JPH03144938A - 光メモリ素子 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、光メモリ素子に関する。
(ロ)従来の技術
近年、光により情報の記録、再生及び消去を行う光メモ
リ素子は高密度大容量メモリ素子として年々その必要性
が高まっている。従来の光メモリ素子としては、第2図
に示すように、基[11の上に、波長λ、の光で記録で
きる光メモリ層R1を設け、該光メモリ層R7の上に波
長λ、の光で記録できる光メモリ層R3を設け、以下順
次波長λnの光で記録できる光メモリ層Rnを設けた構
造を有し、それぞれの光メモリ層に、異なる波長の光を
照射してn層の多重記録ができる光メモリ素子が知られ
ている(特開昭82−165751号公報)。
リ素子は高密度大容量メモリ素子として年々その必要性
が高まっている。従来の光メモリ素子としては、第2図
に示すように、基[11の上に、波長λ、の光で記録で
きる光メモリ層R1を設け、該光メモリ層R7の上に波
長λ、の光で記録できる光メモリ層R3を設け、以下順
次波長λnの光で記録できる光メモリ層Rnを設けた構
造を有し、それぞれの光メモリ層に、異なる波長の光を
照射してn層の多重記録ができる光メモリ素子が知られ
ている(特開昭82−165751号公報)。
(ハ)発明が解決しようとする課題
ところが、上記光メモリ素子の第1層(i≦n)に光を
照射して情報を記録しようとするとき、i層の温度上昇
により、i層の前後の層[(+−1)層と(i層1)層
]の温度が上昇し、(i−1)層や(i層1)層に記録
が消失したり、場合によっては光メモリ層(第1層)そ
のものが破壊されるという問題がある。
照射して情報を記録しようとするとき、i層の温度上昇
により、i層の前後の層[(+−1)層と(i層1)層
]の温度が上昇し、(i−1)層や(i層1)層に記録
が消失したり、場合によっては光メモリ層(第1層)そ
のものが破壊されるという問題がある。
この発明は、この問題を解決するためになされたもので
あって、光の照射による温度上昇が小さく記録の消失や
光メモリ層の破滅を起こさない光メモリ素子を提供しよ
うとするものである。
あって、光の照射による温度上昇が小さく記録の消失や
光メモリ層の破滅を起こさない光メモリ素子を提供しよ
うとするものである。
(ニ)課題を解決するための手段
この発明によれば、基板上に、フォトクロミック材料か
らなる襟敗の光メモリ層が熱伝導性透明膜を介して積層
されてなる光メモリ素子が提供される。
らなる襟敗の光メモリ層が熱伝導性透明膜を介して積層
されてなる光メモリ素子が提供される。
この発明における1&仮は、光メモリ素子を支持するた
めのものであって、例えばガラス、プラスチック、アル
ミニウム等を用いて形成することができろ。この中でも
ガラス、プラスチック等の透明な材料によって形成した
基板は基板の上方または下方のいずれの側からも光を照
射することができるので好ましい。また基板の下方から
基板を通して光を入射させるときは、基板の厚みは0.
5〜2.01+m程度が好ましい。
めのものであって、例えばガラス、プラスチック、アル
ミニウム等を用いて形成することができろ。この中でも
ガラス、プラスチック等の透明な材料によって形成した
基板は基板の上方または下方のいずれの側からも光を照
射することができるので好ましい。また基板の下方から
基板を通して光を入射させるときは、基板の厚みは0.
5〜2.01+m程度が好ましい。
この発明におけるフォトクロミック材料は、前記基板の
上に光メモリ層を形成するためのものであって、光の照
射により互変異性化など構造変化か可逆的に生じ同時に
吸収スペクトルが変化する有機化合物を用いることがで
き、例えばスピロベンゾビラン誘導体、フルギド化合物
等が挙げられる。
上に光メモリ層を形成するためのものであって、光の照
射により互変異性化など構造変化か可逆的に生じ同時に
吸収スペクトルが変化する有機化合物を用いることがで
き、例えばスピロベンゾビラン誘導体、フルギド化合物
等が挙げられる。
この発明における光メモリ層は、光の照射によって光メ
モリ層に生じた露光を記録するためのものであって、光
メモリ層を構成するフォトクロミック材料の化学構造に
対応して特有の波長の光に対して感光することができる
。また、この光メモリ層は、複数で光メモリ素子を構成
することができ、通常それぞれ異なった波長の光に対し
て感光性を有するように構成することができる。また、
この光メモリ層は前記フォトクロミック材料のみで作製
してもよいが、適宜色素材料を混合して作製してしよい
。
モリ層に生じた露光を記録するためのものであって、光
メモリ層を構成するフォトクロミック材料の化学構造に
対応して特有の波長の光に対して感光することができる
。また、この光メモリ層は、複数で光メモリ素子を構成
することができ、通常それぞれ異なった波長の光に対し
て感光性を有するように構成することができる。また、
この光メモリ層は前記フォトクロミック材料のみで作製
してもよいが、適宜色素材料を混合して作製してしよい
。
この発明における熱伝導性透明膜は、露光によって感光
した光メモリ層において発生する熱を放散させ光メモリ
層の温度を抑制するためのちのであって、複数の光メモ
リ層の間に介在させて用いられ、熱伝導率が光メモリ層
よりも高く、かつ光メモリに使用する光を充分透過する
ことが必要であることから、例えば窒化アルミニウム、
窒化シリコン、酸化アルミニウム等の薄膜を用いるのが
適している。
した光メモリ層において発生する熱を放散させ光メモリ
層の温度を抑制するためのちのであって、複数の光メモ
リ層の間に介在させて用いられ、熱伝導率が光メモリ層
よりも高く、かつ光メモリに使用する光を充分透過する
ことが必要であることから、例えば窒化アルミニウム、
窒化シリコン、酸化アルミニウム等の薄膜を用いるのが
適している。
この薄膜(熱伝導性透明膜)は、形成する薄膜のW類に
よって、例えばCVD法、スパッタリング法等の手段を
適宜選択して用いることにより形成することができ、そ
の膜厚を、通常50〜350nm。
よって、例えばCVD法、スパッタリング法等の手段を
適宜選択して用いることにより形成することができ、そ
の膜厚を、通常50〜350nm。
好ましくは60〜75nm、もしくは330nm〜34
5rvとすることができる。また、この熱伝導性透明膜
は、複数の光メモリ層の間に適宜介在させればよいが、
それぞれの光メモリ層毎にその上面と下面に配置する方
が光メモリ層の温度上昇をよく抑えることができるので
好ましい。
5rvとすることができる。また、この熱伝導性透明膜
は、複数の光メモリ層の間に適宜介在させればよいが、
それぞれの光メモリ層毎にその上面と下面に配置する方
が光メモリ層の温度上昇をよく抑えることができるので
好ましい。
この発明においては、基板上に光メモリ層が熱伝導性透
明膜を介して積層した後、この上に、例えばUV硬化樹
111i1 (ハードコート膜)からなる保ffl@を
形成してもよい。
明膜を介して積層した後、この上に、例えばUV硬化樹
111i1 (ハードコート膜)からなる保ffl@を
形成してもよい。
(ホ)作用
熱伝導性透明膜が、光が照射された光メモリ層に発生す
る熱を放牧し光メモリ層の温度上昇を抑制する。
る熱を放牧し光メモリ層の温度上昇を抑制する。
(へ)実施例
本発明の実施列を図面をもとにして説明する。
まず、第1図に示すように直径1aQmms厚さ1.2
1のガラス基板lの上に、CVD法によって膜厚0.3
3μmの窒化アルミニウム嘆2a(pA伝導率約20J
/m−54,透明)を形成する。次に、この上にスピン
コード法によって、膜厚的0.7μ龜の式で表されるオ
キサゾール誘導体置換へテロ型フルギド化合物の層3(
波長462nmの光に感応性の光メモリ層)を形成する
。
1のガラス基板lの上に、CVD法によって膜厚0.3
3μmの窒化アルミニウム嘆2a(pA伝導率約20J
/m−54,透明)を形成する。次に、この上にスピン
コード法によって、膜厚的0.7μ龜の式で表されるオ
キサゾール誘導体置換へテロ型フルギド化合物の層3(
波長462nmの光に感応性の光メモリ層)を形成する
。
この上に、再び膜厚0.33μmの窒化アルミニウム1
i2bを形成し、この上にスピンコード法によって膜厚
的0.7μmの式 で表されるチオフェン誘導体置換へテロ型フルギド化合
物の層4(波長523nmの光に感応性の光メモリ層)
を形成する。
i2bを形成し、この上にスピンコード法によって膜厚
的0.7μmの式 で表されるチオフェン誘導体置換へテロ型フルギド化合
物の層4(波長523nmの光に感応性の光メモリ層)
を形成する。
この上に、3回目の膜厚0.33μmの窒化アルミニウ
ム@2cを形成し、更にこの上にスピンコード法によっ
て膜厚約0.7μmの式 で表されるビロール誘導体置換へテロ型フルギド化合物
の層5(波&614nmの光に感応性の光メモリ層)を
形成する。
ム@2cを形成し、更にこの上にスピンコード法によっ
て膜厚約0.7μmの式 で表されるビロール誘導体置換へテロ型フルギド化合物
の層5(波&614nmの光に感応性の光メモリ層)を
形成する。
この上に4回目の膜厚0133μ九の窒化アルミニウム
膜2dを形成して光メモリ素子を作製する。
膜2dを形成して光メモリ素子を作製する。
得られた、光メモリ素子は、462nn、 523nn
および614nnの光を照射して記録試験を行ったとこ
ろ、光メモリ層の温度上昇は小さくなり記録の安定性が
向上することが認められた。
および614nnの光を照射して記録試験を行ったとこ
ろ、光メモリ層の温度上昇は小さくなり記録の安定性が
向上することが認められた。
(ト)発明の効果
この発明によれば、光の照射による温度上昇が小さく、
記録の消失や光メモリ層の破壊を起こさない光メモリ素
子を提供することができる。
記録の消失や光メモリ層の破壊を起こさない光メモリ素
子を提供することができる。
第1図は、本発明の実施例で作製した光メモリ素子の説
明図、第2図は、従来の光メモリ素子の説明図である。 し・・・・・ガラス基板、 2a、2b、2c、2d・・・・・・窒化アルミニウム
膜、 3・・・・・・オキサゾール誘導体置換へテロ型フルギ
ド化合物の層、 4・・・・・・チオフェン誘導体置換へテロ型フルギド
化合物の層、 5・・・・・・ビロール誘導体置換へテロ型フルギド化
合物の層。
明図、第2図は、従来の光メモリ素子の説明図である。 し・・・・・ガラス基板、 2a、2b、2c、2d・・・・・・窒化アルミニウム
膜、 3・・・・・・オキサゾール誘導体置換へテロ型フルギ
ド化合物の層、 4・・・・・・チオフェン誘導体置換へテロ型フルギド
化合物の層、 5・・・・・・ビロール誘導体置換へテロ型フルギド化
合物の層。
Claims (1)
- 1、基板上に、フォトクロミック材料からなる複数の光
メモリ層が熱伝導性透明膜を介して積層されてなる光メ
モリ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284602A JPH03144938A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 光メモリ素子 |
| US07/604,581 US5192644A (en) | 1989-10-30 | 1990-10-29 | Optical memory device |
| EP90311890A EP0426437B1 (en) | 1989-10-30 | 1990-10-30 | Optical memory device |
| DE69032173T DE69032173T2 (de) | 1989-10-30 | 1990-10-30 | Optische Speichervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284602A JPH03144938A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 光メモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03144938A true JPH03144938A (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=17680583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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