスメクチック液晶化合物とよく混合する液晶性化
合物、を見出し２本発明に至つ ｔこ 。
ぐれ、カイラルヌメクチックＣ相を示す温度範囲が広く
、他のスメクチック液晶化合物とよく混合する液晶性化
合物、を見出し２本発明に至つ ｔこ 。
すなわち２本発明は、一般式〔Ｉ〕
（式中−は炭素数が４〜１３の不斉炭素原子を有する光
学活性アルキル基を、Ｒは炭素数が１〜２０の直鎖アル
キル基を、Ａは基−０Ｃ−又は基−０−１ を、Ｘは水素原子又はフッ素原子を、Ｙ及びＺはＹが単
結合のときＺは基−ＣＨ２ＣＨ２−を、Ｙが基ＣＨｚＣ
Ｈｚ−のときＺは単結合をそれぞれ示す）で表わされる
光学活性な液晶性化合物である。
学活性アルキル基を、Ｒは炭素数が１〜２０の直鎖アル
キル基を、Ａは基−０Ｃ−又は基−０−１ を、Ｘは水素原子又はフッ素原子を、Ｙ及びＺはＹが単
結合のときＺは基−ＣＨ２ＣＨ２−を、Ｙが基ＣＨｚＣ
Ｈｚ−のときＺは単結合をそれぞれ示す）で表わされる
光学活性な液晶性化合物である。
一般式〔■〕で表わされる化合物の典型例を具体的に示
すと２式中のＡ、Ｙ及び２の組合せによシ。
すと２式中のＡ、Ｙ及び２の組合せによシ。
次のグループに分けることができる。
（式中ｒ、Ｒ及びＸは前記と同じ意義を有する）一般式
〔■〕で表わされる化合物の製造方法は下記に詳述する
が、製造原料の一つとして光学活性アルコールが使用さ
れる。光学活性アルコールとしては、産業上の汎用性と
いう観点から安価に入手できる。例えば１−メチルブタ
ノール、２−メチルブタノール、３−メチルペンタノー
ル、４−メチルヘキサノール、ｌ−メチルヘプタツール
。
〔■〕で表わされる化合物の製造方法は下記に詳述する
が、製造原料の一つとして光学活性アルコールが使用さ
れる。光学活性アルコールとしては、産業上の汎用性と
いう観点から安価に入手できる。例えば１−メチルブタ
ノール、２−メチルブタノール、３−メチルペンタノー
ル、４−メチルヘキサノール、ｌ−メチルヘプタツール
。
５−メチルへブタノ−／Ｌ／、６−メチルオクタツール
、１−メチルプロパツールなどが使用サレル。
、１−メチルプロパツールなどが使用サレル。
本発明の化合物の製造方法の概略を示すと次のようにな
る。
る。
Ｈ３
Ｈ３
Ｈ３
Ｈ３
〔ＣＤ
ＣＤ）
Ｈ３
Ｈｓ
〔Ｅ〕
〔Ｆ〕
Ｈ３
〔Ａ〕
ＣＢ、１
〔Ｇ〕
（Ｈ）
〔Ｄ〕
〔Ｊ〕
〔Ｋ〕
〔Ｌ〕
〔Ｆ〕
ＣＭ）
〔発明の作用及び効果〕
本発明の化合物は次の作用及び特徴を示す新規な液晶性
化合物である。
化合物である。
まず水分を含有する雰囲気下においても容易に分解する
基をもたず、光によっても異性化するような基を含まな
いので、湿気、光に対して非常に安定である。
基をもたず、光によっても異性化するような基を含まな
いので、湿気、光に対して非常に安定である。
次に本発明の液晶性化合物の多くは単独でもスメクチッ
クＣ相を示す温度範囲が広いので液晶性物質として利用
価値が高い。
クＣ相を示す温度範囲が広いので液晶性物質として利用
価値が高い。
さらに本発明の化合物同志や本発明の化合物と既存のス
メクチックＣ相を有する化合物等と混合することによっ
て、スメクチックＣ相を示す温度範囲を室温を含む幅広
い範囲に拡張できる。
メクチックＣ相を有する化合物等と混合することによっ
て、スメクチックＣ相を示す温度範囲を室温を含む幅広
い範囲に拡張できる。
以下に実施例を例示して１本発明を説明するが。
実施例中の％は重量％を示すものとする。
製造例１ ４−アルコキシフェニルアセチレン〔Ｂ〕の
合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた５００ ｃｃの
三つロアラスコに、窒素気流中で４−アルコキシブロム
ベンゼン（又は４−アルコキシ−３−）〜オロプロモベ
ンゼン） ０．２３４ ｎｏｏｌ 、 ２−メチル−３
−ブチン−２−オール２９．５７ ？ （０，３５２ｍ
ｏ＋ ） 、 トリフ エ： ／Ｌ／ホス７４ ：／”
１．０Ｏｆ （３，８１ｍｍｏｌ ） 、ジクロロビ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．５２９
（０，７３０ｍｍｏｌ ）及びトリエチルアミン２００
ｍｔを仕込み、攪拌溶解し、ヨウ化銅１６０■を加えた
。
合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた５００ ｃｃの
三つロアラスコに、窒素気流中で４−アルコキシブロム
ベンゼン（又は４−アルコキシ−３−）〜オロプロモベ
ンゼン） ０．２３４ ｎｏｏｌ 、 ２−メチル−３
−ブチン−２−オール２９．５７ ？ （０，３５２ｍ
ｏ＋ ） 、 トリフ エ： ／Ｌ／ホス７４ ：／”
１．０Ｏｆ （３，８１ｍｍｏｌ ） 、ジクロロビ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．５２９
（０，７３０ｍｍｏｌ ）及びトリエチルアミン２００
ｍｔを仕込み、攪拌溶解し、ヨウ化銅１６０■を加えた
。
室温で３時間攪拌後、徐々に加熱し、 ３０分を要して
内温を９０℃とした。この温度で２０時間反応させた。
内温を９０℃とした。この温度で２０時間反応させた。
反応後は室温に戻し、トリエチルアミンを減圧下で留去
し、残留物にエーテ／Ｉ／３００ｍｔを加えて水洗し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エーテルを留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（２
００メツシユのシリカゲル４００ ？ 、展開溶媒：ベ
ンゼン）にかけ１次の化合物〔Ａ〕を中間体として得た
。
し、残留物にエーテ／Ｉ／３００ｍｔを加えて水洗し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エーテルを留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（２
００メツシユのシリカゲル４００ ？ 、展開溶媒：ベ
ンゼン）にかけ１次の化合物〔Ａ〕を中間体として得た
。
Ｈ３
つぎに攪拌器、温度計及び蒸留装置を備えた５００ ｃ
ｃの三つロアラスコに、窒素気流中で上記化合物（Ａ）
５８．４ ｍｍｏｌ 、無水トルエン１２ｏｍｔ及び
水素化ナトリウム（６０％ヌジョール分［ＩＪ）３１０
■を仕込み、室温で３０分間攪拌した。徐々に加熱し、
３０分を要して内温を７０℃とした。アセトン（副生物
）の還流が始”Ｊｐ、）／レニンと共に留出しはじめる
が、さらに加熱して留出温度がトルエンの沸点となるま
で反応を続けた。この間２時間を要し、留出した溶媒は
６０ｍ１であった。反応終了後、室温に戻し、ベンゼン
１００ｍｔを加えて水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
した。濾過後、有機溶媒を留去し、残留物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（２００メツシユのシリカゲ
／ｌ’１５０ｒ 、 ｓ開ｍｗ 、ヘキサン）にかけて
４−アルコキシフェニルアセチレン［Ｂ］ （Ｘ＝Ｈ，
Ｆ ）ヲ得り。その構造はＩＲ及びＨ−ＮＭＲスベク）
ｙ＆よシ確認した。
ｃの三つロアラスコに、窒素気流中で上記化合物（Ａ）
５８．４ ｍｍｏｌ 、無水トルエン１２ｏｍｔ及び
水素化ナトリウム（６０％ヌジョール分［ＩＪ）３１０
■を仕込み、室温で３０分間攪拌した。徐々に加熱し、
３０分を要して内温を７０℃とした。アセトン（副生物
）の還流が始”Ｊｐ、）／レニンと共に留出しはじめる
が、さらに加熱して留出温度がトルエンの沸点となるま
で反応を続けた。この間２時間を要し、留出した溶媒は
６０ｍ１であった。反応終了後、室温に戻し、ベンゼン
１００ｍｔを加えて水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
した。濾過後、有機溶媒を留去し、残留物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（２００メツシユのシリカゲ
／ｌ’１５０ｒ 、 ｓ開ｍｗ 、ヘキサン）にかけて
４−アルコキシフェニルアセチレン［Ｂ］ （Ｘ＝Ｈ，
Ｆ ）ヲ得り。その構造はＩＲ及びＨ−ＮＭＲスベク）
ｙ＆よシ確認した。
結果を第１表に示す。
ｆｆ造例２ ４−フルキルオキシカルボニルフェニル
ＣＨ３０ 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた５００ｃｃの三
つロアラスコに、窒素気流中でアルキルｐ −ブロモベ
ンゾエート６４ ｍｒｎｏｌ 、 ２−メカル−３−
ブチン−２−オール５．９１ ｆ （７０ｒｎｍｏｌ
） 、 ）リフェニルホスフィン２７０ ”？ （１
，０３ｍｍｏｌ ） 、ジクロロヒヌ（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム１４０■（０，２０ｍｍｏ＋ ）
及びトリエチルアミン６０ ｍｌを仕込み、攪拌溶解し
、ヨウ化銅４５■を加えた。室温で３時間攪拌後、徐４
に加熱し、３０分を要して内温を８０℃とした。この温
度で１０時間反応させた。
ＣＨ３０ 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた５００ｃｃの三
つロアラスコに、窒素気流中でアルキルｐ −ブロモベ
ンゾエート６４ ｍｒｎｏｌ 、 ２−メカル−３−
ブチン−２−オール５．９１ ｆ （７０ｒｎｍｏｌ
） 、 ）リフェニルホスフィン２７０ ”？ （１
，０３ｍｍｏｌ ） 、ジクロロヒヌ（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム１４０■（０，２０ｍｍｏ＋ ）
及びトリエチルアミン６０ ｍｌを仕込み、攪拌溶解し
、ヨウ化銅４５■を加えた。室温で３時間攪拌後、徐４
に加熱し、３０分を要して内温を８０℃とした。この温
度で１０時間反応させた。
反応後は室温に戻し、トリエチルアミンを減圧下で留去
し、残留物にエーテ／Ｌ／３００ ｍｌを加えて水洗し
、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。沖過後エーテｚ＆ヲ
留去Ｌ 、 ＲＨ物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（２００メツシユのシリカゲ／Ｌ’１００ｒ。
し、残留物にエーテ／Ｌ／３００ ｍｌを加えて水洗し
、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。沖過後エーテｚ＆ヲ
留去Ｌ 、 ＲＨ物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（２００メツシユのシリカゲ／Ｌ’１００ｒ。
展開溶媒；ジクロロメタン）にかけ１次の化合物〔Ｃ〕
を中間体として得た。
を中間体として得た。
Ｈ３
つぎに攪拌器、温度計及び蒸留装置を備えた３００ Ｃ
Ｃの三つロアラスコに窒素気流中で上記化合物［Ｃ：］
５７．８ ｍｍｏ＋ 、無水トルエン１２０ｍ乙及び
水素化ナトリウム（６０％ヌジョール分散剤）２００〜
を仕込み、室温で３０分間攪拌した。徐々に加熱し。
Ｃの三つロアラスコに窒素気流中で上記化合物［Ｃ：］
５７．８ ｍｍｏ＋ 、無水トルエン１２０ｍ乙及び
水素化ナトリウム（６０％ヌジョール分散剤）２００〜
を仕込み、室温で３０分間攪拌した。徐々に加熱し。
３０分を要して内温を７０℃とした。アセトン（副生物
）の還流が始まり、トルエンと共に留出しはじめるが、
さらに加熱して留出温度がトルエンの沸点となるまで反
応を続けた。この間２時間を要し、留出した溶媒は６０
ｍｌであった。反応終了後室温に戻し、ベンゼン１０
０ｍｔを加えて水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した
。濾過後、有機溶媒全留去し、残留物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（２００メツシユのシリカゲ／Ｌ
／１００ｆ、展開溶謀：ベンゼン）にかけて４−アルキ
ルオキシカルボニルフェニルアセチレン 構造はＩＲ及びＨ − ＮＭＲスペクトル２，ｂ確認し
た。
）の還流が始まり、トルエンと共に留出しはじめるが、
さらに加熱して留出温度がトルエンの沸点となるまで反
応を続けた。この間２時間を要し、留出した溶媒は６０
ｍｌであった。反応終了後室温に戻し、ベンゼン１０
０ｍｔを加えて水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した
。濾過後、有機溶媒全留去し、残留物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（２００メツシユのシリカゲ／Ｌ
／１００ｆ、展開溶謀：ベンゼン）にかけて４−アルキ
ルオキシカルボニルフェニルアセチレン 構造はＩＲ及びＨ − ＮＭＲスペクトル２，ｂ確認し
た。
製造例３ ４−アルコキシフェニルアセチレンＣＦ］の
合成 製造例２におけるアルキル ート（ ６４ ｍｍｏｌ ）の代わりに，４−アルコキ
シブロモベンゼン（ ６４ ｍｍｏｌ ）を用いる以外
は，製造例２と同一の条件下で反応をおこない，４−ア
ルコキシフェニルアセチレンＣＦ）を得た。その構造は
ＩＲ及び’Ｈ − ＮＭＲスペクトルより確認した。
合成 製造例２におけるアルキル ート（ ６４ ｍｍｏｌ ）の代わりに，４−アルコキ
シブロモベンゼン（ ６４ ｍｍｏｌ ）を用いる以外
は，製造例２と同一の条件下で反応をおこない，４−ア
ルコキシフェニルアセチレンＣＦ）を得た。その構造は
ＩＲ及び’Ｈ − ＮＭＲスペクトルより確認した。
結果を第３表に示す。
実施例１ ４−フルキルオキシカルボニ）Ｌ／−
４ −攪拌器，温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃ
ｃの三つロアラスコに，４−アルキルオキシカルボニル
−４−プロモビフエニｚＬｚ （：Ｇ：） ３．４６
ｍｍｏｌ 、製造例１で得た４−アルコキシフェニルア
セチレンＣＢＩ （Ｘ＝Ｈ， Ｆ ） ３．５６ｍｍｏ
＋ 、 トリフェニルホスフィン２１．２ ｍＶ （
０．０８１ｍｒｎｏ＋ ） 、 シクｏｏビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム９． ５ ＷＩｇ（ ０
．０１４ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン２０ ｍｌを
窒素雰囲気下で仕込み，攪拌溶解し，ヨウ化銅５■を加
えた。
４ −攪拌器，温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃ
ｃの三つロアラスコに，４−アルキルオキシカルボニル
−４−プロモビフエニｚＬｚ （：Ｇ：） ３．４６
ｍｍｏｌ 、製造例１で得た４−アルコキシフェニルア
セチレンＣＢＩ （Ｘ＝Ｈ， Ｆ ） ３．５６ｍｍｏ
＋ 、 トリフェニルホスフィン２１．２ ｍＶ （
０．０８１ｍｒｎｏ＋ ） 、 シクｏｏビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム９． ５ ＷＩｇ（ ０
．０１４ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン２０ ｍｌを
窒素雰囲気下で仕込み，攪拌溶解し，ヨウ化銅５■を加
えた。
室温で３時間攪拌後，徐涜に加熱し，３０分を要して内
温を８０℃とした。 この温度で８時間反応させた。反
応後は室温に戻し，トリエチルアミンを減圧下で留去し
，残留物にニーテアｖ５Ｑ ｍｌを加えて水洗し，無水
硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エーテルを留去し，
残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ ２０
０メツシユのシリカゲル５０ ｆ 、展開ｍＫ ： ヘ
ンセン／ヘキサン＝１／１）にかけ９次の化合物〔Ｈ〕
を中間体として得た。
温を８０℃とした。 この温度で８時間反応させた。反
応後は室温に戻し，トリエチルアミンを減圧下で留去し
，残留物にニーテアｖ５Ｑ ｍｌを加えて水洗し，無水
硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エーテルを留去し，
残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ ２０
０メツシユのシリカゲル５０ ｆ 、展開ｍＫ ： ヘ
ンセン／ヘキサン＝１／１）にかけ９次の化合物〔Ｈ〕
を中間体として得た。
つぎに攪拌器、温度計及び水素ガスをためたゴム風船を
備えたフラスコに、上記化合物（Ｈ）１．０ｍｍｏ＋、
５％パラジウムー炭素触媒５０■及びテトラヒドロフラ
ン１５ ｍｌを仕込み、水素置換して室温で２時間反応
させた。反応終了後、触媒を戸別し、溶媒を減圧下で留
去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
２００メツシユのシリカケ／ｌ／２０９１展開溶媒：ベ
ンゼン）にかけて単離した。さらにヘキサンより再結晶
し、４−アルキルオキシカルボニル− シフェニ／Ｉ／）エチル〕ビフェニルＱａ〕（Ｘ＝Ｈ，
Ｆ ）を収率５０〜９５で得た。その構造はＩＲ及び
Ｈ−ＮＭＲスペクトルよシ確認した。
備えたフラスコに、上記化合物（Ｈ）１．０ｍｍｏ＋、
５％パラジウムー炭素触媒５０■及びテトラヒドロフラ
ン１５ ｍｌを仕込み、水素置換して室温で２時間反応
させた。反応終了後、触媒を戸別し、溶媒を減圧下で留
去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
２００メツシユのシリカケ／ｌ／２０９１展開溶媒：ベ
ンゼン）にかけて単離した。さらにヘキサンより再結晶
し、４−アルキルオキシカルボニル− シフェニ／Ｉ／）エチル〕ビフェニルＱａ〕（Ｘ＝Ｈ，
Ｆ ）を収率５０〜９５で得た。その構造はＩＲ及び
Ｈ−ＮＭＲスペクトルよシ確認した。
例１〔化合物階１７〕 収率８５％
Ｉ Ｒ ： ｖ ＫＢ’ ”” （儒−１） ２
９２４．１７１ ２＋ １６０ ８ 。
９２４．１７１ ２＋ １６０ ８ 。
１５１２、１１１２
”Ｈ−ＮＭＲ：Ｊ’Ｒ’（ｐｐｍ） ８．１（２Ｈ．
ｄ）、７．６（２Ｈ．ｄ）。
ｄ）、７．６（２Ｈ．ｄ）。
７、５（２Ｈ， ｄ）、 ７．４ 〜６．７ （６Ｈ．
ｍ）。
ｍ）。
４、２（２Ｈ，ｄ）、３．９（２Ｈ．ｔ）。
２、９（４Ｈ，Ｓ）、２．２ 〜０．６（２８Ｈ．ｍ）
例２〔化合物に２５〕 収率７３％ Ｉ Ｒ ： ｖ ＫＢ’ ｄｉ” （１−’ ）
２ ９２４，１７ ０ ４− １６０ ６＋１５１６
、１１２４ ”Ｈ−ＮＭＲ：δ’７Ｂ３１３（ｐｐｍ） ８．０（
２Ｈ，ｄ）＋ ７．６（２Ｈ，ｄ）。
例２〔化合物に２５〕 収率７３％ Ｉ Ｒ ： ｖ ＫＢ’ ｄｉ” （１−’ ）
２ ９２４，１７ ０ ４− １６０ ６＋１５１６
、１１２４ ”Ｈ−ＮＭＲ：δ’７Ｂ３１３（ｐｐｍ） ８．０（
２Ｈ，ｄ）＋ ７．６（２Ｈ，ｄ）。
７、５（２Ｈ． ｄ）、 ７．３〜６．７（５）１．
ｍ）。
ｍ）。
４、１ （２Ｈ． ｄ ） 、 ４．０ （ ２Ｈ，
ｔ ）。
ｔ ）。
２、９ （ ４Ｈ， ｓ ） 、 ２．１〜０．６ （
２８Ｈ， ｍ ）攪拌器，温度計及び還流冷却器を備え
た１００ｃｃの三つロアラスコに，製造例２で得た４−
アルキルオキシカルボニルフェニルアセチレン［Ｄ：ｌ
３． ０ｍｍｏ！ 、 ４−アルコキシ−４−ブロ
モビフェニル３、 ０ ｍｍｏｌ 、 ）リフェニル
ホスフィン１９．９■（０．０８６ｒｙ＋ｍｏｌ）、ジ
クロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム８．
０■（ ０．０１１ ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン
２０ ｍｌを窒素雰囲気下で仕込み，攪拌溶解し。
２８Ｈ， ｍ ）攪拌器，温度計及び還流冷却器を備え
た１００ｃｃの三つロアラスコに，製造例２で得た４−
アルキルオキシカルボニルフェニルアセチレン［Ｄ：ｌ
３． ０ｍｍｏ！ 、 ４−アルコキシ−４−ブロ
モビフェニル３、 ０ ｍｍｏｌ 、 ）リフェニル
ホスフィン１９．９■（０．０８６ｒｙ＋ｍｏｌ）、ジ
クロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム８．
０■（ ０．０１１ ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン
２０ ｍｌを窒素雰囲気下で仕込み，攪拌溶解し。
ヨウ化銅５■を加えた。室温で３時間攪拌後，除徐に加
熱し，３０分を要して内温を８０℃とした。
熱し，３０分を要して内温を８０℃とした。
この温度で８時間反応させた。反応後は室温に戻し，ト
リエチルアミンを減圧下で留去し，残留物にエーテル５
Ｑ ｍｌを加えて水洗し，無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。濾過後エーテルを留去し，残留物ヲシリカゲル力ラ
ムクロマトグラフィー（２００メツシユのシリカケ／１
１５０ｇ。展開溶媒：ベンゼン／ヘキサン＝１／ｌ）に
かけ、次の化合物〔Ｊ〕を中間体として得た。
リエチルアミンを減圧下で留去し，残留物にエーテル５
Ｑ ｍｌを加えて水洗し，無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。濾過後エーテルを留去し，残留物ヲシリカゲル力ラ
ムクロマトグラフィー（２００メツシユのシリカケ／１
１５０ｇ。展開溶媒：ベンゼン／ヘキサン＝１／ｌ）に
かけ、次の化合物〔Ｊ〕を中間体として得た。
つぎに攪拌器，温度計及び水素ガスをためたゴム風船を
備えたフラスコに，上記化合物（Ｊ：］１．０ｍｍｏ＋
、 ５％パラジウム−炭素触媒５０■及びテトラヒド
ロフラン１５ｍｌを仕込み．水素置換して室温で２時間
反応させた。反応終了後，触媒を戸別し，溶媒を減圧下
で留去し，残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（２００メツシユのシリカゲル２０２，展開溶媒：ベ
ンゼン）にかけて単離した。さらにヘキサンよシ再結晶
し，４−アルコキシ−４−Ｃ２−Ｃ４−アルキルオキシ
力ルポニルフェニ／Ｉ／）エチル〕ビフェニル（Ｉｂ）
全収率８０〜９０％で得た。その構造はＩＲ及び’Ｈ
ーＮＭＲスペクトｌしより確認した。
備えたフラスコに，上記化合物（Ｊ：］１．０ｍｍｏ＋
、 ５％パラジウム−炭素触媒５０■及びテトラヒド
ロフラン１５ｍｌを仕込み．水素置換して室温で２時間
反応させた。反応終了後，触媒を戸別し，溶媒を減圧下
で留去し，残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（２００メツシユのシリカゲル２０２，展開溶媒：ベ
ンゼン）にかけて単離した。さらにヘキサンよシ再結晶
し，４−アルコキシ−４−Ｃ２−Ｃ４−アルキルオキシ
力ルポニルフェニ／Ｉ／）エチル〕ビフェニル（Ｉｂ）
全収率８０〜９０％で得た。その構造はＩＲ及び’Ｈ
ーＮＭＲスペクトｌしより確認した。
例３〔化合物Ｎ１２７）−収率８０％
ＩＲニジ−、、 （ｍ ） ２９２４．１７
１２．１６１０。
１２．１６１０。
１５０２、１１０６
’ＨーＮＭＲ：δ？ｕ％′３（ｐｐｍ） ８．１〜７
．８ （ ２Ｈ， ｍ ） 。
．８ （ ２Ｈ， ｍ ） 。
７、６ 〜６．８ （ １０ Ｈ， Ｉｎ ） 。
５．４〜４．９ （Ｉ Ｈ，ｍ ） 。
４．０（２Ｈ，ｔ）、３．０（４Ｈ，ｓ）。
２．１〜０．６ （３５Ｈ，ｍ）
実施例１及び２で得られた化合物［Ｉａ）及び［Ｉｂ：
］の相相転湿温を第４表に示す。
］の相相転湿温を第４表に示す。
実施例３４−アルコキシ−４−（２−（４−ア間体とし
て得た。
て得た。
（Ｉｃ：ｌの合成
攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ ｃｃの
三つロアラスコに、４−アルコキシ−４−ブロモピフェ
ニル［：Ｋ） １．Ｏｍｍｏ！ 、製造例１で得た４−
アルコキシフェニルアセチレン １、２ｍｍｏ！ 、 トリフェニルホスフィン１０．
４ ｔｒｑ （０．０４０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（
トリフェニルホスフィン）パラジウム１３．３＊ （
０．０１９ ｍｍｏｌ ）及びトリエチルアミン２０
ｍｌを窒素雰囲気下で仕込み，攪拌溶解し。
三つロアラスコに、４−アルコキシ−４−ブロモピフェ
ニル［：Ｋ） １．Ｏｍｍｏ！ 、製造例１で得た４−
アルコキシフェニルアセチレン １、２ｍｍｏ！ 、 トリフェニルホスフィン１０．
４ ｔｒｑ （０．０４０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（
トリフェニルホスフィン）パラジウム１３．３＊ （
０．０１９ ｍｍｏｌ ）及びトリエチルアミン２０
ｍｌを窒素雰囲気下で仕込み，攪拌溶解し。
ヨウ化銅５■を加えた。室温で３時間攪拌後，徐冷に加
熱し，３０分を要して内温を８０℃とした。
熱し，３０分を要して内温を８０℃とした。
この温度で８時間反応させた。反応後は室温に戻し，ト
リエチルアミンを減圧下で留去し，残留物にエーテル５
０ ｍｌを加えて水洗し，無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。濾過後エーテルを留去し，残留物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（２００メツシユのシリカゲ／Ｌ
／ ５Ｑ ｔ 、展開溶媒：ベンゼン／ヘキサン＝１／
４）にかけ、次の化合物〔Ｌ〕を中つぎに攪拌器，温度
計及び水素ガスをためたゴム風船を備えたフラスコに，
上記化合物（Ｌ’：ｌ ０． ５ｍｍｏ＋ 、 ５％パ
ラジウム−炭素触媒５０■及びテトラヒドロフラン１５
ｍｌを仕込み，水素置換して室温で２時間反応させた
。反応終了後，触媒を戸別し，溶媒を減圧下で留去し，
残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（２００
メツシユのシリカゲル２０１，展開溶媒・ベンゼン／ヘ
キサン＝ｌ／１）にかけて単離した。さらにヘキサンよ
シ再結晶し，４−アルコキシ−４−〔２−（４−アルコ
キシフェニｌＩ／）エチル〕ビフヱニ／’ ［Ｉｃ）
（ ｘ ＝Ｈ，Ｆ）を収率５０〜９０％で得た。その構
造はＩＲ及び１Ｈ−ＮＭＲスベク） ／ｌ／よシ確認し
た。
リエチルアミンを減圧下で留去し，残留物にエーテル５
０ ｍｌを加えて水洗し，無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。濾過後エーテルを留去し，残留物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（２００メツシユのシリカゲ／Ｌ
／ ５Ｑ ｔ 、展開溶媒：ベンゼン／ヘキサン＝１／
４）にかけ、次の化合物〔Ｌ〕を中つぎに攪拌器，温度
計及び水素ガスをためたゴム風船を備えたフラスコに，
上記化合物（Ｌ’：ｌ ０． ５ｍｍｏ＋ 、 ５％パ
ラジウム−炭素触媒５０■及びテトラヒドロフラン１５
ｍｌを仕込み，水素置換して室温で２時間反応させた
。反応終了後，触媒を戸別し，溶媒を減圧下で留去し，
残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（２００
メツシユのシリカゲル２０１，展開溶媒・ベンゼン／ヘ
キサン＝ｌ／１）にかけて単離した。さらにヘキサンよ
シ再結晶し，４−アルコキシ−４−〔２−（４−アルコ
キシフェニｌＩ／）エチル〕ビフヱニ／’ ［Ｉｃ）
（ ｘ ＝Ｈ，Ｆ）を収率５０〜９０％で得た。その構
造はＩＲ及び１Ｈ−ＮＭＲスベク） ／ｌ／よシ確認し
た。
例４〔化合物Ｎａ２９〕 収率６０％■ＲニジＫＢｒ
ｄｉａｋ（−−１） ２９５６． １６０８１
１５１２。
ｄｉａｋ（−−１） ２９５６． １６０８１
１５１２。
１２５２、 ８１６
”Ｈ −ＮＭＲ ：Ｊ ’５′３（ｐｐｍ） ７．６
〜６．７ （ １２Ｈｌ ｍ）。
〜６．７ （ １２Ｈｌ ｍ）。
４、１ 〜３．７（４Ｈ，ｍ）。
２、９ （４Ｈ， ａ ）。
２、２ 〜０．７ （２８ Ｈ． ｍ ）例５〔化合物
高３１〕 収率９ｏ％ ＩＲニジ’ｒｉｒｘｄｉｓｋ （、、、−１）１Ｈ−Ｎ
ＭＲ：δＳ輩１３（ｐｐｍ） ２９２４、１６２０． １５２０。
高３１〕 収率９ｏ％ ＩＲニジ’ｒｉｒｘｄｉｓｋ （、、、−１）１Ｈ−Ｎ
ＭＲ：δＳ輩１３（ｐｐｍ） ２９２４、１６２０． １５２０。
２２
７、７ 〜６．３ （ １１ Ｈ， ｍ ） 。
４、１〜３．７（４Ｈ．ｍ）。
３、９ （４Ｈ． Ｓ ）。
２、１〜０．５（２４Ｈ．ｍ）
キシフェニルアセチレンＣＦ］ １．１ｍｍｏｌ， ４
−アルコキシ−４−プロモビフェニ／Ｌ／１． １ ｍ
ｍｏｌ 、 ）リフェニルホスフィン２１． ２ Ｗ
（ ０． ０８１ ｍｍｏｌ ） 、ジクロロヒス（
トリフェニルホスフィン）パラジウム８．６”Ｓ’ （
０． ０１２ ｍｍｏｌ ）及びトリエチルアミン２
０ ｍｌを窒素雰囲気下で仕込み，攪拌溶解し，ヨウ化
銅５■を加えた。室温で３時間攪拌後，徐々に加熱し。
−アルコキシ−４−プロモビフェニ／Ｌ／１． １ ｍ
ｍｏｌ 、 ）リフェニルホスフィン２１． ２ Ｗ
（ ０． ０８１ ｍｍｏｌ ） 、ジクロロヒス（
トリフェニルホスフィン）パラジウム８．６”Ｓ’ （
０． ０１２ ｍｍｏｌ ）及びトリエチルアミン２
０ ｍｌを窒素雰囲気下で仕込み，攪拌溶解し，ヨウ化
銅５■を加えた。室温で３時間攪拌後，徐々に加熱し。
３０分を要して内温を８０℃とした。この温度で８時間
反応させた。反応後は室温に戻し，トリエチルアミンを
減圧下で留去し，残留物にエーテ／”５０ｍｌを加えて
水洗し，無水硫酸ナトリウムで乾燥した。渥過後エーテ
ルを留去し，残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（２００メツシユのシリカゲ＃ ５Ｑ ｆ 、展開
溶媒：ベンゼン／ヘキサン＝１／４）にかけ、次の化合
物〔Ｍ〕を中間体として得た。
反応させた。反応後は室温に戻し，トリエチルアミンを
減圧下で留去し，残留物にエーテ／”５０ｍｌを加えて
水洗し，無水硫酸ナトリウムで乾燥した。渥過後エーテ
ルを留去し，残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（２００メツシユのシリカゲ＃ ５Ｑ ｆ 、展開
溶媒：ベンゼン／ヘキサン＝１／４）にかけ、次の化合
物〔Ｍ〕を中間体として得た。
攪拌器，温度計及び還流冷却器を備えた１００ ｃｃ
つぎに攪拌器・温度計及び水素ガフを９めたゴの
三つロアラスコに，製造例３で’４ タ４ ７ ／，
：ｌ ム風船を備えたフラスコに上記化合物ＣＭ）
１．０ｍｍｏ＋ 。
つぎに攪拌器・温度計及び水素ガフを９めたゴの
三つロアラスコに，製造例３で’４ タ４ ７ ／，
：ｌ ム風船を備えたフラスコに上記化合物ＣＭ）
１．０ｍｍｏ＋ 。
５％パラジウム−炭素５０■及びテトラヒドロフラン１
５ ｍｌを仕込み、水素置換して室温で２時間反応させ
た。反応終了後、触媒を戸別し、溶媒を減圧下で留去し
、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（２０
０メツシユのシリカゲ）Ｖ２ＱＪ展開溶媒：ベンゼン／
ヘキサン＝１／１）にかけて単離した。さらにヘキサン
より再結晶し、４−アルコキシ−４−４２−（４−アル
コキシフェニ）Ｖ ）エチル〕ビフェニ／ｌ／ （Ｉａ
〕を収率４０〜６０％で得た。その構造はＩＲ及び’Ｈ
−ＮＭＲスペクトルよシ確認した。
５ ｍｌを仕込み、水素置換して室温で２時間反応させ
た。反応終了後、触媒を戸別し、溶媒を減圧下で留去し
、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（２０
０メツシユのシリカゲ）Ｖ２ＱＪ展開溶媒：ベンゼン／
ヘキサン＝１／１）にかけて単離した。さらにヘキサン
より再結晶し、４−アルコキシ−４−４２−（４−アル
コキシフェニ）Ｖ ）エチル〕ビフェニ／ｌ／ （Ｉａ
〕を収率４０〜６０％で得た。その構造はＩＲ及び’Ｈ
−ＮＭＲスペクトルよシ確認した。
実施例３及び４で得られた化合物ＣＩｃ１及び〔■ｄ〕
の相転移温度を第中表に示す。
の相転移温度を第中表に示す。
例６〔化合物Ｎ［１３３］ 収率４０％ｒ Ｒ，、Ｋ
Ｂｒ ｄｉａｋ （、、−１）”Ｈ−ＮＭＲ：δＣ，Ｚ
Ｃｊ３ （ｐｐｍ）２９５６、 １６０８． １５１２ １２５４、 ８２４ ７．６〜６．７ （１２Ｈ，ｍ） 。
Ｂｒ ｄｉａｋ （、、−１）”Ｈ−ＮＭＲ：δＣ，Ｚ
Ｃｊ３ （ｐｐｍ）２９５６、 １６０８． １５１２ １２５４、 ８２４ ７．６〜６．７ （１２Ｈ，ｍ） 。
４．１〜３．７（４Ｈ，ｍ）。
Claims (2)
- （１）一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中Ｒ＾＊は炭素数が４〜１３の不斉炭素原子を有す
る光学活性アルキル基を、Ｒは炭素数が１〜２０の直鎖
アルキル基を、Ａは基▲数式、化学式、表等があります
▼又は基−Ｏ−を、Ｘは水素原子又はフッ素原子を、Ｙ
及びＺはＹが単結合のときＺは基−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−
を、Ｙが基−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−のときＺは単結合をそ
れぞれ示す）で表わされる光学活性な液晶性化合物。 - （２）一般式〔 I 〕において、Ｒ＾＊が一般式〔II〕
▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 （式中ｌは１〜５の整数を、ｍは０〜５の整数を、＊は
不斉炭素原子をそれぞれ示す）で表わされる光学活性ア
ルキル基である特許請求の範囲第１項記載の光学活性な
液晶性化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260970A JP2687022B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 光学活性な液晶性化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260970A JP2687022B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 光学活性な液晶性化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03123750A true JPH03123750A (ja) | 1991-05-27 |
| JP2687022B2 JP2687022B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=17355283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1260970A Expired - Fee Related JP2687022B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 光学活性な液晶性化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687022B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016030754A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-07 | Dic株式会社 | 接触水素還元による製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243037A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-29 | Asahi Glass Co Ltd | 光学活性エ−テル化合物およびそれを用いた液晶組成物 |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP1260970A patent/JP2687022B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243037A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-29 | Asahi Glass Co Ltd | 光学活性エ−テル化合物およびそれを用いた液晶組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016030754A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-07 | Dic株式会社 | 接触水素還元による製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2687022B2 (ja) | 1997-12-08 |
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