JPH03144607A - Ｐｌｚｔ表示装置における電極の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はＰＬＺＴ　（透明なセラミック）の複屈折を
利用したＰＬＺＴ表示装置の電極構造に係り、更に詳し
くは溝型で、かつ、櫛型の駆動電極および共通電極の形
成に際し、微細な光シヤツタアレーや平面デイスプレィ
の実現を可能とするＰＬＺＴ表示装置の電極構造に関す
るものである。

［従　来　例コ 近年、ＰＺＴにＬａを添加した透明なセラミックのＰＬ
ＺＴ（ＰｂＯ，Ｌａｄ、　ＺｒＯ，、Ｔｉｅ）が光シャ
ッタやデイスプレィに用いられようとしている。このＰ
ＬＺＴを光シヤツタアレーや平面デイスプレィとして用
いる場合、例えば第７図に示す表面電極あるいは第８図
に示す溝型電極が採られることになる。この第７図にお
いて％ＰＬＺＴ基板１の上にはスパッタ法等により駆動
電極２および共通電極（ＧＮＤ）　３が形成されている
。また、第８図において、ＰＬＺＴ基板１には１機械加
工やエツチングによる溝に電極を埋め込み、駆動電極４
および共通電極（ＧＮＤ）　５が形威されている。

この溝型の電極構造は、上記表面電極構造よりも、ＰＬ
ＺＴ基板ｌ基板堂内分布が良好になることから、駆動電
圧を低くすることができるという利点がある。また、上
記溝型の駆動電極４および共通電極５の幅が狭い程、開
口率が高くなる。そのため、溝型電極の形成に際しては
、エツチングよりも深く、かつ、狭い溝を切ることがで
きるダイシングカッタ等の機械加工の方が有効である。

すなわち、上記エツチングにおいては、複雑なパターン
を形成することができるが、サイドエツチングであるた
め、溝を深くすると、その溝の幅まで広くなってしまう
からである。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記ダイシングカッタ等の機械加工にお
いては、微細な加工（例えば短い溝の加工）や曲線加工
に不向きであるため、微小な光シャッタとする溝型電極
の溝を形成することが困難であった。

また、上記溝型電極を形成するに際し、機械加工あるい
はエツチングにより形成した溝に金属を成膜し、ホトリ
ソ工程によるパターンニングを行なう必要があるが、そ
の溝が深く、狭くなる程、そのパターンニングが困難に
なる。すなわち、第９図に示されるように、ホトリソ工
程におけるレジスト塗布において、溝６にレジスト膜７
が均一形成されればよいが、第１Ｏ図に示されるように
、そのレジスト膜７が均一とならず、むらが生じる。

しかも、そのレジスト膜７としてポジタイプのものを用
いた場合、パターンニングに際し、溝６の縁６ａにおい
てパターン切れを生じることがある。

さらに、第１１図に示されるように、レジスト膜７が厚
すぎると、溝の底６ｂのパターンニングが切断できなく
なり（溝６の内部における切断ができなくなり）、溝型
電極が形成されないこともある。

この結果、溝６から配線を引き出すことができず、微細
な光シヤツタアレーや平面デイスプレィの実現の妨げに
なっていた。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的は、配線パターンの切断をなくし、微細な光シヤツタ
アレーやデイスプレィパネルを得ることができるように
した溝型電極によるＰＬＺＴ表示装置の電極構造を提供
することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、この発明のＰＬＺＴ表示装
置の電極構造は、ＰＬＺＴウェハ上に所定間隔で溝を形
成するとともに、その溝、この溝に対応して凹凸形状を
有する第Ｉのパターンおよびこの凹凸形状に対向して凸
凹形状有する第２のパターンに難半田性金属膜を形成し
、かつ、その第１および第２のパターンの金属膜表面に
重ねて同パターンの錫半田性金属膜を形成し、上記溝に
対して直角方向に上記凸部に渡って金属膜を切断し、こ
の第１および第２のパターンにおける切断部分を接続し
たことを要旨とする。

［作　　用］ 上記構成としたので、上記第１および第２のパターンの
凸部には各々独立の溝型電極が一つ置きに交互に接続さ
れ、この接続により溝型で、かつ。

櫛型の共通電極および駆動電極が形成される。しかも、
それら電極が相手側電極の櫛間に入り込む形になってい
る。

そこで、　ＰＬＺＴウェハ上に複数本の溝による溝型電
極を形威し、かつ、上記第１のパターンに対して第２の
パターンを複数個形成すれば、複数の光シャッタを形成
することができる。しかも、溝型で、かつ、櫛型の電極
によりその光シャッタが形成されることから、微細な光
シヤツタアレーやデイスプレィパネルを得、しかもその
光シャッタの開口率を大きくシ、廓動電圧を低下するこ
とができる。

［実　施　例］ 以下、この発明の実施例を第１図乃至第６図に基づいて
説明する。

第１図において、ＰＬＺＴ表示装置としてのＰＬＺＴウ
ェハｌ上には、ダイシングカッタ等の機械加工により所
定間隔で溝が切られ、これら溝に金属が成膜され、溝型
電極８が形成されるとともに、それら溝型電極８に対し
て直角方向に、しかも側辺に凹部９ａ、凸部９ｂの形状
を有する第１のパターン９およびその凸部９ｂ、凹部９
ａに対向して凹部１０ａ、凸部１０ｂの形状を有する第
２のパターン１０に金属が成膜され、電極部が形成され
ている。

また、凸部９ｂおよび凸部１０ｂに渡って溝型電極８が
切断されている。これにより、第１および第２のパター
ン９．１０の凸部９ｂ、１０ｂの金属膜には互いに一つ
おきの溝型電極８が割り当てられるため、この溝型電極
８．第１および第２のパターン９．１０による電極部に
より櫛型の電極が形成される。すなわち、同図の破線に
示されているように、上記櫛型で、かつ溝型の電極を共
通電極および駆動電極とすると、一つの光シャッタ１１
が形成される。

次に、上記ＰＬＺＴ表示装置における溝型で、かつ、櫛
型電極の構造を第２図乃至第６図を参照して説明する。

まず、第２図に示されているように、ＰＬＺＴウェハ上
上には機械加工により所定間隔で溝６が切られる。この
場合、ダイシングカッタ等を用いると、深さ１５０μｍ
まで、＠３０μＩＩ〜４０μ璽の溝６を切ることができ
る。

その後、第３図に示されているように、そのＰＬＺＴウ
ェハ１上には、難半田性金属（例えばＮｉＣｒ等）をス
パッタ法により成膜するとともに１通常のホトリソ工程
により溝６の内部およびＰＬＺＴウェハ１の表面の一部
に所定パターン（上記第１および第２のパターン９．１
０）がパターンニングされる。

このとき、ポジタイプのレジストを第１１図で示した膜
厚分布となるように、つまりパターンニングによ、すｐ
ｔｚｒウェハ１上の第１および第２のパターン９，１０
の金属膜（電極部）と溝６内の金属ｒＱ（溝型電極）と
が確実に接続されるように、レジスト塗布が厚く行われ
る。すなわち、溝６の内部においてパターンを切る必要
がないことからである。

続いて、上記第１およ・び第２のパターン９，１ｏには
、易半田性金属（例えばＡｕ等）が成膜されるとともに
、通常のホトリソ工程によりＮｉＣｒ膜のパターンに重
ねて易半田性金属膜（Ａｕ膜）の同パターンが形成され
る。このとき、そのＡｕ成膜はＰＬＺＴウェハ１表面に
形成した第１および第２のパターン９゜１０のＮｉＣｒ
膜にのみ行なえばよく、溝６の内部にする必要がないた
め、ポジタイプのレジストを第１０図で示した膜厚分布
となるように、つまりパターンニングにより第１および
第２のパターン９．１０のみにＡｕ膜が形成されるよう
に、レジスト塗布が薄く行われる。

続いて、第４図に示されているように、ダイシングカッ
タにより溝型電極８に対して直角方向にその溝より深い
溝１２が切られ、各々独立の溝型電極８が形成される。

すなわち、第５図に示されているように、その溝１２に
より、第１および第２のパターン９，１０の凸部９ｂ、
１０ｂの先端が切断され、またそれら第１のおよび第２
のパターン９゜ＩＯの他側辺の近くで溝型電極８が切断
されるがらである。

上記溝１２を形成した後、第６図に示されているように
、ＰＬＺＴウェハ１にはハンダデイツプあるいはハンダ
フローが施され、第１および第２のパターン９，１０の
切断された凸部９ｂ、１０ｂの先端のみが溝１２を越え
て接続されるが、同図の矢印Ａの部分、つまり溝型電極
８のみが切断されている部分は接続されない、すなわち
、溝１２の輻はせいぜい４０μｍと狭く、その凸部９ｂ
、１０ｂの切断部分は半田により容易にデイツプされる
からであり、また溝６内にはＡｕｇＩＪでなく、ＮｉＣ
ｒ膜が形成されており、その半田を弾いてしまい、上記
矢印Ａ部分には半田膜が形成されないからである。する
と。

溝型電極８は各々独立になり、しかも第Ｉおよび第２の
パターン９，１０には凸部９ｂ、１０ｂを介して−っ置
きの溝型電極８が交互に接続され、この接続によりそれ
ぞれが溝型で、かつ、櫛型の電極となる。

そこで、第２図乃至第６図に示されていように、第１の
パターン９に対して第２のパターン１０を複数個とし、
また第１のパターン９を共通電極（ＧＮＤ）とし、かつ
、第２のパターン１０を駆動電極とすれば、第６図の破
線で囲まれている光シャッタ１１を複数個形成すること
ができ、しかもその複数の光シャッタ１１の共通電極お
よび駆動電極が溝型で。

かつ、櫛型にできる。これにより、そのシャッタの開口
率を大きくし、かつ、その駆動電圧の低下が図れること
ができ、微細な光シヤツタアレーやデイスプレィパネル
が実現可能になる。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明のＰＬＺＴ表示装置のＰ
ＬＺＴ表示装置の電極構造によれば、　ＰＬＺτウェハ
上に所定間隔で溝を形成するとともに、これら溝に金属
を成膜し、かつ、その溝に対して直角方向に深い溝を形
成して溝の金属膜を切断して複数の溝型電極を形成する
とともに、この複数の溝型電極を一つ置きに接続して櫛
型の共通電極（ＧＮＤ）および駆動電極としたので、微
小な光シャッタを形成することができ、かつ、そのシャ
ッタの開口率を大きくシ、駆動電圧を低くすることがで
き、上記電極構造のＰＬＺＴ表示装置を微細な光シヤツ
タアレーや平面デイスプレィに利用することが可能にな
るという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示すＰＬＺＴ表示装置の
電極構造の概略的正面図、第２図乃至第６図は上記ＰＬ
ＺＴ表示装置の電極の製作プロセスを説明するための図
、第７図および第８図は従来の表面電極および溝型電極
の構造を説明するための概略的断面図、第９図乃至第１
１図は従来の溝型電極の製作プロセスの一部分を説明す
るための図である。 図中、１はＰＬＺＴつｘハ、６，１２は溝、８は溝型電
極、９は第１のパターン、９ａは凹部（第Ｉのパターン
の）、９ｂは凸部（第Ｉのパターン９の）、ＩＯは第２
のパターン、１０ａは凹部（第２のパターンの）、１０
ｂは凸部（第２のパターン１０の）、１１は光シャッタ
である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＰＬＺＴウェハ上に所定間隔で溝を形成し、該溝
   に金属を成膜し、かつ、前記溝に対して直角方向に前記
   溝より深い溝を形成して前記金属膜を切断し、該切断溝
   により複数の溝型電極を形成してなり、該複数の溝型電
   極を一つ置きに接続して櫛型の共通電極および駆動電極
   としたことを特徴とするＰＬＺＴ表示装置の電極構造。
2. （２）前記金属の成膜に際しては、前記溝、該溝に対応
   して側辺に凹凸形成を有する第１のパターンおよび該凹
   凸形状に対向して凸凹形状を有する第２のパターンに難
   半田性金属膜を形成し、かつ、前記第１および第２のパ
   ターンの金属膜に重ねて同パターンの易半田性金属膜を
   形成してなり、前記共通電極および駆動電極は、前記溝
   に対して直角方向に前記凸部に渡って前記金属膜を切断
   し、前記第１および第２のパターンにおける切断部分を
   接続した請求項（１）記載のＰＬＺＴ表示装置の電極構
   造。