JPH03132014A - Ｍｏｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｍｏｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH03132014A JPH03132014A JP26893689A JP26893689A JPH03132014A JP H03132014 A JPH03132014 A JP H03132014A JP 26893689 A JP26893689 A JP 26893689A JP 26893689 A JP26893689 A JP 26893689A JP H03132014 A JPH03132014 A JP H03132014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas flow
- flow rate
- inclination
- substrate support
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明は、横型ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）装置に
おける基板結晶の支持台部分の形状に関する。
おける基板結晶の支持台部分の形状に関する。
従来の装置は、ジャーナル オブ クリスタルグロス８
８，（１９８８年）第３７１頁から第３７８頁（Ｊｏｕ
ｒｎｏｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｔｈ ８ ８
（１９８８）ＰＰ３７１−３７８）において論じられて
いる。
８，（１９８８年）第３７１頁から第３７８頁（Ｊｏｕ
ｒｎｏｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｔｈ ８ ８
（１９８８）ＰＰ３７１−３７８）において論じられて
いる。
上記従来技術はガス流と平行な方向の膜厚均一性にのみ
留意をおき、ガス流を垂直な方向の膜厚均一性について
配慮がなされておらず、ガス流と垂直力向のガス流もし
くはガス流量が完全に対称でない場合には膜厚の不均一
性をまねくという問題があった。
留意をおき、ガス流を垂直な方向の膜厚均一性について
配慮がなされておらず、ガス流と垂直力向のガス流もし
くはガス流量が完全に対称でない場合には膜厚の不均一
性をまねくという問題があった。
本発明な現実的な装置においてしばしば起こるガス流と
垂直方向のガス流量もしくはガス流速の非対称性によっ
てひき起こされる膜厚の不均一性を補正することにある
。
垂直方向のガス流量もしくはガス流速の非対称性によっ
てひき起こされる膜厚の不均一性を補正することにある
。
上記目的を達成するために、本発明においては基板結晶
の支持台にガス流と平行な方向のみならず垂直な方向に
も傾きを設け、断面のガス流速分布を調節するようにし
た。
の支持台にガス流と平行な方向のみならず垂直な方向に
も傾きを設け、断面のガス流速分布を調節するようにし
た。
さらに別の手段として、平行平板の基板支持台の上にガ
ス流と平行な方向と垂直な方向の両方に傾きを持つガス
流速制御堰を設けた。
ス流と平行な方向と垂直な方向の両方に傾きを持つガス
流速制御堰を設けた。
管の中を流れるガスの流速を決める一つの要因は、その
管の断面積である。即ち同じガス流量の時には管の断面
積が小さい程流速が速くなる。また、有機金属気相成長
法におけるエピタキシャル膜の成長速度とガス流速との
関係は、ガス流速が速い程成長速度は遅くなる。このた
めエピタキシャル膜の膜厚が厚くなる部分ではガス流速
を速める工夫をし、薄くなる部分は遅くする工夫をして
やればよい。管の中に入れる基板支持台に傾きを持たせ
、くさび形状にしてやれば断面で決まるガス流速の変化
を起こすことができ、上記の原理により１漠厚の均一化
を図ることができる。
管の断面積である。即ち同じガス流量の時には管の断面
積が小さい程流速が速くなる。また、有機金属気相成長
法におけるエピタキシャル膜の成長速度とガス流速との
関係は、ガス流速が速い程成長速度は遅くなる。このた
めエピタキシャル膜の膜厚が厚くなる部分ではガス流速
を速める工夫をし、薄くなる部分は遅くする工夫をして
やればよい。管の中に入れる基板支持台に傾きを持たせ
、くさび形状にしてやれば断面で決まるガス流速の変化
を起こすことができ、上記の原理により１漠厚の均一化
を図ることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図により説明
する。第１図は横型有機金属気相成長装置のうち成長反
応管内にある基板支持台部分のみを表したものである。
する。第１図は横型有機金属気相成長装置のうち成長反
応管内にある基板支持台部分のみを表したものである。
１ａが基板支持台であり、ガスの流れ方向１ｃに対して
平行方向に角度θの傾きを持ち、さらに垂直方向にも角
度での傾きを持っている。この支持台の上にエピタキシ
ャル成長用の成長基板１ｂがのせられる。
平行方向に角度θの傾きを持ち、さらに垂直方向にも角
度での傾きを持っている。この支持台の上にエピタキシ
ャル成長用の成長基板１ｂがのせられる。
第２図は従来例の基板支持台の様子を表わしたものであ
る。２ａが基板支持台、２ｂが成長基板、２ｃがガス流
の流れ方向である。従来例の基板支持台はガス流と平行
な方向にのみ傾きθを持っている。
る。２ａが基板支持台、２ｂが成長基板、２ｃがガス流
の流れ方向である。従来例の基板支持台はガス流と平行
な方向にのみ傾きθを持っている。
この角度θはエピタキシャル成長膜のガス流方向の分布
を見て最適となるように決める。即ち」二流が薄く下流
に行くにつれて、厚くなるような分布を持つときはθを
増やし、その逆の場合にはＯを減らしてゆけばよい。こ
のようにして最適のＯを決めた後、ガス流と垂直な方向
の膜厚分布を調べる。もしガス流に対して基板支持台に
向かった左側が膜厚が薄く、右側に行くにつれて厚くな
るような分布を持てば角度ψを増やしてゆく。逆の分布
を持つ場合には角度ｒを減らしてゆけばよい。
を見て最適となるように決める。即ち」二流が薄く下流
に行くにつれて、厚くなるような分布を持つときはθを
増やし、その逆の場合にはＯを減らしてゆけばよい。こ
のようにして最適のＯを決めた後、ガス流と垂直な方向
の膜厚分布を調べる。もしガス流に対して基板支持台に
向かった左側が膜厚が薄く、右側に行くにつれて厚くな
るような分布を持てば角度ψを増やしてゆく。逆の分布
を持つ場合には角度ｒを減らしてゆけばよい。
このようにして膜厚の面内分布を改善することができる
。
。
第３図は別の実施例であり、やはり成長反応管内にある
基板支持台の一部を表わしたものである。
基板支持台の一部を表わしたものである。
３ａは平行平板の基板支持台、３ｂは成長基板。
３ｃがガスの流れ方向、３ｄは傾きＯとＴを持つガス流
速制御堰を各々表わしている。
速制御堰を各々表わしている。
この実施例においても上記第１図の実施例と同様にして
膜厚の均一化を図ることができる。また、本実施例のガ
ス流速制御３ｄも基板支持台３ａと同様に加熱すること
ができるようにしておけば反応管上部に付着堆積したゴ
ミの落下も防げ、成長中の基板への落下物を核にした欠
陥の発生も大きく軽減することができる。
膜厚の均一化を図ることができる。また、本実施例のガ
ス流速制御３ｄも基板支持台３ａと同様に加熱すること
ができるようにしておけば反応管上部に付着堆積したゴ
ミの落下も防げ、成長中の基板への落下物を核にした欠
陥の発生も大きく軽減することができる。
本発明は、反応管等の大改造を必要とせず、反応管内に
挿入する基板支持台もしくは堰の形状を現実の膜厚分布
に応じて変化させることで簡便に成長膜厚の均一化を図
ることができる。
挿入する基板支持台もしくは堰の形状を現実の膜厚分布
に応じて変化させることで簡便に成長膜厚の均一化を図
ることができる。
第１図は本発明の一実施例の基板支持台の斜視図、第２
図は従来例の基板支持台の斜視図、第３図は本発明の別
の実施例の基板支持台とガス流速制御堰の斜視図である
。 １ａ・・・傾きθとＴを持つ基板支持台、１ｂ・・・成
長基板、ｌｃ・・・ガス流方向、２ａ傾きθを持つ基板
支持台、２ｂ・・・成長基板、２ｃ・・・ガス流方向、
３ａ・・・平行平板基板支持台、３ｂ・・・成長基板、
３ｃ・・・ガス流方向、３ｄ・・・傾きＯとＣｅを持つ
ガス流速制御堰。 毛 １ 図 隼 記 鳩 記 ｄ
図は従来例の基板支持台の斜視図、第３図は本発明の別
の実施例の基板支持台とガス流速制御堰の斜視図である
。 １ａ・・・傾きθとＴを持つ基板支持台、１ｂ・・・成
長基板、ｌｃ・・・ガス流方向、２ａ傾きθを持つ基板
支持台、２ｂ・・・成長基板、２ｃ・・・ガス流方向、
３ａ・・・平行平板基板支持台、３ｂ・・・成長基板、
３ｃ・・・ガス流方向、３ｄ・・・傾きＯとＣｅを持つ
ガス流速制御堰。 毛 １ 図 隼 記 鳩 記 ｄ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、横型ＭＯＣＶＤ装置において、ガス流と平行な方向
のみならず垂直な方向にも傾きを持つことを特徴とする
成長基板支持台を有するＭＯＣＶＤ装置。 ２、横型ＭＯＣＶＤ装置において平行基板の基板支持台
と上方に向い合って設けられたガス流速制御堰。 ３、ガス流と平行な方向を垂直な方向に傾きを持つこと
を特徴とする上記請求項第２項記載のガス流速制御堰。 ４、加熱装置を具備することを特徴とする請求項第１項
から第３項のいずれかに記載の基板支持台もしくはガス
流速制御堰。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26893689A JPH03132014A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Ｍｏｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26893689A JPH03132014A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Ｍｏｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03132014A true JPH03132014A (ja) | 1991-06-05 |
Family
ID=17465341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26893689A Pending JPH03132014A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Ｍｏｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03132014A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536918A (en) * | 1991-08-16 | 1996-07-16 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers |
| JP2009182206A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法、並びに処理管 |
| JP2016027635A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-02-18 | 株式会社Flosfia | 成膜装置および成膜方法 |
| CN113403609A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-17 | 苏州矩阵光电有限公司 | Mocvd腔体结构及其控制方法和mocvd反应室 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP26893689A patent/JPH03132014A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536918A (en) * | 1991-08-16 | 1996-07-16 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers |
| JP2009182206A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法、並びに処理管 |
| US8303712B2 (en) | 2008-01-31 | 2012-11-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and process tube |
| JP2016027635A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-02-18 | 株式会社Flosfia | 成膜装置および成膜方法 |
| CN113403609A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-17 | 苏州矩阵光电有限公司 | Mocvd腔体结构及其控制方法和mocvd反应室 |
| CN113403609B (zh) * | 2021-06-16 | 2023-08-15 | 苏州矩阵光电有限公司 | Mocvd腔体结构的控制方法 |
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