JPH0315285B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0315285B2 JPH0315285B2 JP58098787A JP9878783A JPH0315285B2 JP H0315285 B2 JPH0315285 B2 JP H0315285B2 JP 58098787 A JP58098787 A JP 58098787A JP 9878783 A JP9878783 A JP 9878783A JP H0315285 B2 JPH0315285 B2 JP H0315285B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- copper
- gallium
- vanadium
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明はV3Ga繊維分散型超電導線材の製造法
に関する。 従来技術 強磁界発生用電磁石の巻線材として使用される
超電導線材としては、従来Nb−Ti系の合金線材
が主として用いられているが、この合金線材は発
生磁界の限度が8.5T(8.5テスラ=85000ガウス)
であり、これ以上の強磁界を必要とする場合は、
臨界磁界の高い化合物系超電導体を用いる必要が
ある。しかし、化合物系超電導体は、化合物特有
の可塑性に欠ける点が実用化に際しての大きな障
害になつていたが、近年表面拡散法及び複合加工
法などの拡散を利用した方法が発明され、V3Ga
(臨界温度Tc=約15K、臨界磁界Hc2=約21T)、
Nb3Sn(臨界温度Tc=約18K、臨界磁界Hc2=約
22T)の化合物超電導線材が実用化されるように
なつた。この内複合加工法は、例えばV3Gaにお
いては、バナジウムと銅−ガリウム合金とを密着
させ、線状またはテープ状に加工した後、熱処理
によつて銅−ガリウム合金中のガリウムを選択的
にバナジウムと反応させてV3Ga化合物層を境界
面に生成させる方法で、固体拡散法の1種であ
る。この固体拡散法を利用して、銅−ガリウム合
金マトリツクス中に多数のバナジウム棒を埋め込
んだ複合体を線状に加工して熱処理することによ
り、V3Ga化合物極細多芯線の製造が可能となつ
た。また、Nb3Sn化合物極細多芯線が同様にして
製造される。 しかし、この複合加工法では、最初に複合体を
作る複雑な作業を必要とし、また銅−ガリウム合
金は加工中著しく加工硬化するため、約40〜50%
の断面縮小率毎に中間焼鈍を必要とし、実用的な
長尺線材を作るには焼鈍回数が極めて多くなる。
従つて、このような複合線材は合金線材に比較し
て製造コストが著しく高くなり、製造法も複雑で
ある難点があつた。 一方、最近、この難点を克服したイン・サイチ
ユー法が開発された。イン・サイチユー法は、銅
−バナジウム二元合金をアーク溶解等により溶製
して、銅マトリツクス内にバナジウムのデンドラ
イト粒子が一様に分散したインゴツトを作製す
る。この合金は加工性に優れ、中間焼鈍を全く必
要とせずに任意の径の細線に加工し得られる。こ
の加工により、バナジウム粒子は大きな変形を受
け極めて細長い繊維状となつて、線状のなかに多
数分散されたものとなる。この線材表面にカリウ
ムを電気メツキ、溶融メツキ等により付着させ、
これを熱処理すると、ガリウムが内部に拡散して
バナジウム繊維と反応してV3Gaの極微細な不連
続繊維を多数含んだ線材となる。このようにして
得られたV3Ga線材は、複合加工法によるV3Ga
線材よりも優れた超電導臨界電流密度Jcを有し、
また含有繊維は径が細く間隙も狭いため繊維自体
が強化の役目を果して線材自身の強度を高めると
共に曲げや引張りなどによる歪に対しても臨界電
流などの超電導特性の劣化を少なくし得られる。 しかしながら、この方法で得られた線材でも
18T以上の強磁界では臨界電流密度の減少が急激
であり、ミラー型核融合装置をはじめとする、超
強磁界マグネツトのための線材としては、なお強
磁界でのJc値の改善がのぞまれていた。 発明の目的 本発明は上に述べた従来法における欠点を解消
した強磁界での臨界電流密度が顕著に改良された
イン・サイチユー型V3Ga超電導線材を製造する
方法を提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の方法は、銅に10〜70原子%のバナジウ
ムおよび0.1〜10原子%のアルミニウムを加えた
3元銅基合金を溶製後、線引き、圧延あるいは管
引きにより線、テープあるいは管状に加工した
後、該加工材の表面に、電気メツキ、溶融メツキ
等によつてガリウムを付着させて400〜700℃の熱
処理を行ない、銅基母相内にV3Gaの極細繊維を
分散生成させる方法である。 銅にバナジウムと共に特定量のアルミニウムを
添加することにより、生成するV3Ga相の臨海磁
界Hc2が向上する。さらにアルミニウムは、ガリ
ウムの線材中心部までの拡散、浸透を促進する作
用を有し、ガリウム濃度が線材全断面について均
質である線材の作製を容易にする。これにより線
材全断面当りの磁界電流密度Jcは全磁界領域で高
められるが、特に強磁界で顕著に高い値が得られ
る。 銅基合金中のバナジウムの含量は10〜70原子%
であることが必要である。10原子%より少ない線
材内部のV繊維密度が小さくなり、繊維間距離が
長くなつて超電導性が保持されなくなる。また70
原子%を超えると、ガリウムの線材内部への均一
な拡散が困難となつて超電導性及び機械的特性を
著しく損うようになる。 アルミニウムの添加量は、0.1〜10原子%であ
ることが必要である。0.1原子%より少ないと有
効な特性改善を行うことができなく、10原子%を
超えると加工性が悪くなる。 熱処理の温度は400〜700℃の範囲が適当であ
る。400℃より低い温度ではガリウムが十分内部
まで拡散せず、また700℃を超えるとV3Gaの結
晶粒が粗大化し超電導特性が劣化する。 熱処理時間は1〜300時間の範囲が適当である。
1時間より短かい熱処理時間ではV3Gaはほとん
ど生成されず、また300時間を超えるとV3Gaの
結晶粒の粗大化が進み超電導特性が劣化する。 実施例 バナジウムにそれぞれ3、6、9原子%のアル
ミニウムを含む合金をアーク溶解で溶製し、これ
らを銅と複合して消耗電極型アーク溶解の電極棒
を作製した。また比較のためにアルミニウムを含
有しない電極棒も同時に作製した。これらを溶解
して外径40mmφ、長さ70mmのインゴツト(組成を
原子%で表わすと、それぞれ約Cu−34%V−1
%Al、Cu−33%V−2%Al、Cu−32%V−3%
Al、およびCu−35%V)とし、溝ロール、線引
き、平ロールなどによつて中間焼鈍なしに幅3
mm、厚100μmのテープに加工した。次いでこの
テープをガリウム溶融浴中に連続的に浸漬して約
10μm厚のガリウム膜を付着させ、500℃で100時
間の拡散熱処理を加えてV3Ga超電導線材を作製
した。第1表には、4.2Kで16Tおよび20Tの磁界
中における線材全断面積についての臨界電流密度
Jcおよび超電導遷移温度Tcを示す。この結果が
示すようにアルミニウムの添加によつて全磁界領
域でJcが改善され、特に高磁界での上昇率が大き
いことが分る。これはアルミニウムの添加によつ
て臨界磁界Hc2が高められたことによる。
に関する。 従来技術 強磁界発生用電磁石の巻線材として使用される
超電導線材としては、従来Nb−Ti系の合金線材
が主として用いられているが、この合金線材は発
生磁界の限度が8.5T(8.5テスラ=85000ガウス)
であり、これ以上の強磁界を必要とする場合は、
臨界磁界の高い化合物系超電導体を用いる必要が
ある。しかし、化合物系超電導体は、化合物特有
の可塑性に欠ける点が実用化に際しての大きな障
害になつていたが、近年表面拡散法及び複合加工
法などの拡散を利用した方法が発明され、V3Ga
(臨界温度Tc=約15K、臨界磁界Hc2=約21T)、
Nb3Sn(臨界温度Tc=約18K、臨界磁界Hc2=約
22T)の化合物超電導線材が実用化されるように
なつた。この内複合加工法は、例えばV3Gaにお
いては、バナジウムと銅−ガリウム合金とを密着
させ、線状またはテープ状に加工した後、熱処理
によつて銅−ガリウム合金中のガリウムを選択的
にバナジウムと反応させてV3Ga化合物層を境界
面に生成させる方法で、固体拡散法の1種であ
る。この固体拡散法を利用して、銅−ガリウム合
金マトリツクス中に多数のバナジウム棒を埋め込
んだ複合体を線状に加工して熱処理することによ
り、V3Ga化合物極細多芯線の製造が可能となつ
た。また、Nb3Sn化合物極細多芯線が同様にして
製造される。 しかし、この複合加工法では、最初に複合体を
作る複雑な作業を必要とし、また銅−ガリウム合
金は加工中著しく加工硬化するため、約40〜50%
の断面縮小率毎に中間焼鈍を必要とし、実用的な
長尺線材を作るには焼鈍回数が極めて多くなる。
従つて、このような複合線材は合金線材に比較し
て製造コストが著しく高くなり、製造法も複雑で
ある難点があつた。 一方、最近、この難点を克服したイン・サイチ
ユー法が開発された。イン・サイチユー法は、銅
−バナジウム二元合金をアーク溶解等により溶製
して、銅マトリツクス内にバナジウムのデンドラ
イト粒子が一様に分散したインゴツトを作製す
る。この合金は加工性に優れ、中間焼鈍を全く必
要とせずに任意の径の細線に加工し得られる。こ
の加工により、バナジウム粒子は大きな変形を受
け極めて細長い繊維状となつて、線状のなかに多
数分散されたものとなる。この線材表面にカリウ
ムを電気メツキ、溶融メツキ等により付着させ、
これを熱処理すると、ガリウムが内部に拡散して
バナジウム繊維と反応してV3Gaの極微細な不連
続繊維を多数含んだ線材となる。このようにして
得られたV3Ga線材は、複合加工法によるV3Ga
線材よりも優れた超電導臨界電流密度Jcを有し、
また含有繊維は径が細く間隙も狭いため繊維自体
が強化の役目を果して線材自身の強度を高めると
共に曲げや引張りなどによる歪に対しても臨界電
流などの超電導特性の劣化を少なくし得られる。 しかしながら、この方法で得られた線材でも
18T以上の強磁界では臨界電流密度の減少が急激
であり、ミラー型核融合装置をはじめとする、超
強磁界マグネツトのための線材としては、なお強
磁界でのJc値の改善がのぞまれていた。 発明の目的 本発明は上に述べた従来法における欠点を解消
した強磁界での臨界電流密度が顕著に改良された
イン・サイチユー型V3Ga超電導線材を製造する
方法を提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の方法は、銅に10〜70原子%のバナジウ
ムおよび0.1〜10原子%のアルミニウムを加えた
3元銅基合金を溶製後、線引き、圧延あるいは管
引きにより線、テープあるいは管状に加工した
後、該加工材の表面に、電気メツキ、溶融メツキ
等によつてガリウムを付着させて400〜700℃の熱
処理を行ない、銅基母相内にV3Gaの極細繊維を
分散生成させる方法である。 銅にバナジウムと共に特定量のアルミニウムを
添加することにより、生成するV3Ga相の臨海磁
界Hc2が向上する。さらにアルミニウムは、ガリ
ウムの線材中心部までの拡散、浸透を促進する作
用を有し、ガリウム濃度が線材全断面について均
質である線材の作製を容易にする。これにより線
材全断面当りの磁界電流密度Jcは全磁界領域で高
められるが、特に強磁界で顕著に高い値が得られ
る。 銅基合金中のバナジウムの含量は10〜70原子%
であることが必要である。10原子%より少ない線
材内部のV繊維密度が小さくなり、繊維間距離が
長くなつて超電導性が保持されなくなる。また70
原子%を超えると、ガリウムの線材内部への均一
な拡散が困難となつて超電導性及び機械的特性を
著しく損うようになる。 アルミニウムの添加量は、0.1〜10原子%であ
ることが必要である。0.1原子%より少ないと有
効な特性改善を行うことができなく、10原子%を
超えると加工性が悪くなる。 熱処理の温度は400〜700℃の範囲が適当であ
る。400℃より低い温度ではガリウムが十分内部
まで拡散せず、また700℃を超えるとV3Gaの結
晶粒が粗大化し超電導特性が劣化する。 熱処理時間は1〜300時間の範囲が適当である。
1時間より短かい熱処理時間ではV3Gaはほとん
ど生成されず、また300時間を超えるとV3Gaの
結晶粒の粗大化が進み超電導特性が劣化する。 実施例 バナジウムにそれぞれ3、6、9原子%のアル
ミニウムを含む合金をアーク溶解で溶製し、これ
らを銅と複合して消耗電極型アーク溶解の電極棒
を作製した。また比較のためにアルミニウムを含
有しない電極棒も同時に作製した。これらを溶解
して外径40mmφ、長さ70mmのインゴツト(組成を
原子%で表わすと、それぞれ約Cu−34%V−1
%Al、Cu−33%V−2%Al、Cu−32%V−3%
Al、およびCu−35%V)とし、溝ロール、線引
き、平ロールなどによつて中間焼鈍なしに幅3
mm、厚100μmのテープに加工した。次いでこの
テープをガリウム溶融浴中に連続的に浸漬して約
10μm厚のガリウム膜を付着させ、500℃で100時
間の拡散熱処理を加えてV3Ga超電導線材を作製
した。第1表には、4.2Kで16Tおよび20Tの磁界
中における線材全断面積についての臨界電流密度
Jcおよび超電導遷移温度Tcを示す。この結果が
示すようにアルミニウムの添加によつて全磁界領
域でJcが改善され、特に高磁界での上昇率が大き
いことが分る。これはアルミニウムの添加によつ
て臨界磁界Hc2が高められたことによる。
【表】
発明の効果
本発明の方法によると、イン・サイチユー法に
おけるV3Gaの極細繊維を含む超電導線材を容易
に得られる利点を有すると共に、更に次のような
優れた効果を有する。 (1) バナジウムを含有する銅基合金へアルミニウ
ムを含ませることによつてイン・サイチユー線
材の高磁界での臨界電流密度Jcを高め得られ
る。 (2) アルミニウム添加により、ガリウムの均一拡
散が容易にできるので、断面積の大きい大容量
の線材を製造することができる。 本発明の方法によつて得られた超電導線材は、
電気機械、エネルギー貯蔵、核融合炉、高エネル
ギー物理用粒子加速器などの各種超電導機器の性
能を著しく高め得られる。
おけるV3Gaの極細繊維を含む超電導線材を容易
に得られる利点を有すると共に、更に次のような
優れた効果を有する。 (1) バナジウムを含有する銅基合金へアルミニウ
ムを含ませることによつてイン・サイチユー線
材の高磁界での臨界電流密度Jcを高め得られ
る。 (2) アルミニウム添加により、ガリウムの均一拡
散が容易にできるので、断面積の大きい大容量
の線材を製造することができる。 本発明の方法によつて得られた超電導線材は、
電気機械、エネルギー貯蔵、核融合炉、高エネル
ギー物理用粒子加速器などの各種超電導機器の性
能を著しく高め得られる。
Claims (1)
- 1 銅に10〜70原子%のバナジウムおよび0.1〜
10原子%のAlを加えた3元合金を溶製後、線引
き、圧延あるいは管引きにより線、テープあるい
は管状に加工した後、ガリウムを付着させ、400
〜700℃で熱処理を行い、銅基母相内にV3Gaの
極細繊維を分散生成させることを特徴とする
V3Ga超電導線材の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098787A JPS59226414A (ja) | 1983-06-04 | 1983-06-04 | V↓3Ga繊維分散型超電導線材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098787A JPS59226414A (ja) | 1983-06-04 | 1983-06-04 | V↓3Ga繊維分散型超電導線材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59226414A JPS59226414A (ja) | 1984-12-19 |
| JPH0315285B2 true JPH0315285B2 (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=14229079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58098787A Granted JPS59226414A (ja) | 1983-06-04 | 1983-06-04 | V↓3Ga繊維分散型超電導線材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59226414A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5529528A (en) * | 1978-08-21 | 1980-03-01 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | Preparation of crosslinkable ethylene-propylene rubber composition |
| JPS577027A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Device for manufacturing identification mark |
| JPS6014818B2 (ja) * | 1981-01-21 | 1985-04-16 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | V↓3Ga繊維分散型化合物超電導線材の製造法 |
-
1983
- 1983-06-04 JP JP58098787A patent/JPS59226414A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59226414A (ja) | 1984-12-19 |
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