JPH03141671A - ゲートアレイ - Google Patents
ゲートアレイInfo
- Publication number
- JPH03141671A JPH03141671A JP24774890A JP24774890A JPH03141671A JP H03141671 A JPH03141671 A JP H03141671A JP 24774890 A JP24774890 A JP 24774890A JP 24774890 A JP24774890 A JP 24774890A JP H03141671 A JPH03141671 A JP H03141671A
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- JP
- Japan
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- input
- ground
- basic cell
- cells
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は半導体構成のゲートアレイに関する。
(ロ)従来の技術
一般にゲートアレイは製造面に於いてセミカスタム方式
のLSIであって、一定数のトランジスタからなる多数
の基本セルおよび入出力セルが未結線の状態で規則正し
く並べられたマスクチップの上に、ロジック回路を実現
するための配線パターンとフンタクトパターンを形成し
て、ユーザ専用のLSIを実現するものである。
のLSIであって、一定数のトランジスタからなる多数
の基本セルおよび入出力セルが未結線の状態で規則正し
く並べられたマスクチップの上に、ロジック回路を実現
するための配線パターンとフンタクトパターンを形成し
て、ユーザ専用のLSIを実現するものである。
第2図(a)(b)に斯様なゲートアレイチップの平面
模式図、及びそのB箇所の要部拡大図を示す。
模式図、及びそのB箇所の要部拡大図を示す。
第2図(a)に於いて、(1)は一定数のトランジスタ
からなる基本セルであり、該基本セル(1)・・・を数
十個水平方向に配置した基本セル列(10)が複数本配
置されている。(2)は特定数のトランジスタからなる
入出力セルであり、該入出力セル(2)はチップの周辺
部に沿って上記基本セル列(10)を取り囲んで垂直方
向及び水平方向に夫々密接に配列されており、垂直列の
各入出力セル(2〉・・・と各基本セル列(10)・・
・とが同一ピッチで配列されている。而して、各基本セ
ル(1)(1)・・・への電源供給は、同図(b)に示
す如く、電源電圧が外部から給電されている垂直方向の
各入出力セル(2)・・・に設けられた電源端子PDD
とアース端子PSSとから夫々水平方向に電源線VDD
とアース線vSSとが基本セル列(10)上に延在され
ており、この電源線■DD及びアース線vSSが電源電
圧を必要とする基本セル(1’)(1’)に電源コンタ
クトD及びアースコンタクトSにて結線されている。
からなる基本セルであり、該基本セル(1)・・・を数
十個水平方向に配置した基本セル列(10)が複数本配
置されている。(2)は特定数のトランジスタからなる
入出力セルであり、該入出力セル(2)はチップの周辺
部に沿って上記基本セル列(10)を取り囲んで垂直方
向及び水平方向に夫々密接に配列されており、垂直列の
各入出力セル(2〉・・・と各基本セル列(10)・・
・とが同一ピッチで配列されている。而して、各基本セ
ル(1)(1)・・・への電源供給は、同図(b)に示
す如く、電源電圧が外部から給電されている垂直方向の
各入出力セル(2)・・・に設けられた電源端子PDD
とアース端子PSSとから夫々水平方向に電源線VDD
とアース線vSSとが基本セル列(10)上に延在され
ており、この電源線■DD及びアース線vSSが電源電
圧を必要とする基本セル(1’)(1’)に電源コンタ
クトD及びアースコンタクトSにて結線されている。
(八)発明が解決しようとする課題
斯様なゲートアレイは、総ゲート数が増加すると、チッ
プサイズが異なるばかりか、基本セル列(10)間の接
続配線数が多くなる事が予想される為に基本セルWl(
10)間の間隔Wを広く設定しなければならない、とこ
ろが、電源線VDD及びアース線vSSがコンピュータ
自動配線により設計されることから、基本セル列(10
)と入出力セル(2)とが第1図の如く1対1或いは簡
単な整数比で対応するように構成されるので、基本セル
列(10)間の間隔Wを大きくすると、第2図に示す如
くこの各基本セル列(10)に対応する入出力セル(2
)・・・間に不要なスペースXが生じ、結果的にチップ
サイズを無駄に大型化する欠点があった。
プサイズが異なるばかりか、基本セル列(10)間の接
続配線数が多くなる事が予想される為に基本セルWl(
10)間の間隔Wを広く設定しなければならない、とこ
ろが、電源線VDD及びアース線vSSがコンピュータ
自動配線により設計されることから、基本セル列(10
)と入出力セル(2)とが第1図の如く1対1或いは簡
単な整数比で対応するように構成されるので、基本セル
列(10)間の間隔Wを大きくすると、第2図に示す如
くこの各基本セル列(10)に対応する入出力セル(2
)・・・間に不要なスペースXが生じ、結果的にチップ
サイズを無駄に大型化する欠点があった。
そこで本発明は、コンピュータによる自動配線設計を不
可能にすることなく、基本セル列の配列ピッチを入出力
セルの幅より広く設定し、基本セル列間の配線領域を広
く確保して大規模化に対応可能とすることを目的とする
。
可能にすることなく、基本セル列の配列ピッチを入出力
セルの幅より広く設定し、基本セル列間の配線領域を広
く確保して大規模化に対応可能とすることを目的とする
。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので
、その特徴は、一定数のトランジスタからなる基本セル
を複数個水平方向に配列した基本セル列を複数本並列に
配列すると共に、各基本セルに電力を供給するための電
源端子及びアース端子を有する入出力セルを上記基本セ
ル列の配列方向に対応して複数個垂直方向に配列してな
る半導体構成のゲートアレイに於いて、上記基本セル列
を上記入出力セルの配列ピッチに比して広いピッチで配
列し、上記基本セル列の端部と上記入出力セルとの間に
垂直方向に延在する電源母線及びアース母線を並設する
と共に、上記入出力セルの電源端子及びアース端子と上
記電源母線及びアース母線とを夫々接続する第1の電源
配線及びアース配線を水平方向に形成し、上記電源母線
及びアース母線と上記基本セルとを夫々接続する第2の
電源配線及びアース配線を水平方向に形成することにあ
る。
、その特徴は、一定数のトランジスタからなる基本セル
を複数個水平方向に配列した基本セル列を複数本並列に
配列すると共に、各基本セルに電力を供給するための電
源端子及びアース端子を有する入出力セルを上記基本セ
ル列の配列方向に対応して複数個垂直方向に配列してな
る半導体構成のゲートアレイに於いて、上記基本セル列
を上記入出力セルの配列ピッチに比して広いピッチで配
列し、上記基本セル列の端部と上記入出力セルとの間に
垂直方向に延在する電源母線及びアース母線を並設する
と共に、上記入出力セルの電源端子及びアース端子と上
記電源母線及びアース母線とを夫々接続する第1の電源
配線及びアース配線を水平方向に形成し、上記電源母線
及びアース母線と上記基本セルとを夫々接続する第2の
電源配線及びアース配線を水平方向に形成することにあ
る。
(*)作用
本発明ゲートアレイによれば、基本セル列と入出力セル
との間に設けられる電源母線及びアース母線を介して入
出力セルから基本セルに電力を供給することで、配線領
域となる基本セル列の間隔を広く設定することができ、
多数の配線を基本セル列間に形成できる様になる。
との間に設けられる電源母線及びアース母線を介して入
出力セルから基本セルに電力を供給することで、配線領
域となる基本セル列の間隔を広く設定することができ、
多数の配線を基本セル列間に形成できる様になる。
(へ)実施例
本発明の一実施例を図面に従って説明する。
第1図に本発明のゲートアレイを示す。尚、本実施例に
於いては、説明の簡略化の為に32ゲートを例示してい
る。また図中の黒丸はコンタクトを示している。同図に
於いて、(1)・・・、(2)・・・、(10)・・・
は、第2図と同様に基本セル、入出力セル、及び基本セ
ル列を示しており、本実施例のゲートアレイが従来のそ
れと異なる所は、基本セル列(10〉・・・を入出力セ
ル(2)・・・の幅Mより広いピッチLで配列し、複数
本の基本セル列(10)の周囲を取り囲む入出力セル(
2)・・・と、この基本セル列(10)・・・との間に
やはりこの複数本の基本セル列(1o)・・・を取り囲
む電源母線(3)とアース母線(4)とを並設した点に
ある。
於いては、説明の簡略化の為に32ゲートを例示してい
る。また図中の黒丸はコンタクトを示している。同図に
於いて、(1)・・・、(2)・・・、(10)・・・
は、第2図と同様に基本セル、入出力セル、及び基本セ
ル列を示しており、本実施例のゲートアレイが従来のそ
れと異なる所は、基本セル列(10〉・・・を入出力セ
ル(2)・・・の幅Mより広いピッチLで配列し、複数
本の基本セル列(10)の周囲を取り囲む入出力セル(
2)・・・と、この基本セル列(10)・・・との間に
やはりこの複数本の基本セル列(1o)・・・を取り囲
む電源母線(3)とアース母線(4)とを並設した点に
ある。
即ち、本実施例のゲートアレイに於いでは、4本の基本
セル列(10)・・・の上下左右の各水平垂直辺には夫
々密接配列した5個の入出力セル(2〉・・・・・・か
らなる垂直列が設けられており、この垂直列の各入出力
セル(2)・・・・・・の電源端子PDDから上記電源
母線(3)に水平方向に延在した電源線VDDを接続す
ると共に、そのアース端子PSSから上記アース母線(
4)に水平方向に延在したアース線vSSを接続してい
る。一方、水平方向の各入出力セル(2)・・・・・・
の電源端子PDD及びアース端子PSSからも上記電源
母線(3)、及びアース母線(4)に垂直方向に延在し
た電R線VDD及びアース線vSSが接続されている。
セル列(10)・・・の上下左右の各水平垂直辺には夫
々密接配列した5個の入出力セル(2〉・・・・・・か
らなる垂直列が設けられており、この垂直列の各入出力
セル(2)・・・・・・の電源端子PDDから上記電源
母線(3)に水平方向に延在した電源線VDDを接続す
ると共に、そのアース端子PSSから上記アース母線(
4)に水平方向に延在したアース線vSSを接続してい
る。一方、水平方向の各入出力セル(2)・・・・・・
の電源端子PDD及びアース端子PSSからも上記電源
母線(3)、及びアース母線(4)に垂直方向に延在し
た電R線VDD及びアース線vSSが接続されている。
そして、各基本セル列(10)・・・上に水平方向に延
在して電源電圧を必要とする基本セル(1゛)の電源コ
ンタクトDにて接続された水平電源線V’DDの両端が
左右両側の垂直方向の上記電源母線(3)にコンタクト
結合され、同じく該水平電源線V’DDと並行に各基本
セル列(10)・・・上に水平方向に延在して電源電圧
を必要とする基本セル(1′〉のアースコンタクトSに
て接続された水平アス電源線v’ssの両端が左右両側
の垂直方向の上記アース母線(4)にコンタクト結合さ
れている。
在して電源電圧を必要とする基本セル(1゛)の電源コ
ンタクトDにて接続された水平電源線V’DDの両端が
左右両側の垂直方向の上記電源母線(3)にコンタクト
結合され、同じく該水平電源線V’DDと並行に各基本
セル列(10)・・・上に水平方向に延在して電源電圧
を必要とする基本セル(1′〉のアースコンタクトSに
て接続された水平アス電源線v’ssの両端が左右両側
の垂直方向の上記アース母線(4)にコンタクト結合さ
れている。
斯る構成のゲートアレイに於いては、各入出力セル(2
)(2)・・・からの電源電圧が一旦電源母線(3)、
アース母線(4)間に供給された上で、各水平電源線V
’DD及び水平アース線v’ssを介して各基本セル列
(10)・・・の基本セル(1′)・・・に給電される
事となるので、基本セル列(10)・・・のピッチLを
第1図の如く入出力セル(2)・・・の幅に関係なく大
きくすることができ、基本セル(10)・・・の間に設
定される配線領域が広くなってゲート数の大きな大規模
ゲートアレイに有効となる。換言すれば、配線領域を広
くするために基本セル列(10)・・・のピッチLを広
くした場合でも、第3図の如く不要なスペースをあける
ことなく入出力セル(2)を密接に配列できるため、不
要なスペースがなくなる。
)(2)・・・からの電源電圧が一旦電源母線(3)、
アース母線(4)間に供給された上で、各水平電源線V
’DD及び水平アース線v’ssを介して各基本セル列
(10)・・・の基本セル(1′)・・・に給電される
事となるので、基本セル列(10)・・・のピッチLを
第1図の如く入出力セル(2)・・・の幅に関係なく大
きくすることができ、基本セル(10)・・・の間に設
定される配線領域が広くなってゲート数の大きな大規模
ゲートアレイに有効となる。換言すれば、配線領域を広
くするために基本セル列(10)・・・のピッチLを広
くした場合でも、第3図の如く不要なスペースをあける
ことなく入出力セル(2)を密接に配列できるため、不
要なスペースがなくなる。
(ト)発明の効果
本発明によれば、入出力セルの幅に関係なく基本セル列
のピッチを設定できるため、ゲートアレイの大規模化に
於いて配線設計の自由度を大幅に向上することができ、
設計期間の短縮に加えてコストの削減を図ることができ
る。
のピッチを設定できるため、ゲートアレイの大規模化に
於いて配線設計の自由度を大幅に向上することができ、
設計期間の短縮に加えてコストの削減を図ることができ
る。
第1図は本発明のゲートアレイの一実施例の平面図、第
2図(a)、(b)は従来のゲートアレイの平面模式図
、及び要部拡大図、第3図は従来の他のゲートアレイの
要部拡大図である。 (1)・・・基本セル、 (2)・・・入出力セル、
(3)・・・電源母線、 (4)・・・アース母線、
(10)・・・基本セル列。 第1図
2図(a)、(b)は従来のゲートアレイの平面模式図
、及び要部拡大図、第3図は従来の他のゲートアレイの
要部拡大図である。 (1)・・・基本セル、 (2)・・・入出力セル、
(3)・・・電源母線、 (4)・・・アース母線、
(10)・・・基本セル列。 第1図
Claims (1)
- (1)一定数のトランジスタからなる基本セルを複数個
水平方向に配列した基本セル列を複数本並列に配列する
と共に、 各基本セルに電力を供給するための電源端子及びアース
端子を有する入出力セルを上記基本セル列の配列方向に
対応して複数個垂直方向に配列してなる半導体構成のゲ
ートアレイに於いて、 上記基本セル列を上記入出力セルの配列ピッチに比して
広いピッチで配列し、 上記基本セル列の端部と上記入出力セルとの間に垂直方
向に延在する電源母線及びアース母線を並設すると共に
、 上記入出力セルの電源端子及びアース端子と上記電源母
線及びアース母線とを夫々接続する第1の電源配線及び
アース配線を水平方向に形成し、上記電源母線及びアー
ス母線と上記基本セルとを夫々接続する第2の電源配線
及びアース配線を水平方向に形成することを特徴とする
ゲートアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24774890A JPH063828B2 (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | ゲートアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24774890A JPH063828B2 (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | ゲートアレイ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58210274A Division JPS60101951A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | ゲ−トアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141671A true JPH03141671A (ja) | 1991-06-17 |
| JPH063828B2 JPH063828B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=17168081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24774890A Expired - Lifetime JPH063828B2 (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | ゲートアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063828B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6461926B2 (en) * | 1998-09-02 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Circuit and method for a memory cell using reverse base current effect |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP24774890A patent/JPH063828B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6461926B2 (en) * | 1998-09-02 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Circuit and method for a memory cell using reverse base current effect |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH063828B2 (ja) | 1994-01-12 |
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