JPH03124023A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH03124023A JPH03124023A JP26236389A JP26236389A JPH03124023A JP H03124023 A JPH03124023 A JP H03124023A JP 26236389 A JP26236389 A JP 26236389A JP 26236389 A JP26236389 A JP 26236389A JP H03124023 A JPH03124023 A JP H03124023A
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- cell
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ドライプロセス技術を利用して半導体ウェハ
にエツチング処理を施す場合に使用して好適な真空処理
装置に関するものである。
にエツチング処理を施す場合に使用して好適な真空処理
装置に関するものである。
従来、この種の真空処理装置は第２図に示すように構成
されている。これを同図に基づいて説明すると、同図に
おいて、符号１で示すものは気密性を有する反応室で、
内部で気体電気化学反応によって半導体ウェハ２に例え
ばエツチング処理が施されるように構成されている。こ
の反応室１には、上下方に各々開口する電極取付口３，
４および真空ポンプ（図示せず）に接続するガス排出口
５が設けられている。そして、この反応室１の側方には
、異物検出装置６に接続する異物導出用の管体７が設け
られている。８はエツチングガスを導入する通路９を有
する上部電極で、前記反応室ｌ内に一端部を臨ませ前記
電極取付口３に設けられ、かつ高周波電源１０に接続さ
れている。１１は前記上部電極８に所定の間隔をもって
対向する下部電極で、前記反応室１内に一端部を口ｎま
せて前記電極取付口４に設けられ、かつ接地接続されて
おり、上部には前記半導体ウェハ２を保持するように構
成されている。なお、前記異物検出装置６には、前記反
応室１内の異物等を吸引する真空ポンプ（図示せず）が
内蔵されている。
されている。これを同図に基づいて説明すると、同図に
おいて、符号１で示すものは気密性を有する反応室で、
内部で気体電気化学反応によって半導体ウェハ２に例え
ばエツチング処理が施されるように構成されている。こ
の反応室１には、上下方に各々開口する電極取付口３，
４および真空ポンプ（図示せず）に接続するガス排出口
５が設けられている。そして、この反応室１の側方には
、異物検出装置６に接続する異物導出用の管体７が設け
られている。８はエツチングガスを導入する通路９を有
する上部電極で、前記反応室ｌ内に一端部を臨ませ前記
電極取付口３に設けられ、かつ高周波電源１０に接続さ
れている。１１は前記上部電極８に所定の間隔をもって
対向する下部電極で、前記反応室１内に一端部を口ｎま
せて前記電極取付口４に設けられ、かつ接地接続されて
おり、上部には前記半導体ウェハ２を保持するように構
成されている。なお、前記異物検出装置６には、前記反
応室１内の異物等を吸引する真空ポンプ（図示せず）が
内蔵されている。
次に、このように構成された真空処理装置を用いるウェ
ハ処理について説明する。
ハ処理について説明する。
先ず、上下両電極８．１１のうち下部電極ｌｌ上に半導
体ウェハ２を保持する。次いで、反応室１内を所定圧力
に設定する。しかる後、この反応室１内に所定流量のエ
ツチングガスを供給すると共に、上下両電極８．１１間
に高周波電圧を印加することにより、反応室１内にプラ
ズマを発生させる。
体ウェハ２を保持する。次いで、反応室１内を所定圧力
に設定する。しかる後、この反応室１内に所定流量のエ
ツチングガスを供給すると共に、上下両電極８．１１間
に高周波電圧を印加することにより、反応室１内にプラ
ズマを発生させる。
このようにして、プラズマによる気体電気化学反応によ
って半導体ウェハ２にエツチング処理を施すことができ
る。
って半導体ウェハ２にエツチング処理を施すことができ
る。
ところで、この種の真空処理装置においては、異物検出
装置６によって異物量を検出し、この検出値が基準値を
越えると、反応室１内を清掃することが行われている。
装置６によって異物量を検出し、この検出値が基準値を
越えると、反応室１内を清掃することが行われている。
すなわち、ウェハ処理時に供給する反応ガスと発生する
反応生成ガスの大部分がガス排出口５から反応室１外に
排出されるが、一部のガスは排出されずに反応室１内で
所謂デボ物として浮遊し、この浮遊物が増加することに
より、反応室１内のクリーン度が低下してウエノ１処理
に悪影響を与えてしまうからである。
反応生成ガスの大部分がガス排出口５から反応室１外に
排出されるが、一部のガスは排出されずに反応室１内で
所謂デボ物として浮遊し、この浮遊物が増加することに
より、反応室１内のクリーン度が低下してウエノ１処理
に悪影響を与えてしまうからである。
しかるに、従来の真空処理装置においては、ウェハ処理
時、処理後の反応室１内が通常１０１〜１０−’Ｔｏｏ
ｒと高真空状態であるため、差圧排気による強制的な吸
引力によって反応室１と同一密度の異物を異物検出装置
６の側に十分に導くことができなかった。この結果、正
確な異物検出を行うことができず、ウェハ処理上の信頼
性が低下するという問題があった。
時、処理後の反応室１内が通常１０１〜１０−’Ｔｏｏ
ｒと高真空状態であるため、差圧排気による強制的な吸
引力によって反応室１と同一密度の異物を異物検出装置
６の側に十分に導くことができなかった。この結果、正
確な異物検出を行うことができず、ウェハ処理上の信頼
性が低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、正確
な異物検出を行うことができ、もってウェハ処理上の信
頼性を高めることができる真空処理装置を提供するもの
である。
な異物検出を行うことができ、もってウェハ処理上の信
頼性を高めることができる真空処理装置を提供するもの
である。
本発明に係る真空処理装置は、その内部で半導体ウェハ
に処理が施される反応室と、この反応室に開閉扉を介し
て接続された隔室とを備え、この隔室に不活性ガスの供
給口と異物の検出口を設け、このうち検出口に異物検出
装置を接続したものである。
に処理が施される反応室と、この反応室に開閉扉を介し
て接続された隔室とを備え、この隔室に不活性ガスの供
給口と異物の検出口を設け、このうち検出口に異物検出
装置を接続したものである。
〔作 用］
本発明においては、開閉扉を閉塞して供給口から隔室内
に不活性ガスを供給することにより、反応室と同一密度
の異物を検出するに十分な量の異物を異物検出装置の側
に導くことができる。
に不活性ガスを供給することにより、反応室と同一密度
の異物を検出するに十分な量の異物を異物検出装置の側
に導くことができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る真空処理装置を示す縦断面図、同
図において第２図と同一の部材については同一の符号を
付し、詳細な説明は省略する。同図において、符号２１
で示す反応室には隔室２２が開閉扉２３を介して接続さ
れており、この隔室２２には不活性ガス（希釈ガス）の
供給口２４と異物の検出口２５が設けられている。２６
は真空ポンプ（図示せず）を内蔵する異物検出装置で、
前記隔室２２の検出口２５に異物導入用管体２７を介し
て設けられている。
図において第２図と同一の部材については同一の符号を
付し、詳細な説明は省略する。同図において、符号２１
で示す反応室には隔室２２が開閉扉２３を介して接続さ
れており、この隔室２２には不活性ガス（希釈ガス）の
供給口２４と異物の検出口２５が設けられている。２６
は真空ポンプ（図示せず）を内蔵する異物検出装置で、
前記隔室２２の検出口２５に異物導入用管体２７を介し
て設けられている。
このように構成された真空処理装置においては、開閉扉
２３が通常開状態であることから、反応室２１と隔室２
２が同一の圧力に設定されている。
２３が通常開状態であることから、反応室２１と隔室２
２が同一の圧力に設定されている。
このため、隔室２２内のデボ物は反応室２１内のデボ物
と同様に略−様に分布する。ここで、開閉扉２３は閉状
態とし、供給口２４から不活性ガスを導入することによ
り、隔室２２内の圧力を例えば数Ｔｏｏｒ程度に設定す
る。この状態において、異物検出装置２６を作動させれ
ば、この異物検出装置２６に隔室２２内の異物を管体２
７を経て導くことができる。すなわち、開閉Ｒ２３を閉
塞して供給口２４から隔室２２内に不活性ガスを供給す
ることにより、反応室２１内の異物と同一密度の異物を
検出するに十分な量の異物を異物検出装置２６の側に導
くことができるのである。
と同様に略−様に分布する。ここで、開閉扉２３は閉状
態とし、供給口２４から不活性ガスを導入することによ
り、隔室２２内の圧力を例えば数Ｔｏｏｒ程度に設定す
る。この状態において、異物検出装置２６を作動させれ
ば、この異物検出装置２６に隔室２２内の異物を管体２
７を経て導くことができる。すなわち、開閉Ｒ２３を閉
塞して供給口２４から隔室２２内に不活性ガスを供給す
ることにより、反応室２１内の異物と同一密度の異物を
検出するに十分な量の異物を異物検出装置２６の側に導
くことができるのである。
したがって、本実施例においては、処理中あるいは非処
理中に隔室２２内の異物の正確な検出を行うことができ
る。
理中に隔室２２内の異物の正確な検出を行うことができ
る。
因に、本発明におけるウェハ処理について説明すると、
従来と同様に行うことができる。すなわち、先ず上下両
電極８．１１のうち下部電極１１上に半導体ウェハ２を
保持し、次いで反応室２１内を所定圧力に設定し、この
反応室２１内に所定流量のエツチングガスを供給し、し
かる後両電極８．１１間に高周波電圧を印加することに
より、反応室１内にプラズマを発生させるのである。
従来と同様に行うことができる。すなわち、先ず上下両
電極８．１１のうち下部電極１１上に半導体ウェハ２を
保持し、次いで反応室２１内を所定圧力に設定し、この
反応室２１内に所定流量のエツチングガスを供給し、し
かる後両電極８．１１間に高周波電圧を印加することに
より、反応室１内にプラズマを発生させるのである。
なお、本実施例においては、プラズマエツチング処理を
施す場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、この他例えば減圧ＣＶＤ、 スパッタ
あるいはイオン注入処理にも実施例と同様に適用できる
ことは勿論である。
施す場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、この他例えば減圧ＣＶＤ、 スパッタ
あるいはイオン注入処理にも実施例と同様に適用できる
ことは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、その内部で半導体
ウェハに処理が施される反応室と、この反応室に開閉扉
を介して接続された隔室とを備え、この隔室に不活性ガ
スの供給口と異物の検出口を設け、このうち検出口に異
物検出装置を接続したので、開閉扉を閉塞して供給口か
ら隔室内に不活性ガスを供給することにより、反応室内
の異物と同一密度の異物を検出するに十分な量の異物を
異物検出装置の側に導くことができる。したがって、正
確な異物検出を行うことができるから、ウェハ処理上の
信頬性を高めることができる。
ウェハに処理が施される反応室と、この反応室に開閉扉
を介して接続された隔室とを備え、この隔室に不活性ガ
スの供給口と異物の検出口を設け、このうち検出口に異
物検出装置を接続したので、開閉扉を閉塞して供給口か
ら隔室内に不活性ガスを供給することにより、反応室内
の異物と同一密度の異物を検出するに十分な量の異物を
異物検出装置の側に導くことができる。したがって、正
確な異物検出を行うことができるから、ウェハ処理上の
信頬性を高めることができる。
第１図は本発明に係る真空処理装置を示す縦断面図、第
２図は従来の真空処理装置を示す縦断面図である。 ２・・・・半導体ウェハ、２１・・・・反応室、２２・
・・・隔室、２３・・・・開閉扉、２４・・・・供給口
、２５・・・・検出口、２６・・・・異物検出装置。
２図は従来の真空処理装置を示す縦断面図である。 ２・・・・半導体ウェハ、２１・・・・反応室、２２・
・・・隔室、２３・・・・開閉扉、２４・・・・供給口
、２５・・・・検出口、２６・・・・異物検出装置。
Claims (1)
- その内部で半導体ウェハに処理が施される反応室と、こ
の反応室に開閉扉を介して接続された隔室とを備え、こ
の隔室に不活性ガスの供給口と異物の検出口を設け、こ
のうち検出口に異物検出装置を接続したことを特徴とす
る真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26236389A JPH03124023A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26236389A JPH03124023A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03124023A true JPH03124023A (ja) | 1991-05-27 |
Family
ID=17374702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26236389A Pending JPH03124023A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03124023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001467A1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Method and apparatus for processing fine particle dust in plasma |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP26236389A patent/JPH03124023A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001467A1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Method and apparatus for processing fine particle dust in plasma |
| US6893532B1 (en) | 1999-06-29 | 2005-05-17 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Method and apparatus for processing fine particle dust in plasma |
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