JPH02250954A - スパッタリング用マスク及びパターン化されたスパッタリング被膜を有する基板の製造方法 - Google Patents
スパッタリング用マスク及びパターン化されたスパッタリング被膜を有する基板の製造方法Info
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- JPH02250954A JPH02250954A JP7145189A JP7145189A JPH02250954A JP H02250954 A JPH02250954 A JP H02250954A JP 7145189 A JP7145189 A JP 7145189A JP 7145189 A JP7145189 A JP 7145189A JP H02250954 A JPH02250954 A JP H02250954A
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- mask
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- edge
- coating film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/23—Mixtures
- C03C2217/231—In2O3/SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は例えば液晶デイスプレィで代表される製造にお
いて導電性被膜に限らす滞電可能な材料のスパッタリン
グ被膜、例えばインジウム・錫・オキサイ）’（Ｉ−Ｔ
・０）をスパッタリング法でがラス等の基板表面に／母
ターン形成する場合に用いられるスａＪ？ツタリング用
マスクおよびこのマスクを用いたノ９ターン化されたス
ノ母ツタリング被膜を有する液晶などの表示装置用基板
で代表される基板の製造方法に関する。
いて導電性被膜に限らす滞電可能な材料のスパッタリン
グ被膜、例えばインジウム・錫・オキサイ）’（Ｉ−Ｔ
・０）をスパッタリング法でがラス等の基板表面に／母
ターン形成する場合に用いられるスａＪ？ツタリング用
マスクおよびこのマスクを用いたノ９ターン化されたス
ノ母ツタリング被膜を有する液晶などの表示装置用基板
で代表される基板の製造方法に関する。
（従来の技術）
ガラス基板ｆ１面に導電性被膜（Ｉ−Ｔ−０等）をスパ
ッタリング法で／譬ターン化形成する場合、従来、所定
の開口部を設けたトレイ上にがラス基板を載置し、この
開口部を介して導電性被膜をスパッタリング法により上
記ガラス基板表面に被着させる方法が採用されている。
ッタリング法で／譬ターン化形成する場合、従来、所定
の開口部を設けたトレイ上にがラス基板を載置し、この
開口部を介して導電性被膜をスパッタリング法により上
記ガラス基板表面に被着させる方法が採用されている。
（発明が解決しようとする課Ｍ）
しかし、上記従来の方法では第５図に示す如くスパッタ
リング工程時に基板１の表面に電荷が蓄積し、その電荷
が大きくなると基板ｌを固定しているトレイ２との間で
放電が発生し、スノ母ツタリング被膜３の縁部３ａが破
壊され所望のスパッタリング被膜３のノ４ターンが得ら
れないという問題がおりた。
リング工程時に基板１の表面に電荷が蓄積し、その電荷
が大きくなると基板ｌを固定しているトレイ２との間で
放電が発生し、スノ母ツタリング被膜３の縁部３ａが破
壊され所望のスパッタリング被膜３のノ４ターンが得ら
れないという問題がおりた。
上記従来法の欠点を改善する方法として第６図に示すよ
うにトレイ２を基板１表面から例えば０．１−以上離し
て設け、放電を防止する方法も提案されているが、その
場合はスパッタリング被膜がトレイ２の下方に回シ込ん
だ状態で形成されるため最終的に得られるスパッタリン
グ被膜３の周縁部３＆が一ケた状態となり、製品として
好ましくない。
うにトレイ２を基板１表面から例えば０．１−以上離し
て設け、放電を防止する方法も提案されているが、その
場合はスパッタリング被膜がトレイ２の下方に回シ込ん
だ状態で形成されるため最終的に得られるスパッタリン
グ被膜３の周縁部３＆が一ケた状態となり、製品として
好ましくない。
したがりて、本発明はスパッタリング法によシ塗布され
るスパッタリング被膜の縁部を、従来の如く破損又は−
ヶのおそれなく、明瞭に形成することを可能にするスフ
４ツタリング用マスクを提供することを目的とする。
るスパッタリング被膜の縁部を、従来の如く破損又は−
ヶのおそれなく、明瞭に形成することを可能にするスフ
４ツタリング用マスクを提供することを目的とする。
（１１題を解決するための手段）
本発明は上記目的達成のため、開口部の縁部がスパッタ
リング工程時に放電を生じさせない特定の形状に形成さ
れたマスクを使用するという手段を講じた。
リング工程時に放電を生じさせない特定の形状に形成さ
れたマスクを使用するという手段を講じた。
すなわち１本発明はスパッタリング被膜が形成されるべ
き基板の面に密着される側の開口縁部が巾１０μｍ以上
に亘って略チー７９−状に切欠されていることを特徴と
するスパッタリング用マスクを提供するものである。
き基板の面に密着される側の開口縁部が巾１０μｍ以上
に亘って略チー７９−状に切欠されていることを特徴と
するスパッタリング用マスクを提供するものである。
なお−上記テーパー状の切欠部は通常のウェットエツチ
ング法によ多形成させ九ものでもよい。
ング法によ多形成させ九ものでもよい。
また、各々の材質はマスクとスパッタリング被あるとを
問うものではない。
問うものではない。
（作用）
本発明のスパッタリング用マスクにおいてはスノ臂ツタ
リング被膜形成用基板の面に密着する側の開口縁部が略
テーパー状に切欠されているため。
リング被膜形成用基板の面に密着する側の開口縁部が略
テーパー状に切欠されているため。
スパッタリング被膜との間の放電によりスパッタリング
被膜が形成されない場所をテーノ９−状に切欠された部
分に特定でき、テーノｊ−状に切欠されていない部分と
の間でス／４’ツタリング被膜の境界が明瞭となるノ臂
ターンを形成する事が出来る。
被膜が形成されない場所をテーノ９−状に切欠された部
分に特定でき、テーノｊ−状に切欠されていない部分と
の間でス／４’ツタリング被膜の境界が明瞭となるノ臂
ターンを形成する事が出来る。
（実施例）
以下、本発明を図示の実施例を参照して説明する。
第２図は本発明に係わるスノ皆ツタリング被膜スパッタ
リング用マスク１１の使用例を示すものであって、ガラ
ス基板１２下面にセットされ、この状態でスパッタリン
グ被膜のスパッタリングがおこなわれる。なお１本図中
、１３は敵晶表示区域、１４はス・臂ツタリング被膜（
例え１ｊＩ−Ｔ・０）形成区域である。
リング用マスク１１の使用例を示すものであって、ガラ
ス基板１２下面にセットされ、この状態でスパッタリン
グ被膜のスパッタリングがおこなわれる。なお１本図中
、１３は敵晶表示区域、１４はス・臂ツタリング被膜（
例え１ｊＩ−Ｔ・０）形成区域である。
上記マスク１１は第１図に示す如く、基板１２の下面に
密着される側の開口縁部１１ｈに巾Ｗ＝１０μｍ゛以上
に亘って略チー／４′−状の切欠部ＪＪｂが形成されて
いる。なお、このマスク１ノは例えは厚み０．１園前後
の金属板例えばコバールその地鉄系材料からなるもので
ある。この切欠部１ ｌ ｂの形成方法としては第３図
に示す如く金属板１１ａの上下Ｉｌｌ定部分にレジスト
パターン１５を形成し、上下両画からエツチング液を吹
き付けることにより自然にチー／４−状に形成すること
ができる。
密着される側の開口縁部１１ｈに巾Ｗ＝１０μｍ゛以上
に亘って略チー／４′−状の切欠部ＪＪｂが形成されて
いる。なお、このマスク１ノは例えは厚み０．１園前後
の金属板例えばコバールその地鉄系材料からなるもので
ある。この切欠部１ ｌ ｂの形成方法としては第３図
に示す如く金属板１１ａの上下Ｉｌｌ定部分にレジスト
パターン１５を形成し、上下両画からエツチング液を吹
き付けることにより自然にチー／４−状に形成すること
ができる。
勿論、ａの方法で、このようなテーパー状切欠部１１ｂ
を形成してもよい。
を形成してもよい。
このようなテーパー状切欠部ＪＪｂを形成したマスク１
１は第４図に示すように、ガラス基板１２の下面に固定
用マグネット１６を用いて密着固定される。なお、本図
中１７はガラス基板１２を支持するトレイであり、場合
によっては特に用いなくてもよく、又はマスク１ノと一
体的につくってもよい。次に、この状態で従来と同様に
してスパッタリングをおこない所望のスパッタリング被
膜１８をこのマスク１ノの開口部に形成させる。
１は第４図に示すように、ガラス基板１２の下面に固定
用マグネット１６を用いて密着固定される。なお、本図
中１７はガラス基板１２を支持するトレイであり、場合
によっては特に用いなくてもよく、又はマスク１ノと一
体的につくってもよい。次に、この状態で従来と同様に
してスパッタリングをおこない所望のスパッタリング被
膜１８をこのマスク１ノの開口部に形成させる。
このスパッタリング工程の間において、マスク７７の開
口縁部ＪＪａはテーノ母−状に切欠されているため、こ
の縁部で放電が生じスパッタリング被膜１８の縁部を破
損させるというようなこともなく、極めて明瞭な縁部を
有する所望のスパッタリング被膜１８を形成することが
できる。
口縁部ＪＪａはテーノ母−状に切欠されているため、こ
の縁部で放電が生じスパッタリング被膜１８の縁部を破
損させるというようなこともなく、極めて明瞭な縁部を
有する所望のスパッタリング被膜１８を形成することが
できる。
（発明の効果）
本発明のスパッタリング用マスクはス／４’ ７タリン
グ被膜が形成される基板の面に密着される側の開口縁部
が巾１０μｍ以上に亘って略テーパー状に切欠されてい
るため、これを用いてスｉ４ツタリングをおζなり九場
合は、従来の如き放電によるスパッタリング被膜縁部の
破損が生ずることなく、歳質のス・ぐツタリング被膜を
精度良く形成することが可能となる。
グ被膜が形成される基板の面に密着される側の開口縁部
が巾１０μｍ以上に亘って略テーパー状に切欠されてい
るため、これを用いてスｉ４ツタリングをおζなり九場
合は、従来の如き放電によるスパッタリング被膜縁部の
破損が生ずることなく、歳質のス・ぐツタリング被膜を
精度良く形成することが可能となる。
第１図は本発明に係わるス／４ツタリング用マスクの断
面図、第２図は本発明のマスクを使用形態を説明する平
面図、第３図線第１図に示したマスクの製造例を示す１
部断函図、第４図は本発明のマスクの使用形態を示す断
面図１．菖５図は従来の被膜のスパッタリング法による
形成例を示す断面図。 第ｊ因は第５図に示す方法の変形例を示す断面図である
。 １・・・基板、２・・・トレイ、３・・・スパッタリン
グ被１４、Ｊａ・・・縁部、 Ｊ Ｊ・・・スノ臂ツタ
リング用マスク。 １１１・・・開口縁部、ＺＪｂ・・・切欠部、Ｉｌｃ・
・・金属板、１２・・・ガラス基板、Ｉｓ・・・液晶表
示区域。 １４・・・スパッタリング液腺形成区域、Ｊ５・・・レ
ジストパターン、１６・・・固定用マグネット、１７・
・・トレイ、１８・・・スパッタリング被膜。
面図、第２図は本発明のマスクを使用形態を説明する平
面図、第３図線第１図に示したマスクの製造例を示す１
部断函図、第４図は本発明のマスクの使用形態を示す断
面図１．菖５図は従来の被膜のスパッタリング法による
形成例を示す断面図。 第ｊ因は第５図に示す方法の変形例を示す断面図である
。 １・・・基板、２・・・トレイ、３・・・スパッタリン
グ被１４、Ｊａ・・・縁部、 Ｊ Ｊ・・・スノ臂ツタ
リング用マスク。 １１１・・・開口縁部、ＺＪｂ・・・切欠部、Ｉｌｃ・
・・金属板、１２・・・ガラス基板、Ｉｓ・・・液晶表
示区域。 １４・・・スパッタリング液腺形成区域、Ｊ５・・・レ
ジストパターン、１６・・・固定用マグネット、１７・
・・トレイ、１８・・・スパッタリング被膜。
Claims (2)
- （１）基板の面に密着される側の開口縁部が巾１０μｍ
以上に亘って略テーパー状に切欠されていることを特徴
とするスパッタリング用マスク。 - （２）開口縁部が巾１０μｍ以上に亘って略テーパー状
に切欠されたスパッタリング用マスクを基板に密着して
スパッタリングを施す事を特徴とするパターン化された
スパッタリング被膜を有する基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7145189A JPH02250954A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | スパッタリング用マスク及びパターン化されたスパッタリング被膜を有する基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7145189A JPH02250954A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | スパッタリング用マスク及びパターン化されたスパッタリング被膜を有する基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250954A true JPH02250954A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13460938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7145189A Pending JPH02250954A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | スパッタリング用マスク及びパターン化されたスパッタリング被膜を有する基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250954A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016121652A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | シャープ株式会社 | 成膜用マスクおよび成膜装置並びに成膜方法 |
| JP2017531564A (ja) * | 2014-09-17 | 2017-10-26 | エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト，プフェフィコーンＯｅｒｌｉｋｏｎ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ａｇ， Ｐｆａｅｆｆｉｋｏｎ | バーカッターの表面処理のための保持装置 |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP7145189A patent/JPH02250954A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017531564A (ja) * | 2014-09-17 | 2017-10-26 | エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト，プフェフィコーンＯｅｒｌｉｋｏｎ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ａｇ， Ｐｆａｅｆｆｉｋｏｎ | バーカッターの表面処理のための保持装置 |
| WO2016121652A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | シャープ株式会社 | 成膜用マスクおよび成膜装置並びに成膜方法 |
| US9982339B2 (en) | 2015-01-29 | 2018-05-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Film-forming mask, film-forming device, and film-forming method |
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