JPS61200973A - 液晶化合物 - Google Patents

液晶化合物

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JPS61200973A
JPS61200973A JP60042117A JP4211785A JPS61200973A JP S61200973 A JPS61200973 A JP S61200973A JP 60042117 A JP60042117 A JP 60042117A JP 4211785 A JP4211785 A JP 4211785A JP S61200973 A JPS61200973 A JP S61200973A
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JP
Japan
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liquid crystal
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crystal compound
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JP60042117A
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Hitoshi Suenaga
仁士 末永
Masaaki Taguchi
田口 雅明
Takamasa Harada
隆正 原田
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Seiko Instruments Inc
Teikoku Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Teikoku Chemical Industry Co Ltd
Seiko Instruments and Electronics Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強誘電性カイラルスメクチック液晶化合物を
提供するものであって、該液晶化合物は、電界への応答
を利用した電気光学素子に使用される。
〔発明の概要〕
本発明は次式 (式中mは1〜8の整数を、nは5〜14の整数を、畳
は不斉炭素原子を示す。) で示される光学活性な液晶化合物であって、室温を含む
広い温度範囲でカイラルスメクチック相を呈すると共に
、化学的安定性にもすぐれ、高い応答性を有し、更に他
の各種液晶化合物との混合性にもすぐれた液晶化合物で
ある。
〔従来の技術〕
強誘電性を示す液晶化合物として、(s)−2−メチル
ブチルp−(p−n−デシロキシペンジリデンアミノン
クンナメート(DOBAMBO)が知られている。この
シック塩基系列の液晶化合物が、強誘電性液1の研究対
象とされ、種々の化合物が合成された。その1例として 〔式中XはH,at、 am、 vはat、 C,H,
、+は不斉炭素原子を示す。〕 の一般式で示される化合物が知られている。
しかし、この系列の化合物はカイラルスメクチック相を
呈する温度が室温よシ高いため、室温では使えず、又シ
ック塩基系化合物であるため水分により分解を受は易い
などの欠点を有している。これらを改良するために考え
出された化合物として、次のものが知られている。
(yerroelectrllcs 2 a巻、309
頁(1980))この系の化合物は、室温を含む広い温
度範囲に亘ってスメクチックC相を呈する化合物として
注目された。
更に、B、工、オストロ7スキーによって、式  。
〔式中nは9又は10を示す〕 で表わされる化合物が、比較的室温に近い温度範囲でカ
イラルスメクチック相を呈すると報告されている。
又、Zaschke Horst 、 5toole 
、 Re1nnardらによって、式 %式% 〔式中mは1〜11.nは5〜8を示す〕で示される化
合物のいくつかが、スメクチック相を呈するとして紹介
されている。(Z、(!hsm197515(11)4
41〜3) しかし、これらの中に、強誘電性カイラル
スメクチック液晶化合物は記載されていない。
〔本発明が解決しようとする問題点〕
本発明によって提供される化合物は、式CI)(式中m
は1〜8の整数を、nは5〜14の整数を、骨は不斉炭
素原子を示す) で示される新規な強誘電性液晶化合物であって、室温を
含む広い温度範囲でカイラルスメクチック相を呈すると
共に、化学的安定性にもすぐれ、高い応答性を有し、更
に他の各種液晶化合物との混合性にもすぐれている。本
発明はかかる液晶化合物を提供する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によって提供される新規な強誘電性カイラルスメ
クチック液晶化合物は久のようにして造られる。即ち 合成法1゜ 式(1) (式中mは1〜8の整数を、簀は不斉炭素原子を、xは
トリルスルホニルオキシ基メシルオキシ基を示す。) で示される化合物と 式(2) %式%(2) (式中nは5〜14の整数を示す) で示される化合物とを適宜溶媒中アルカリ金属又はその
水素化物、あるいはその塩体を用いて反応させることに
よって式(I)で示される化合物を得る。ここにおいて
用いられる溶媒としては、N。
N−ジメチルホルムアミド、H,N−ジメチルアセタミ
ドなどのアミド系、テトラヒドロフラン、ジエチレング
リコールジメチルエーテルなどのエーテル系、ベンゼン
、トルエン、キシレンなどの芳香族系、ジメチルスルホ
キシドなどが挙げられる。
反応に用いられるナトリウム、カリウムなどのアルカリ
金属、ナトリウムハイドライド、カリウムハイドライド
などの水素化アルカリ金属、無水炭酸ナトリウム、無水
炭酸カリウムなどの無水アルカリ金属塩等は、式(2)
で示される化合物をフェノラートに変えて、反応を進行
させる。反応は室温乃至溶媒の還流温度で行われる。
又、次の方法で造ることもできる。
合成床Z 式(8) (式中m1畳は前記と同じ) で示される化合物と 式(4) (式中nは前記と同じ) で示される化合物とを適宜溶媒中反応させることによっ
て式(I)で示される化合物を得る。
ここにおいて用いられる溶媒としてはメタノール、エタ
ノール、プロパツール、イソプロパツールなどのアルコ
ール、ベンゼン、トルエン、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、エチレング
リコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメ
チルエーテルなどがあげられる。反応に際し、前記した
アルカリ金属、アルカリ金属アルコラード、無水アルカ
リ金属塩等を用いると反応の進行容易にする。反応は室
温乃至溶媒の還流温度で進行する。
体が存在する。これら対掌体は本発明の目的化合物に包
含されるところ、その光学的性・質は、原料として用い
る式(1)又は(8)で示される化合物においていずれ
の対掌体を使用するかに従って、一義的に定まる。
実施例1゜ (呻−5−(n−ウンデシルオキシ) −2−(4−(
2−メチルブチルオキシ)フェニル〕ピリミジンの台底
m=1 n=11 50%水素化ナトリ+7ム(L185f’i乾燥DMF
て〉 1.1tをゆつく−り滴下し、室温で30分間攪拌し几
ffl、2−メチル−1−(P−)リルスルホニルオキ
シ)より調整し几。〕〕0.785tt−滴した。次い
で反応混合液を100℃で5時間攪拌し比後、氷水に注
ぎ、反応生成物を酢酸エチルエステルで抽出し次。
酢酸エチルエステル層i5%NaOH水で洗い、硫酸マ
グネシウムで乾燥後、溶媒を留去して得九残香をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー、ついで再結晶にて精製
して、CB)−5−(n−ウンデシルオキシ)−2−(
4−(2−メチルブチルオキシ)フェニル〕ピリミジン
を収率76%で得友。
チルオキシ)フェニル〕ピリミジンの合成(8)−アミ
ルアルコールより調製せられ几 3−メチル−1−(p
−)’Jルスルホニルオキシ)ペンタンと、2−ヒドロ
キシ−5−(n−オクチルオキシ)ピリミジンを原料と
して、実施例1と同、様の方法で得られ友。
収率85% 実施例五 (8)−アミルアルコールより調製せられた 6−ピリ
ミジンとを原料として、′4施例1と同様の方法で収率
73%で得られた。
実施例4゜ (8)−5−(n−ウンデシルオキシ) −2−(4−
(S −メチルブチルオキシ)フェニル〕ピリミジンの
合成<B)−アミルアルコールより調製せられた 3−
メチル−f−(P−トリルスルホニルオキシ)ペンタン
と2−ヒドロキシ−5−(n−ウンデシルオキシ)ピリ
ミジンを原料として、実施レリ1と同様の方法で収率8
2チで得られ友。
実施例1〜4で得られ友化合物の’H−NMR。
IRスペクトルデータを表1に示す。
表 1 化合物の特性測定値 本発明で使用される式(1)で示される化合物は光学活
性なアミルアルコールから、そのままで、あるいはマロ
ン酸エステル合成法を適用して増炭し7 /l/ :r
 −ルK flt 導L ”C、ハロゲン化剤、スルホ
ニル化剤を反応させて造られる。
次に式(2)で示される化合物は、 で示されるアルコキシアクロレイン誘導体とp −ヒド
ロキシベンズアミジン塩酸塩とをフルコラートの存在下
に反応させて造られる。
又、式(3)で示される化合物は (xはハロゲン原子、トリルスルホニルオキシメシルオ
キシ基を示す。mは1〜8の整数、畳は不斉炭素原子を
示す。) で示される化合物をP−ヒドロキシベンズニトリルと反
応させ、得らfl、7?:化合物をアルコール中塩化水
素と反応させ、得られ几化合物をアルコール中アンモニ
アと反応させることによって造られる又、実施例1〜4
の液晶化合物の相転移温度及び、−軸配向処理を施し7
?、2.5μmのセルに封入し、±20Vの電圧印加で
直交ニコル下で測定した応答速度のデータを以下にまと
める。
表 2 化合物の相転移編度及び応答速度骨部は過冷却
を示す、 (発明の効果) 上記の如く、本発明による新規液晶化合物は、8C相を
家電より高い温度範囲で、比較的広い温度範囲で有し、
かつ速い応答性を有する。そのkめ多分割の動画巣表示
パネルや高速光学シャッター等の高速応答性が要求され
る分野での強誘電性液晶表示素子用の液晶材料として有
効であり、強誘電性スメクチック液晶素子の実用化に大
きく寄与するものである。
以   上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 (式中mは1〜8の整数を、nは5〜14の整数を、*
    は不斉炭素原子を示す。) で示される光学活性な液晶化合物。
JP60042117A 1984-06-07 1985-03-04 液晶化合物 Granted JPS61200973A (ja)

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JP60042117A JPS61200973A (ja) 1985-03-04 1985-03-04 液晶化合物
PCT/JP1985/000302 WO1986000087A1 (fr) 1984-06-07 1985-05-30 Compose de cristaux liquides
EP85902658A EP0191860B1 (en) 1984-06-07 1985-05-30 Liquid crystal compound
US06/830,530 US4725688A (en) 1984-06-07 1985-05-30 Liquid crystal compound
DE8585902658T DE3577211D1 (de) 1984-06-07 1985-05-30 Fluessigkristallverbindung.

Applications Claiming Priority (1)

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JPH058707B2 JPH058707B2 (ja) 1993-02-02

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01123890A (ja) * 1987-11-06 1989-05-16 Chisso Corp 強誘電性液晶組成物
US5211879A (en) * 1989-11-07 1993-05-18 Nippon Mining Co., Ltd. Ester compounds and liquid crystal compositions containing the same
JPH1053770A (ja) * 1985-05-24 1998-02-24 Hoechst Ag スメクチック液晶組成物

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1053770A (ja) * 1985-05-24 1998-02-24 Hoechst Ag スメクチック液晶組成物
JPH01123890A (ja) * 1987-11-06 1989-05-16 Chisso Corp 強誘電性液晶組成物
US5211879A (en) * 1989-11-07 1993-05-18 Nippon Mining Co., Ltd. Ester compounds and liquid crystal compositions containing the same

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JPH058707B2 (ja) 1993-02-02

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