JPH03150706A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
- Publication number
- JPH03150706A JPH03150706A JP28876889A JP28876889A JPH03150706A JP H03150706 A JPH03150706 A JP H03150706A JP 28876889 A JP28876889 A JP 28876889A JP 28876889 A JP28876889 A JP 28876889A JP H03150706 A JPH03150706 A JP H03150706A
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- Japan
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- write
- write current
- resistor
- magnetic disk
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 13
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Digital Magnetic Recording (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスクに情報を記録・再生する磁気デ
ィスク装置に関するものである。
ィスク装置に関するものである。
（従来の技術〕
従来、磁気ディスク装置においては、第４図に示すよう
に、０面ヘッド２７と１面ヘット２６間のクロストーク
を防ぐために、０面ヘッドギャップ２９と１面ヘッドギ
ャップ２８は、メディア２５をはさんでずれて配置して
おり、１而ヘッドギャップ２８の方が０面ヘッドギャッ
プ２９よりもメディアの内周側に位置している。
に、０面ヘッド２７と１面ヘット２６間のクロストーク
を防ぐために、０面ヘッドギャップ２９と１面ヘッドギ
ャップ２８は、メディア２５をはさんでずれて配置して
おり、１而ヘッドギャップ２８の方が０面ヘッドギャッ
プ２９よりもメディアの内周側に位置している。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、前記従来例では、メディアの内周の方が
ピークシフトが悪くでるため、同一トラックの１面の方
が０面よりピークシフトが悪くでる。また、メディアの
外周の方がオーバライド特性が悪いため、同一トラック
の０面の方が１面よりオーバライド特性が悪い。また、
メディアの外周の方が波形が孤立化しやすく、ミスパル
スが発生しやすいため、同一トラックの０面の方が１面
より波形が孤立化しやすくミスパルスが発生しやすいと
いう問題があった。
ピークシフトが悪くでるため、同一トラックの１面の方
が０面よりピークシフトが悪くでる。また、メディアの
外周の方がオーバライド特性が悪いため、同一トラック
の０面の方が１面よりオーバライド特性が悪い。また、
メディアの外周の方が波形が孤立化しやすく、ミスパル
スが発生しやすいため、同一トラックの０面の方が１面
より波形が孤立化しやすくミスパルスが発生しやすいと
いう問題があった。
本発明は、ベツドギャップの位置のずれに起因する前述
の問題を解消するためなされたもので、１面のピークシ
フトを同一トラックの０而並みに減少させる、０面のオ
ーバライド特性を同一トラックの１而並みに向上させる
、０面の波形孤立化を同一トラックの１而並みに抑える
ということのできる磁気ディスク装置を提供することを
目的とするものである。
の問題を解消するためなされたもので、１面のピークシ
フトを同一トラックの０而並みに減少させる、０面のオ
ーバライド特性を同一トラックの１而並みに向上させる
、０面の波形孤立化を同一トラックの１而並みに抑える
ということのできる磁気ディスク装置を提供することを
目的とするものである。
本発明は、前記目的を達成するため、磁気ディスク装置
をつぎの（１）、（２）のとおりに構成するものである
。
をつぎの（１）、（２）のとおりに構成するものである
。
（１）１面ヘッドギャップが０而ヘツドギヤツプよりメ
ディアをはさんで該メディアの内周側に位置している磁
気ディスク装置であって、サイドセレクト信号に応じて
ライト電流の債を切り換えるライト電流切換手段を備え
た磁気ディスク装置。
ディアをはさんで該メディアの内周側に位置している磁
気ディスク装置であって、サイドセレクト信号に応じて
ライト電流の債を切り換えるライト電流切換手段を備え
た磁気ディスク装置。
（２）１面ヘッドギャップが０面ヘッドギャップよりメ
ディアをはさんで該メディアの内周側に位置している磁
気ディスク装置であって、サイドセレクト信号に応じて
ポストコンペンセイションの特性を切り換えるポストコ
ンペンセイション特性切換手段を備えた磁気ディスク装
置。
ディアをはさんで該メディアの内周側に位置している磁
気ディスク装置であって、サイドセレクト信号に応じて
ポストコンペンセイションの特性を切り換えるポストコ
ンペンセイション特性切換手段を備えた磁気ディスク装
置。
前記（１）の構成により、０面のオーバライド特性は同
一トラックの１而並みに向上する。又、前記（１）、（
２）の構成により、０面の波形孤立化は同一トラックの
１而並みに抑えられ、１面のピークシフトは同一トラッ
クの０而並みに減少する。
一トラックの１而並みに向上する。又、前記（１）、（
２）の構成により、０面の波形孤立化は同一トラックの
１而並みに抑えられ、１面のピークシフトは同一トラッ
クの０而並みに減少する。
（実施例）
以下本発明を実施例により詳しく説明する。
第１図は本発明の第１実施例である“磁気ディスク装置
“の要部の構成図である。本実施例はサイドセレクト信
号に応じてライト電流の値を切り換えるものである。
“の要部の構成図である。本実施例はサイドセレクト信
号に応じてライト電流の値を切り換えるものである。
図において、１は０面ヘッド、２は１面ヘッドであり、
３は０面ヘッド１，１面ヘッド２にライト電流を流した
９０面ヘッド１．１面ヘッド２からの信号を再生するリ
ード・ライト回路である。
３は０面ヘッド１，１面ヘッド２にライト電流を流した
９０面ヘッド１．１面ヘッド２からの信号を再生するリ
ード・ライト回路である。
４はリード・ライト回路３のライト電流を設定するライ
ト電流設定抵抗、５はライト電流設定抵抗４に並列に入
る補正ライト電流設定抵抗、６は補正ライト電流設定抵
抗５の一端をオン時にＧＮＤ（接地線）に接続する抵抗
入りトランジスタ、７は０面ヘッド１．１面ヘッド２を
選択するサイドセレクト信号、８は０面ヘッド１．１面
ヘッド２にライトするデータを与えるライトデータ信号
、９はアクティブ時にライト状態を示すライトゲート信
号である。
ト電流設定抵抗、５はライト電流設定抵抗４に並列に入
る補正ライト電流設定抵抗、６は補正ライト電流設定抵
抗５の一端をオン時にＧＮＤ（接地線）に接続する抵抗
入りトランジスタ、７は０面ヘッド１．１面ヘッド２を
選択するサイドセレクト信号、８は０面ヘッド１．１面
ヘッド２にライトするデータを与えるライトデータ信号
、９はアクティブ時にライト状態を示すライトゲート信
号である。
つぎに動作を説明する。
サイドセレクト信号７がＬのときは、１面ヘッド２が選
択される。このとき、抵抗入りトランジスタ６はオフで
あり、補正ライト電流設定抵抗５の一端はオーブンとな
り、ライト電流の設定にはライト電流設定抵抗４のみが
関与する。ここで。
択される。このとき、抵抗入りトランジスタ６はオフで
あり、補正ライト電流設定抵抗５の一端はオーブンとな
り、ライト電流の設定にはライト電流設定抵抗４のみが
関与する。ここで。
ライトゲート９がアクティブ（Ｌｏｗレベル）になると
、ライトデータ８に従って、ライト電流設定抵抗４によ
って設定される電１１Ｌ１ ＋が１面ヘッド２にｔｌｌ
わる。
、ライトデータ８に従って、ライト電流設定抵抗４によ
って設定される電１１Ｌ１ ＋が１面ヘッド２にｔｌｌ
わる。
一方、サイドセレクト信号７がＨのときは、０面ヘッド
１が選択される。このとき、抵抗入りトランジスタ６は
オンになり、補正ライト電流設定抵抗５の一端はＧＮＤ
に接続され、ライト電流の設定には、ライト電流設定抵
抗４と補正ライト電流設定抵抗５の並列抵抗が関与する
。ここで、ライトゲート９がアクティブ（Ｌｏｗレベル
）になると、ライトデータ８に従って、ライト電流設定
抵抗４と補正ライト電流設定抵抗５の並列抵抗によって
設定される電流■。（＞１＋）が０面ヘッド１に流れる
。
１が選択される。このとき、抵抗入りトランジスタ６は
オンになり、補正ライト電流設定抵抗５の一端はＧＮＤ
に接続され、ライト電流の設定には、ライト電流設定抵
抗４と補正ライト電流設定抵抗５の並列抵抗が関与する
。ここで、ライトゲート９がアクティブ（Ｌｏｗレベル
）になると、ライトデータ８に従って、ライト電流設定
抵抗４と補正ライト電流設定抵抗５の並列抵抗によって
設定される電流■。（＞１＋）が０面ヘッド１に流れる
。
このようにして、１面ヘッドのライト電流を０面ヘッド
のライト電流より低く設定することができるので、１面
のピークシフトを同一トラックの０而並みに減少させる
ことができる。
のライト電流より低く設定することができるので、１面
のピークシフトを同一トラックの０而並みに減少させる
ことができる。
また、０面のオーバライド特性を同一トラック上の１而
並みに向上させることができる。また、０而の波形孤立
化は、同一トラックの１而並みに抑えられる。
並みに向上させることができる。また、０而の波形孤立
化は、同一トラックの１而並みに抑えられる。
第２図は本発明の第２実施例である“磁気ディスク装置
”の要部の構成図である。本実施例はサイドセレクト信
号に応じてポストコンペンセイションの特性を切り換え
るものである。
”の要部の構成図である。本実施例はサイドセレクト信
号に応じてポストコンペンセイションの特性を切り換え
るものである。
第２図において、１は０面ヘッド、２は１面ヘッド、３
はリード・ライト回路、１０は高周波ノイズをカットす
るＬＰＦ（ローパスフィルタ）、１１はＬＰＦＩＯ内部
のダンピング抵抗Ａ、１２はダイビング抵抗Ａ・１１と
並列に入るダンピング抵抗Ｂ、１３はダンピング抵抗Ｂ
・１２をオン、オフするＦＥＴ（電界効果トランジスタ
）、１４はＬＰＦｌｏの出力信号ライン、１５はＬＰＦ
の出力信号のピークを検出するピーク検出回路である。
はリード・ライト回路、１０は高周波ノイズをカットす
るＬＰＦ（ローパスフィルタ）、１１はＬＰＦＩＯ内部
のダンピング抵抗Ａ、１２はダイビング抵抗Ａ・１１と
並列に入るダンピング抵抗Ｂ、１３はダンピング抵抗Ｂ
・１２をオン、オフするＦＥＴ（電界効果トランジスタ
）、１４はＬＰＦｌｏの出力信号ライン、１５はＬＰＦ
の出力信号のピークを検出するピーク検出回路である。
つぎに動作を説明する。
サイドセレクト信号７がＬｏｗレベルのときは、１面ヘ
ッド２が選択される。このとき、１面、ヘッド２から読
み取った信号はリード・ライト回路３の内部のアンプで
増幅されＬＰＦＩＯに、送られるが、ＦＥＴ１３はオフ
なので、ＬＰＦのダンピング抵抗は、ダンピング抵抗Ａ
・１１のみとなり、孤立化が進んだ波形がＬＰＦの出力
信号ライン１４に表われる。この孤立化が進んだ波形は
ピーク検出回路１５により、ピーク検出される。
ッド２が選択される。このとき、１面、ヘッド２から読
み取った信号はリード・ライト回路３の内部のアンプで
増幅されＬＰＦＩＯに、送られるが、ＦＥＴ１３はオフ
なので、ＬＰＦのダンピング抵抗は、ダンピング抵抗Ａ
・１１のみとなり、孤立化が進んだ波形がＬＰＦの出力
信号ライン１４に表われる。この孤立化が進んだ波形は
ピーク検出回路１５により、ピーク検出される。
一方、サイドセレクト信号７がＨのときは、０面ヘッド
１が選択される。このとき、０面ヘッド１から読み取っ
た信号は、リード・ライト回路３の内部のアンプで増幅
されＬＰＦＩＯに送られるが、ＦＥＴ１３はオンなので
、ＬＰＦｌｏのダンピング抵抗は、ダンピング抵抗Ａ・
１１とダンピング抵抗Ｂ・１２の並列抵抗となり、孤立
化のおさえれらだ波形がＬＰＦの出力信号ライン１４に
表われる。この孤立化がおさえられた波形はピーク検出
回路１５によりピーク検出される。
１が選択される。このとき、０面ヘッド１から読み取っ
た信号は、リード・ライト回路３の内部のアンプで増幅
されＬＰＦＩＯに送られるが、ＦＥＴ１３はオンなので
、ＬＰＦｌｏのダンピング抵抗は、ダンピング抵抗Ａ・
１１とダンピング抵抗Ｂ・１２の並列抵抗となり、孤立
化のおさえれらだ波形がＬＰＦの出力信号ライン１４に
表われる。この孤立化がおさえられた波形はピーク検出
回路１５によりピーク検出される。
同一トラック上では、同じライト電流、同じ再生回路の
場合、０面の波形の方が１面の波形より孤立化が進んで
いる。よって、前述の動作により、 ａ、１面の波形孤立化を同一トラックでの０面の波形孤
立化と同等にすることができ、したがって、１面のピー
クシフトを０面と同等にすることができる。
場合、０面の波形の方が１面の波形より孤立化が進んで
いる。よって、前述の動作により、 ａ、１面の波形孤立化を同一トラックでの０面の波形孤
立化と同等にすることができ、したがって、１面のピー
クシフトを０面と同等にすることができる。
ｂ、ｏ面の波形孤立化を１面の波形孤立化並みにおさえ
ることができるので、ミスパルスの発生を防ぐことがで
きる。
ることができるので、ミスパルスの発生を防ぐことがで
きる。
第３図は本発明の第３実施例である“磁気ディスク装置
”の要部の構成図である。本実施例もサイドセレクト信
号に応じてポストコンペンセイションの特性を切り換え
るものである。
”の要部の構成図である。本実施例もサイドセレクト信
号に応じてポストコンペンセイションの特性を切り換え
るものである。
第３図において、１は０面ヘッド、２は１面ヘッド、３
はリード・ライト回路、１６はリード・ライト回路３の
出力波形のピークシフトを補正する余弦等価回路、１７
は余弦等価回路のミックス比を決定するミックス比設定
抵抗ＲＭＡ、１８はミックス比設定抵抗ＲＭＡ・１７に
並列に入るミックス比設定抵抗ＲＭａ、１９はミックス
比設定抵抗ＲＭＩＩ・１８の一端をオン時にＧＮＤに接
続する抵抗入りトランジスタ、２０はサイドセレクト信
号７を反転するインバータ、２１は遅延時間設定用抵抗
ＲＤＡ、２２は遅延時間設定用抵抗Ｒ１）Ａ・２１に並
列に入る遅延時間設定用抵抗ＲＤ＠、２３は遅延時間設
定用抵抗Ｒ８８・２２の一端をオン時にＧＮＤに接続す
る抵抗入りトランジスタ、２４は余弦等価回路の出力ラ
インである。
はリード・ライト回路、１６はリード・ライト回路３の
出力波形のピークシフトを補正する余弦等価回路、１７
は余弦等価回路のミックス比を決定するミックス比設定
抵抗ＲＭＡ、１８はミックス比設定抵抗ＲＭＡ・１７に
並列に入るミックス比設定抵抗ＲＭａ、１９はミックス
比設定抵抗ＲＭＩＩ・１８の一端をオン時にＧＮＤに接
続する抵抗入りトランジスタ、２０はサイドセレクト信
号７を反転するインバータ、２１は遅延時間設定用抵抗
ＲＤＡ、２２は遅延時間設定用抵抗Ｒ１）Ａ・２１に並
列に入る遅延時間設定用抵抗ＲＤ＠、２３は遅延時間設
定用抵抗Ｒ８８・２２の一端をオン時にＧＮＤに接続す
る抵抗入りトランジスタ、２４は余弦等価回路の出力ラ
インである。
つぎに動作について説明する。
ａ、サイドセレクト信号フがＬｏｗレベルのときは、１
面へラド２が選択される。このとき、１面ヘッド２から
読み取った信号は、リード・ライト回路３の内部のアン
プで増幅され余弦等価回路１６に送られるが、抵抗入り
トランジスタ２３がオフなので、遅延時間設定用抵抗は
、遅延時間設定用抵抗ＲＤＡ・２１のみとなる。
面へラド２が選択される。このとき、１面ヘッド２から
読み取った信号は、リード・ライト回路３の内部のアン
プで増幅され余弦等価回路１６に送られるが、抵抗入り
トランジスタ２３がオフなので、遅延時間設定用抵抗は
、遅延時間設定用抵抗ＲＤＡ・２１のみとなる。
このときの遅延時間をＴ１１１Ａとすると。
Ｔ ＤＡ＝ ＣＥ ＲＤＡ （Ｑは定数）抵抗入
りトランジスタ１９がオンなので、ミックス比設定抵抗
は、ミックス比設定抵抗ＲＭＡ・１７とミックス比設定
抵抗ＲＩ、、・１８の並列抵抗ＲＭＡ／／Ｂとなる。こ
のときのミックス比をにＭＡ／／！ｌとすると、 ｘｖＡｚｚａ ＝β／ ＲＭＡ／／８ （βは定数）
ｂ、一方、サイドセレクト信号７がＨｉｇｈレベルのと
きは、０面ヘッド１が選択される。このとき、０面ヘッ
ド１から読み取った信号は、リード・ライト回路３の内
部のアンプで増幅され余弦等価回路１６に送られるが、
抵抗入りトランジスタ２３がオンなので遅延時間設定用
抵抗は、遅延時間設定用抵抗ＲＤＡ・２１と遅延時間設
定用抵抗Ｒ１）ＩＩ・２２の並列抵抗ＲＤＡ／／！１と
なる。このときの遅延時間をＴ ０ＡＩ７Ｂとすると、
ＴＤＡ／／Ｂ・αＲｏｓｉｉｍ ＜ Ｔ ｏ＾（ＲＤＡ
／／ＩＩ ＜ ＲＩＩＡより）抵抗入りトランジスタ１
９がオフなので、ミックス比設定抵抗は、ミックス比設
定抵抗ＲＭＡ・１７のみとなる。このときのミックス比
をに２Ａとすると、 に□＝β／ＲＭＡ＜に□／／Ｂ（ＲＭＡ ＞ ＲＭＡ／
／Ｂより）Ｃ１ところで、−数的に余弦等価回路では、
■遅延時間ＴＯが大きい方が波形の孤立化が進む。
りトランジスタ１９がオンなので、ミックス比設定抵抗
は、ミックス比設定抵抗ＲＭＡ・１７とミックス比設定
抵抗ＲＩ、、・１８の並列抵抗ＲＭＡ／／Ｂとなる。こ
のときのミックス比をにＭＡ／／！ｌとすると、 ｘｖＡｚｚａ ＝β／ ＲＭＡ／／８ （βは定数）
ｂ、一方、サイドセレクト信号７がＨｉｇｈレベルのと
きは、０面ヘッド１が選択される。このとき、０面ヘッ
ド１から読み取った信号は、リード・ライト回路３の内
部のアンプで増幅され余弦等価回路１６に送られるが、
抵抗入りトランジスタ２３がオンなので遅延時間設定用
抵抗は、遅延時間設定用抵抗ＲＤＡ・２１と遅延時間設
定用抵抗Ｒ１）ＩＩ・２２の並列抵抗ＲＤＡ／／！１と
なる。このときの遅延時間をＴ ０ＡＩ７Ｂとすると、
ＴＤＡ／／Ｂ・αＲｏｓｉｉｍ ＜ Ｔ ｏ＾（ＲＤＡ
／／ＩＩ ＜ ＲＩＩＡより）抵抗入りトランジスタ１
９がオフなので、ミックス比設定抵抗は、ミックス比設
定抵抗ＲＭＡ・１７のみとなる。このときのミックス比
をに２Ａとすると、 に□＝β／ＲＭＡ＜に□／／Ｂ（ＲＭＡ ＞ ＲＭＡ／
／Ｂより）Ｃ１ところで、−数的に余弦等価回路では、
■遅延時間ＴＯが大きい方が波形の孤立化が進む。
■ミックス比ＫＭが大きい方が波形の孤立化が進む。
よって、前記ａ、ｂ、ｃより、１面リード時は波形孤立
化が進みピークシフトを補正することができ、０而リ一
ド時は波形孤立化がおさえられミスパルスの発生を防ぐ
ことができる。
化が進みピークシフトを補正することができ、０而リ一
ド時は波形孤立化がおさえられミスパルスの発生を防ぐ
ことができる。
以上説明したように、本発明によれば、サイドセレクト
信号に応じてライト電流の値又はボストコンベンセイシ
ジン（再生信号のピークシフト補正）の特性を切り換え
ることにより、１面のピークシフトを同一トラックの０
而並みに減少させることができ、０面のオーバライド特
性を同一トラックの１而並みに向上させることができ、
又、０面の波形孤立化を同一トラックの１而並みに抑え
、ミスパルスの発生を防ぐことができる。
信号に応じてライト電流の値又はボストコンベンセイシ
ジン（再生信号のピークシフト補正）の特性を切り換え
ることにより、１面のピークシフトを同一トラックの０
而並みに減少させることができ、０面のオーバライド特
性を同一トラックの１而並みに向上させることができ、
又、０面の波形孤立化を同一トラックの１而並みに抑え
、ミスパルスの発生を防ぐことができる。
第１図は本発明の第Ｉ実施例の要部の構成図、第２図は
本発明の第２実施例の要部の構成図、第３図は本発明の
第３実施例の要部の構成図、′！５４図は磁気ディスク
装置の０面ヘッド、１面ヘッドのメディアに対する位置
関係を示す断面図である。 ４・−・−ライト電流設定抵抗 ５−−−−−−補正ライト電流設定抵抗６・・・・・・
抵抗入りトランジスタ ７・−・・・サイドセレクト信号 ８・・・・−ライトデータ信号 ９−−−−−−ライドゲート信号 １０−−−・−Ｌ Ｐ Ｆ １１・・・−Ｌ Ｐ Ｆ内部のダンピング抵抗Ａ１２・
−・−Ｌ Ｐ Ｆ内部のダンピング抵抗Ｂ１３−−−−
−−ＦＥＴ １６・−−−一余弦等価回路 １７−−−−−−ミックス比設定抵抗ＲＭＡ１８−−−
−−ミックス比設定抵抗Ｒ，４６１９−・・・・・抵抗
入りトランジスタ２０−−−−インバータ ト・・・・・遅延時間設定用抵抗Ｒ８Ａｚ −−−−Ｍ
延時間設定用抵抗Ｒ８Ｂ５・−・−抵抗入りトランジス
タ ５・・・・−メディア ８−−−−−−１面ヘッドのギャップ ９−−−−−−０面ヘッドのギャップ
本発明の第２実施例の要部の構成図、第３図は本発明の
第３実施例の要部の構成図、′！５４図は磁気ディスク
装置の０面ヘッド、１面ヘッドのメディアに対する位置
関係を示す断面図である。 ４・−・−ライト電流設定抵抗 ５−−−−−−補正ライト電流設定抵抗６・・・・・・
抵抗入りトランジスタ ７・−・・・サイドセレクト信号 ８・・・・−ライトデータ信号 ９−−−−−−ライドゲート信号 １０−−−・−Ｌ Ｐ Ｆ １１・・・−Ｌ Ｐ Ｆ内部のダンピング抵抗Ａ１２・
−・−Ｌ Ｐ Ｆ内部のダンピング抵抗Ｂ１３−−−−
−−ＦＥＴ １６・−−−一余弦等価回路 １７−−−−−−ミックス比設定抵抗ＲＭＡ１８−−−
−−ミックス比設定抵抗Ｒ，４６１９−・・・・・抵抗
入りトランジスタ２０−−−−インバータ ト・・・・・遅延時間設定用抵抗Ｒ８Ａｚ −−−−Ｍ
延時間設定用抵抗Ｒ８Ｂ５・−・−抵抗入りトランジス
タ ５・・・・−メディア ８−−−−−−１面ヘッドのギャップ ９−−−−−−０面ヘッドのギャップ
Claims (2)
- （１）１面ヘッドギャップが０面ヘッドギャップよりメ
ディアをはさんで該メディアの内周側に位置している磁
気ディスク装置であって、サイドセレクト信号に応じて
ライト電流の値を切り換えるライト電流切換手段を備え
たことを特徴とする磁気ディスク装置。 - （２）１面ヘッドギャップが０面ヘッドギャップよりメ
ディアをはさんで該メディアの内周側に位置している磁
気ディスク装置であって、サイドセレクト信号に応じて
ポストコンペンセイションの特性を切り換えるポストコ
ンペンセイション特性切換手段を備えたことを特徴とす
る磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28876889A JPH03150706A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28876889A JPH03150706A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150706A true JPH03150706A (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=17734462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28876889A Pending JPH03150706A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03150706A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59128817A (ja) * | 1983-01-13 | 1984-07-25 | Seiko Epson Corp | 低域通過フイルタ |
| JPS61131208A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-18 | Nec Corp | 磁気デイスク装置 |
| JPS6324711B2 (ja) * | 1984-07-30 | 1988-05-21 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| JPH02134706A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | フレキシブルデイスク記録・再生回路 |
| JPH02148401A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Nec Corp | フロッピィディスク装置 |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP28876889A patent/JPH03150706A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59128817A (ja) * | 1983-01-13 | 1984-07-25 | Seiko Epson Corp | 低域通過フイルタ |
| JPS6324711B2 (ja) * | 1984-07-30 | 1988-05-21 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| JPS61131208A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-18 | Nec Corp | 磁気デイスク装置 |
| JPH02134706A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | フレキシブルデイスク記録・再生回路 |
| JPH02148401A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Nec Corp | フロッピィディスク装置 |
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