JPH03147315A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH03147315A JPH03147315A JP1286823A JP28682389A JPH03147315A JP H03147315 A JPH03147315 A JP H03147315A JP 1286823 A JP1286823 A JP 1286823A JP 28682389 A JP28682389 A JP 28682389A JP H03147315 A JPH03147315 A JP H03147315A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photosensitive resin
- resin film
- opening part
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（友 半導体装置の製造工程において、微細な開
孔部を形成するパターン形成方法に関するものであａ 従来の技術 従来のパターン形成方法は第２図に示すように半導体基
板ｌｌ上の被食刻膜１２上に感光性樹脂膜１３を形成す
る工程（第２図（Ａ））と、所定のマスク１４を用いて
選択的に感光光Ｙを照射した後く第２図（Ｂ））、現像
処理を行ない感光領域の前記感光樹脂１３を除去した後
、前記感光性樹脂膜１３をマスクとして、前記被食刻膜
１２を食刻して開孔部１５を形成してい九 発明が解決しようとする課題 従来のパターン形成方法ではマスクの透過光で感光性樹
脂膜を感光させていたた敢 解像するパターン巾に限界
があり微細なパターンの形成が困難であっ九 本発明は
上述の課題に鑑みてなされたもので、フォトマスクなど
の限界解像度に左右されない微細なパターン形成方法を
提供することを目的とすム 課題を解決するための手段 本発明は上記課題を解決するた八 半導体装置上の被食
刻膜上の絶縁膜に測壁が垂直以下の傾斜角を有する開孔
部を形成する工程と、全面に高い反射率を有する膜を形
成Ｌ さらく 感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感
光性樹脂膜全面へ前記開孔部上の感光性樹脂膜が現像液
に溶解する程度感光し かつ他の領域の感光性樹脂膜が
現像液に末溶解な程度感光する程の露光量照射する工程
と、現像処理により、前記開孔部上の感光性樹脂膜を溶
解し前記感光性樹脂膜に開孔部を形成し前記高反射率膜
および絶縁膜に開孔部を形成する工程とを有するもので
ある。
孔部を形成するパターン形成方法に関するものであａ 従来の技術 従来のパターン形成方法は第２図に示すように半導体基
板ｌｌ上の被食刻膜１２上に感光性樹脂膜１３を形成す
る工程（第２図（Ａ））と、所定のマスク１４を用いて
選択的に感光光Ｙを照射した後く第２図（Ｂ））、現像
処理を行ない感光領域の前記感光樹脂１３を除去した後
、前記感光性樹脂膜１３をマスクとして、前記被食刻膜
１２を食刻して開孔部１５を形成してい九 発明が解決しようとする課題 従来のパターン形成方法ではマスクの透過光で感光性樹
脂膜を感光させていたた敢 解像するパターン巾に限界
があり微細なパターンの形成が困難であっ九 本発明は
上述の課題に鑑みてなされたもので、フォトマスクなど
の限界解像度に左右されない微細なパターン形成方法を
提供することを目的とすム 課題を解決するための手段 本発明は上記課題を解決するた八 半導体装置上の被食
刻膜上の絶縁膜に測壁が垂直以下の傾斜角を有する開孔
部を形成する工程と、全面に高い反射率を有する膜を形
成Ｌ さらく 感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感
光性樹脂膜全面へ前記開孔部上の感光性樹脂膜が現像液
に溶解する程度感光し かつ他の領域の感光性樹脂膜が
現像液に末溶解な程度感光する程の露光量照射する工程
と、現像処理により、前記開孔部上の感光性樹脂膜を溶
解し前記感光性樹脂膜に開孔部を形成し前記高反射率膜
および絶縁膜に開孔部を形成する工程とを有するもので
ある。
作用
本発明の方法によれは 全面に感光光を照射し下地開孔
部測壁からの反射光を利用し 下地開孔部上の感光性樹
脂膜のへ 現像処理により可溶性にし 他の領域は感光
される力交 現像処理により非可溶性にすることにより
前記開孔部上の感光性樹脂膜にのみ開孔部を形成するこ
とができも実施例 本発明の一実施例を第１図に基づいて説明すも半導体基
板１上に形成した被食刻膜２および絶縁膜３上に第１の
感光性樹脂膜４を形成する（第１図（Ａ））。次に所定
のマスクを用いて選択的に前記感光性樹脂膜４に感光光
を照射させたの板 現像処理を行なし入 前記感光性樹
脂膜４に所定の第１の開孔部５を形成する（第１図（Ｂ
））。次に前記感光性樹脂膜４を食刻マスクとして、前
記絶縁膜３く 測壁な 前記半導体基板表面に対して垂
直より小さい角度θを持つ開孔部６を形成する（第１図
（Ｃ））。次に全面に高い反射率を有する膜として、例
えばアルミニウム膜７などの金属膜を形成した檄 第２
の感光性樹脂膜８を形成すも 次に全面に前記第２の感
光性樹脂膜８の感光光Ｘを照射すム 照射量は前記開孔
部６上の感光性樹脂膜９のみが後の現像処理で溶解除去
し 他の領域の感光性樹脂膜１０力丈 溶解しない量と
する（第１図（Ｄ））。
部測壁からの反射光を利用し 下地開孔部上の感光性樹
脂膜のへ 現像処理により可溶性にし 他の領域は感光
される力交 現像処理により非可溶性にすることにより
前記開孔部上の感光性樹脂膜にのみ開孔部を形成するこ
とができも実施例 本発明の一実施例を第１図に基づいて説明すも半導体基
板１上に形成した被食刻膜２および絶縁膜３上に第１の
感光性樹脂膜４を形成する（第１図（Ａ））。次に所定
のマスクを用いて選択的に前記感光性樹脂膜４に感光光
を照射させたの板 現像処理を行なし入 前記感光性樹
脂膜４に所定の第１の開孔部５を形成する（第１図（Ｂ
））。次に前記感光性樹脂膜４を食刻マスクとして、前
記絶縁膜３く 測壁な 前記半導体基板表面に対して垂
直より小さい角度θを持つ開孔部６を形成する（第１図
（Ｃ））。次に全面に高い反射率を有する膜として、例
えばアルミニウム膜７などの金属膜を形成した檄 第２
の感光性樹脂膜８を形成すも 次に全面に前記第２の感
光性樹脂膜８の感光光Ｘを照射すム 照射量は前記開孔
部６上の感光性樹脂膜９のみが後の現像処理で溶解除去
し 他の領域の感光性樹脂膜１０力丈 溶解しない量と
する（第１図（Ｄ））。
次に現像処理を行なｌ、Ｘ、前記開孔部６より微細な開
孔部２０を前記第２の感光性樹脂膜８に形成したの板
露出した 前記金属膜７および被食刻膜２に前記第１の
開孔部より小さい開孔部２１を形成する（第１図（Ｅ）
）。
孔部２０を前記第２の感光性樹脂膜８に形成したの板
露出した 前記金属膜７および被食刻膜２に前記第１の
開孔部より小さい開孔部２１を形成する（第１図（Ｅ）
）。
発明の効果
本発明の方法によれば 下地の開孔部測壁からの反射光
を利用し 下地の開孔部上の感光性樹脂膜のみ現像処理
で除去されるように感光させるた敢 従来例のように感
光マスクあるいは感光光に依存する解像限界がなく、微
細なパターンを形成できも
を利用し 下地の開孔部上の感光性樹脂膜のみ現像処理
で除去されるように感光させるた敢 従来例のように感
光マスクあるいは感光光に依存する解像限界がなく、微
細なパターンを形成できも
第１図は本発明の一実施例を説明するための工程断面図
第２図は従来例を説明するための工程断面図であム ト・・・半導体基板、 ２・・・・被食刻ＩＬ ３・・
・・絶縁物［５，６，２０，２１・・・・開孔部 ７・
・・・高反射率風
第２図は従来例を説明するための工程断面図であム ト・・・半導体基板、 ２・・・・被食刻ＩＬ ３・・
・・絶縁物［５，６，２０，２１・・・・開孔部 ７・
・・・高反射率風
Claims (1)
- 半導体基板上の被食刻膜上の絶縁物膜に測壁が垂直よ
り小さい角度を有する所定の開孔部を形成する工程と、
全面に高い反射率を有する膜を形成し、さらに全面に感
光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜に、前
記開孔部の感光性樹脂膜が現像液に溶解する程度感光し
、かつ他の領域の感光性樹脂膜が現像液に末溶解な程度
感光する程の露光量照射する工程と、現像処理により前
記開孔部上の感光性樹脂膜を溶解し、前記感光性樹脂膜
に開孔部を形成し前記高反射率膜および被食刻膜に開孔
部を形成する工程とを備えたパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286823A JPH03147315A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286823A JPH03147315A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03147315A true JPH03147315A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17709500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1286823A Pending JPH03147315A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03147315A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980003872A (ko) * | 1996-06-24 | 1998-03-30 | 김주용 | 3층 감광막 패선 형성방법 |
| US9513551B2 (en) | 2009-01-29 | 2016-12-06 | Digiflex Ltd. | Process for producing a photomask on a photopolymeric surface |
-
1989
- 1989-11-01 JP JP1286823A patent/JPH03147315A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980003872A (ko) * | 1996-06-24 | 1998-03-30 | 김주용 | 3층 감광막 패선 형성방법 |
| US9513551B2 (en) | 2009-01-29 | 2016-12-06 | Digiflex Ltd. | Process for producing a photomask on a photopolymeric surface |
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