JPH0314227B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0314227B2 JPH0314227B2 JP60000010A JP1085A JPH0314227B2 JP H0314227 B2 JPH0314227 B2 JP H0314227B2 JP 60000010 A JP60000010 A JP 60000010A JP 1085 A JP1085 A JP 1085A JP H0314227 B2 JPH0314227 B2 JP H0314227B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- semiconductor device
- die
- carrier tape
- punch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、キヤリアテープ上に一定ピツチで形
成された半導体デバイスをパンチング装置によつ
てキヤリアテープから打抜き、これをリードフレ
ームの所定位置に整合させ、半導体デバイスのリ
ードをリードフレームのリードにボンデイングす
るアウターリードボンデイング装置に関する。
成された半導体デバイスをパンチング装置によつ
てキヤリアテープから打抜き、これをリードフレ
ームの所定位置に整合させ、半導体デバイスのリ
ードをリードフレームのリードにボンデイングす
るアウターリードボンデイング装置に関する。
［従来の技術］
従来、アウターリードボンデイング装置とし
て、例えば特公昭54−7677号公報（米国特許第
3949925）（以下公知例１という）及び特開昭52−
105779号公報（以下公知例２という）に示すもの
が知られている。
て、例えば特公昭54−7677号公報（米国特許第
3949925）（以下公知例１という）及び特開昭52−
105779号公報（以下公知例２という）に示すもの
が知られている。
公知例１は、キヤリアテープの上方にリードフ
レームを配設し、かつキヤリアテープの下方にパ
ンチング装置を、リードフレームの上方に圧着ツ
ールをそれぞれ配設してなる。そこで、キヤリア
テープから半導体デバイスをパンチング装置で下
方から打抜いた後、同一場所でそのままリードフ
レームに重ね合せて圧着ツールで加熱圧着してい
る。
レームを配設し、かつキヤリアテープの下方にパ
ンチング装置を、リードフレームの上方に圧着ツ
ールをそれぞれ配設してなる。そこで、キヤリア
テープから半導体デバイスをパンチング装置で下
方から打抜いた後、同一場所でそのままリードフ
レームに重ね合せて圧着ツールで加熱圧着してい
る。
公知例２は、キヤリアテープの下方にリードフ
レームを送つて位置させ、かつキヤリアテープの
上方にパンチング装置を、リードフレームの下方
に吸着ノズルをそれぞれ配設し、またパンチング
装置と別の場所に圧着ツールを配設してなる。そ
こで、キヤリアテープから半導体デバイスをパン
チング装置で上方から打抜き、この打抜かれた半
導体デバイスをリードフレームの穴を通して上昇
している吸着ノズルで吸着し、吸着ノズルが下降
して半導体デバイスをリードフレームに重ね合
せ、半導体デバイスをリードフレームに重ね合せ
た状態で圧着ツールの下方に移動させ、その後圧
着ツールで加熱圧着している。
レームを送つて位置させ、かつキヤリアテープの
上方にパンチング装置を、リードフレームの下方
に吸着ノズルをそれぞれ配設し、またパンチング
装置と別の場所に圧着ツールを配設してなる。そ
こで、キヤリアテープから半導体デバイスをパン
チング装置で上方から打抜き、この打抜かれた半
導体デバイスをリードフレームの穴を通して上昇
している吸着ノズルで吸着し、吸着ノズルが下降
して半導体デバイスをリードフレームに重ね合
せ、半導体デバイスをリードフレームに重ね合せ
た状態で圧着ツールの下方に移動させ、その後圧
着ツールで加熱圧着している。
［発明が解決しようとする問題点］
公知例１は、キヤリアテープの打抜きポジシヨ
ンと、ボンデイングポジシヨンが同軸上にあるの
で、半導体デバイスとリードフレームとのボンデ
イング部の自動検出及び補正ができない。このた
め、重ね合せ精度はキヤリアテープ及びリードフ
レームの機械的な位置決め精度によつて決るの
で、重ね合せ精度が悪く、高精度のボンデイング
ができないという問題点を有する。特に、リード
数が多く、かつリード間隔が狭いものは、高精度
の重ね合せ精度が要求されるので、かかるものに
は適さない。
ンと、ボンデイングポジシヨンが同軸上にあるの
で、半導体デバイスとリードフレームとのボンデ
イング部の自動検出及び補正ができない。このた
め、重ね合せ精度はキヤリアテープ及びリードフ
レームの機械的な位置決め精度によつて決るの
で、重ね合せ精度が悪く、高精度のボンデイング
ができないという問題点を有する。特に、リード
数が多く、かつリード間隔が狭いものは、高精度
の重ね合せ精度が要求されるので、かかるものに
は適さない。
公知例２は、キヤリアテープの打抜きポジシヨ
ンと、ボンデイングポジシヨンとが別の場所であ
るが、打抜かれた半導体デバイスとリードフレー
ムとを打抜きポジシヨンでそのまま重ね合せるの
で、やはり公知例１と同様に自動検出及び補正が
できなく、高精度のボンデイングができないとい
う問題点を有する。
ンと、ボンデイングポジシヨンとが別の場所であ
るが、打抜かれた半導体デバイスとリードフレー
ムとを打抜きポジシヨンでそのまま重ね合せるの
で、やはり公知例１と同様に自動検出及び補正が
できなく、高精度のボンデイングができないとい
う問題点を有する。
本発明の目的は、高精度のボンデイングが行え
るアウターリードボンデイング装置を提供するこ
とにある。
るアウターリードボンデイング装置を提供するこ
とにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は上記目的を達成するために、所定ピツ
チで半導体デバイスが形成されかつ間欠的に送ら
れるキヤリアテープをガイドするガイド溝が下面
に形成されパンチング台の上部に固定されたダイ
と、前記パンチング台に上下動自在で前記ダイの
上面まで突出可能に設けられ前記キヤリアテープ
より打抜いた半導体デバイスを真空吸着するパン
チと、前記ダイの上方に配設され該ダイと前記パ
ンチとで打抜かれた半導体デバイスのずれ量を検
出する半導体デバイス検出用カメラと、前記ダイ
の側方でかつダイの上面より上方に配設され間欠
的に送られるリードフレームをガイドするガイド
板と、このガイド板の上方で前記リードフレーム
の位置ずれを検出するリードフレーム検出用カメ
ラと、前記パンチング台が搭載され前記半導体デ
バイス検出用カメラ及び前記リードフレーム検出
用カメラにより検出されたずれ量を補正して前記
パンチに真空吸着した半導体デバイスを前記リー
ドフレームの下方に位置させるように移動する
XYテーブルと、前記リードフレームの上方に配
設されリードフレームに重ね合せられた半導体デ
バイスをボンデイングする圧着ツールとを備えた
ことを特徴とする。
チで半導体デバイスが形成されかつ間欠的に送ら
れるキヤリアテープをガイドするガイド溝が下面
に形成されパンチング台の上部に固定されたダイ
と、前記パンチング台に上下動自在で前記ダイの
上面まで突出可能に設けられ前記キヤリアテープ
より打抜いた半導体デバイスを真空吸着するパン
チと、前記ダイの上方に配設され該ダイと前記パ
ンチとで打抜かれた半導体デバイスのずれ量を検
出する半導体デバイス検出用カメラと、前記ダイ
の側方でかつダイの上面より上方に配設され間欠
的に送られるリードフレームをガイドするガイド
板と、このガイド板の上方で前記リードフレーム
の位置ずれを検出するリードフレーム検出用カメ
ラと、前記パンチング台が搭載され前記半導体デ
バイス検出用カメラ及び前記リードフレーム検出
用カメラにより検出されたずれ量を補正して前記
パンチに真空吸着した半導体デバイスを前記リー
ドフレームの下方に位置させるように移動する
XYテーブルと、前記リードフレームの上方に配
設されリードフレームに重ね合せられた半導体デ
バイスをボンデイングする圧着ツールとを備えた
ことを特徴とする。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図に示すように、パンチング台１の上面には
ダイ２が固定されている。ダイ２のダイ穴２ａの
下面には半導体デバイス３ａが一定ピツチで形成
されたキヤリアテープ３をガイドするガイド溝２
ｂが形成されている。
第１図に示すように、パンチング台１の上面には
ダイ２が固定されている。ダイ２のダイ穴２ａの
下面には半導体デバイス３ａが一定ピツチで形成
されたキヤリアテープ３をガイドするガイド溝２
ｂが形成されている。
前記パンチング台１にはテープクランパ４が上
下動自在に設けられており、このテープクランパ
４は該テープクランパ４の下面とパンチング台１
の空間５に図示しないコンプレツサより圧縮空気
を導くことにより上下動する。またパンチング台
１には図示しないパンチ上下動手段で上下動する
パンチ６が上下動自在に配設されている。このパ
ンチ６は図示しない真空手段で真空引きされる真
空穴６ａを有する。前記パンチング台１はXY方
向に駆動されるXYテーブル７に搭載されてい
る。またダイ２のダイ穴２ａの上方には半導体デ
バイス３ａのずれを検出する半導体デバイス検出
用カメラ８が配設されている。
下動自在に設けられており、このテープクランパ
４は該テープクランパ４の下面とパンチング台１
の空間５に図示しないコンプレツサより圧縮空気
を導くことにより上下動する。またパンチング台
１には図示しないパンチ上下動手段で上下動する
パンチ６が上下動自在に配設されている。このパ
ンチ６は図示しない真空手段で真空引きされる真
空穴６ａを有する。前記パンチング台１はXY方
向に駆動されるXYテーブル７に搭載されてい
る。またダイ２のダイ穴２ａの上方には半導体デ
バイス３ａのずれを検出する半導体デバイス検出
用カメラ８が配設されている。
前記パンチング台１の側方でかつダイ２の上方
にはリードフレーム１５をガイドするガイド板１
６，１７が配設されている。またガイド板１７の
斜め上方には、熱圧着ツール１８が図示しない手
段でXY方向及び上下方向に駆動される。またガ
イド板１６，１７間には、リードフレーム１５の
リード位置を検出するリードフレーム検出用カメ
ラ１９が配設されている。前記リードフレーム１
５は、第３図に示すように、キヤリアテープ３の
リード部がボンデイングされるリード部１５ａが
中心部に形成されている。
にはリードフレーム１５をガイドするガイド板１
６，１７が配設されている。またガイド板１７の
斜め上方には、熱圧着ツール１８が図示しない手
段でXY方向及び上下方向に駆動される。またガ
イド板１６，１７間には、リードフレーム１５の
リード位置を検出するリードフレーム検出用カメ
ラ１９が配設されている。前記リードフレーム１
５は、第３図に示すように、キヤリアテープ３の
リード部がボンデイングされるリード部１５ａが
中心部に形成されている。
次に作用を第２図を参照しながら説明する。第
１図に示すように、キヤリアテープ３が間欠的に
送られ、キヤリアテープ３の半導体デバイス３ａ
がダイ２のダイ穴２ａ（打抜きポジシヨン）に送
られてキヤリアテープ３が図示しない手段で機械
的に位置決めされると、まず第２図ａに示すよう
に、テープクランパ４が上昇し、キヤリアテープ
３をクランプする。続いて同図ｂに示すように、
パンチ６が上昇し、半導体デバイス３ａを打抜
く。この場合、パンチ６は打抜かれた半導体デバ
イス３ａがダイ２の上面２ｂより突出するまで上
昇すると共に、パンチ６のパンチ穴６ａで半導体
デバイス３ａを吸着する。この状態でカメラ８に
よつて半導体デバイス３ａの位置ずれが検出され
る。この半導体デバイス３ａの位置ずれ検出は、
同図ｃに示すように、検出カメラ８のレチクル８
ａに半導体デバイス３ａのリードの端部が合うよ
うにXYテーブル７が移動して補正される。この
XYテーブル７が移動した補正量は図示しないマ
イクロコンピユータに記憶される。
１図に示すように、キヤリアテープ３が間欠的に
送られ、キヤリアテープ３の半導体デバイス３ａ
がダイ２のダイ穴２ａ（打抜きポジシヨン）に送
られてキヤリアテープ３が図示しない手段で機械
的に位置決めされると、まず第２図ａに示すよう
に、テープクランパ４が上昇し、キヤリアテープ
３をクランプする。続いて同図ｂに示すように、
パンチ６が上昇し、半導体デバイス３ａを打抜
く。この場合、パンチ６は打抜かれた半導体デバ
イス３ａがダイ２の上面２ｂより突出するまで上
昇すると共に、パンチ６のパンチ穴６ａで半導体
デバイス３ａを吸着する。この状態でカメラ８に
よつて半導体デバイス３ａの位置ずれが検出され
る。この半導体デバイス３ａの位置ずれ検出は、
同図ｃに示すように、検出カメラ８のレチクル８
ａに半導体デバイス３ａのリードの端部が合うよ
うにXYテーブル７が移動して補正される。この
XYテーブル７が移動した補正量は図示しないマ
イクロコンピユータに記憶される。
一方、リードフレーム１５は間欠的に送られ、
リード部がボンデイングポジシヨンに図示しない
手段で位置決めされる。またカメラ１９によつて
リードフレーム１５のリード部のずれ量が検出さ
れ、このずれ量は図示しない前記したマイクロコ
ンピユータに記憶されている。
リード部がボンデイングポジシヨンに図示しない
手段で位置決めされる。またカメラ１９によつて
リードフレーム１５のリード部のずれ量が検出さ
れ、このずれ量は図示しない前記したマイクロコ
ンピユータに記憶されている。
そこで、第２図ｃで説明した半導体デバイス３
ａのずれ量と前記リードフレーム１５のリード部
のずれ量によつてXYテーブル７の移動量がマイ
クロコンピユータにより検査された後に補正さ
れ、この補正量に従つてXYテーブル７が駆動
し、半導体デバイス３ａを吸着しているパンチ６
が同図ｄに示すように、リードフレーム１５のリ
ード部のボンデイングポジシヨンの下方に移動す
る。この場合、キヤリアテープ３も一緒に移動す
るので、キヤリアテープ３が曲らないように、キ
ヤリアテープ３を支持している図示しない支持部
材も共に移動させるようにする必要がある。次に
同図ｅに示すように、パンチ６は上昇し、半導体
デバイス３ａをリードフレーム１５の下面に押付
ける。
ａのずれ量と前記リードフレーム１５のリード部
のずれ量によつてXYテーブル７の移動量がマイ
クロコンピユータにより検査された後に補正さ
れ、この補正量に従つてXYテーブル７が駆動
し、半導体デバイス３ａを吸着しているパンチ６
が同図ｄに示すように、リードフレーム１５のリ
ード部のボンデイングポジシヨンの下方に移動す
る。この場合、キヤリアテープ３も一緒に移動す
るので、キヤリアテープ３が曲らないように、キ
ヤリアテープ３を支持している図示しない支持部
材も共に移動させるようにする必要がある。次に
同図ｅに示すように、パンチ６は上昇し、半導体
デバイス３ａをリードフレーム１５の下面に押付
ける。
続いて同図ｆに示すように、熱圧着ツール１８
が斜め下方に移動してリードフレーム１５の上方
に移動及び下降してリードをボンデイングする。
その後、熱圧着ツール１８は上昇及び斜め上方に
後退する。同時にパンチ６及びテープクランパ４
も下降し、続いてXYテーブル７が駆動して第１
図に示す位置に戻る。
が斜め下方に移動してリードフレーム１５の上方
に移動及び下降してリードをボンデイングする。
その後、熱圧着ツール１８は上昇及び斜め上方に
後退する。同時にパンチ６及びテープクランパ４
も下降し、続いてXYテーブル７が駆動して第１
図に示す位置に戻る。
このように、リードフレーム１５に半導体デバ
イス３ａが重ね合せられる前に、それぞれカメラ
８，１９によつて位置ずれが検出され、これらの
位置を補正してリードフレーム１５に半導体デバ
イス３ａが重ね合せられるので、重ね合せ精度が
向上し、高精度のボンデイングが行える。
イス３ａが重ね合せられる前に、それぞれカメラ
８，１９によつて位置ずれが検出され、これらの
位置を補正してリードフレーム１５に半導体デバ
イス３ａが重ね合せられるので、重ね合せ精度が
向上し、高精度のボンデイングが行える。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、半導体デバイスを打抜いた後、この半導体デ
バイスのずれ量を半導体デバイス検出用カメラで
検出し、またリードフレームを前記打抜ポジシヨ
ンと別のボンデイングポジシヨンでリードフレー
ム検出用カメラによつてリードフレームのずれ量
を検出し、それぞれのずれ量を補正してパンチで
真空吸着したまま半導体デバイスをリードフレー
ムの下方に移動及び上昇させて半導体デバイスを
リードフレームに重ね合せるので、重ね合せ精度
が向上し、高精度のボンデイングが行える。
ば、半導体デバイスを打抜いた後、この半導体デ
バイスのずれ量を半導体デバイス検出用カメラで
検出し、またリードフレームを前記打抜ポジシヨ
ンと別のボンデイングポジシヨンでリードフレー
ム検出用カメラによつてリードフレームのずれ量
を検出し、それぞれのずれ量を補正してパンチで
真空吸着したまま半導体デバイスをリードフレー
ムの下方に移動及び上昇させて半導体デバイスを
リードフレームに重ね合せるので、重ね合せ精度
が向上し、高精度のボンデイングが行える。
第１図は本発明になるアウターリードボンデイ
ング装置の一実施例を示す縦断面図、第２図ａ乃
至ｆは動作説明図、第３図はリードフレームの平
面拡大図である。 １……パンチング台、２……ダイ、２ａ……ダ
イ穴、２ｂ……上面、３……キヤリアテープ、３
ａ……半導体デバイス、４……テープクランプ、
５……空間、６……パンチ、６ａ……真空穴、７
……XYテーブル、８……半導体デバイス検出用
カメラ、１５……リードフレーム、１６，１７…
…ガイド板、１８……熱圧着ツール、１９……リ
ードフレーム検出用カメラ。
ング装置の一実施例を示す縦断面図、第２図ａ乃
至ｆは動作説明図、第３図はリードフレームの平
面拡大図である。 １……パンチング台、２……ダイ、２ａ……ダ
イ穴、２ｂ……上面、３……キヤリアテープ、３
ａ……半導体デバイス、４……テープクランプ、
５……空間、６……パンチ、６ａ……真空穴、７
……XYテーブル、８……半導体デバイス検出用
カメラ、１５……リードフレーム、１６，１７…
…ガイド板、１８……熱圧着ツール、１９……リ
ードフレーム検出用カメラ。
Claims (1)
- １ 所定ピツチで半導体デバイスが形成されかつ
間欠的に送られるキヤリアテープをガイドするガ
イド溝が下面に形成されパンチング台の上部に固
定されたダイと、前記パンチング台に上下動自在
で前記ダイの上面まで突出可能に設けられ前記キ
ヤリアテープより打抜いた半導体デバイスを真空
吸着するパンチと、前記ダイの上方に配設され該
ダイと前記パンチとで打抜かれた半導体デバイス
のずれ量を検出する半導体デバイス検出用カメラ
と、前記ダイの側方でかつダイの上面より上方に
配設され間欠的に送られるリードフレームをガイ
ドするガイド板と、このガイド板の上方で前記リ
ードフレームの位置ずれを検出するリードフレー
ム検出用カメラと、前記パンチング台が搭載され
前記半導体デバイス検出用カメラ及び前記リード
フレーム検出用カメラにより検出されたずれ量を
補正して前記パンチに真空吸着した半導体デバイ
スを前記リードフレームの下方に位置させるよう
に移動するXYテーブルと、前記リードフレーム
の上方に配設されリードフレームに重ね合せられ
た半導体デバイスをボンデイングする圧着ツール
とを備えたアウターリードボンデイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000010A JPS61159742A (ja) | 1985-01-04 | 1985-01-04 | アウタ−リ−ドボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000010A JPS61159742A (ja) | 1985-01-04 | 1985-01-04 | アウタ−リ−ドボンデイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159742A JPS61159742A (ja) | 1986-07-19 |
| JPH0314227B2 true JPH0314227B2 (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=11462483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60000010A Granted JPS61159742A (ja) | 1985-01-04 | 1985-01-04 | アウタ−リ−ドボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61159742A (ja) |
-
1985
- 1985-01-04 JP JP60000010A patent/JPS61159742A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61159742A (ja) | 1986-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6354480B2 (en) | Apparatus for positioning a thin plate | |
| JPH0467782B2 (ja) | ||
| CN118824876A (zh) | 一种用于真空环境下的晶圆键合装置及键合方法 | |
| US5996458A (en) | Lead cutting apparatus of electronic component | |
| JPH0314227B2 (ja) | ||
| US5338705A (en) | Pressure differential downset | |
| JPH0314226B2 (ja) | ||
| JP3153699B2 (ja) | 電子部品のボンディング方法 | |
| CN210778486U (zh) | 引线键合设备 | |
| US5474228A (en) | External lead bonding method and apparatus | |
| CN222966076U (zh) | 一种用于真空环境下的晶圆键合装置 | |
| US5155901A (en) | Integrated circuit lead frame positioner apparatus and method | |
| JP3102241B2 (ja) | 電子部品のボンディング装置およびボンディング方法 | |
| JPH10229154A (ja) | リードフレームのテープ接着装置 | |
| JPS5933975B2 (ja) | 半導体搭載装置 | |
| KR102933598B1 (ko) | 다이 본딩 장치 및 이를 이용한 다이 본딩 방법 | |
| JPS6227735B2 (ja) | ||
| JPS6224635A (ja) | フリツプチツプボンダ− | |
| JPH0467783B2 (ja) | ||
| JP3039317B2 (ja) | リードフレーム用絶縁テープの打抜き金型装置 | |
| JP4700639B2 (ja) | バンプボンディング装置 | |
| CN108493144A (zh) | 板料与晶圆碰焊设备 | |
| JPH1074794A (ja) | Ｔａｂ用インナーリードのボンディング方法 | |
| JPS59175132A (ja) | テ−プキヤリア方式による半導体装置の製造方法 | |
| JPH0726727Y2 (ja) | 第１部材と第２部材との高精度結合装置 |