JPH03140472A - 酸化物微粒子堆積膜の製法 - Google Patents
酸化物微粒子堆積膜の製法Info
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- JPH03140472A JPH03140472A JP28109089A JP28109089A JPH03140472A JP H03140472 A JPH03140472 A JP H03140472A JP 28109089 A JP28109089 A JP 28109089A JP 28109089 A JP28109089 A JP 28109089A JP H03140472 A JPH03140472 A JP H03140472A
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Landscapes
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- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は酸化物高温超電導体の厚膜、線状堆積膜または
圧粉体の製法に関するものである。
圧粉体の製法に関するものである。
「従来技術及びその間厘点」
従来、酸化物高温超電導体の成膜方法としては、（１）
スパッタリング法、（２）蒸発法、（３）イオンビーム
法、（４）ＣＶ Ｄ法、（５）スプレーパイロリシス法
、（６）塗布膜熱分解法、（７）スクリーン印刷法等が
知られている。
スパッタリング法、（２）蒸発法、（３）イオンビーム
法、（４）ＣＶ Ｄ法、（５）スプレーパイロリシス法
、（６）塗布膜熱分解法、（７）スクリーン印刷法等が
知られている。
これらのうち、（１）〜（４）は薄膜作製法として研究
が進められており、副脚された高特性の薄膜（ミクロン
オーダー以下）が比較的低温（最低で５００°Ｃ程度）
の基板上に作製ずろことが可能となってきている。しか
し、これらは電子デバイスを実用化の念頭に置いたもの
であり、許容電流量は小さい。Ｍｉ電Ｗ体を線材やテー
プ材等の形で比較的多伍の電流を流す分野に応用したり
、磁気シールドなどの形状を付与するためには、バルク
体とするか、または厚膜や線状堆積膜を作製する必要が
ある。（４）〜（７）は厚膜作製法として現在研究が進
んでいるものである。（４）のＣＶＤ法は、原料として
金属塩化物、有機金属ガスを用い、気相反応により、加
熱した基板上超電導体を析出させるものである。有機金
属ガスを用いたＭＯＣＶＤ法では、薄膜のみならず高速
堆積技術の進展による厚膜化への期待が大きいが、原料
ガスの制御技術やコストの問題がある。（５）のスプレ
ーパイロリシス法は、金属塩溶液を４００〜５００℃程
度に加熱した基板上に吹き付け、これを数回繰り返して
前駆体を堆積させ、これをさらに高温で熱分解〜結晶化
して厚膜とするものであり、比較的簡便に成膜が可能で
あるが、膜の均質性や組成の制御に問題がある。（６）
の塗布膜熱分解法は、スプレーパイロリシス法に類似し
ているが、ナフテン酸や金属アルコキシド等の溶液をデ
ィッピング等により基板表面に塗布し、焼成するもので
ある。
が進められており、副脚された高特性の薄膜（ミクロン
オーダー以下）が比較的低温（最低で５００°Ｃ程度）
の基板上に作製ずろことが可能となってきている。しか
し、これらは電子デバイスを実用化の念頭に置いたもの
であり、許容電流量は小さい。Ｍｉ電Ｗ体を線材やテー
プ材等の形で比較的多伍の電流を流す分野に応用したり
、磁気シールドなどの形状を付与するためには、バルク
体とするか、または厚膜や線状堆積膜を作製する必要が
ある。（４）〜（７）は厚膜作製法として現在研究が進
んでいるものである。（４）のＣＶＤ法は、原料として
金属塩化物、有機金属ガスを用い、気相反応により、加
熱した基板上超電導体を析出させるものである。有機金
属ガスを用いたＭＯＣＶＤ法では、薄膜のみならず高速
堆積技術の進展による厚膜化への期待が大きいが、原料
ガスの制御技術やコストの問題がある。（５）のスプレ
ーパイロリシス法は、金属塩溶液を４００〜５００℃程
度に加熱した基板上に吹き付け、これを数回繰り返して
前駆体を堆積させ、これをさらに高温で熱分解〜結晶化
して厚膜とするものであり、比較的簡便に成膜が可能で
あるが、膜の均質性や組成の制御に問題がある。（６）
の塗布膜熱分解法は、スプレーパイロリシス法に類似し
ているが、ナフテン酸や金属アルコキシド等の溶液をデ
ィッピング等により基板表面に塗布し、焼成するもので
ある。
（５）と同様に組成均質性の問題や、膜にクラックが入
りやすいことや残留炭素の影響等、問題点が多く、臨界
電流密度も低いものしか得られていない。また、これら
の方法では、いずれも基板温度を８００℃〜９００℃と
いった高温に保つ過程を製膜時に、またはボストアニー
ルとして必要としており、その際の基板との反応や高温
による基板の品質低下が問題となっている。
りやすいことや残留炭素の影響等、問題点が多く、臨界
電流密度も低いものしか得られていない。また、これら
の方法では、いずれも基板温度を８００℃〜９００℃と
いった高温に保つ過程を製膜時に、またはボストアニー
ルとして必要としており、その際の基板との反応や高温
による基板の品質低下が問題となっている。
「発明の概要」
本発明はこれらの欠点を解消し、Ｍｉ電導体の緻密な厚
膜を作製し、基板加熱を行わないかまたは低温加熱条件
における膜質の向上を可能とする成膜法として、酸化物
高温超電導体の厚膜としての実用化を目的とする。
膜を作製し、基板加熱を行わないかまたは低温加熱条件
における膜質の向上を可能とする成膜法として、酸化物
高温超電導体の厚膜としての実用化を目的とする。
本発明者は、酸化物高温超伝導体の超微粒子合成法の研
究を進める過程において、噴霧熱分解法により、熱分解
後のエアロゾル状態ですでに超電導特性を示す超微粒子
を直接合成することに成功し、この特徴が室温や低温加
熱条件での成膜に有効ではないかと考え検討を重ねた結
果、本発明に到達した。
究を進める過程において、噴霧熱分解法により、熱分解
後のエアロゾル状態ですでに超電導特性を示す超微粒子
を直接合成することに成功し、この特徴が室温や低温加
熱条件での成膜に有効ではないかと考え検討を重ねた結
果、本発明に到達した。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明は、（ａ）噴霧熱分解法による超電導体超微粒子
の合成（ｂ）エアロゾル衝突堆積法による（ａ）で合成
した超微粒子のｉｎ ５ｉｔｕ （その場）堆積による
膜形成の・２つの構成要素よりなる。
の合成（ｂ）エアロゾル衝突堆積法による（ａ）で合成
した超微粒子のｉｎ ５ｉｔｕ （その場）堆積による
膜形成の・２つの構成要素よりなる。
（第１図）。まず（ａ）について説明する。噴霧熱分解
法による超電導体の超微粒子合成を行う。これは文献１
に詳しく述べられているが、超電導体の組成となるよう
に調製した硝酸塩等の’ａ 渣を霧化装置により微小な
液滴とし、これを所定の温度、雰囲気、流量条件により
反応ゾーン内で極めて短時間（イツトリウム系では数秒
程度）の内に乾燥−熱分解−結晶化を起こさせ、超電導
体超微粒子を得るものである。
法による超電導体の超微粒子合成を行う。これは文献１
に詳しく述べられているが、超電導体の組成となるよう
に調製した硝酸塩等の’ａ 渣を霧化装置により微小な
液滴とし、これを所定の温度、雰囲気、流量条件により
反応ゾーン内で極めて短時間（イツトリウム系では数秒
程度）の内に乾燥−熱分解−結晶化を起こさせ、超電導
体超微粒子を得るものである。
生成した超電導体の超電導特性は生成条件に大きく影響
される。例えばイツトリウム系超電導体の場合、９８０
〜１０００℃程度の温度条件でキャリアガスに酸素を用
いて０．７〜０．８リットル毎分の流量で反応を行った
場合、得られた微粒子はＸ線回折により結晶性が良好で
あることが確認され、また温度〜磁化特性により超電導
特性が、エアロゾルとして得られた状態のままで（後の
高温での熱処理がない状態で）確認される（第２図）。
される。例えばイツトリウム系超電導体の場合、９８０
〜１０００℃程度の温度条件でキャリアガスに酸素を用
いて０．７〜０．８リットル毎分の流量で反応を行った
場合、得られた微粒子はＸ線回折により結晶性が良好で
あることが確認され、また温度〜磁化特性により超電導
特性が、エアロゾルとして得られた状態のままで（後の
高温での熱処理がない状態で）確認される（第２図）。
次に（ｂ）のエアロゾル衝突堆積法による微粒子堆積膜
の形成であるが、この概念は、賀集ら（文献２）により
提案されているもので、蒸発法による金属超微粒子の生
成と基板上への吹き付けによる緻密膜の形成法として、
ガスデポジション法と呼ばれている。一般に、高純度の
金属超微粒子の場合、生成から次のプロセスへ移行する
際に酸化や凝集を起こしやすい点が問題となっていたが
、高真空の超微粒子生成室から差動排気により膜生成室
へ超微粒子を浮遊状態で送り、音速程度の高速でノズル
から噴出させ、粒子の慣性力を利用して強い力で基板上
に密着堆積させる。このため、金属超微粒子の場合は表
面を清浄に保ったままハンドリングが可能で、緻密膜作
製に効果を発揮している。賀集らはイツトリウム系超電
導体に対しても、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの金属超微粒子を生成
して上記の方法で緻密膜を作り、さらに基板を酸素中で
８５０°Ｃに加熱することにより超電導体膜作製を行っ
ているが、微粒子堆積膜の段階では超電導体にはなって
おらず、高温での加熱による結晶化及び酸化過程を必要
としている。
の形成であるが、この概念は、賀集ら（文献２）により
提案されているもので、蒸発法による金属超微粒子の生
成と基板上への吹き付けによる緻密膜の形成法として、
ガスデポジション法と呼ばれている。一般に、高純度の
金属超微粒子の場合、生成から次のプロセスへ移行する
際に酸化や凝集を起こしやすい点が問題となっていたが
、高真空の超微粒子生成室から差動排気により膜生成室
へ超微粒子を浮遊状態で送り、音速程度の高速でノズル
から噴出させ、粒子の慣性力を利用して強い力で基板上
に密着堆積させる。このため、金属超微粒子の場合は表
面を清浄に保ったままハンドリングが可能で、緻密膜作
製に効果を発揮している。賀集らはイツトリウム系超電
導体に対しても、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの金属超微粒子を生成
して上記の方法で緻密膜を作り、さらに基板を酸素中で
８５０°Ｃに加熱することにより超電導体膜作製を行っ
ているが、微粒子堆積膜の段階では超電導体にはなって
おらず、高温での加熱による結晶化及び酸化過程を必要
としている。
そこで、本発明者は、既に目的の結晶相にに結晶化した
微粒子を同様の方法で成膜させることを考えて検討を重
ねた結果、（ａ）で生成した既に超電導体としての結晶
１ヒが完了した超微粒子を用いることにより、基板上に
堆積した状態で既に緻密な超電導体膜となったものが得
られるようになった（第３図及び第４図）。粒子の堆積
方法としては、（ａ）のシステム最終過程の生成微粒子
捕集部分から、差動排気により圧力をコントロールしな
がら減圧室（数〜５００Ｔｏｒｒ以下）に微粒子をエア
ロゾル状態で搬送し・、ノズル（先端口径０．２〜３ｍ
ｍ程度）から差圧により噴出させ、ノズル先端から０．
５〜５ｍｍ程度の距離に設置した基板上に堆積させる方
法を採った。
微粒子を同様の方法で成膜させることを考えて検討を重
ねた結果、（ａ）で生成した既に超電導体としての結晶
１ヒが完了した超微粒子を用いることにより、基板上に
堆積した状態で既に緻密な超電導体膜となったものが得
られるようになった（第３図及び第４図）。粒子の堆積
方法としては、（ａ）のシステム最終過程の生成微粒子
捕集部分から、差動排気により圧力をコントロールしな
がら減圧室（数〜５００Ｔｏｒｒ以下）に微粒子をエア
ロゾル状態で搬送し・、ノズル（先端口径０．２〜３ｍ
ｍ程度）から差圧により噴出させ、ノズル先端から０．
５〜５ｍｍ程度の距離に設置した基板上に堆積させる方
法を採った。
注意すべき点としては、微粒子搬送過程において、熱沈
着により微粒子が壁面に１寸着する場合があるので、そ
の場合は搬送管を１００〜２００℃程度に加熱する必要
がある。また、（ａ）のプロセスと（ｂ）のプロセスに
おける圧力差は、（ａ）でのキャリアガス流量や（ＩＪ
）での成膜状態により最適条件に制御する必要がある。
着により微粒子が壁面に１寸着する場合があるので、そ
の場合は搬送管を１００〜２００℃程度に加熱する必要
がある。また、（ａ）のプロセスと（ｂ）のプロセスに
おける圧力差は、（ａ）でのキャリアガス流量や（ＩＪ
）での成膜状態により最適条件に制御する必要がある。
また、基板を低速モーターにより１方向または平面方向
に駆動または回転させることにより、線状ないしは膜状
堆積物として超電導体を得ることができる。膜厚は微粒
子の１殻送量と基板の駆動速度により容易に制御可能で
ある。
に駆動または回転させることにより、線状ないしは膜状
堆積物として超電導体を得ることができる。膜厚は微粒
子の１殻送量と基板の駆動速度により容易に制御可能で
ある。
この方法によると〈 基板の後処理加熱が不必要となる
が、堆積膜の超電導特性を向上させるためには、基板を
４００〜５００ ’Ｃ程度に加熱し、結晶粒相互の結合
性を高める必要がある。
が、堆積膜の超電導特性を向上させるためには、基板を
４００〜５００ ’Ｃ程度に加熱し、結晶粒相互の結合
性を高める必要がある。
（文献１ ） Ｍ、Ａｗａｎｏ ｅｔ、ａＭ Ｃｈｅ
＋ｎ１ｓｔｒｙＬｅｔｔｅｒｓ、４３（１９８９） （文献２）賀集誠一部：金属、１９８９年１月号Ｐ、５
７ 「実施例」 次に実施例を挙げて本発明を説明する。
＋ｎ１ｓｔｒｙＬｅｔｔｅｒｓ、４３（１９８９） （文献２）賀集誠一部：金属、１９８９年１月号Ｐ、５
７ 「実施例」 次に実施例を挙げて本発明を説明する。
（実施例１）
イツトリウム系超電導体について次の方法で超電導体微
粒子膜の成膜を行った。
粒子膜の成膜を行った。
まず、イツトリウム、バリウム、銅が原子比でＩ：
２： ３となるように調製した硝酸塩溶液を作製した
。溶液濃度は０．０５ｍｏｌ／Ｉとした。
２： ３となるように調製した硝酸塩溶液を作製した
。溶液濃度は０．０５ｍｏｌ／Ｉとした。
反応ゾーン温度９９０°Ｃ、キャリアガス流量は酸素０
．７１毎分とし、噴霧熱分解を１テった。得られた超電
導体微粒子は減圧チャンバーに搬送され、口径０．５ｍ
ｍのノズルでＭｇＯ単結晶基板上に成膜した。基板は２
０ｍｍ毎時の速度で直線駆動させた。得られた膜は断面
観察より密度９０％以上の緻密な厚膜で、平均膜厚は０
．６ｍｍであった。５００°Ｃ４８時間の酸素中アニー
ルによりＴｃ＝８０ｒ（の超電導特性を示した。
．７１毎分とし、噴霧熱分解を１テった。得られた超電
導体微粒子は減圧チャンバーに搬送され、口径０．５ｍ
ｍのノズルでＭｇＯ単結晶基板上に成膜した。基板は２
０ｍｍ毎時の速度で直線駆動させた。得られた膜は断面
観察より密度９０％以上の緻密な厚膜で、平均膜厚は０
．６ｍｍであった。５００°Ｃ４８時間の酸素中アニー
ルによりＴｃ＝８０ｒ（の超電導特性を示した。
（実施例２）
ビスマス系超電導体について、次の方法で超電導体微粒
子膜の成膜を行った。
子膜の成膜を行った。
まず、ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム、銅
を２： ０．１： ２： １．２： ２．３となるよ
うに調製した硝酸塩溶）αを作製した。溶？α；農度は
０．０３ｍｏｌ／Ｉとした。反応ゾーン温度７５０℃、
キャリアガス流量はアルゴン０．５１毎分とし、噴霧熱
分解を行った。得られた超電導体（低Ｔｃ相）微粒子は
減圧チャンバーに１般送され、口径１ｍｍのノズルでジ
ルコニア多結晶体基板上に成膜した。基板は２Ｏｎ＋ｍ
＠時の速度でＸ方向に、１００ｍｍ毎分でＸ方向に、そ
れぞれ直線駆動させた。得られた膜は断面観察より密度
９０％以上の緻密な厚膜で、平均膜厚は０．２＋ｎｍで
あった。Ｔｃ＝６５Ｉ（の超電導特性を示した。
を２： ０．１： ２： １．２： ２．３となるよ
うに調製した硝酸塩溶）αを作製した。溶？α；農度は
０．０３ｍｏｌ／Ｉとした。反応ゾーン温度７５０℃、
キャリアガス流量はアルゴン０．５１毎分とし、噴霧熱
分解を行った。得られた超電導体（低Ｔｃ相）微粒子は
減圧チャンバーに１般送され、口径１ｍｍのノズルでジ
ルコニア多結晶体基板上に成膜した。基板は２Ｏｎ＋ｍ
＠時の速度でＸ方向に、１００ｍｍ毎分でＸ方向に、そ
れぞれ直線駆動させた。得られた膜は断面観察より密度
９０％以上の緻密な厚膜で、平均膜厚は０．２＋ｎｍで
あった。Ｔｃ＝６５Ｉ（の超電導特性を示した。
「発明の効果」
本発明は以上説明したようここ、曲の成膜法に比べてよ
り低温の条件下において、基板」−に超電導体の緻密な
厚膜または線状堆積膜を成膜可能とするものであり、ざ
らに膜質の向上による臨界電流密度の増大により、厚膜
または線材（配線）としての超電導材料の実用化を促進
するものとして期待される。
り低温の条件下において、基板」−に超電導体の緻密な
厚膜または線状堆積膜を成膜可能とするものであり、ざ
らに膜質の向上による臨界電流密度の増大により、厚膜
または線材（配線）としての超電導材料の実用化を促進
するものとして期待される。
第１図
第１図は本方法の装置構成図を示す。第２図は噴霧熱分
解法により合成されたイツトリウム系超電導体超微粒子
の透過電子顕微鏡像による粒子構造写真を示す。第３図
は本発明により作成された超電導体の、線状堆積膜断面
の走差電子顕微鏡像による膜構造写真を示す。第４図は
イツトリウム系超電導膜のＸ線回折図形を示す。図中の
（０００）は超電導相の各回折ピークに相当する面指数
及びＹＳＺは基板に由来するピークを表す。 ２： キャリヤガス導入口 ３：反応ゾーン ４：圧力ｒＡ！！弁 ６： 真空チャンバ ６： ノズル ７二基板 ８： Ｘ−Ｙ及び回転駆動部 ７５ト翁真空ポンプ 第３図 第２ＶＡ ０・ １ｊｔ、 ｓｎ １ 、メ・３゜ 手続補正書彷幻 第４図 １、事件の表示 平成１年特許願第２８１０９０号 ２、発明の名称 酸化物微粒子堆積膜の製法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区霞が関１丁目３番１号（１１
４）名 称 工業技術院長 杉 浦 賢４、指
定代理人 ０ θ ０ （０） ０ ０ 平成２年２月１３日（発送日二平成２年２月２７日）６
、補正により増加する請求項の数 ０７、補正の対象 別 ■ ■ ■ 紙 明細書第３ページ第３行の「基板上」の次に「に」を挿
入します。 明細書第７ページ第１０行の「に」を削除します。 明細書第１１ページ第１２行の「走差電子顕微鏡像によ
る膜構造写真を示す。」を「粒子構造を示すａｔ鏡写真
である。」に訂正します。
解法により合成されたイツトリウム系超電導体超微粒子
の透過電子顕微鏡像による粒子構造写真を示す。第３図
は本発明により作成された超電導体の、線状堆積膜断面
の走差電子顕微鏡像による膜構造写真を示す。第４図は
イツトリウム系超電導膜のＸ線回折図形を示す。図中の
（０００）は超電導相の各回折ピークに相当する面指数
及びＹＳＺは基板に由来するピークを表す。 ２： キャリヤガス導入口 ３：反応ゾーン ４：圧力ｒＡ！！弁 ６： 真空チャンバ ６： ノズル ７二基板 ８： Ｘ−Ｙ及び回転駆動部 ７５ト翁真空ポンプ 第３図 第２ＶＡ ０・ １ｊｔ、 ｓｎ １ 、メ・３゜ 手続補正書彷幻 第４図 １、事件の表示 平成１年特許願第２８１０９０号 ２、発明の名称 酸化物微粒子堆積膜の製法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区霞が関１丁目３番１号（１１
４）名 称 工業技術院長 杉 浦 賢４、指
定代理人 ０ θ ０ （０） ０ ０ 平成２年２月１３日（発送日二平成２年２月２７日）６
、補正により増加する請求項の数 ０７、補正の対象 別 ■ ■ ■ 紙 明細書第３ページ第３行の「基板上」の次に「に」を挿
入します。 明細書第７ページ第１０行の「に」を削除します。 明細書第１１ページ第１２行の「走差電子顕微鏡像によ
る膜構造写真を示す。」を「粒子構造を示すａｔ鏡写真
である。」に訂正します。
Claims (1)
- イットリウム系超電導体に対しては、バリウム・イッ
トリウム・銅、ビスマス系超電導体に対してはビスマス
・鉛・ストロンチウム、カルシウム・銅の各構成元素を
含む金属塩溶液または有機酸溶液を噴霧熱分解して、超
電導体として結晶化した微粒子を直接合成し、このエア
ロゾル状態の微粒子を減圧または加圧による圧力差を利
用して基板上に高速で吹き付け、微粒子の慣性力を利用
して、緻密な堆積膜を室温または加熱した基板上に作製
する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1281090A JPH0774454B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 酸化物微粒子堆積膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1281090A JPH0774454B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 酸化物微粒子堆積膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03140472A true JPH03140472A (ja) | 1991-06-14 |
| JPH0774454B2 JPH0774454B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=17634198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1281090A Expired - Lifetime JPH0774454B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 酸化物微粒子堆積膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774454B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574634U (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-12 | 大川原化工機株式会社 | 圧力放散口付き噴霧熱分解装置 |
| JP2013513723A (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | エヌジマット・カンパニー | 高い耐摩耗性を有する高表面積埋め込みコーティングの製造プロセス |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6452072A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Nippon Telegraph & Telephone | Production of oxide superconductive sintered body |
| JPH01126226A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物微粒子原料の合成法 |
| JPH01127629A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質合金の製造方法 |
| JPH01172221A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物微粒子原料の合成法 |
| JPH01226723A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物微粒子原料の合成法 |
| JPH01226724A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物微粒子原料の合成法 |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP1281090A patent/JPH0774454B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6452072A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Nippon Telegraph & Telephone | Production of oxide superconductive sintered body |
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| JPH01126226A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物微粒子原料の合成法 |
| JPH01172221A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物微粒子原料の合成法 |
| JPH01226723A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物微粒子原料の合成法 |
| JPH01226724A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物微粒子原料の合成法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574634U (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-12 | 大川原化工機株式会社 | 圧力放散口付き噴霧熱分解装置 |
| JP2013513723A (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | エヌジマット・カンパニー | 高い耐摩耗性を有する高表面積埋め込みコーティングの製造プロセス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0774454B2 (ja) | 1995-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |