JPH03151648A - ボンディングワイヤ及びこれを有する半導体装置 - Google Patents

ボンディングワイヤ及びこれを有する半導体装置

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JPH03151648A
JPH03151648A JP1290338A JP29033889A JPH03151648A JP H03151648 A JPH03151648 A JP H03151648A JP 1290338 A JP1290338 A JP 1290338A JP 29033889 A JP29033889 A JP 29033889A JP H03151648 A JPH03151648 A JP H03151648A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体素子と装置端子とを電気的に接続する
ボンディングワイヤの形状に特徴を有する半導体装置に
関するものである。
（従来技術） 半導体装置は、そのパッケージの小型化、リードピッチ
の縮小化にともない、耐湿性を向上させることが重点課
題の一つである。
樹脂封止される半導体装置の製造に際しては、半導体チ
ップとリードフレームとの間を電気的に接続する手段と
してボンディングワイヤが使用されているか、従来、普
通使用されるボンディングワイヤは、第５図のボンディ
ングワイヤ１のように、その断面は円形であり、またそ
の表面は鏡面状である。　なお、ボンディングワイヤの
材質としては、金、アルミニウム合金、銅合金等が実用
化されている。
しかしながら、円形で鏡面状のボンディングワイヤによ
ってアセンブリされたものを封止樹脂でモールドした場
合、リードフレームあるいはボンディングワイヤとモー
ルド樹脂との密着性が必ずしもよくないから、環境試験
が行われる状態、あるいは装置の使用状態で、水分が、
まずモールド樹脂とリードフレームとの隙間から吸引さ
れ、次にボンディングワイヤの隙間を経由して半導体素
子に到達し、半導体素子を腐蝕させ、あるいは素子特性
を劣化させる恐れがある。　このため、最近では、リー
ドフレームの形状を改善することによって水分の吸入を
防止する考案がなされ実用化されているが、ボンディン
グワイヤに関する工夫はなされていない。
（発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は、ボンディングワイヤとモールド樹脂と
の密着性を改善し、水分の吸入による半導体素子の腐蝕
を低減させ、あるいは信頼性を向上させる半導体装置を
提供することである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段と作用） 本発明の半導体装置は、ボンディングワイヤの外周面に
、はぼ規則的に反復する凹凸を形成したものが使用され
ることを特徴とする。　かかる反復凹凸は、ワイヤの長
手方向にのみ形成されるようにすること、横断面にのみ
現れるようにすること、又は長手方向断面と横断面の双
方に現れるようにすることができるが、いずれの凹凸で
あってもよい。
ボンディングワイヤの外周面に凹凸があれば、モールド
樹脂との接触面積が大となるうえに、接合面の食いつき
がよくなるので、モールド樹脂との隙間が生じにくくな
る。　また封止樹脂と金属ワイヤの間には熱膨脹差があ
るから、特に長手方向の反復凹凸があれば、樹脂とワイ
ヤ凸部の間に圧接が生じ、水分の移動が遮断される。
（実施例） 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第４図は、本発明に関連する半導体装置の、モールド樹
脂部を除いた要部の断面図である。　第４図において、
１２はリードフレームのベツド部で、半導体素子１３が
マウント材１４によって搭載され、半導体素子１３の電
極１３ａとリードフレームのインナーリード部１５とは
ボンディングワイヤ１１で接続される。
第１図（ａ　）および（ｂ）は、第一実施例の半導体装
置に用いられたボンディングワイヤ１１の断面図及び１
面図である。　ボンディングワイヤ１１は断面が円形で
あるが、長手方向に規則的に外径が変化したものであり
、伸線にあたって引き出し速度を振動させて得られる。
第２図（ａ　）および（ｂ）は、第二実施例に用いられ
たボンディングワイヤ２１の断面図及び正面図である。
　第２図（ａ　）にみるように、ボンディングワイヤ２
１の断面は星形をしており、同図（ｂ）にみるように、
凸条２１ａ、凹条２１ｂは長手方向に平行に形成されて
いる。　ボンディングワイヤ２１は、星形のダイスによ
り伸線して得られる。
第３図（ａ　）および＜ｂ　＞は、第三実施例に使用さ
れたボンディングワイヤ３１を示す断面図及び正面図で
ある。　同図（ａ　）にみるように、断面は星形をして
いるが、同図（１））にみるように、凸条３１ａ、凹条
３１ｂは第二実施例にお番フるボンディングワイヤ２１
と異なって捩られている。
ボンディングワイヤ３１は、星形のダイスを用いるとと
もに引出線に捩りを加えて得られる。
［発明の効果］ 本発明の半導体装置によれば、ボンディングワイヤの外
周面に凹凸があるから、ボンディングワイヤとモールド
樹脂との接触面積が広くなって接合面での食いつきが良
くなり、従来、腐蝕や特性劣化など信頼性の問題が発生
しやすかったが、より高品質の半導体装置を提供するこ
とができた。
また、別の効果として、ボンディングワイヤの抵抗値Ｒ
は次式で示されるが、 Ｒ−ｍ−１−一×ρ０ ２π「 但し、１：ボンディングワイヤ長 「：ボンディングワイヤの周囲長 ρ０　＝ボンディングワイヤ材質による抵抗率ボンディ
ングワイヤの表面積が増加することにより、単位長当り
の表面抵抗が下がり、低抵抗値のボンディングワイヤを
提供することができた。
【図面の簡単な説明】 第１図（ａ　）および（ｂ）は本発明の第一実施例に用
いられたボンディングワイヤのそれぞれ断面図と正面図
、第２図（ａ　）および（ｂ　）は第二実施例に用いら
れたボンディングワイヤのそれぞれ断面図と正面図、第
３図（ａ　）および（ｂ　）は第三実施例に用いられた
ボンディングワイヤのそれぞれ断面図と正面図、第４図
は本発明に関連する半導体装置の要部断面図、第５図は
従来の半導体装置に用いられたホンティングワイヤの斜
視図である。 １．１１，２１．３１・・・ボンディングワイヤ、１１
ａ　、２１ａ　、３１ａ−・・凸部、　　１１１）。 ２１ｂ、３１ｂ・・・凹部、　１２．１５・・・装置端
子、１３・・・半導体素子。 ３０３− ｎ　　寸　へ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １　外表面にほぼ規則的に反復する凹凸を形成したボン
    ディングワイヤによって、半導体素子と装置端子とを電
    気的に接続してなることを特徴とする半導体装置。
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