JPH03145131A - 集積回路フィールドアイソレーションプロセス - Google Patents
集積回路フィールドアイソレーションプロセスInfo
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- JPH03145131A JPH03145131A JP2276567A JP27656790A JPH03145131A JP H03145131 A JPH03145131 A JP H03145131A JP 2276567 A JP2276567 A JP 2276567A JP 27656790 A JP27656790 A JP 27656790A JP H03145131 A JPH03145131 A JP H03145131A
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- Japan
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- oxide
- forming
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/61—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
- H10W10/01—Manufacture or treatment
- H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
- H10W10/012—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
- H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
- H10W10/13—Isolation regions comprising dielectric materials formed using local oxidation of silicon [LOCOS], e.g. sealed interface localised oxidation [SILO] or side-wall mask isolation [SWAMI]
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮査公１
本発明は半導体デバイスとそれらの製作方法、より１４
体的には半導体チップ上にデバイス間分離ｔＭＷを製作
する方法に係る。
体的には半導体チップ上にデバイス間分離ｔＭＷを製作
する方法に係る。
虻免肛立且ぶ
トランジスタ集栢回路の製作中、個々のトランジスタを
相狂に分離するための手段を設けることが通常行われ、
かつ必要である。デバイス分離のよく知られた一つの方
法は、 ＬＯＧＯ３（“シリコンの局部酸化”）プロセ
スである。本質的には、ＬＯＧＯＳプロセスは露出した
シリコン表面、ｌ：に、二酸化シリコンパッド層を形成
することを含む。次に、パッド層はシリコン窒化物で被
覆される。
相狂に分離するための手段を設けることが通常行われ、
かつ必要である。デバイス分離のよく知られた一つの方
法は、 ＬＯＧＯ３（“シリコンの局部酸化”）プロセ
スである。本質的には、ＬＯＧＯＳプロセスは露出した
シリコン表面、ｌ：に、二酸化シリコンパッド層を形成
することを含む。次に、パッド層はシリコン窒化物で被
覆される。
パッド層及びシリコン窒化物層の両方が、裸のシリコン
の部分を露出するよう、パターン形成される。露出され
たシリコンはその後酸化され、しばしば″フィールド酸
化物”とよばれる分離構造か生成される。
の部分を露出するよう、パターン形成される。露出され
たシリコンはその後酸化され、しばしば″フィールド酸
化物”とよばれる分離構造か生成される。
しかし、ｔ ｏ ｃ ｏ ｓプロセスを行うには、各柿
の実際的な問題がある。フィールド酸化物を生長させる
のに用いられる熱酸化プロセスは、シリコン窒化物層の
端部をもちあげる原因となる。シリコン窒化物層の端部
の下に延びるフィールド酸化物の傾斜した部分は、しば
しば“バーズビーク”とよばれる。バーズビークが存在
することにより、実効的にフィールド酸化物の大きさが
増し、それによって最終的に後のデバイス形成に使える
シリコンの実際のわは減少する。従って、バーズビーク
の形成のため、フィールド酸化物の最終的な大きさは、
シリコン窒化物層上に課された最初のりソグラフィパタ
ーンより、一般に大きくなる。
の実際的な問題がある。フィールド酸化物を生長させる
のに用いられる熱酸化プロセスは、シリコン窒化物層の
端部をもちあげる原因となる。シリコン窒化物層の端部
の下に延びるフィールド酸化物の傾斜した部分は、しば
しば“バーズビーク”とよばれる。バーズビークが存在
することにより、実効的にフィールド酸化物の大きさが
増し、それによって最終的に後のデバイス形成に使える
シリコンの実際のわは減少する。従って、バーズビーク
の形成のため、フィールド酸化物の最終的な大きさは、
シリコン窒化物層上に課された最初のりソグラフィパタ
ーンより、一般に大きくなる。
当業者はバーズビークの成長を抑えることを期待して、
より厚いシリコン窒化物層を堆積させることにより、バ
ーズビークの大きさを減そうと試みてきた。しかし、厚
い窄化物層はバーズビークの外方向への成長は抑える傾
向をもつが、バーズビーク付近のシリコン基板中に欠陥
及び転位を発生させる傾向にある。
より厚いシリコン窒化物層を堆積させることにより、バ
ーズビークの大きさを減そうと試みてきた。しかし、厚
い窄化物層はバーズビークの外方向への成長は抑える傾
向をもつが、バーズビーク付近のシリコン基板中に欠陥
及び転位を発生させる傾向にある。
転位の問題に対する１つの提案された解は、“ポリバッ
ファ１、ａｃｏｓ”プロセスと記述的によばれる。その
プロセスにおいて、ポリシリコンの層がバッド酸化物と
シリコン窒化物の上の層の間に形成される。シリコン窒
化物の上の層は、比較的部くてよい。ポリシリコン層は
比較的固いシリコン窒化物の上の贋より幾分やわらかで
、ＰＡｍＡｍ化工光中発生応力を吸収する働きをする。
ファ１、ａｃｏｓ”プロセスと記述的によばれる。その
プロセスにおいて、ポリシリコンの層がバッド酸化物と
シリコン窒化物の上の層の間に形成される。シリコン窒
化物の上の層は、比較的部くてよい。ポリシリコン層は
比較的固いシリコン窒化物の上の贋より幾分やわらかで
、ＰＡｍＡｍ化工光中発生応力を吸収する働きをする。
従って、熱酸化工程中の転位形成の可能性が減少する。
しかし、ポリバッファＬＯＧＯＳプロセスを実際に経験
すると、なお望ましくない駁のバーズビークの形成が示
される。恐らくその理由は２ポリシリコン層が二酸化シ
リコンの外方向への成長をわずかに抑えるだけで、許容
してしまうことである。従って、ポリシリコンバッファ
層を用いる欠点は、七の１ｖいシリコン窒化物層が抑え
るよう設計された形状（すなわちバーズビーク）の形成
を許してしまう傾向をもつことである。
すると、なお望ましくない駁のバーズビークの形成が示
される。恐らくその理由は２ポリシリコン層が二酸化シ
リコンの外方向への成長をわずかに抑えるだけで、許容
してしまうことである。従って、ポリシリコンバッファ
層を用いる欠点は、七の１ｖいシリコン窒化物層が抑え
るよう設計された形状（すなわちバーズビーク）の形成
を許してしまう傾向をもつことである。
バーズビークを減すもう１つの方式は、エム・ゲッツｔ
（Ｍ、 Ｇｈｅｚｚｎｌ ら“横方向に封じたＬＯＣ
Ｏ３分が”ジャーナル・エレクトロケミカル・ソサイア
テイ（Ｊ、ＥＩｅｃＬｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉ
ｅＬｙ）、＋４７５−１４７９ （１ｇ８７）に示され
ている。ゲッツｔ （Ｇｈｅｚｚｏｌらの論文は、フィ
ールド酸化物中に延びた突起を有するシリコン窒化物ス
ペーサを用いたフィールド酸化物形成の方法を示してい
る。不幸なことに、酸化物成長中発生する外方向の強い
応力は、スペーサ構造をゆがめる傾向をもち、下のシリ
コン基板中に欠陥又は転位を発生させやすい。
（Ｍ、 Ｇｈｅｚｚｎｌ ら“横方向に封じたＬＯＣ
Ｏ３分が”ジャーナル・エレクトロケミカル・ソサイア
テイ（Ｊ、ＥＩｅｃＬｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉ
ｅＬｙ）、＋４７５−１４７９ （１ｇ８７）に示され
ている。ゲッツｔ （Ｇｈｅｚｚｏｌらの論文は、フィ
ールド酸化物中に延びた突起を有するシリコン窒化物ス
ペーサを用いたフィールド酸化物形成の方法を示してい
る。不幸なことに、酸化物成長中発生する外方向の強い
応力は、スペーサ構造をゆがめる傾向をもち、下のシリ
コン基板中に欠陥又は転位を発生させやすい。
非常に大規模な集積回路の開発に係っている人は、下の
基板に有害な効果を及ぼすことなく、バーズビークの形
成を減すか除くフィールド酸化物形成の方法を、たえず
探してきた。
基板に有害な効果を及ぼすことなく、バーズビークの形
成を減すか除くフィールド酸化物形成の方法を、たえず
探してきた。
製免映工ま光
本発明はバーズビークの形成をεしく減し、下の基板に
はほとんど損傷を与える危険性のないフィールド酸化物
形成の方法を実現する。本発明の一実施例においては、
最初のウェハプロセス中、パッド酸化物層とシリコン窒
化物の間に、ポリシリコン層がはさまれる。ポリシリコ
ン層の下のパッド酸化物のわずかな部分を除去するため
、湿式除去か行われる。（シリコン裁板中のその後の欠
陥の形成に対して更に確実にするため、応力を解放させ
る目的で、必要ならばこの時点で、パッド酸化物の部分
的な再成長を行ってもよい、）次に、シリコン窒化物層
を堆積させ、スペーサを形成するため非等方的にエッチ
バックする。スペーサは先の湿式除去工程でパッド酸化
物が除去された領域中に延びる突起脚部を有する。次に
。
はほとんど損傷を与える危険性のないフィールド酸化物
形成の方法を実現する。本発明の一実施例においては、
最初のウェハプロセス中、パッド酸化物層とシリコン窒
化物の間に、ポリシリコン層がはさまれる。ポリシリコ
ン層の下のパッド酸化物のわずかな部分を除去するため
、湿式除去か行われる。（シリコン裁板中のその後の欠
陥の形成に対して更に確実にするため、応力を解放させ
る目的で、必要ならばこの時点で、パッド酸化物の部分
的な再成長を行ってもよい、）次に、シリコン窒化物層
を堆積させ、スペーサを形成するため非等方的にエッチ
バックする。スペーサは先の湿式除去工程でパッド酸化
物が除去された領域中に延びる突起脚部を有する。次に
。
フィールド酸化物が形成される。形成プロセスはわずか
にもちあげるが、シリコン窒化物構造はほとんど東まな
い、しかし、バーズビークの形成は鮫小である（かつそ
の後のエツチングにより、史に減少できる）。別の実施
例では、ポリシリコン層は除去してもよい。
にもちあげるが、シリコン窒化物構造はほとんど東まな
い、しかし、バーズビークの形成は鮫小である（かつそ
の後のエツチングにより、史に減少できる）。別の実施
例では、ポリシリコン層は除去してもよい。
毘凰なＬＡ
第１図において、参照数字ＩＩはｖｔｌ型的な場合、木
質的にシリコン又はエピタキシャルシリコンから成る基
板をさす。パッド酸化物１３は通常のプロセスにより、
基板Ｉ１１に形成してよい。パッド酸化物１３の典型的
な厚さは、１００入ないし３００人である。
質的にシリコン又はエピタキシャルシリコンから成る基
板をさす。パッド酸化物１３は通常のプロセスにより、
基板Ｉ１１に形成してよい。パッド酸化物１３の典型的
な厚さは、１００入ないし３００人である。
ポリシリコン層１５は通常のプロセスにより、パッド酸
化物１３上に形成してよい。ポリシリコン層１５の典型
的な厚さは、４００＾ないし６００人である。
化物１３上に形成してよい。ポリシリコン層１５の典型
的な厚さは、４００＾ないし６００人である。
シリコン窒化物層Ｉ７が通常のプロセスにより、ポリシ
リコン層１５ヒに形成されている。
リコン層１５ヒに形成されている。
シリコン窒化物層１７の典型的な厚さは、１５００人な
いし２８００人である。ポリシリコン層１５を除くこと
は可能である。しかし、もし層１５を除くなら、層１７
の厚さは応力の問題を避けるため、約８００人ないし１
３００Åの範囲に減すべきである。
いし２８００人である。ポリシリコン層１５を除くこと
は可能である。しかし、もし層１５を除くなら、層１７
の厚さは応力の問題を避けるため、約８００人ないし１
３００Åの範囲に減すべきである。
第２図は開口１９を生成させるため層１３．１＆及び１
７をパターン形成した後の第１図の構造を示す。
７をパターン形成した後の第１図の構造を示す。
（パターン形成は当業者には承知のように行えばよい。
通常フォトレジストを堆積させ、フォトレジスト中に開
口を生成するため、一部分が選択的に除去される０次に
、開口を通して層！７． ＋５及び１３のエツチングを
行う６〉開口９中にフィールド酸化物を形成することが
望ましい。
口を生成するため、一部分が選択的に除去される０次に
、開口を通して層！７． ＋５及び１３のエツチングを
行う６〉開口９中にフィールド酸化物を形成することが
望ましい。
次に、第２図に示された構造上に、湿式除去プロセスを
施す。第３図に示されるように、湿式除去プロセスは選
択的にパッド酸化物１３を浸食し、Ｎ”７１５下に間隙
２１を生成する。湿式除去を行うための典型的な溶液は
、１５： ｌ ＨＦ溶液で、約１−２分間行う。間隙２
１は約２００−４００Å内側へ延びるのが望ましい７ 第４図を参照すると、第３図の構造の全体Ｆ。
施す。第３図に示されるように、湿式除去プロセスは選
択的にパッド酸化物１３を浸食し、Ｎ”７１５下に間隙
２１を生成する。湿式除去を行うための典型的な溶液は
、１５： ｌ ＨＦ溶液で、約１−２分間行う。間隙２
１は約２００−４００Å内側へ延びるのが望ましい７ 第４図を参照すると、第３図の構造の全体Ｆ。
に、シリコン窒化物層２３が（すｑ型的な場合、当業者
には周知の各種化学気相堆積技術の菖つにより）堆積さ
れている。層２３は間隙２１中に突き出していることに
気づくであろう。第５因において、屑２３は非等方的に
エッチされ、脚状突起２７を有するスペーサ２５が生成
されている。適切な１ｌｌｌ型的な非等方性エッチプロ
セスは、トリフロロメタンと酸素をそれぞれ４５：８の
比で用いることを含む。
には周知の各種化学気相堆積技術の菖つにより）堆積さ
れている。層２３は間隙２１中に突き出していることに
気づくであろう。第５因において、屑２３は非等方的に
エッチされ、脚状突起２７を有するスペーサ２５が生成
されている。適切な１ｌｌｌ型的な非等方性エッチプロ
セスは、トリフロロメタンと酸素をそれぞれ４５：８の
比で用いることを含む。
突起２７はフィールド酸化物を形成すべき開口Ｉ９から
外に延びていることに気づくであろう。
外に延びていることに気づくであろう。
次に２第５図の構造を熱酸化し、第６図の透視図に示さ
れた構造を生成させる。典型的な場合、フィールド酸化
物２９は２２０−２５ａＬ、約９２０℃における１５分
間の高圧酸化により形成してよい。しかし、約９５０℃
−１００ｎ”ｃにおける約１時間の水蒸気酸化など他の
プロセスを用いてもよい。
れた構造を生成させる。典型的な場合、フィールド酸化
物２９は２２０−２５ａＬ、約９２０℃における１５分
間の高圧酸化により形成してよい。しかし、約９５０℃
−１００ｎ”ｃにおける約１時間の水蒸気酸化など他の
プロセスを用いてもよい。
フィールド酸化物２９の形成により、脚状突起２７とと
もに、スペーサ２５がある程度もちあがっているが、望
ましくないバーズビークの形成は著しく減少している。
もに、スペーサ２５がある程度もちあがっているが、望
ましくないバーズビークの形成は著しく減少している。
脚状突起は層１３及び１５中への酸素の移動を防止し、
一方フイールド酸化物の形成中、積み重ねた層１３．１
５及び１７が過度にもち−Ｌることを同時に助けている
と信じられる。フィールド酸化物２９のバーズビーク領
域３１はたとえば通常のｔｏｃｏｓプロセスにより生じ
るバーズビークより、本質的に小さい。
一方フイールド酸化物の形成中、積み重ねた層１３．１
５及び１７が過度にもち−Ｌることを同時に助けている
と信じられる。フィールド酸化物２９のバーズビーク領
域３１はたとえば通常のｔｏｃｏｓプロセスにより生じ
るバーズビークより、本質的に小さい。
フィールド酸化物２９が形成された後、当業者には周知
の技術により、層１３．１５及び１７は除去してよい。
の技術により、層１３．１５及び１７は除去してよい。
残ったフィールド酸化物構造が、第１１図に描かれてい
る。バーズビーク３１の大きさを更に小さくするため、
稀釈１１Ｆ又は稀釈緩衝１１Ｆを用いて、等方性エツチ
ングを行う。第１Ｉ図は等方性エツチングを行った後の
フィールド酸化物２９を示す。等方性エツチングを行う
曲のフィールド酸化物の大きさは恕像図で示されており
、参照数字２９′が印さ、れている、フィールド酸化物
２９の形は基板１１の外部表面４５に対して、比較的対
称であること、すなわちフィールド酸化物の上部４１の
大きさ及び形は、下部４３の大きさ及び形と同様である
ことに気づくであろう９それに対し、従来のポリ緩衝１
、Ｄ ＣＯＳプロセスで形成されたフィールド酸化物は
、ノ１髪板の外部表面ヒ（そこでは有用な目的を果さな
い）の酸化物の蛍がふつりあいになる傾向をもつ。
る。バーズビーク３１の大きさを更に小さくするため、
稀釈１１Ｆ又は稀釈緩衝１１Ｆを用いて、等方性エツチ
ングを行う。第１Ｉ図は等方性エツチングを行った後の
フィールド酸化物２９を示す。等方性エツチングを行う
曲のフィールド酸化物の大きさは恕像図で示されており
、参照数字２９′が印さ、れている、フィールド酸化物
２９の形は基板１１の外部表面４５に対して、比較的対
称であること、すなわちフィールド酸化物の上部４１の
大きさ及び形は、下部４３の大きさ及び形と同様である
ことに気づくであろう９それに対し、従来のポリ緩衝１
、Ｄ ＣＯＳプロセスで形成されたフィールド酸化物は
、ノ１髪板の外部表面ヒ（そこでは有用な目的を果さな
い）の酸化物の蛍がふつりあいになる傾向をもつ。
本発明の技術は、各種の他の方法で実施できる。たとえ
ば、第７０−業１０図は本発明に従うフィールド酸化物
を形成する別のプロセスを示す。第７間に描かれた構造
は、第１１１４３閃に描かれた１程が完ｒした後に形成
される。次に、追加すべき薄い熱酸化［５１及び５３を
、再成長させる。（乾燥酸素巾約８５０−９００℃にお
いて、約４０分間行うのがｔＩＴましい。）層５１及び
５３の厚さは約１００入である。層５１及び５３は基板
１１中に欠陥が発生しないよう保護をつけ加える。層５
１は開０１９中の基板＋１−）−に形成され、一方層５
３はポリシリコン層１５の外に成長させることに注意さ
れたい。
ば、第７０−業１０図は本発明に従うフィールド酸化物
を形成する別のプロセスを示す。第７間に描かれた構造
は、第１１１４３閃に描かれた１程が完ｒした後に形成
される。次に、追加すべき薄い熱酸化［５１及び５３を
、再成長させる。（乾燥酸素巾約８５０−９００℃にお
いて、約４０分間行うのがｔＩＴましい。）層５１及び
５３の厚さは約１００入である。層５１及び５３は基板
１１中に欠陥が発生しないよう保護をつけ加える。層５
１は開０１９中の基板＋１−）−に形成され、一方層５
３はポリシリコン層１５の外に成長させることに注意さ
れたい。
次に、第４１１４６図に描かれたものと類似の一連のプ
ロセスを行う。プロセスは第δ回−￥１０図に詳細に示
されている。第８図を参照すると、シリコン窒化物層２
３が第７図に描かれた構造りに堆積されている。次に、
第９図に示されているように、スペーサ２５がノ「等方
性エツチングにより形成される。
ロセスを行う。プロセスは第δ回−￥１０図に詳細に示
されている。第８図を参照すると、シリコン窒化物層２
３が第７図に描かれた構造りに堆積されている。次に、
第９図に示されているように、スペーサ２５がノ「等方
性エツチングにより形成される。
第１０図において、フィールド酸化物２９が先に述べた
ような通常の技術によって形成される。最後に、層＋３
．１５．１７及び５３がスペーサ２５とともに除去され
、第１１図に描かれたものと同様の構造が残る。先に述
べたように、生じるバーズビークの大きさを更に小さく
するため、等方性エッチを行う。
ような通常の技術によって形成される。最後に、層＋３
．１５．１７及び５３がスペーサ２５とともに除去され
、第１１図に描かれたものと同様の構造が残る。先に述
べたように、生じるバーズビークの大きさを更に小さく
するため、等方性エッチを行う。
先に述べたように、ポリシリコン層１５は省いてもよい
。もちろん層１５を省くなら、プロセス工程は簡Ｑｊ化
される。しかし、先に述べたように、応力解放網がない
時は、欠陥の発生を避けるため、上のシリコン窒化物層
１７は幾分薄くすることが望ましい。周１７が薄いため
、バーズビークはあまり効果的には抑制されず、ポリシ
リコン層１５を省いた時は、わずかに大きなバーズビー
クが９！１する。
。もちろん層１５を省くなら、プロセス工程は簡Ｑｊ化
される。しかし、先に述べたように、応力解放網がない
時は、欠陥の発生を避けるため、上のシリコン窒化物層
１７は幾分薄くすることが望ましい。周１７が薄いため
、バーズビークはあまり効果的には抑制されず、ポリシ
リコン層１５を省いた時は、わずかに大きなバーズビー
クが９！１する。
本発明のプロセスにより他の分離技術に対する各＋ｒ＋
の利点が生じる。本発明のプロセスの１つの利点は、フ
ィールド酸化物基体の大きさが、直接的なりソグラフィ
により得られる最小の開口より小さいことである。スペ
ーサ２５は開［１１９の大きさを実効的に減し、従って
他の方法で可能なものより小さいフィールド酸化物の形
成が可能になる。
の利点が生じる。本発明のプロセスの１つの利点は、フ
ィールド酸化物基体の大きさが、直接的なりソグラフィ
により得られる最小の開口より小さいことである。スペ
ーサ２５は開［１１９の大きさを実効的に減し、従って
他の方法で可能なものより小さいフィールド酸化物の形
成が可能になる。
スペーサはまた酸素が層１３及び１５中に侵入するのを
防１１ニする助けとなる。
防１１ニする助けとなる。
本発明のプロセスでは、ゲッツオ（Ｇｈｅｚｚｏｌ ら
が示したような窒化物スペーサの傾きや萌りによる歪が
ないため、先に述べたゲッツオｆＧｈｅｚｚｏｌらより
発生ずる欠陥は少いことが期待される。
が示したような窒化物スペーサの傾きや萌りによる歪が
ないため、先に述べたゲッツオｆＧｈｅｚｚｏｌらより
発生ずる欠陥は少いことが期待される。
ゲッツォ（Ｇｈｅｚｚｏｌらのスペーサ間にポリシリコ
ン層を加えても５欠陥発生の問題は軽減されないであろ
う。それに対して、第６図に概略的に示されるように、
本発明では窒化物スペーサ２５の曲りや傾きはみられな
い。積み重ねられたＪｉｑ １３．１７ （及びもし
存在するなら１５）の全体がある程度徐々に傾き、従っ
て欠陥形成の可能性は小さくなる。本発明のスペーサの
内側に同った脚状の突起は、窒化物の一ヒの屑をわずか
にもちあげる可能性がある。しかし、それに対し、ゲッ
ツオ（Ｇｈｅｚｚｏ）らの構造の外向きの突起は、それ
らが傾くとともに。
ン層を加えても５欠陥発生の問題は軽減されないであろ
う。それに対して、第６図に概略的に示されるように、
本発明では窒化物スペーサ２５の曲りや傾きはみられな
い。積み重ねられたＪｉｑ １３．１７ （及びもし
存在するなら１５）の全体がある程度徐々に傾き、従っ
て欠陥形成の可能性は小さくなる。本発明のスペーサの
内側に同った脚状の突起は、窒化物の一ヒの屑をわずか
にもちあげる可能性がある。しかし、それに対し、ゲッ
ツオ（Ｇｈｅｚｚｏ）らの構造の外向きの突起は、それ
らが傾くとともに。
シリコンのＦ０部表面を引張る傾向があり、従って欠陥
形成の原因となる。
形成の原因となる。
第１目−１５図及び’ｔｙｔ＞＊＋ ａ図は本発明を実
施するためのプロセスを示す断面図： 第６田Ｎｔ’ｆ！、 Ｉ １図は本発明に従い製作され
る構造を示す透視図である。 ［主要部分の符号の説明ゴ 基板−−−１１ 第１ と第２の材料層−ｍ− １３，１７ スベーサーーー ５ 出 願 人：アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニ ＦＩＧ、１１
施するためのプロセスを示す断面図： 第６田Ｎｔ’ｆ！、 Ｉ １図は本発明に従い製作され
る構造を示す透視図である。 ［主要部分の符号の説明ゴ 基板−−−１１ 第１ と第２の材料層−ｍ− １３，１７ スベーサーーー ５ 出 願 人：アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニ ＦＩＧ、１１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板（たとえば１１）上に少くとも第１（たとえば
１３）及び第２（たとえば１７）の材料層を形成する工
程； 前記基板を露出する開口を形成するため、 前記第１（たとえば１３）及び第２（たとえば１７）の
層をパターン形成する工程を含む半導体の製作方法にお
いて、 前記第１の層（たとえば１３）の一部を選択的に除去し
、前記第２の層（たとえば１７）の一部と前記基板（た
とえば１１）の間に、間隙（たとえば２１）を生成させ
る工程： 前記開口内にスペーサ（たとえば２５）を形成し、前記
スペーサ（たとえば２５）は前記間隙（たとえば２１）
内に突起（たとえば２７）を有する工程： 前記基板材料の酸化物（たとえば２３）を形成し、前記
酸化物は前記スペーサにより本質的に囲まれる工程 が付け加えられることを特徴とする方法 ２、前記基板（たとえば１１）は本質的にシリコンから
成り、 前記第１の層（たとえば１３）は本質的に二酸化シリコ
ンから成り、 前記第２の層（たとえば１７）は本質的にシリコン窒化
物から成る請求項１記載の方法 ３、前記第１（たとえば１３）及び第２の層（たとえば
１７）及び前記スペーサ（たとえば２５）を除去する工
程、及び前記酸化物（たとえば２９）をエッチングする
工程が更に含まれる請求項１記載の方法 ４、前記第１（たとえば１３）及び第２（たとえば１７
）の層間に第３の層（たとえば１５）を形成する工程が
更に含まれ、前記第３の層（たとえば１５）は応力解放
の働きをする請求項１記載の方法 ５、前記第３の層（たとえば１５）はポリシリコンであ
る請求項４記載の方法 ６、前記スペーサ（たとえば２５）形成工程前に、前記
基板の前記露出された部分（たとえば１９）上に酸化物
（たとえば５１）を形成する工程がつけ加えられる請求
項１記載の方法 ７、前記酸化物（たとえば２９）は高圧酸化により形成
される請求項１記載の方法
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US42284489A | 1989-10-17 | 1989-10-17 | |
| US422,844 | 1989-10-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145131A true JPH03145131A (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=23676656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2276567A Pending JPH03145131A (ja) | 1989-10-17 | 1990-10-17 | 集積回路フィールドアイソレーションプロセス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0424018A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03145131A (ja) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR100419877B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-06-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 소자 분리 방법 |
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1990
- 1990-10-10 EP EP19900311086 patent/EP0424018A3/en not_active Withdrawn
- 1990-10-17 JP JP2276567A patent/JPH03145131A/ja active Pending
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| KR100419877B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-06-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 소자 분리 방법 |
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Also Published As
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|---|---|
| EP0424018A2 (en) | 1991-04-24 |
| EP0424018A3 (en) | 1991-07-31 |
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