JPH03144945A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、光磁気記録媒体、特に高いＯＮ比を得るこ
とができる保護膜を具えた光磁気記録媒体およびその製
造方法に間する。

（従来の技術） 光磁気記録媒体（以下、単に記録媒体と称する場合もあ
る）は、書換えのできる磁性Ｓを具えた高密度記録媒体
として、研究開発が活発に行なわれている。

このような記録媒体の磁性Ｓを構成する光磁気記録材料
の内でも、希土類金属と遷移金属との非晶質合金（以下
、単に日巳−ＴＭ合金と称する場合もある）は、磁化方
向がＩＩｉ膜面に対して垂直に配向した垂直磁化膜とな
ること、保持力が数（ＫＯｅ）と大きいこと、スパッタ
、真空蒸着またはその他の被着技術で比較的容易に成膜
が可能であること等の点で、最も研究が進み、実用化が
進んでいる。

このような日Ｅ−ＴＭ合金を用いた記録媒体では、磁性
膜が垂直磁化膜であることから１０’（ビット／ｃｍ２
）という極めて高密度な記録が可能であり、さらに、原
理的には、情報の消去と再書込みとの繰り返しを無限回
に近く行なうことができるという優れＴ：、特色を有す
る。

しかしながら、ＲＥ−ＴＭ金合金らなる磁性膜は磁気光
学的な効果（カー（Ｋｅ　ｒ　ｒ）効果）か小さいとい
う欠点がある。

そこで、上述した磁性膜の、読取り側とは相反する位置
に反射膜を設けたつ、保￥Ｉｉ膜によって磁性ＩＩＩを
挾んで配設することにより、光の屈折および反射を利用
して見掛は上のカー（Ｋｅ　ｒ　ｒ）回転角を大きくす
る構造が知られている（文献：小林　故旧「鉄と鋼」第
７４年（１９８８）、第１０号、第１９０１〜第１９０
８頁）。

以下、図面を参照して、上述した従来の光磁気記録媒体
につき説明する。

第２図および第３図は、従来の記録媒体の積層構造の一
構成例を説明するため、概略的な断面により示す説明図
である。

第２図に示す従来の構成例では、基板１００表面に保ｌ
ＩＩ膜１２、磁性膜１４、保護膜］６、反射ｍｉｓおよ
び保Ｋｌ膜２０７８順次形成した構造となっており、ま
た、第３図に示す従来の構成例では基板２０の表面に保
！Ｉ［膜２２、磁性１１１２４および保ｉＩ膜２６を順
次形成した構造となっている。

このうち、基板］０および２ｏは記録媒体の書込みや読
出しに用いられる光の波長で透明な材料から構成され、
例えばポリカーボネート樹脂、ガラス、エポキシ樹脂ま
たはその他の材料が用いられている。

また、保護膜１４．１６．２０．２２および２６は、例
えばＳｉｏ、Ｓｉｏ２、Ａｊ７Ｎ、５ｉｓＮａ、ＡｌＳ
ｉＮ、ＡｌｆｌＳｉＯＮまたはその他の保！ＩＩ膜材料
を被着させて形成する。この場合、通常、保ｉｌｌ膜１
２は８００人、１６は５００大、２０および２６は１０
００大および２２は７００人程度の膜厚としている。

さらに、磁性１１１１４および２４は前述したＲＥ−Ｔ
Ｍ金合金ら構成され、このような合金として例えばＴｂ
−Ｆｅ合金、Ｔｂ−Ｃｏ合金、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金ま
たはその他、希土類金属と遷移金属との組み合わせが種
々、知られている１通常、この磁性膜１４は２００人お
よび２４は７００人程度の膜厚としている。

これに加えて、反射膜１８を構成する材料としては、ア
ルミニウム（Ａｎが最も広く用いられており、この他、
例えば金（Ａｌ）、銅（Ｃ，ｕ）　、チタン（Ｔ１）と
いった反射膜材料が知られ、その膜厚は、通常、５００
人程度としている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、光磁気記録媒体に用いる保護膜としでは
、書込みおよびまたは再生に用いる光の波長に対して透
過性が良い（吸収係数ｋｆＪ＜０．１以下）ことか望ま
れている。しかも保護膜はこの保護膜により見掛は上の
カー回転角を大きくするためには、屈折率も大きいこと
が必要とされており、現在知られている保護膜では、Ａ
Ｊ２ＳｉＯＮ膜を用いた場合でも、屈折率が２．０より
も小さいため使用波長で０．５（ｄｅ９）以上というよ
うな十分なカー回転角（ｅ）；！＝得ることができず、
よってＣＮ比が低いという問題点があった。

従って、記録およびまたは再生特性に優れた光磁気記録
媒体を作製するためには、高い透明度を維持しつつさら
に屈折率の大きな保！ｊＩ膜が必要とされていた。

そこで、この発明は、上述した従来の、Ａｌ５ｉＯＮの
保護膜の屈折率が小さいためにＣＮ比が低かったという
問題点に鑑みなされたものであり、従って、この発明の
目的は、使用する光の波長に対して高い透過率を有しつ
つ、屈折率が大きい光磁気記録媒体およびその製造方法
を提供することにある。

（課題を解決するための手段） この目的の遠戚を図るため、この発明の光磁気記録媒体
によれば、 透明な基板上に設けられた保護膜と磁性膜とを具え、さ
らに場合によっては反射ＷＡを具えることもある光磁気
記録媒体において、 保護膜を、Ａ、＆５ｉＯＮと金属Ａ℃単体とを含む膜と
して形成してなることを特徴とする。

この発明の光磁気記録媒体の好適実施例によれば、 保護膜における金属Ａｌ単体の含有量を、前記保！ｌＩ
膜の光吸収係数が０．１以下となる値とするのが良い。

また、この発明の光磁気記録媒体の好適実施例では、 保ｉｌｌ嘆における金属Ａｌ単体の含有量を、前記保護
膜の屈折率が使用する光の波長で２．０以上、好ましく
は、２．０〜２．７の範囲内の値とするのが良い。

さらに、この発明の光磁気記録媒体の製造方法によれば
、 透明な基板上に、保護膜と、磁性膜と、さらに場合によ
っては反射膜とを、それぞれ成膜して光磁気記録媒体を
製造するに当り、 保護膜は、α−またはＢ−サイアロンと金属ＡＪ２単体
のターゲットに対し実質的にＡｒガスのみを使用したス
パッタリングを行なって、形成することを特徴とする。

この発明の方法の好適実施例によれば、前記α−または
０−サイアロンで主ターゲットを形成し、前記金属Ａｌ
単体のチップで補助ターゲットを形成し、前記主ターゲ
ットのスパッタされる面上に前記補助ターゲットを配設
し、これら主ターゲットおよび補助ターゲットを複合タ
ーゲットとして前記スパッタリングを行なうのが良い。

さらに、この発明の方法の他の好適実施例によれば、 前記ターゲットを、前記α−または８−サイアロンと前
記金属Ａｌ単体とで形成した混合ターゲットとし、該混
合ターゲットに対し前記スパッタリングを行なうのが良
い。

さらに、この発明の実施に当り、 前記α−または０−サイアロンで主ターゲットを形成し
、前記金属ＡＪ２単体で補助ターゲットを形成し、前記
主ターゲットと補助ターゲットを離間配置してこれら主
ターゲットおよび補助ターゲットに対し同時に前記スパ
ッタリングを行なうのが好適である。

（作用） 上述したこの発明の光磁気記録媒体によれば、保！ｌ膜
はＡｌｆ　Ｓ　ｉ　ＯＮと金属Ａｌ単体とを含む膜とし
て形成しである。そして、この保ｔＩＩＩｌヲ、Ａｎｔ
ｉ○Ｎ膜中に金属Ａｊ２単体（化学結合していない金ａ
Ａｌが含まれるように形成するので、後述する実験結果
からも明らかなように、金属Ａ２単体の含有量を調整す
ることによって保護膜自体の、使用する光の波長に対し
て吸収係数を小さくすることができるとともに、屈折率
を大きくすることができる。

さらに、この発明の光磁気配！ｉ媒体の製造方法によれ
ば、保ｌ１ｌｓを、Ａｊ２ＳｉＯＮと金１１１単体のタ
ーゲットに対して実賞的にＡｒガスのみを使用したスパ
ッタリングを行なって、成膜するので、金属Ａｌ単体が
化合物としてＡｌ２５ｉＯＮ１１中に混入する恐れがな
く、従って、Ａｊ２ＳｉＯＮに対する被スパツタ面積と
金属Ａ２単体の被スパツタ面積との比を調整すること（
こよって、成ｍされたＡｌ２５ｉＯＮ１１中における金
属Ａｌ単体の含有量を調整できる。

（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の光磁気記録媒体およ
びその製造方法につき併せて説明する。

尚、以下説明する実施例は単なる好適例（こすぎず、従
って、この発明は以下の実施例で説明される種々の条件
にのめ何等限定されるものではない。

罠五史ユ この実施例では、保護膜中従ってＡｊ２ＳｉＯＮ膿中に
含まれる金属／１１単体の量に対する保護膜の屈折率ｎ
と吸収係数にとの関係を調べるため試料を作製して測定
を行なった。測定した試料の作製は日Ｆマグネトロンス
パッタ装ＭＩＦｒ用いて行なった０作製のための条件は
次の通っである。主ターゲットとしてα−サイアロン（
組成は（Ｓｉ＋＋Ａ、＆＋　）（Ｎ＋ｚＯａ　））を用
い、補助ターゲットとして５ｍｍＸ５ｍｍの正方形の金
属Ａ２単体のチップを用いて、主ターゲットの被スパツ
タ面上に補助ターゲットを配置してなる複合ターゲット
を真空処理室内に設置した。

真空処理室の真空度を１０−’Ｔｏｒｒ以下の高真空度
に排気した後、Ａｒガスを真空処理室に導入し、スパッ
タパワー！５００Ｗ＃よびＡｒガス圧を３ｘ　１０−”
Ｔｏ　ｒ　ｒとしてＡｒイオンによりターゲット（主タ
ーゲットおよび補助ターゲット）のスパッタリングを行
ない、真空処理室内に配設したガラス基板上にＡｌ５ｉ
ＯＮ保護膜を膜厚１５００人で成膜した。Ａｒガスを用
いたスパッタリングであるので金！［Ａｌ単体が化合物
となる恐れはない、よって、基板に被着形成されたＡｌ
５ｉＯＮ保護順中に含まれる金、１ＩＡｌ単体の量は主
および補助ターゲットのそれぞれの被スパツタ面積に依
存すると考えられ、従って、両者の被スパツタ面積の総
和に占める補助ターゲットの被スパツタ面積の割合から
金属Ａ℃単体の含有量（％）ｉ＆算出した。

このようにして作製した保！Ｉｍにつき屈折率および吸
収係数を測定した結果を第１図に示す。

第１図は、Ａｊ２ＳｉＯＮ保護膜中に占める金属Ａｊ２
単体の含有量と屈折率ｎおよび吸収係数にとの関係を示
す特性曲線図であり、横軸に金属Ａｌ単体の含有量（％
）および図中左側の縦軸に屈折率ｎ！、および右側の縦
軸に吸収係数ｋ１８それぞれプロットして示しである０
曲線Ｉは屈折率特性および曲線■は吸収係数時′１′１
ｖ！それぞれ示している。

これら屈折率および吸収係数は、波長６３３ｎｍのレー
ザ光を用いて、通常の光学的手法によりそれぞれ測定し
た。

同図において、金属Ａｊ２単体の含有量が０％は、生タ
ーゲットのみ％Ａｒガスをスパッタしで作製した、比較
例のための、金属ＡＪ２単体を含有しない試料の測定結
果である。この特性曲線工からも理解できるように、保
護膜のＡｎＳｉＯＮ中での金属Ａ２単体の含有量がＯ（
％）従って従来のＡｊ２ＳｉＯＮ膜では屈折率は約１゜
９であり、含有量が５（％）で屈折率は約２となり、そ
の後含有量の増大に従って屈折率も大きくなり、含有量
が２５（％）では屈折率は約２．７となっている。

この結果から、金属Ａ２単体がＡｌＳｉＯＮ中に含まれ
れば、保護膜の屈折率が金属Ａ２単体を含んでいない保
ａＳの場合よりも大となることがわかる。

一方、特性曲線ＩＩからも理解できるように、金ＲＡｌ
単体の含有量が１０（％）程度以上となると、その含有
量の増加に従って吸収係数ｋが増大し、含有量が２５（
％）となると吸収係数には約０．１となる。この結果か
ら、金！Ａｌ単体の含有量が２５（％）以下であれば吸
収係数ｋを０．１以下とすることができることがわかる
。以上、屈折率ｎおよび吸収係数にの実測データから、
この発明の保護膜としでは、Ａｇ５ｉＯＮ中に含ませる
金１１Ａｌ単体の量は２５（％）以下（但し０（％）を
含まない）とすれば、従来の保！Ｉ膜よりも良質の保護
膜が得られる。尚、カー回転角（Ｅｌ）　！大きくする
目的から保！Ｉ［膜の屈折率を２．０以上とするのが好
ましいとすると、含有量の好適範囲は６−２５　（％）
となる。

失１０運２ この実施例では、第２図に示す積層構造の光磁気記録媒
体を試料としで作製してＣＮ比およびエラーレイトを測
定した。この実施例では、保護膜２２および２６におけ
る金属Ａｌ単体の含有量を１０（％）とし、これら保！
Ｉｌｌの作製を上述した実施例１の場合と同様なターゲ
ットを用いたスパッタリング方法で行なった。また、磁
性１１２４としてＴｂ２□ＦｅａａＣＯ＋。膜を従来と
同様の方法で成膜しで用いた。また、反射１１１１８と
してアルミニウム（Ａｌ）を成膜した。

このようにしで作製した試料である光磁気記録媒体のに
！録再生特性を、波長８３０　（ｎｍ）のレーザど一層
を用い、回転速度］８００（ｒ、ｐ、ｍ）で回転させ、
記録周波数を３．７（ＭＨｚ　）とし、デユーティ−を
３３（％）とし、測定位Ｈを回転中心からの距１１＃ｒ
＝３０（ｍｍ）の位置とした測定条件で、測定した。そ
の測定の結果、記録パワー５．０（ｍＷ）および読出し
パワー１．０　（ｍＷ）で、５１（ｄＢ）のＣＮ比を得
た。また、エラーレイトは５ｘ１０−’であった。尚、
このときの保護膜の屈折率は２．３でありおよび吸収係
数はＯであり、実施例１での結果と同じであった（第１
図参照）。

次に、この実施例で成膜した保護膜のＣＮ比およびエラ
ーレイト特ｔ！ヲ調べるため、試料を、温度８０（’Ｃ
）および相対湿度（日Ｈ）８５　（％）の雰囲気中に、
１０００時間保持した後、当該試料のＣＮ比およびエラ
ーレイトを測定したが、この雰囲気に保護膜を曝す前後
においてこれらの特性に（よ何ら変化が起らず、安定で
あった。

上述した実験結果からも明らかなよう（こ、金属、ｌ単
体を含有するＡｌＳｉＯＮｆｉｌ［からなるこの発明の
保護膜を用いた光磁気記録媒体では、従来のＡｊ２Ｓｉ
ＯＮ膜からなる保護膜を用いた光磁気記録媒体とくらべ
て、ＣＮ比が２〜３（ｄＢ）程度高くしかも保護膜によ
る保護特性が劣化せずに安定であるので、この発明の保
護膜は従来の保護膜よりも良′ｌＩｉな膜であることが
わかる。

東去１調旦 この実施例の光磁気記録媒体の試料は、磁性膜の組成ｔ
Ｎｄｓ　ＤＹｚ□Ｆｅｓ、Ｃ０ｚＴｉｓとした点を除き
、上述した実施例２で作製した試料と同様な積層構造と
して作製した。

この試料につき、波長８３０（ｎｍ）のレーザビームを
用い、回転速度３６００　（ｒ、ｏ。

ｍ）、記録周波数７．４　（ＭＨｚ）　、デユーティ−
３３（％）、測定位置を回転中心からの距離ｒ＝３０　
（ｍｍ）の位置とした測定条件で、ＣＮ比特性およびエ
ラーレイト特性を測定した。

その測定の結果、ＣＮ比が５０．５　（Ｃ１８）であっ
て、この実施例の場合でも従来の光磁気記録媒体の場合
よりも２〜３（ｄＢ）程度高いことがわかった。

さらに、この実施例の試料につき、実施例２の場合と同
様な条件下で、保！１１１１の保護特性を調べたところ
、ＣＮ比およびエラーレイトともに伺う変化を起さず、
保！ｌＩ！膜が安定な特性を示した。

従って、この実施例の場合であっても、保護膜の保護特
性が従来の保！Ｉ［膜と比べて一層良好であることがわ
かった。

東１０肚互 この実施例では、まず、シリコンウェハ上に保Ｍ膜を成
膜し、その屈折率を測定した。この保護膜の作製は、Ｒ
「マグネトロンスパッタ装＠を使用した。またターゲッ
トとして、α−サイアロン（主ターゲット）および金属
Ａｌ単体（補助ターゲット）を用いた通常の多元スパッ
タ法により、保護膜を成膜した。スパッタの条件は、主
ターゲットに対するスパッタパワーを８００（Ｗ）とし
、補助ターゲット（二対するスパッタパワーを１００（
Ｗ）とした、また、スパッタガスとしでＡｒガスを用い
、そのガス圧を３ｘｌＯ−３（Ｔ。

ｒｒ）とした、このようにしてＦ１ｉ膜しで得られた膜
厚１５００人の保１１Ｍの屈折率を通常の光学的手法に
より測定したところ２．３５であった。この屈折率であ
ると、Ａｊ２ＳｉＯＮＩｌ中に含まれる金、ＩＩＡｌ単
体の量は、第１図の実験データから１０（％）であるこ
とがわかる。

次に、この実施例で作製した保！１ｍｌと同様な膜を保
護層としてＩｆｌ、ｌ！シて、実施例２と同様な光磁気
記録媒体の試料を作製した。

この試料につき、実施例２の場合と同様な条件でＣＮ比
およびエラーレイトの両特性並びに保護膜の保護特性を
調べたところ、ＣＮ比は５１゜２（ｄ　８）で従来の光
磁気記録媒体よりも３〜４（ｄＢ）高いことがわかった
。また、エラーレイトは５Ｘ１０すであった。さらに、
この保護膜の保護特性も実施例２および３の場合と同様
に安定しており、従来の保！Ｉ膜よりも良好であること
がわかった。

罠思思亙 この実施例では、ターゲットとしてＢ−サイアロン（組
成はＡｊ７Ｓｉう○Ｎ？）（主ターゲット）の被スパツ
タ面上に金属ＡＪ２単体チップを補助ターゲットとして
配置した点以外は、実施例１の場合と同′ＰＪな条件で
スパッタを行ない、保護膜を作製した。このようにして
作製した保！Ｉ膜につき、その屈折率ｎおよび吸収係数
ｋを実施例１の場合と同様に通常の光学的手法で測定し
た。その測定結果を第４図に示す。

第４図は、横軸に金属Ａｌ単体のＡｊ２　Ｓ　ｉ　ＯＮ
膜中での含有量をプロットし、左縦軸に屈折率ｎおよび
右縦軸に吸収係数ｋをプロットしで示しである。同図に
おいて、曲線■［よ屈折率特性および曲線■は吸収係数
特性をそれぞれ示す、尚、金属Ａ、＆単体の含有量０（
％）の保！１．１１は比較例としての従来の保護膜であ
る。

第４図に示した特性曲線ｍからも理解できるように、金
属Ａｌｆ単体の含有量が増加するに従って屈折率ｎも大
きくなり、また、吸収係数にも増加するが吸収係数は含
有量２０％を越えると急激に増大する。この実施例の場
合にも、吸収係数ｋが０．１のときは屈折率は２．７で
あって、そのときの金、１ＡＪ２単体の含有量が２５（
％）であるので、この含有量を２５（％）以下（但し、
０（％）を除く）とすれば従来の保！Ｉ膜よりも良質の
保！１１１１が得られることがわかる。尚、カー回転角
１）！大きくする目的のため保［膜の屈折率を２．０以
上とするのが好ましいとすると、含有量の好適範囲は５
−２５　（％）となる。

来Ｊｌ□旦 この実施例では、実施例５で用いたターゲット部分のう
ち主ターゲットを６−サイアロン（組成はＡｊ２ｚＳｉ
３０３Ｎ６）に置き換えた点以外は実施例５の場合と同
様にして保ｔＷ膜を作製した。

そして、この保！！１１１の屈折率ｎと吸収係数にとを
、上述した実施例１の場合と同様に通常の光学的手法に
より測定した。この実施例の保！！膜に対する測定結果
を第５図に示す。

第５図は、第４図と同様にして示した特性曲線図であり
、曲線Ｖは屈折率特性を示しおよび曲線■は吸収係数特
性を示す。これらの両特性（曲線Ｖおよび■）は、第４
図で示した特性（曲線■および■）とほぼ同様な傾向を
示していることがわかった。

その結果、この実施例の保護膜の場合であっても、吸収
係数ｎｏ、１としたときの屈折率ｎはほぼ２．７であり
、そのときの金ａＡｌｆｌ単体の含有量は２５（％）で
あるので、この金属Ａｌ単体の含有量を２５（％）以下
（但し、Ｏ（％）を除く）とすれば保護膜として良質の
膜が得られる。

尚、カー回転角（ｅ）！高める目的からこの実施例の保
！１１１１の屈折率ｎを２．０以上とするのが好ましい
とする場合には、金属Ａ℃単体の含有量の好適範囲は５
−２５　（％）となる。

東１１性ヱ この実施例では、光磁気記録媒体の構造を、第３図に示
した積／Ｉ構造とし、ガラス基板１０側に設けた保護膜
の屈折率ｎと、この保ｔＸ膜の膜厚口（ｎｍ）と、光磁
気記録媒体でのカー回転角（ｆ３）　　（ｄ　ｅ　Ｃａ
１）との関係をコンピュータシミュレーションで調べた
。この実施例では、保ｖｉｉ２２として、屈折率ｎをｎ
＝１．８からｎ＝３．０までの屈折率差△ｎ＝０．２の
種々の値の保！Ｉ膜を選び、それぞれの屈折率ｎｌ有す
る保ｉ１膜２２毎に、膜厚＊Ｏ（ｎｍ）から１２０（ｎ
ｍ）に変えたときのそれぞれのカー回転角（Ｅｌ）（ｄ
ｅｑ）７ａコンピユータでシミュレーションした。

その結果を第６図に示す、第６図において、横軸に保護
膜の膜厚（Ｈ）（ｎｍ）ｌＦｒプロットしおよび縦軸に
カー回転角（ｅ）（ｄｅｑ）ｔ−プロットして示しであ
る。このシミュレーションの結果は、いずれの組成の磁
性膜（記録層）２４であっても同様の傾向を示した。第
６図に示すシミュレーション結果から明らかなように、
カー回転角（１３）は、保護膜の膜厚の変化に対して屈
折率ｎが小ざいほど変化が小さく屈折率口が大きいほど
変化も大きい。例えば、屈折率ｎ＝２．０では膜厚４０
　（ｎｍ）でカー回転角（Ｅｌ）は約０．４（ｄｅｑ）
、６０ｎｍで約０．５　（ｄｅｑ）、８０ｎｍで約０．
５５　（ｄｅｇ）、１１００ｎで約０．５５　（ｄｅｑ
）、１２０ｎｍで約０７４５（ｄｅｑ）である。また、
屈折率ｎ＝２．８では、膜厚４０　（ｎｍ）でカー回転
角（ｅ）は約０．９　（ｄｅｑ）　、６０ｎｍで約１．
２　（ｄｅｇ）、８０ｎｍで約０゜６　（ｄｅｑ）、１
ｏ○ｎｍで約０．３５　（ｄｅｇ）、１２０ｎｍで約０
．３　（ｄｅｑ）である、このシミュレーション結果か
ら、カー回転角ｅはｅ＝０．５　（ｄｅｑ）以上であれ
ばよいので、保護膜２２の屈折率口Ｗ２．０以上とすれ
ばカー回転角が０．５（ｄｅｑ）以上となる膜厚の領域
があることがわかる。

従って、好ましくは屈折率ｎはｎ＝２．０以上とするの
か良い。

尚、既に述べたように、この屈折率ｎ＝２．０に対応す
る金属Ａｌ単体の含有量は第１図および第４図の実験デ
ータから５（％）以上となっている。

衷妻ｌ艶旦 この実施例では、第３図に示す積層構造の光磁気記録媒
体であって、保護膜２２および２６を実施例１および６
で既に説明したと同様な方法および成膜条件でそれぞれ
作製した光磁気記録媒体のそれぞれについてＣＮ比を測
定した。その測定結果を第７図に示す。

第７図において、横軸に金属Ａ２単体の含有量（％）を
プロットしおよび縦軸ＣＮ比（ｄＢ）１プロツトして示
してあり、曲線■は実施例１に従って作製した保護膜を
有する試料のＣＮ特性を示し、曲線■は実施例６に従っ
て作製した保護膜を有する試料のＣＮ特性を示している
。尚、金属Ａｌ単体の含有量Ｏ（％）の試料は、比較の
ための、従来のＡｌ　Ｓ　ｉ　ＯＮのみからなる保護膜
を具える光磁気記録媒体である。

これら曲線■および■がら理解できるように、金属Ａ、
＆単体の含有量か５（％）程度では、この発明の光磁気
記録媒体のＣＮ比は従来の光磁気記録媒体に比べてさほ
ど大きくはなっていないが、含有量が５（％）を越える
と次第にＣＮ比か高くなり、含有量２０〜２５（％）程
度でＣＮ比が約５１（ｄＢ）という最大値を得る。含有
量が２５（％）を越えるとＣＮ比は急激に低下し、含有
量が２８（％）より多くなるとＣＮ比は従来の光磁気記
録媒体のＣＮ比よりも小さい値となってしまう、この実
験データの結果から、Ａ、ｆｆ５ｉＯＮ膜に含ませる金
属Ａｌ単体の量は２８（％）以下とするのが良いことが
わかる。

東１四肚旦 この実施例では、主ターゲットとしてα−サイアロンを
用いてガラス基板上に保！ｌｌ１１１ｉ％形成しで、こ
の保ｆｆ１ｉｌｉの吸光度の変化を測定した。

第８図（Ａ）〜（Ｄ）（よ、金属Ａｌ単体の含有量が５
（％）、１０（％）、１５（％）および２５（％）の保
！Ｉ［＠にそれぞれ対応する吸光度曲線である。また、
第８図（Ｅ）は、比較例を示し、α−サイアロンのみを
ＡｒとＮ２のｊ捏合ガスでスパッタして形成した、金属
Ａｌ単体を含有していない保１［膜の吸光度曲線である
。これらの測定に当り、各保護膜の膜厚は同一の値とし
た。

これらの図は、横軸に光の波！％（ｎｍ）をプロットし
および縦軸に吸光度（％）をプロットして示しである。

尚、吸光度（％）が高いほどこの保護膜は光の透過性（
透明度）が大であることを意０未する。

これら第８図（Ａ）〜（Ｅ）の実験結果から理解できる
ように、従来の保ｍＭ　ＣＨ２図（Ｅ））では３００〜
９００　（ｎｍ）の広い波長範囲にわたって高い吸光度
を示している。これに対し、金属Ａｌ単体の含有率５（
％）〜］５（％）の各保護膜（第８図（Ａ）〜（Ｃ））
では、波長３００（ｎｒｎ）では吸光度３０（％）以下
であるが、波長６００（ｎｍ）ではほぼ９５〜１００（
％）となり、波長６００（ｎｍ）以上では８０〜９０（
％）程度である。また、含有量２５（％）の保護膜（第
８図（Ｄ））では、波長３００（ｎｍ）では吸光度○（
％）、波長６００　（ｎｍ）で４５〜５０（％）となり
、波長９００（ｎｍ）では約７５（％）Ｔ：ある、この
ように、この発明（こ係る保ｔ！膜の場合には、波長に
よって吸光度の変化が目立つが、これは保護膜における
多重反射の影響によるものと思われる。しかしなから、
金ｆｉＡｊ２単体含有量が２５（％）以下（但し、○（
％）を除く）の保Ｉ［ｌ１ｉＩであれば、吸光度がＳ○
（％）以上となり透明度が高くなるので、実用上問題は
ない。

この発明は上述した実施例にのみ銀定されるものではな
く多くの変形または変更を加えることができる。例えば
、この発明の光磁気記録媒体では、保護膜を、Ａｊ２Ｓ
ｉＯＮと金属Ａｌ単体とを含む膜とすること以外の１！
々の構成上の要件は設計に応じて任意好適に定めること
ができる。また、この発明の光磁気記録媒体の製造方法
においては、α−またはＢ−サイアロンと金！ＩＩＡＪ
２単体をターゲットとして用い、かつスパッタガスとし
でＡｒガスを用いること以外の１！々の製造上の条件は
設計に応じて任意適当に定めることができる。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の光磁気
記録媒体およびその製造方法によれば、光磁気記録媒体
が具える保護膜を、Ａｌ５ｉＯＮ中に金属Ａ１単体を含
ませてなる膜として形成するので　イ♀ｉ！陽中τの「
の全層Ａｌｆｊ１体の含有量！Ｕ４！！することによっ
て保護膜の屈折率を高くして吸収係数を低くすることが
できる。従って、使用波長に対して透明度を高く禮持し
つつ、従来の光磁気記録媒体に比べてＣＮ比の高い、良
質の光磁気記録媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第４図および第５図は、この発明の光磁気記録
媒体およびその製造方法の説明に供する、保ｌＫ膜の、
金属Ａｌ単体含有量と屈折率および吸収係数との関係を
それぞれ示す特性曲線図、第２図および第３図は、この
発明および従来の光磁気記録媒体の積層構造の説明にそ
れぞれ供する断面図、 第６図は、この発明の光磁気記録媒体およびその製造方
法の説明（こ供する図であって、保護膜の屈折率および
膜厚と、カー回転角との関係をコンピュータによりシミ
ュレーションして得た特性曲線図、 第７図は、この発明の光磁気記録媒体およびその製造方
法の説明に供する、保護膜中の金属Ａｌ２単体の含有量
と、光磁気記録媒体のＯＮ比との関係を示す特性曲線図
、 第８図（Ａ）〜（Ｄ）（よ、この発明の光磁気記録媒体
の吸光！Ｘを示す特性曲線図、 第８図（Ｅ）は、従来の光磁気記録媒体の吸光ｆ′！！
Ｌを示す特性曲線図である。 １０・・・基板 １２．１６．２０，２２．２６・・・保護膜１４．２４
・・・磁′ｉ！膜、　　１８・・・反ＩＰｆｌ！。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明な基板上に設けられた保護膜と磁性膜とを具
   え、さらに場合によっては反射膜を具えることもある光
   磁気記録媒体において、 保護膜を、ＡｌＳｉＯＮと金属Ａｌ単体とを含む膜とし
   て形成してなる ことを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）請求項１記載の光磁気記録媒体において、前記保
   護膜における金属Ａｌ単体の含有量を、前記保護膜の光
   吸収係数が０．１以下となる値としたことを特徴とする
   光磁気記録媒体。
3. （３）請求項１記載の光磁気記録媒体において、前記保
   護膜における金属Ａｌ単体の含有量を、前記保護膜の屈
   折率が使用する光の波長で２．０以上の値とすることを
   特徴とする光磁気記録媒体。
4. （４）透明な基板上に、保護膜と、磁性膜と、さらに場
   合によっては反射膜とを、それぞれ成膜して光磁気記録
   媒体を製造するに当り、 保護膜は、α−またはβ−サイアロンと金属Ａｌ単体の
   ターゲットに対し実質的にＡｒガスのみを使用したスパ
   ッタリングを行なって、形成する ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
5. （５）請求項４記載の光磁気記録媒体の製造方法におい
   て、前記α−またはβ−サイアロンで主ターゲットを形
   成し、前記金属Ａｌ単体のチップで補助ターゲットを形
   成し、前記主ターゲットのスパッタされる面上に前記補
   助ターゲットを配設し、これら主ターゲットおよび補助
   ターゲットを複合ターゲットとして前記スパッタリング
   を行なうことを特徴とする光磁気記録媒体。
6. （６）請求項４記載の光磁気記録媒体の製造方法におい
   て、前記ターゲットを、前記α−またはβ−サイアロン
   と前記金属Ａｌ単体とで形成した混合ターゲットとし、
   該混合ターゲットに対し前記スパッタリングを行なうこ
   とを特徴とする光磁気記録媒体。
7. （７）請求項４記載の光磁気記録媒体の製造方法におい
   て、前記α−またはβ−サイアロンで主ターゲットを形
   成し、前記金属Ａｌ単体で補助ターゲットを形成し、前
   記主ターゲットと補助ターゲットを離間配置してこれら
   主ターゲットおよび補助ターゲットに対し同時に前記ス
   パッタリングを行なうことを特徴とする光磁気記録媒体
   。