JPH03127404A - 還元再酸化形半導体コンデンサ用磁器組成物 - Google Patents
還元再酸化形半導体コンデンサ用磁器組成物Info
- Publication number
- JPH03127404A JPH03127404A JP26465389A JP26465389A JPH03127404A JP H03127404 A JPH03127404 A JP H03127404A JP 26465389 A JP26465389 A JP 26465389A JP 26465389 A JP26465389 A JP 26465389A JP H03127404 A JPH03127404 A JP H03127404A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体磁器組成物に係り、特に表面層形半導体
磁器コンデンサに通した還元再酸化形の半導体磁器組成
物に関する。
磁器コンデンサに通した還元再酸化形の半導体磁器組成
物に関する。
受動電子部品としての半導体磁器コンデンサは粒界層形
と表面層形に大別され、粒界層形としては粒界絶縁形半
導体磁器コンデンサ、表面層形には基層容量形半導体磁
器コンデンナと還元再酸化形半導体磁器コンデンサ等が
ある。
と表面層形に大別され、粒界層形としては粒界絶縁形半
導体磁器コンデンサ、表面層形には基層容量形半導体磁
器コンデンナと還元再酸化形半導体磁器コンデンサ等が
ある。
それぞれに特徴があるが、粒界層形は基層容量形に比べ
て容量が小さく、還元再酸化形に比べて耐電圧か小さい
。
て容量が小さく、還元再酸化形に比べて耐電圧か小さい
。
基層容量形は周波数特性が悪く、誘電体損失が大きく耐
電圧が小さい。
電圧が小さい。
１）元再酸化形は単位面積当たりの容ｆｉｔｃ （μＦ
／ｃｍ”）を大きくしようとすれば破壊電圧値が小さく
なり、誘電体損失ｔａｎδが大きくなるか、または容量
の温度特性Ｔ−Ｃが大きくなる。
／ｃｍ”）を大きくしようとすれば破壊電圧値が小さく
なり、誘電体損失ｔａｎδが大きくなるか、または容量
の温度特性Ｔ−Ｃが大きくなる。
従って、本発明の目的は還元再酸化形半導体（Ｒ器コン
デンサに適した単位面積当たりの容量が大きく、耐電圧
も高くしかも温度特性が良好な半導体磁器組成物を得る
ものである。
デンサに適した単位面積当たりの容量が大きく、耐電圧
も高くしかも温度特性が良好な半導体磁器組成物を得る
ものである。
このため本発明者等は鋭意研究の結果、主成分としてＢ
ａＴｔｏ ３を（１００−ｘ−ｙ ）モル％、副成分と
してＸ・”ＦａｘＯｓを０．３〜３．０モル％及びｙ−
Ｎｄｓ○３を０．３〜３．０モル％含有する（１００−
Ｘ−）’） ・ＢａＴｉＯ３＋ｘ−Ｔａ＊Ｏｓ＋ｙ−
Ｎｄｘ０３系の半導体磁器組成物が、上記目的を達成す
ることを見出した。
ａＴｔｏ ３を（１００−ｘ−ｙ ）モル％、副成分と
してＸ・”ＦａｘＯｓを０．３〜３．０モル％及びｙ−
Ｎｄｓ○３を０．３〜３．０モル％含有する（１００−
Ｘ−）’） ・ＢａＴｉＯ３＋ｘ−Ｔａ＊Ｏｓ＋ｙ−
Ｎｄｘ０３系の半導体磁器組成物が、上記目的を達成す
ることを見出した。
更に、上記成分に対して、コバルトをＣＯ３Ｏ４に換算
して０．８重量％以下添加するか、マンガンをＭｎＣＯ
３に換算して０．５０重鼠％以下添加するか、ＳｉＯ２
を０．２０重星％以下添加することによって、本発明の
半導体磁器組成物の電気的特性壱更に向上することを見
出した。
して０．８重量％以下添加するか、マンガンをＭｎＣＯ
３に換算して０．５０重鼠％以下添加するか、ＳｉＯ２
を０．２０重星％以下添加することによって、本発明の
半導体磁器組成物の電気的特性壱更に向上することを見
出した。
上記の組成から成る還元再酸化形半導体コンデンサ用磁
器組成物は単位面積当たりの容量が大きく、耐電圧も高
く、温度特性が良好なものが得られる。
器組成物は単位面積当たりの容量が大きく、耐電圧も高
く、温度特性が良好なものが得られる。
本発明の詳細な説明する。
出発原料としてＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２０５、Ｎ
ｄ２Ｏ３、ＣＯ３Ｏ４、ＭｎＣＯ３，５ｉｎ２を生成後
の成分ｍ酸比が第１表の如くになるように秤量する（第
１図Ｘ参照）。
ｄ２Ｏ３、ＣＯ３Ｏ４、ＭｎＣＯ３，５ｉｎ２を生成後
の成分ｍ酸比が第１表の如くになるように秤量する（第
１図Ｘ参照）。
秤量した原料を例えば合成樹脂ボールミル中で水、玉石
とともにに約２０時間回転し、湿式混合する（第１図Ｘ
参照）。
とともにに約２０時間回転し、湿式混合する（第１図Ｘ
参照）。
次に、脱水、乾燥しく第１図Ｘ参照）、約１２００℃の
温度で２時間位安定にし仮焼成を行う（第１図Ｘ参照）
。
温度で２時間位安定にし仮焼成を行う（第１図Ｘ参照）
。
これを再び合成樹脂ボールξル中で水、玉石とともに約
２０時間回転し、粉砕する（第１図Ｘ参照）。
２０時間回転し、粉砕する（第１図Ｘ参照）。
再び脱水、乾燥してから（第１図Ｘ参照）、固形分とし
て約２％のＰＶＡの有機バインダとともに混合して造粒
し、約３トン／ ｃｍ ２の圧力で直径１０ｎ１厚み０
、５ ｍｍの円板に成形する（第１図Ｘ参照）。
て約２％のＰＶＡの有機バインダとともに混合して造粒
し、約３トン／ ｃｍ ２の圧力で直径１０ｎ１厚み０
、５ ｍｍの円板に成形する（第１図Ｘ参照）。
成形した円板を約８００℃で約１時間安定にし、ＰＶＡ
をとりのぞき脱媒を行う（第１図Ｘ参照）。
をとりのぞき脱媒を行う（第１図Ｘ参照）。
脱媒後、成形した円板を１３００℃で２時間安定にし、
本焼成を行い誘電体磁器を得る（第１図Ｘｌ照）。
本焼成を行い誘電体磁器を得る（第１図Ｘｌ照）。
得られた講′ｉｕ体磁器を８００ ’Ｃの例えば水素ガ
ス雰囲気の如き還元性雰囲気中で２時間安定にし半導体
磁器とする（第１図Ｘ参照）。
ス雰囲気の如き還元性雰囲気中で２時間安定にし半導体
磁器とする（第１図Ｘ参照）。
この半導体磁器円板の両面に電極となる銀ペーストを印
刷する（第１図Ｘｌ参照）。
刷する（第１図Ｘｌ参照）。
これを酸化性雰囲気中で再び８００°Ｃで２時間安定に
し、その磁器表面に講電体層を形成するとともに電極を
形威し、還元再酸化性半導体コンデンサを完成する〈第
１図Ｘｌ参照）。
し、その磁器表面に講電体層を形成するとともに電極を
形威し、還元再酸化性半導体コンデンサを完成する〈第
１図Ｘｌ参照）。
このようにして形成された半導体コンデンサについて、
電気的特性を測定した結果を第１表に示す（第１図皿参
照）。ここで単位面積当たりの容ＩＣ，誘電体損失ｔａ
ｎδはＩＫＩＩｚ 、Ｉ Ｖでｄ（り定した値であり、
！！！縁抵抗抵抗は２５Ｖの電圧を印加して測定した値
、温度特性′ｒ −ｃは２０°Ｃにおける容量を基準と
して一２５°Ｃ〜８５℃における容量の変化率を測定し
たものである。
電気的特性を測定した結果を第１表に示す（第１図皿参
照）。ここで単位面積当たりの容ＩＣ，誘電体損失ｔａ
ｎδはＩＫＩＩｚ 、Ｉ Ｖでｄ（り定した値であり、
！！！縁抵抗抵抗は２５Ｖの電圧を印加して測定した値
、温度特性′ｒ −ｃは２０°Ｃにおける容量を基準と
して一２５°Ｃ〜８５℃における容量の変化率を測定し
たものである。
なお、第１表中×印を付したものはこの発明の範囲外の
ものである。
ものである。
以下余白
この発明の還元再酸化形半導体コンデンサ用磁器組成物
における組成の限定理由を第１表を参照して説明する。
における組成の限定理由を第１表を参照して説明する。
Ｔａｚ０５が０．３モル％未満の場合には焼結不足とな
ったり（試料Ｎ０１）．２．４参照）、単位面積当たり
の容量Ｃが低く、ｔａｎδが大きくなるとともに、直流
破壊電圧ｖｂが小さくなり、容量の温度特性も悪化する
（試料Ｎ０９３参照）。
ったり（試料Ｎ０１）．２．４参照）、単位面積当たり
の容量Ｃが低く、ｔａｎδが大きくなるとともに、直流
破壊電圧ｖｂが小さくなり、容量の温度特性も悪化する
（試料Ｎ０９３参照）。
一方、Ｔａｘｅｓが３モル％を越えると、温度特性が悪
化する（試料ＮＯ，１４，１６参照）。
化する（試料ＮＯ，１４，１６参照）。
また、Ｎｄ２Ｏ３が０．３モル％未満の場合には容量Ｃ
が低く、直流破壊電圧ｖｂが小さく、温度特性も悪化す
る（試料Ｎ０１５．１６参照）。
が低く、直流破壊電圧ｖｂが小さく、温度特性も悪化す
る（試料Ｎ０１５．１６参照）。
Ｎｄ２Ｏ５が３モル％を越えると温度特性が悪化する（
試料Ｎ０１ｌＯ１）４参照）。
試料Ｎ０１ｌＯ１）４参照）。
ＣＯ３Ｏ４が０．８重量％を越えると、単位面積当たり
の容量Ｃが低く且つ温度特性も悪化する（試料Ｎｏ、
１９参照）。
の容量Ｃが低く且つ温度特性も悪化する（試料Ｎｏ、
１９参照）。
またＭｎＣＣｌ３が０．５０重量％を越えると、絶縁抵
抗ＩＲ１直流破壊電圧ｖｂが小さくなる（試料ＮＯ，２
３参照）。
抗ＩＲ１直流破壊電圧ｖｂが小さくなる（試料ＮＯ，２
３参照）。
更にＳｉＯ２が０．２０重量％を越えると、単位面積当
たりの容量Ｃが低くなり、かつ絶縁抵抗ＩＲ１直流破壊
電圧ｖｂが低くなる（試料Ｎｏ、 ２７参照）。
たりの容量Ｃが低くなり、かつ絶縁抵抗ＩＲ１直流破壊
電圧ｖｂが低くなる（試料Ｎｏ、 ２７参照）。
なお、添加物ＣＯ３Ｏ４、ＭｎＣＯ３，５ｉ０２は各々
添加しなくても良好な電気的特性を有する半導体磁器組
成物を得ることが出来るが、これらの添加物を添加する
ことによって、更により良い特性が得られるものである
（試料ＮＯ，１７，１８，２１，２２，２５，２６参照
）。
添加しなくても良好な電気的特性を有する半導体磁器組
成物を得ることが出来るが、これらの添加物を添加する
ことによって、更により良い特性が得られるものである
（試料ＮＯ，１７，１８，２１，２２，２５，２６参照
）。
本発明の組成の還元再酸化形半導体コンデンサ用Ｖｌｆ
ｔ器組成物を用いて半導体コンデンサを形成することに
より電気的緒特性、特にその温度特性のすぐれたものを
得ることができる。
ｔ器組成物を用いて半導体コンデンサを形成することに
より電気的緒特性、特にその温度特性のすぐれたものを
得ることができる。
第１図は本発明の実施例の製造工程説明図である。
Claims (4)
- （１）ＢａＴｉＯ＿３を主成分とし、副成分としてタン
タルをＴａ＿２Ｏ＿５に換算して０．３〜３．０モル％
、ネオジウムをＮｄ＿２Ｏ＿３に換算して０．３〜３．
０モル％含有することを特徴とする（１００−ｘ−ｙ）
・ＢａＴｉＯ＿３＋ｘ・Ｔａ＿２Ｏ＿５＋ｙ・Ｎｄ＿２
Ｏ＿３系還元再酸化形半導体コンデンサ用磁器組成物。 - （２）前記成分に対して、コバルトをＣｏ＿３Ｏ＿４に
換算して０．８重量％以下（但し０を除く）含有するこ
とを特徴とする請求項（１）記載の還元再酸化形半導体
コンデンサ用磁器組成物。 - （３）前記成分に対してマンガンをＭｎＣＯ＿３に換算
して０．５０重量％以下（但し０を除く）含有すること
を特徴とする請求項（１）記載の還元再酸化形半導体コ
ンデンサ用磁器組成物。 - （４）前記成分に対して酸化シリコンＳｉＯ＿２が０．
２０重量％以下（但し０を除く）含有することを特徴と
する請求項（１）記載の還元再酸化形半導体コンデンサ
用磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26465389A JPH03127404A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 還元再酸化形半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26465389A JPH03127404A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 還元再酸化形半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03127404A true JPH03127404A (ja) | 1991-05-30 |
Family
ID=17406342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26465389A Pending JPH03127404A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 還元再酸化形半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03127404A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004093109A3 (en) * | 2003-04-09 | 2005-06-16 | Mra Lab Inc | High dielectric constant very low fired x7r ceramic capacitor, and powder for making |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP26465389A patent/JPH03127404A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004093109A3 (en) * | 2003-04-09 | 2005-06-16 | Mra Lab Inc | High dielectric constant very low fired x7r ceramic capacitor, and powder for making |
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