JPH03149183A - 半導体基板の切削方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板の切削方法に関し、特に高速回転砥
石による半導体基板の切削方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体基板（以下基板と称す）に用いら
れる切削方法においては、一般に、高速回転砥石による
切削方法が実施されている。

高速回転砥石を使用する切削方法では、第３図（ａ）、
（ｂ）に示すように、チャックテーブル仕に固着された
基板２に対し、切削中に出る切削屑を除去するために、
回転砥石４の力バー部３により回転砥石４の進行方向噴
射口５及び垂直方向噴射口６を設けて水が噴射され、又
、基板２に対し、水が噴射される基板方向噴射ロアが設
けられていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の切削方法においては、切削屑の除去とし
て噴射される水が回転砥石部及び基板上へは噴射される
が、切削後の切り溝に対し何ら処置がとられておらず、
切り溝部の切削屑の除去が不十分となっているので、切
り溝に残った切削屑が後のチップピックアップ時に舞い
上がりチップ表面へ付着し、汚れ及び傷等の発生を誘発
するという欠点がある。

本発明の目的は、切り溝に残った切削屑がチップ表面へ
付着し、汚れ及び傷等の発生のない信頼度の高い半導体
基板の切削方法を提供すること°にある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、高速回転砥石による半導体基板の切削方法に
おいて、前記高速回転砥石の冷却、切削水とは別に、切
り溝に対し高圧水を噴きつけ前記切り溝の洗浄が施され
る。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の切削方
法を説明する側面図及び正面図である。

第１図（ａ）、（ｂ）に示す如く、チャックテーブル仕
に固着された基板２が、回転砥石４にて切削される際、
従来の力バー部３からの回転砥石４の進行方向噴射口５
及び垂直方向噴射口６更に、基板方向噴射ロアから噴射
される切削屑除去用の切削水に加え、切削後の切り溝に
対し、切り溝洗浄噴射口８から高圧水を噴射する。

切り溝洗浄噴射口８から噴射する水の流量、圧力につい
ては、回転砥石４の大きさ、又その回転数切削速度から
考慮して決定される。

また、高圧水の噴射角度については、回転砥石４の進行
方向とは逆方向に向け、従来の切削中の切削水の流れに
さかられない方向へ角度を付けて噴射する方が望ましい
。

第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の切削方
法を説明する側面図及び正面図である。

第２の実施例は、上述した第１の実施例に対して、回転
砥石４の進行方向側へも同様に、切り溝洗浄噴射口８ａ
を設けた水を噴射させる。この機構以外は、第１の実施
例と同様である。

この実施例では、回転砥石４の前後に噴射口８．８ａが
設けられている為、第１の実施例での片道切断のみに限
定される切削方式が、量産向きの往復切断を可能とし、
また、切削前に切削ラインが洗浄される為、基板２自身
に付着し切削に悪影響を与えていたごみ等の除去が出来
、安定した切削が可能であるという利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、基板の切削された切り溝
を洗浄することにより、従来、その切り溝に残った切削
屑が後のチップヒップアップ時に舞い上がりチップ表面
へ付着し、汚れ及び傷等の発生を誘発するという問題を
防ぐことが出来、高品質、高信頼度の製品の生産を可能
とする半導体基板の切削方法を提供出来る効果がある。

図面の簡単な説明 第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の切削方
法を説明する側面図及び正面図、第２図（ａ）、（ｂ）
は本発明の第２の実施例の切削方法を説明する側面図及
び正面図、第３図（ａ）。

（ｂ）は従来の半導体基板の切削方法の一例を説明する
側面図及び正面図である。

１・・・チャックテーブル、２−・・基板、３・・−カ
バー部、４・・・回転砥石、５・・・進行方向噴射口、
６・・−垂直方向噴射口、７・・・基板方向噴射口、８
，８ａ・・一切り溝洗浄噴射口。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　高速回転砥石による半導体基板の切削方法において、
   前記高速回転砥石の冷却、切削水とは別に、切り溝に対
   し高圧水を噴きつけ前記切り溝の洗浄を施すことを特徴
   とする半導体基板の切削方法。