JPH03153675A - 硫黄に通じ結合された置換基を有するスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類 - Google Patents
硫黄に通じ結合された置換基を有するスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、硫黄を通じ結合された置換基を有する新規な
スルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類、それら
の種々な製造方法、及び除草剤としての用途に関するも
のである。
スルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類、それら
の種々な製造方法、及び除草剤としての用途に関するも
のである。
ある種の置換されたアミンカルボニルイミダゾリノン類
、たとえば1−イソブチルアミノ力ルボニル−2−イミ
ゾリジノン(イソカルバミド)が除草特性を有すること
は公知である(R,fegler。
、たとえば1−イソブチルアミノ力ルボニル−2−イミ
ゾリジノン(イソカルバミド)が除草特性を有すること
は公知である(R,fegler。
CheLllie der Pflanzenschu
tzund und Schadlingsbekam
fungsmittel[Chemistry of
Plant Protecti。
tzund und Schadlingsbekam
fungsmittel[Chemistry of
Plant Protecti。
n Agents and Pe5ticidesコ第
5巻、219ページ、SpringerJerlag、
ベルリン−ハイデルベルグ−ニューヨーク、1977参
照)。しかしながら、該化合物の作用はすべての点で満
足の行くものではない。
5巻、219ページ、SpringerJerlag、
ベルリン−ハイデルベルグ−ニューヨーク、1977参
照)。しかしながら、該化合物の作用はすべての点で満
足の行くものではない。
式(I)
式中、nは数字0,1または2を表し、R1は水素、ヒ
ドロキシルまたはアミノを表わすか、一連のアルキル、
アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アラルキル
、アリール、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキル
アミノ、シクロアルキルアミノ及びジアルキルアミノか
ら成る随時置換されていてもよい基を表し、 R2は一連のアルキル、アルケニル、アルキニル、シク
ロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル及びアリー
ルから成る随時置換されていてもよい基を表し、 R3は一連のアルキル、アラルキル、アリール及びヘテ
ロアリールから成る随時置換されていてもよい基を表す
、 の硫黄を通じ結合された置換基を有する新規なスルホニ
ルアミノカルボニルトリアゾリノン類、並びに式(I)
の化合物の塩類が見出された。
ドロキシルまたはアミノを表わすか、一連のアルキル、
アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アラルキル
、アリール、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキル
アミノ、シクロアルキルアミノ及びジアルキルアミノか
ら成る随時置換されていてもよい基を表し、 R2は一連のアルキル、アルケニル、アルキニル、シク
ロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル及びアリー
ルから成る随時置換されていてもよい基を表し、 R3は一連のアルキル、アラルキル、アリール及びヘテ
ロアリールから成る随時置換されていてもよい基を表す
、 の硫黄を通じ結合された置換基を有する新規なスルホニ
ルアミノカルボニルトリアゾリノン類、並びに式(I)
の化合物の塩類が見出された。
一般式(I)の硫黄を通じ結合された置換基を有する新
規なスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類は a)一般式(n) 式中、nSR’及びR2は上述の意味を有する、 のトリアゾリノン類を、 一般式(I[I) R3−8O,−N=C=O(III )式中、R3は上
述の意味を有する、 のイソシアン酸スルホニル類と、適当ならば希釈剤の存
在下において反応させる際、もしくはb)一般式(IV
) 式中、n、R’及びR2は上述の意味を有し、Zはハロ
ゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリールオキシ
を表す、 のトリアゾリノン誘導体を、 一般式(V) R3−SO2−NH2(V ) 式中、R3は上述の意味を有する、 のスルホンアミド類と、適当ならば酸受容体の存在下に
おいて、且つ適当ならば希釈剤の存在下において反応さ
せるか際、もしくは C)一般式(n) 式中、n、R’及びR2は上述の意味を有する、 のトリアゾリノン類を、 一般式(VI) R3−3o、−NH−Co−Z (VI)式
中、R3は上述の意味を有し、 Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリー
ルオキシを表す、 のスルホンアミド誘導体と、適当ならば酸受容体の存在
下において、且つ適当ならば希釈剤の存在下において反
応させ、且つ所望するならば、方法(a)、■)または
(c)の化合物から通常の方法により塩類が形成される
際、 に得られる。
規なスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類は a)一般式(n) 式中、nSR’及びR2は上述の意味を有する、 のトリアゾリノン類を、 一般式(I[I) R3−8O,−N=C=O(III )式中、R3は上
述の意味を有する、 のイソシアン酸スルホニル類と、適当ならば希釈剤の存
在下において反応させる際、もしくはb)一般式(IV
) 式中、n、R’及びR2は上述の意味を有し、Zはハロ
ゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリールオキシ
を表す、 のトリアゾリノン誘導体を、 一般式(V) R3−SO2−NH2(V ) 式中、R3は上述の意味を有する、 のスルホンアミド類と、適当ならば酸受容体の存在下に
おいて、且つ適当ならば希釈剤の存在下において反応さ
せるか際、もしくは C)一般式(n) 式中、n、R’及びR2は上述の意味を有する、 のトリアゾリノン類を、 一般式(VI) R3−3o、−NH−Co−Z (VI)式
中、R3は上述の意味を有し、 Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリー
ルオキシを表す、 のスルホンアミド誘導体と、適当ならば酸受容体の存在
下において、且つ適当ならば希釈剤の存在下において反
応させ、且つ所望するならば、方法(a)、■)または
(c)の化合物から通常の方法により塩類が形成される
際、 に得られる。
一般式(I)の硫黄を通じ結合された置換基を有する新
規なスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類及び
それらの塩類は、強力な除草活性により際立つものを示
している。
規なスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類及び
それらの塩類は、強力な除草活性により際立つものを示
している。
驚くべきことに、式(I)の新規な化合物は、公知であ
り類似構造を有する除草剤1−イソブチルアミノカルボ
ニル−2−イミダゾリジノン(イソカルバミド)よりも
かなり良好な除草作用を有する。
り類似構造を有する除草剤1−イソブチルアミノカルボ
ニル−2−イミダゾリジノン(イソカルバミド)よりも
かなり良好な除草作用を有する。
本発明は好ましくは式(I)、
式中、nは数字0.1または2を表し、R1は水素、ヒ
ドロキシルまたはアミノを表わすか、フッ素、塩素、臭
素、シアノ、C2−C4−アルコキシ、CIC4−アル
キルカルボニルまたはC,−C,−アルコキシ−カルボ
ニルにより随時置換されていてもよいCr Cm−ア
ルキルを表すか、それぞれフッ素、塩素及び/または臭
素により随時置換されていてもよいC3−C6−アルケ
ニルまたはCsC1−アルキニルを表すか、フッ素、塩
素、臭素及び/またはC,−C,−アルキルにより随時
置換されていてもよいC、−CS−シクロアルキルを表
すか、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、CIC4
−アルキル、トリフルオロメチル、CIC4−アルコキ
シ及び/またはCIC4−アルコキシ−カルボニルによ
り随時置換されていてもよいフェニル−CI−C3−ア
ルキルを表すか、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ
、Cl−C4−アルキル、トリフルオロメチル、CI−
C4−アルコキシ、フッ素及び/または塩素置換された
Cl−C3−アルコキシ、C,−C4−アルキルチオ、
フッ素及び/または塩素置換されたC、−C8−アルキ
ルチオ、CI C4−アルキルスルフィニル、CIC
4−アルキルスルホニル及び/またはC,−C,−アル
コキシ−カルボニルにより随時置換されていてもよいフ
ェニルを表すか、フッ素、塩素、シアノ、フェニル、C
IC4−アルコキシまたはC1−04−アルコキシ−カ
ルボニルにより随時置換されていてもよい(、+Ca−
アルコキシを表すか、C3C4−アルケニルオキジを表
わすか、フッ素、シアノ、CTC<−アルコキシまたは
CI C4−アルコキシ−カルボニルにより随時置換
されていてもよいC,−C4−アルキルアミノを表すか
、C,−C,−シクロアルキルアミノまたはジ(C,−
C4−アルキル)−アミノを表し、 R2はフッ素、塩素、臭素、シアノ、Cs−C8−シク
ロアルキル、CTCs−アルコキシまたはCTC<−ア
ルコキシカルボニルにより随時置換されていてもよいC
,−C,−アルキルを表すか、それぞれフッ素、塩素及
び/または臭素により随時置換されていてもよいCsC
a−アルケニルまたはC3−C,−アルキニルを表すか
、フッ素、塩素、臭素及び/またはCIC4−アルキル
により随時置換されていてもよいCsCe−シクロアル
キルを表すか、シクロへキセニルを表すか、フッ素、塩
素、臭素、シアノ、ニトロ、CIC4−アルキル、トリ
フルオロメチル、CIC4−アルコキシ及び/またはC
IC4−アルコキシカルボニルにより随時置換されてい
てもよいフェニル−CrCs−アルキルを表すか、フッ
素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、C4C4−アルキル
、トリフルオロメチルMCl−C4−アルコキシ、フッ
素及び/または塩素置換されたCTCs−アルコキシ、
Cr−04−アルキルチオ、フッ素及び/または塩素置
換されたC、−C3−アルキルチオ、CI−C,−アル
キルスルフィニル、C,−C4−アルキルスルホニル及
び/またはCIC4−アルコキシ−カルボニルにより随
時置換されていてもよいフェニルを表し、 9! ここでR4及びに5は同一もしくは相異なり、且つ水素
、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ、C,−C,−
アルキル(該基はフッ素、塩素、臭素、シアノ、カルボ
キシル、CI−C4−アルコキシカルボニル、C,−C
4−アルキルアミノ−カルボニル、ジ(CI C4−
アルキル)アミノ−カルボニル、ヒドロキシル、Ct−
C4−アルコキシ、ホルミルオキシ、CI C4−ア
ルキル−カルボニルオキシ、CIC4−アルコキシ−カ
ルボニルオキシ、CIC4−アルキルアミノ−カルボニ
ルオキシ、CIC4−アルキルチオ、CIC4−アルキ
ルスルフィニル、CI−C<−アルキルスルホニル、ジ
ー(C,−C4−アルキル)−アミノスルホニル、C3
−C,−シクロアルキルまたはフェニルにより随装置・
換されていてもよい)を表すか、C2−C,−アルケニ
ル(該基はフッ素、塩素、臭素、シアノ、ClC4−ア
ルコキシ−カルボニル、カルボキシルまたはフェニルに
より随時置換されていてもよい)を表すか、C,−C,
−アルキニル(該基はフッ素、塩素、臭素、シアノ)
、Cl−C4−アルコキシ−カルボニル、カルボキシル
またはフェニルにより随時置換されていてもよい)を表
すか、CIC4−アルコキシ(該基はフッ素、塩素、臭
素、シアノ、カルボキシル、CIC4−アルコキシ−カ
ルボニル、C1C4−アルコキシ、CI C4−アル
キルチオ、C,−C4−アルキルスルフィニルまたはC
IC4−アルキルスルホニルにより随時置換されていて
もよい)を表すか、C+ −04−アルキルチオ(該基
はフッ素、塩素、臭素、シアン、カルボキシル、C,−
C,−アルコキシ−カルボニル、CIC4−アルキルチ
す、C,−C,−アルキルスルフィニルまたはCIC4
−アルキルスルホニルにより随時置換されていてもよい
)を表すか、C3−C,−アルケニルオキシ、(該基は
フッ素、塩素、臭素、シアノまたはCIC4−アルコキ
シ−カルボニルにより随時置換されていてもよい)を表
すか、C,−C・−アルケニルチオ(該基はフッ素、塩
素、臭素、シアノ、ニトロ、C,−C3−アルキルチオ
またはC,−C4−アルコキシカルボニルにより随時置
換されていてもよい) 、C3−C,−アルキニルオキ
シまたはC,−C,−アルキニルチオを表すか、基−8
(0)p−R’を表し、 ここで、pは数字1または2を表し、 R6はCl−C4−アルキル(該基はフッ素、塩素、臭
素、シアノまたはC! −C4−アルコキシ−カルボニ
ルにより随時置換されていてもよい) 、C3−C,−
アルケニル、C1−C。
ドロキシルまたはアミノを表わすか、フッ素、塩素、臭
素、シアノ、C2−C4−アルコキシ、CIC4−アル
キルカルボニルまたはC,−C,−アルコキシ−カルボ
ニルにより随時置換されていてもよいCr Cm−ア
ルキルを表すか、それぞれフッ素、塩素及び/または臭
素により随時置換されていてもよいC3−C6−アルケ
ニルまたはCsC1−アルキニルを表すか、フッ素、塩
素、臭素及び/またはC,−C,−アルキルにより随時
置換されていてもよいC、−CS−シクロアルキルを表
すか、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、CIC4
−アルキル、トリフルオロメチル、CIC4−アルコキ
シ及び/またはCIC4−アルコキシ−カルボニルによ
り随時置換されていてもよいフェニル−CI−C3−ア
ルキルを表すか、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ
、Cl−C4−アルキル、トリフルオロメチル、CI−
C4−アルコキシ、フッ素及び/または塩素置換された
Cl−C3−アルコキシ、C,−C4−アルキルチオ、
フッ素及び/または塩素置換されたC、−C8−アルキ
ルチオ、CI C4−アルキルスルフィニル、CIC
4−アルキルスルホニル及び/またはC,−C,−アル
コキシ−カルボニルにより随時置換されていてもよいフ
ェニルを表すか、フッ素、塩素、シアノ、フェニル、C
IC4−アルコキシまたはC1−04−アルコキシ−カ
ルボニルにより随時置換されていてもよい(、+Ca−
アルコキシを表すか、C3C4−アルケニルオキジを表
わすか、フッ素、シアノ、CTC<−アルコキシまたは
CI C4−アルコキシ−カルボニルにより随時置換
されていてもよいC,−C4−アルキルアミノを表すか
、C,−C,−シクロアルキルアミノまたはジ(C,−
C4−アルキル)−アミノを表し、 R2はフッ素、塩素、臭素、シアノ、Cs−C8−シク
ロアルキル、CTCs−アルコキシまたはCTC<−ア
ルコキシカルボニルにより随時置換されていてもよいC
,−C,−アルキルを表すか、それぞれフッ素、塩素及
び/または臭素により随時置換されていてもよいCsC
a−アルケニルまたはC3−C,−アルキニルを表すか
、フッ素、塩素、臭素及び/またはCIC4−アルキル
により随時置換されていてもよいCsCe−シクロアル
キルを表すか、シクロへキセニルを表すか、フッ素、塩
素、臭素、シアノ、ニトロ、CIC4−アルキル、トリ
フルオロメチル、CIC4−アルコキシ及び/またはC
IC4−アルコキシカルボニルにより随時置換されてい
てもよいフェニル−CrCs−アルキルを表すか、フッ
素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、C4C4−アルキル
、トリフルオロメチルMCl−C4−アルコキシ、フッ
素及び/または塩素置換されたCTCs−アルコキシ、
Cr−04−アルキルチオ、フッ素及び/または塩素置
換されたC、−C3−アルキルチオ、CI−C,−アル
キルスルフィニル、C,−C4−アルキルスルホニル及
び/またはCIC4−アルコキシ−カルボニルにより随
時置換されていてもよいフェニルを表し、 9! ここでR4及びに5は同一もしくは相異なり、且つ水素
、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ、C,−C,−
アルキル(該基はフッ素、塩素、臭素、シアノ、カルボ
キシル、CI−C4−アルコキシカルボニル、C,−C
4−アルキルアミノ−カルボニル、ジ(CI C4−
アルキル)アミノ−カルボニル、ヒドロキシル、Ct−
C4−アルコキシ、ホルミルオキシ、CI C4−ア
ルキル−カルボニルオキシ、CIC4−アルコキシ−カ
ルボニルオキシ、CIC4−アルキルアミノ−カルボニ
ルオキシ、CIC4−アルキルチオ、CIC4−アルキ
ルスルフィニル、CI−C<−アルキルスルホニル、ジ
ー(C,−C4−アルキル)−アミノスルホニル、C3
−C,−シクロアルキルまたはフェニルにより随装置・
換されていてもよい)を表すか、C2−C,−アルケニ
ル(該基はフッ素、塩素、臭素、シアノ、ClC4−ア
ルコキシ−カルボニル、カルボキシルまたはフェニルに
より随時置換されていてもよい)を表すか、C,−C,
−アルキニル(該基はフッ素、塩素、臭素、シアノ)
、Cl−C4−アルコキシ−カルボニル、カルボキシル
またはフェニルにより随時置換されていてもよい)を表
すか、CIC4−アルコキシ(該基はフッ素、塩素、臭
素、シアノ、カルボキシル、CIC4−アルコキシ−カ
ルボニル、C1C4−アルコキシ、CI C4−アル
キルチオ、C,−C4−アルキルスルフィニルまたはC
IC4−アルキルスルホニルにより随時置換されていて
もよい)を表すか、C+ −04−アルキルチオ(該基
はフッ素、塩素、臭素、シアン、カルボキシル、C,−
C,−アルコキシ−カルボニル、CIC4−アルキルチ
す、C,−C,−アルキルスルフィニルまたはCIC4
−アルキルスルホニルにより随時置換されていてもよい
)を表すか、C3−C,−アルケニルオキシ、(該基は
フッ素、塩素、臭素、シアノまたはCIC4−アルコキ
シ−カルボニルにより随時置換されていてもよい)を表
すか、C,−C・−アルケニルチオ(該基はフッ素、塩
素、臭素、シアノ、ニトロ、C,−C3−アルキルチオ
またはC,−C4−アルコキシカルボニルにより随時置
換されていてもよい) 、C3−C,−アルキニルオキ
シまたはC,−C,−アルキニルチオを表すか、基−8
(0)p−R’を表し、 ここで、pは数字1または2を表し、 R6はCl−C4−アルキル(該基はフッ素、塩素、臭
素、シアノまたはC! −C4−アルコキシ−カルボニ
ルにより随時置換されていてもよい) 、C3−C,−
アルケニル、C1−C。
−アルキニル、CI C4−アルコキシ、01C4−
アルコキシ−CI C4−アルキルアミノ、C,−C
4−アルキルアミノ、ジー(C,−C4−アルキル)−
アミノまたはフェニルを表すか、基−N HOR,’を
表し、ここで、R7はC+ −CI 2−アルキル(該
基はフッ素、塩素、シアノ、C,−C4−アルコキシ、
Cl−C4−アルキルチオ、C,−C4−アルキルスル
フィニル、C,−C1−アルキルスルホニル、CIC4
−アルキルカルボニル、C,−C,−アルコキシカルボ
ニル、ClO4−lO4−アルキルアミノ−カルボニル
ー(CI C4−アルキル)−アミノ−カルボニルに
より随時置換されていてもよい)を表すか、CsCs−
アルケニル(該基はフッ素、塩素または臭素により随時
置換されていてもよい)、C3C6−アルキニル、Cs
Ca−シクロアルキル、C3Ca−シクロアルキル−C
,−C2−アルキル、フェニル−C,−C。
アルコキシ−CI C4−アルキルアミノ、C,−C
4−アルキルアミノ、ジー(C,−C4−アルキル)−
アミノまたはフェニルを表すか、基−N HOR,’を
表し、ここで、R7はC+ −CI 2−アルキル(該
基はフッ素、塩素、シアノ、C,−C4−アルコキシ、
Cl−C4−アルキルチオ、C,−C4−アルキルスル
フィニル、C,−C1−アルキルスルホニル、CIC4
−アルキルカルボニル、C,−C,−アルコキシカルボ
ニル、ClO4−lO4−アルキルアミノ−カルボニル
ー(CI C4−アルキル)−アミノ−カルボニルに
より随時置換されていてもよい)を表すか、CsCs−
アルケニル(該基はフッ素、塩素または臭素により随時
置換されていてもよい)、C3C6−アルキニル、Cs
Ca−シクロアルキル、C3Ca−シクロアルキル−C
,−C2−アルキル、フェニル−C,−C。
−アルキル(該基はフッ素、塩素、ニトロ、シアノ、C
,−C,−アルキル、CI C4−アルコキシまたは
C,−C4−アルコキシ−カルボニルにより随時置換さ
れていてもよい)を表すか、ベンズヒドリルを表すか、
フェニル(該基はフッ素、塩素、ニトロ、シアノ、C,
−C4−アルキル、トリフルオロメチル、C,−C4−
アルコキシ、Cl−C2−フルオロアルコキシ、C,−
C4−アルキルチす、トリフルオロメチルチオまたはC
IC4−アルコキシカルボニルにより随時置換されてい
てもよい)を表す、 R4及び/またはR5はさらにフェニルまたはフェノキ
シを表すか、C,−C4−アルキルカルボニルアミノ、
C,−C4−アルコキシカルボニルアミノ、CI C
4−アルキルアミノ−カルボニルアミノまたはジー(C
I C4−アルキル)−アミノ−カルボニルアミノを
表すか、基−CO−R”を表し、 ココテ、R’はCI−C6−フルキル、CI−C6−ア
ルコキシ、C3−C6−シクロアルコキシ、C3C11
−アルケニルオキシ、C1−04−アルキルチす、CI
C4−アルキルアミノ、CI C4−アルコキシアミ
ノ、C,−04−アルコキシ−CIC4−アルキル−ア
ミノまたはジー(CI C4−アルキル)−アミノ(
これらの基はそれぞれフッ素及び/または塩素により随
時置換されていてもよい)、R4及び/またはR5はさ
らにトリメチルシリル、チアゾリニル、CIC4−アル
キルスルホニルオキシまたはジー(CI C4−アル
キル)−アミノスルホニルアミノを表すか、基−CH=
N−R”を表し、 ここで、R9はフッ素、塩素、シアノ、カルボキシル、
C,−C4−アルコキシ、CIC4−アルキルチオ、C
,−C4−アルキルスルフィニルまたはCIC4−アル
キルスルホニルにより随時置換されていてもよいCTC
s−アルキルを表すか、フッ素または塩素により随時置
換されていてもよいベンジルを表すか、それぞれフッ素
または塩素により随時置換されていてもよいCsCa−
アルケニルまたはCsCa−アルキニルを表すか、フッ
素、塩素、臭素、C,−C,−アルキル、CIC4−ア
ルコキシ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ
またはトリフルオロメチルチオにより随時置換されてい
てもよいフェニルを表すか、それぞれフッ素及び/また
は塩素により随時ちかんされていてもよいCr −Cs
−アルコキシ、C,−C,−アルケノキシ、C3−C1
−アルキノキシまたはベンジルオキシを表すか、アミノ
、CIC4−アルキルアミノ、ジー(C,−C,−アル
キル)−アミノ、フェニル−アミノ、C,+C4−アル
キルーカルボニルーアミノ、CIC4−アルコキシ−カ
ルボニルアミノまたはCIC4−アルキル−スルホニル
−アミノを表すか、フッ素、塩素、臭素またはメチルに
より随時置換されてイテモヨいフェニルスルホニルアミ
ノを表す、ここで、R18は水素またはCIC4−アル
キルを表し、 R目及びR’2は同一もしくは相異なり、且つ水素、フ
ッ素、塩素、臭素、ニトロ、シアノ、CTCイーアルキ
ル(該基はフッ素及び/または塩素により随時置換され
ていてもよい)、C,−Cじアルコキシ(該基はフッ素
及び/または塩素により随時置換されていてもよい)、
カルボキシル、C1−C4−アルコキシ−カルボニル、
ジメチルアミノカルボニル、Cl−C4−アルキルスル
ホニルまたはジー(C+−C4−アルキル)−アミノス
ルホニルを表す;さらに ここでR+3及びR14は同一もしくは相異なり、且つ
水素、フッ素、塩素、臭素、ニトロ、シアノ、CIC4
−アルキル(該基はフッ素及び/または塩素により随時
置換されていてもよい)またはC,−C,−アルコキシ
(該基はフッ素及び/または塩素により随時置換されて
いてもよい)を表す; ここでRI5及びR16は同一もしくは相異なり、且つ
水素、フッ素、塩素、臭素、ニトロ、シアノ、CIC4
−アルキル(該基はフッ素及び/または塩素により随時
置換されていてもよい)、CIC4−アルコキシ(該基
はフッ素及び/または塩素により随時置換されていても
よい)を表すか、CI 04−アルキルチオ、CIC
4−アルキルスルフィニルまたはCI C4−アルキ
ルスルホニル(これらの基はそれぞれフッ素及び/また
は塩素により随時置換されていてもよい)を表すか、ア
ミノスルホニル、モノ−(CI C<−アルキル)−
アミノスルホニルを表すか、ジー(C,−C4−アルキ
ル)−アミノスルホニルまたはCI C<−アルコキ
シカルボニルまたはジメチルアミノカルボニルを表す; ここで、R′7及びRIMは同一もしくは相異なり、且
つ水素、フッ素、塩素、臭素、C1−C4−アルキル(
該基はフッ素及び/または臭素により随時置換されてい
てもよい)、C1C4−アルコキシ(該基はフッ素及び
/または塩素により随時置換されていてもよい)を表す
か、CI 04−アルキルチオ、C1−C4−アルキ
ルスルフィニルまたはC,−C。
,−C,−アルキル、CI C4−アルコキシまたは
C,−C4−アルコキシ−カルボニルにより随時置換さ
れていてもよい)を表すか、ベンズヒドリルを表すか、
フェニル(該基はフッ素、塩素、ニトロ、シアノ、C,
−C4−アルキル、トリフルオロメチル、C,−C4−
アルコキシ、Cl−C2−フルオロアルコキシ、C,−
C4−アルキルチす、トリフルオロメチルチオまたはC
IC4−アルコキシカルボニルにより随時置換されてい
てもよい)を表す、 R4及び/またはR5はさらにフェニルまたはフェノキ
シを表すか、C,−C4−アルキルカルボニルアミノ、
C,−C4−アルコキシカルボニルアミノ、CI C
4−アルキルアミノ−カルボニルアミノまたはジー(C
I C4−アルキル)−アミノ−カルボニルアミノを
表すか、基−CO−R”を表し、 ココテ、R’はCI−C6−フルキル、CI−C6−ア
ルコキシ、C3−C6−シクロアルコキシ、C3C11
−アルケニルオキシ、C1−04−アルキルチす、CI
C4−アルキルアミノ、CI C4−アルコキシアミ
ノ、C,−04−アルコキシ−CIC4−アルキル−ア
ミノまたはジー(CI C4−アルキル)−アミノ(
これらの基はそれぞれフッ素及び/または塩素により随
時置換されていてもよい)、R4及び/またはR5はさ
らにトリメチルシリル、チアゾリニル、CIC4−アル
キルスルホニルオキシまたはジー(CI C4−アル
キル)−アミノスルホニルアミノを表すか、基−CH=
N−R”を表し、 ここで、R9はフッ素、塩素、シアノ、カルボキシル、
C,−C4−アルコキシ、CIC4−アルキルチオ、C
,−C4−アルキルスルフィニルまたはCIC4−アル
キルスルホニルにより随時置換されていてもよいCTC
s−アルキルを表すか、フッ素または塩素により随時置
換されていてもよいベンジルを表すか、それぞれフッ素
または塩素により随時置換されていてもよいCsCa−
アルケニルまたはCsCa−アルキニルを表すか、フッ
素、塩素、臭素、C,−C,−アルキル、CIC4−ア
ルコキシ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ
またはトリフルオロメチルチオにより随時置換されてい
てもよいフェニルを表すか、それぞれフッ素及び/また
は塩素により随時ちかんされていてもよいCr −Cs
−アルコキシ、C,−C,−アルケノキシ、C3−C1
−アルキノキシまたはベンジルオキシを表すか、アミノ
、CIC4−アルキルアミノ、ジー(C,−C,−アル
キル)−アミノ、フェニル−アミノ、C,+C4−アル
キルーカルボニルーアミノ、CIC4−アルコキシ−カ
ルボニルアミノまたはCIC4−アルキル−スルホニル
−アミノを表すか、フッ素、塩素、臭素またはメチルに
より随時置換されてイテモヨいフェニルスルホニルアミ
ノを表す、ここで、R18は水素またはCIC4−アル
キルを表し、 R目及びR’2は同一もしくは相異なり、且つ水素、フ
ッ素、塩素、臭素、ニトロ、シアノ、CTCイーアルキ
ル(該基はフッ素及び/または塩素により随時置換され
ていてもよい)、C,−Cじアルコキシ(該基はフッ素
及び/または塩素により随時置換されていてもよい)、
カルボキシル、C1−C4−アルコキシ−カルボニル、
ジメチルアミノカルボニル、Cl−C4−アルキルスル
ホニルまたはジー(C+−C4−アルキル)−アミノス
ルホニルを表す;さらに ここでR+3及びR14は同一もしくは相異なり、且つ
水素、フッ素、塩素、臭素、ニトロ、シアノ、CIC4
−アルキル(該基はフッ素及び/または塩素により随時
置換されていてもよい)またはC,−C,−アルコキシ
(該基はフッ素及び/または塩素により随時置換されて
いてもよい)を表す; ここでRI5及びR16は同一もしくは相異なり、且つ
水素、フッ素、塩素、臭素、ニトロ、シアノ、CIC4
−アルキル(該基はフッ素及び/または塩素により随時
置換されていてもよい)、CIC4−アルコキシ(該基
はフッ素及び/または塩素により随時置換されていても
よい)を表すか、CI 04−アルキルチオ、CIC
4−アルキルスルフィニルまたはCI C4−アルキ
ルスルホニル(これらの基はそれぞれフッ素及び/また
は塩素により随時置換されていてもよい)を表すか、ア
ミノスルホニル、モノ−(CI C<−アルキル)−
アミノスルホニルを表すか、ジー(C,−C4−アルキ
ル)−アミノスルホニルまたはCI C<−アルコキ
シカルボニルまたはジメチルアミノカルボニルを表す; ここで、R′7及びRIMは同一もしくは相異なり、且
つ水素、フッ素、塩素、臭素、C1−C4−アルキル(
該基はフッ素及び/または臭素により随時置換されてい
てもよい)、C1C4−アルコキシ(該基はフッ素及び
/または塩素により随時置換されていてもよい)を表す
か、CI 04−アルキルチオ、C1−C4−アルキ
ルスルフィニルまたはC,−C。
−アルキルスルホニル(該基はフッ素及び/または塩素
により随時置換されていてもよい)を表すか、ジー(C
,−C,−アルキル)−アミノスルホニルを表す; ここで、RI9及びR2°は同一もしくは相異なり、且
つ水素、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、CIC
4−アルキル(該基はフッ素及び/または塩素により随
時置換されていてもよい)、CIC4−アルコキシ(該
基はフッ素及び/または塩素により随時置換されていて
もよい)、CIC4−アルキルスルフイ二/L4たはC
,−C,−アルキルスルホニル(該基はフッ素及び/ま
たは塩素により随時置換されていてもよい)、ジー(C
,−C4−アルキル)−アミノ−スルホニル、C,−C
4−アルコキシ−カルボニルまたはジメチルアミノカル
ボニルを表し、 Aは酸素、硫黄または基N−Z’を表し、ここで、Zl
は水素、CIC4−アルキル(該基はフッ素、塩素、臭
素またはシアノにより随時置換されていてもよい)、C
3C6−シクロアルキル、ベンジル、フェニル(該基は
フッ素、塩素、臭素またはニトロにより随時置換されて
いてもよい) 、C,−C4−アルキルカルボニル、C
IC4−アルコキシ−カルボニルまたはジー(CI
C4−アルキル)−アミノカルボニルを表す: 21 ここで、R2′及びR22は同一もしくは相異なり、且
つ水素、CIC4−アルキル、ハロゲン、C,−C,−
アルコキシカルボニル、Cl−C4−アルコキシまたは
C,−C4−ハロゲノアルコキシを表し、 Ylは硫黄または基NR23を表し、 ここでR43は水素またはCI−C4−アルキルを表す
; 26 24 ここで、R24は水素、C,−C4−アルキル、ベンジ
ル、ピリジル、キノリニルまたはフェニルを表し、 R25は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、C,−C4
−アルキル(該基はフッ素及び/または塩素により随時
置換されていてもよい)、CI 04−アルコキシ(
該基はフッ素及び/または塩素により随時置換されてい
てもよい)、ジオキソラニルまたはC,−C4−アルコ
キシ−カルボニルを表し、 R411は水素、ハロゲンまたはC,−C4〜アルキル
を表す: さらに、R3は下記の基の内の1基を表す、υ の化合物に関するものである。
により随時置換されていてもよい)を表すか、ジー(C
,−C,−アルキル)−アミノスルホニルを表す; ここで、RI9及びR2°は同一もしくは相異なり、且
つ水素、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、CIC
4−アルキル(該基はフッ素及び/または塩素により随
時置換されていてもよい)、CIC4−アルコキシ(該
基はフッ素及び/または塩素により随時置換されていて
もよい)、CIC4−アルキルスルフイ二/L4たはC
,−C,−アルキルスルホニル(該基はフッ素及び/ま
たは塩素により随時置換されていてもよい)、ジー(C
,−C4−アルキル)−アミノ−スルホニル、C,−C
4−アルコキシ−カルボニルまたはジメチルアミノカル
ボニルを表し、 Aは酸素、硫黄または基N−Z’を表し、ここで、Zl
は水素、CIC4−アルキル(該基はフッ素、塩素、臭
素またはシアノにより随時置換されていてもよい)、C
3C6−シクロアルキル、ベンジル、フェニル(該基は
フッ素、塩素、臭素またはニトロにより随時置換されて
いてもよい) 、C,−C4−アルキルカルボニル、C
IC4−アルコキシ−カルボニルまたはジー(CI
C4−アルキル)−アミノカルボニルを表す: 21 ここで、R2′及びR22は同一もしくは相異なり、且
つ水素、CIC4−アルキル、ハロゲン、C,−C,−
アルコキシカルボニル、Cl−C4−アルコキシまたは
C,−C4−ハロゲノアルコキシを表し、 Ylは硫黄または基NR23を表し、 ここでR43は水素またはCI−C4−アルキルを表す
; 26 24 ここで、R24は水素、C,−C4−アルキル、ベンジ
ル、ピリジル、キノリニルまたはフェニルを表し、 R25は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、C,−C4
−アルキル(該基はフッ素及び/または塩素により随時
置換されていてもよい)、CI 04−アルコキシ(
該基はフッ素及び/または塩素により随時置換されてい
てもよい)、ジオキソラニルまたはC,−C4−アルコ
キシ−カルボニルを表し、 R411は水素、ハロゲンまたはC,−C4〜アルキル
を表す: さらに、R3は下記の基の内の1基を表す、υ の化合物に関するものである。
さらに本発明は好ましくは、n、R’、R2及びR5が
好ましいものとして、上に示した意味を有する式(I)
の化合物のナトリウム塩類、カリウム塩類、マグネシウ
ム塩類、カルシウム塩類、アンモニウム塩類、CIC<
−アルキル−アンモニウム塩類、ジー(CI Cs−
アルキル)−アンモニウム塩類、トリー(CI 04
−アルキル)−アンモニウム塩類、C5−またはC6−
シクロアルキル−アンモニウム塩類及びジー(CI
C2−アルキル)−ベンジルーアンモニウム塩類に関す
るものである。
好ましいものとして、上に示した意味を有する式(I)
の化合物のナトリウム塩類、カリウム塩類、マグネシウ
ム塩類、カルシウム塩類、アンモニウム塩類、CIC<
−アルキル−アンモニウム塩類、ジー(CI Cs−
アルキル)−アンモニウム塩類、トリー(CI 04
−アルキル)−アンモニウム塩類、C5−またはC6−
シクロアルキル−アンモニウム塩類及びジー(CI
C2−アルキル)−ベンジルーアンモニウム塩類に関す
るものである。
殊に、本発明式<I)
式中、nは数字0.1または2を表し、R1は水素また
はアミノを表すか、フッ素、シアノ、メトキシまたはエ
トキシにより随時置換されていてもよいCl−C4−ア
ルキルを表すか、アリルを表すか、CsCe−シクロア
ルキルを表すか、ベンジルを表すか、フェニルを表すか
、C,−C4−アルコキシを表すか、Cs−04−アル
ケニルオキシを表すが、CI Cs−アルキルアミノ
、C3C6−シクロアルキルアミノを表すか、ジー(C
,−C3−アルキル)−アミノを表し、 R2は水素を表すか、フッ素及び/または塩素、メトキ
シまたはエトキシにより随時置換されていてもよいC,
−C,−アルキルを表すか、フッ素/または塩素により
随時置換されていてもよいC3−C,−アルケニルを表
すか、C,−C,−シクロアルキルを表すが、フッ素、
塩素及び/またはメチルにより随時置換されていてもよ
いベンジルを表わし、 ここで R4はフッ素、塩素、臭素、メチル、トリフル
オロメチル、メトキシ、ジフルオロメトキシ、トリフル
オロメトキシ、2−クロロ−エトキシ、2−メトキシ−
エトキシ、CI Cs−アルキルチオ、C,−C3−
アルキルスルフィニル、CrCs−アルキルスルホニル
、ジメチルアミノスルホニル、ジエチルアミノスルホニ
ル、N−メトキシ−N−メチルアミノスルホニル、メト
キシアミノスルホニル、フェニル、フェノキシまたはC
I Cs−アルコキシ−カルボニルを表し、 R5は水素、フッ素、塩素または臭素を表す;ここで、
R”は水素を表し、 Rl lはフッ素、塩素、臭素、メチル、メトキシ、ジ
フルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルスル
ホニルまたはジメチルアミノスルホニルを表し、 RI2は水素を表す; ここで、RはCI C4−アルキルを表すか、CB。
はアミノを表すか、フッ素、シアノ、メトキシまたはエ
トキシにより随時置換されていてもよいCl−C4−ア
ルキルを表すか、アリルを表すか、CsCe−シクロア
ルキルを表すか、ベンジルを表すか、フェニルを表すか
、C,−C4−アルコキシを表すか、Cs−04−アル
ケニルオキシを表すが、CI Cs−アルキルアミノ
、C3C6−シクロアルキルアミノを表すか、ジー(C
,−C3−アルキル)−アミノを表し、 R2は水素を表すか、フッ素及び/または塩素、メトキ
シまたはエトキシにより随時置換されていてもよいC,
−C,−アルキルを表すか、フッ素/または塩素により
随時置換されていてもよいC3−C,−アルケニルを表
すか、C,−C,−シクロアルキルを表すが、フッ素、
塩素及び/またはメチルにより随時置換されていてもよ
いベンジルを表わし、 ここで R4はフッ素、塩素、臭素、メチル、トリフル
オロメチル、メトキシ、ジフルオロメトキシ、トリフル
オロメトキシ、2−クロロ−エトキシ、2−メトキシ−
エトキシ、CI Cs−アルキルチオ、C,−C3−
アルキルスルフィニル、CrCs−アルキルスルホニル
、ジメチルアミノスルホニル、ジエチルアミノスルホニ
ル、N−メトキシ−N−メチルアミノスルホニル、メト
キシアミノスルホニル、フェニル、フェノキシまたはC
I Cs−アルコキシ−カルボニルを表し、 R5は水素、フッ素、塩素または臭素を表す;ここで、
R”は水素を表し、 Rl lはフッ素、塩素、臭素、メチル、メトキシ、ジ
フルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルスル
ホニルまたはジメチルアミノスルホニルを表し、 RI2は水素を表す; ここで、RはCI C4−アルキルを表すか、CB。
ここでRはC,−C,−アルキルを表す、の化合物に関
するものである。
するものである。
本発明における化合物の例を下記の第1表に4′・げる
−製造実施例も合わせて参照。
−製造実施例も合わせて参照。
R1l+
第1表:式(I)の化合物の例
CH。
2CHO
出発物質として用いた場合、本発明による方法6)の反
応過程は以下の式で概説することが出来る:もし、例え
ば2.6−シフルオローフエニルイソシアネート及び5
−エチルチオ−4−メトキシ−2,4−ジヒドロ−38
−1,2,4−)リアゾール−3−オンを出発物質とし
て用いた場合、本発明による方法(、)の反応過程は以
下の式で概説することが出来る: もし例えば、出発物質として、N−メトキシカルボニル
−2−メトキシベンゼンスルホンアミド及び5−メチル
スルホニル−4−ジフルオロメチル−2,4−ジヒドロ
−3H−1,2,4−1−リアゾール−3−オンを用い
た場合、本発明による方法(c)の反応過程は、以下の
式によって概説できるもし、例えば、2−メチルチオ−
ベンゼンスルホンアミド及び2−クロロカルボニル−4
−ジメチルアミノ−5−プロピルチオ−2,4−ジヒド
ロ−38−1,2,4−トリアゾール−3−オンを式■
は、式(I)の化合物の合成の為に本発明による方法(
a)及び(C)における出発物質として用いられるトリ
アゾリノンの一般的な定義を与えるものである。
応過程は以下の式で概説することが出来る:もし、例え
ば2.6−シフルオローフエニルイソシアネート及び5
−エチルチオ−4−メトキシ−2,4−ジヒドロ−38
−1,2,4−)リアゾール−3−オンを出発物質とし
て用いた場合、本発明による方法(、)の反応過程は以
下の式で概説することが出来る: もし例えば、出発物質として、N−メトキシカルボニル
−2−メトキシベンゼンスルホンアミド及び5−メチル
スルホニル−4−ジフルオロメチル−2,4−ジヒドロ
−3H−1,2,4−1−リアゾール−3−オンを用い
た場合、本発明による方法(c)の反応過程は、以下の
式によって概説できるもし、例えば、2−メチルチオ−
ベンゼンスルホンアミド及び2−クロロカルボニル−4
−ジメチルアミノ−5−プロピルチオ−2,4−ジヒド
ロ−38−1,2,4−トリアゾール−3−オンを式■
は、式(I)の化合物の合成の為に本発明による方法(
a)及び(C)における出発物質として用いられるトリ
アゾリノンの一般的な定義を与えるものである。
式■におけるn s R’及びR2は好ましくは、もし
くは殊に、本発明における式(I)の化合物の記載に関
連して、n、R’及びR2に対して好ましい、もしくは
殊に好ましいとして既に上に述べた意味を有する。
くは殊に、本発明における式(I)の化合物の記載に関
連して、n、R’及びR2に対して好ましい、もしくは
殊に好ましいとして既に上に述べた意味を有する。
式■の出発物質の例を以下の表2に挙げる。
第2表二式■の出発物質の例
RI R2
■ CI。
CHg CH3
C2HII CH3
C387CH3
CH(CHs)x CtlaC4H9CHs
−りCH3
Cf13 C2H6
CH! C3H7
Cl、 CH(CHa) 2CH3C
H2−CH=CH2 CIO3Cut−C=CH C2t15 CH=CH2Cx’A
s −<C2+15 CH2−Cfl=CI’lIC,Hゆ CH2−ClllBr−CH2Br C20゜
べ 3H7 イ CH(CHs)z 0C2116C
1(CH3)2 0C31(7Cf1
(CL) 2 0C1lz−CH=C
J C3H70C2H6Cdh
0C2115−CH2−C=CH(I C8H) C3H7
00CH3CH30 0CI(3C2H50 式■の出発物質は公知であり且つ/または公知の方法で
合成することが出来る(J、 Heterocycl。
H2−CH=CH2 CIO3Cut−C=CH C2t15 CH=CH2Cx’A
s −<C2+15 CH2−Cfl=CI’lIC,Hゆ CH2−ClllBr−CH2Br C20゜
べ 3H7 イ CH(CHs)z 0C2116C
1(CH3)2 0C31(7Cf1
(CL) 2 0C1lz−CH=C
J C3H70C2H6Cdh
0C2115−CH2−C=CH(I C8H) C3H7
00CH3CH30 0CI(3C2H50 式■の出発物質は公知であり且つ/または公知の方法で
合成することが出来る(J、 Heterocycl。
Chem、 15 (I978) 、 I)p、
377−384;DE−O8(ドイツ国特許出願公開明
細書)2゜250.572 ;DE−O8(ドイツ国特
許出願公開明細書)2,527.676 ;DE−O8
(ドイツ国特許出願公開明細書)3,709.574
:米国特許第4,098,896号;米国特許第4゜1
10.332号;日本国特許公開特許公報52−125
168参照)。
377−384;DE−O8(ドイツ国特許出願公開明
細書)2゜250.572 ;DE−O8(ドイツ国特
許出願公開明細書)2,527.676 ;DE−O8
(ドイツ国特許出願公開明細書)3,709.574
:米国特許第4,098,896号;米国特許第4゜1
10.332号;日本国特許公開特許公報52−125
168参照)。
式[相]は、式(I)の化合物の合成の為に本発明によ
る方法(、)の出発物質としても用いられるイソシアン
酸スルホニルの一般的な定義を与えるものである。
る方法(、)の出発物質としても用いられるイソシアン
酸スルホニルの一般的な定義を与えるものである。
式■におけるR3は好ましくは、または殊に、本発明に
おける式(I)の化合物の記載に関連して、R3に対し
て好ましい、または殊に好ましいとして既に上に述べた
意味を有する。
おける式(I)の化合物の記載に関連して、R3に対し
て好ましい、または殊に好ましいとして既に上に述べた
意味を有する。
記載し得る式■の出発物質の例:
2−フルオロ−12−クロロ−12−ブロモ−2−メチ
ル−12−メトキシ−12−トリフルオロメチル−12
−ジフルオロメトキシ−12−トリフルオロメトキシ−
12−メチルチオ−12−エチルチオ−12−プロピル
チオ−12−メチルスルフィニル−12−メチルスルホ
ニル−12−ジメチルアミノスルホニル−12−ジエチ
ルアミノスルホニル−12−(N−メトキシ−N−メチ
ル)−アミノスルホニル−12−フェニル−12−フェ
ノキシ−,2−メトキシカルボニル−12−エトキシカ
ルボニル−12−プロポキシカルボニル−及び2−イソ
プロポキシカルボニル−フェニルスルホニルイソシアネ
ート、2−フルオロ−2−クロロ−12−ジフルオロメ
トキシ−12−トリフルオロメトキシ−52−メトキシ
カルボニル−及び2−エトキシカルボニル−ベンジルス
ルホニルイソシアネート、2−メトキシカルボニル−3
−チエニル−スルホニルイソシアネート、4−メトキシ
カルボニル−及び4−エトキシカルボニル−1−メチル
−ピラゾール−5−イル−スルホニルイソシアネート。
ル−12−メトキシ−12−トリフルオロメチル−12
−ジフルオロメトキシ−12−トリフルオロメトキシ−
12−メチルチオ−12−エチルチオ−12−プロピル
チオ−12−メチルスルフィニル−12−メチルスルホ
ニル−12−ジメチルアミノスルホニル−12−ジエチ
ルアミノスルホニル−12−(N−メトキシ−N−メチ
ル)−アミノスルホニル−12−フェニル−12−フェ
ノキシ−,2−メトキシカルボニル−12−エトキシカ
ルボニル−12−プロポキシカルボニル−及び2−イソ
プロポキシカルボニル−フェニルスルホニルイソシアネ
ート、2−フルオロ−2−クロロ−12−ジフルオロメ
トキシ−12−トリフルオロメトキシ−52−メトキシ
カルボニル−及び2−エトキシカルボニル−ベンジルス
ルホニルイソシアネート、2−メトキシカルボニル−3
−チエニル−スルホニルイソシアネート、4−メトキシ
カルボニル−及び4−エトキシカルボニル−1−メチル
−ピラゾール−5−イル−スルホニルイソシアネート。
式■のイソシアン酸スルホニルは公知であり且つ/また
は公知の方法で合成することが出来る。
は公知の方法で合成することが出来る。
(米国特許第4,127,405号、第4.169゜7
19号、第4,371,391号;ヨーロッパ特許第7
687号、第13480号、第21641号、第231
41号、第23422号、第30139号、第3589
3号、第44808号、第44809号、第48143
号、第51466号、第64322号、第70041号
、第173312号参照)。
19号、第4,371,391号;ヨーロッパ特許第7
687号、第13480号、第21641号、第231
41号、第23422号、第30139号、第3589
3号、第44808号、第44809号、第48143
号、第51466号、第64322号、第70041号
、第173312号参照)。
式(I)の新規な化合物の合成の為の本発明による方法
(、)は好ましくは希釈剤を用いて行われる。この用途
に適した希釈剤はほとんどすべての不活性有機溶媒であ
る。これらは好ましくは脂肪族及び芳香族、随時ハロゲ
ン化された炭化水素、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプ
タン、シクロヘキサン、石油エーテル、ベンジン、リグ
ロイン、ベンゼン、トルエン、キシレン、塩化メチレン
、塩化エチレン、クロロホルム四塩化炭素、クロロベン
ゼン及び○−ジクロロベンゼン、エーテル、例えばジエ
チルエーテル及びジブチルエーテル、グリコールジメチ
ルエーテル及びジグリコールジメチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン及びジオキサン、ケトン、例えばアセトン
、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン及び
メチルイソブチルケトン、エステル、例えば酢酸メチル
及び酢酸エチル、ニトリル、例えばアセトニトリル及び
プロピオニトリル、アミド、例えばジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド及びN−メチル−ピロリドン
、及びまたジメチルスルホキサイド、テトラメチレンス
ルホン及びヘキサメチルリン酸トリアミドを包含する。
(、)は好ましくは希釈剤を用いて行われる。この用途
に適した希釈剤はほとんどすべての不活性有機溶媒であ
る。これらは好ましくは脂肪族及び芳香族、随時ハロゲ
ン化された炭化水素、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプ
タン、シクロヘキサン、石油エーテル、ベンジン、リグ
ロイン、ベンゼン、トルエン、キシレン、塩化メチレン
、塩化エチレン、クロロホルム四塩化炭素、クロロベン
ゼン及び○−ジクロロベンゼン、エーテル、例えばジエ
チルエーテル及びジブチルエーテル、グリコールジメチ
ルエーテル及びジグリコールジメチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン及びジオキサン、ケトン、例えばアセトン
、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン及び
メチルイソブチルケトン、エステル、例えば酢酸メチル
及び酢酸エチル、ニトリル、例えばアセトニトリル及び
プロピオニトリル、アミド、例えばジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド及びN−メチル−ピロリドン
、及びまたジメチルスルホキサイド、テトラメチレンス
ルホン及びヘキサメチルリン酸トリアミドを包含する。
本発明による方法(、)における反応温度はかなりの範
囲で変えることが出来る。通常、反応は0℃から150
℃の間の温度、好ましくは10℃から80℃の間の温度
で行われる。
囲で変えることが出来る。通常、反応は0℃から150
℃の間の温度、好ましくは10℃から80℃の間の温度
で行われる。
本発明による方法(a)は通常、常圧下で行われる。
本発明による方法(、)を行うために、式■のトリアゾ
リノン1モル当り式■のイソシアン酸スルホニル1から
3モル、好ましくは1から2モルが通常用いられる。
リノン1モル当り式■のイソシアン酸スルホニル1から
3モル、好ましくは1から2モルが通常用いられる。
反応剤はいかなる所望の配列順にも組み合わせることが
出来る。反応混合物は、反応が完了するまで撹拌され、
そして生成物は吸引濾過により単離される。異なる仕上
げ方においては、混合物は濃縮され、モして残渣に残っ
た粗生成物は適当な溶剤、例えばジエチルエーテルによ
って晶出される。この方法では結晶状で得られる式(I
)の生成物は吸引濾過により単離される。
出来る。反応混合物は、反応が完了するまで撹拌され、
そして生成物は吸引濾過により単離される。異なる仕上
げ方においては、混合物は濃縮され、モして残渣に残っ
た粗生成物は適当な溶剤、例えばジエチルエーテルによ
って晶出される。この方法では結晶状で得られる式(I
)の生成物は吸引濾過により単離される。
式のは式(I)の化合物の合成のために本発明による方
法(I,)の出発物質として用いられるトリアゾリノン
誘導体の一般的な定義を与えるものである。
法(I,)の出発物質として用いられるトリアゾリノン
誘導体の一般的な定義を与えるものである。
式ωでは、nXR’及びR2は好ましくは、または殊に
、本発明における式(I)の化合物の記載に関連して、
nSR’及びR2に対して好ましい、もしくは殊に好ま
しいものとして既に上に述べた意味を有し、モしてZは
好ましくは塩素、CIC4−アルコキシ、ベンジルオキ
シまたはフェノキシ、特にメトキシまたはフェノキシを
表す。
、本発明における式(I)の化合物の記載に関連して、
nSR’及びR2に対して好ましい、もしくは殊に好ま
しいものとして既に上に述べた意味を有し、モしてZは
好ましくは塩素、CIC4−アルコキシ、ベンジルオキ
シまたはフェノキシ、特にメトキシまたはフェノキシを
表す。
式ωの出発物質に可能な例は、表2に挙げられたもの及
びホスゲン、クロロホルム酸メチル、クロロホルム酸ベ
ンジル、クロロホルム酸フェニルまたは炭酸ジフェニル
などの式■の化合物によって合成される式動の化合物で
ある。
びホスゲン、クロロホルム酸メチル、クロロホルム酸ベ
ンジル、クロロホルム酸フェニルまたは炭酸ジフェニル
などの式■の化合物によって合成される式動の化合物で
ある。
式ωの出発物質はこれまで公知ではない。
式ωの新規なトリアゾリノン誘導体は一般式■式中、n
、R’及びR2は上に述べた意味を有する、 のトリアゾリノンが一般式(XI) Z−Co−Zl (XI >式中、
Zは上に述べた意味を有する、モしてZlは脱離基、例
えば塩素、メトキシ、ベンジルオキシまたはフェノキシ
を表す、 の炭酸誘導体と、もし適当なら希釈剤、例えばテトラヒ
ドロフランの存在下で、そしてもし適当なら酸受容体、
例えば水酸化ナトリウムまたはtert−ブチルカリウ
ムと、−20℃から+100℃の間の温度で反応した時
に得られる(製造実施例も合わせて参照)。
、R’及びR2は上に述べた意味を有する、 のトリアゾリノンが一般式(XI) Z−Co−Zl (XI >式中、
Zは上に述べた意味を有する、モしてZlは脱離基、例
えば塩素、メトキシ、ベンジルオキシまたはフェノキシ
を表す、 の炭酸誘導体と、もし適当なら希釈剤、例えばテトラヒ
ドロフランの存在下で、そしてもし適当なら酸受容体、
例えば水酸化ナトリウムまたはtert−ブチルカリウ
ムと、−20℃から+100℃の間の温度で反応した時
に得られる(製造実施例も合わせて参照)。
式(至)は式(I)の化合物の合成のために本発明によ
る方法山)における出発物質としてもまた用いられるス
ルホンアミドの一般的な定義を与えるものである。
る方法山)における出発物質としてもまた用いられるス
ルホンアミドの一般的な定義を与えるものである。
式(至)におけるR3は好ましくはもしくは殊に本発明
における式(I)の化合物の記載に関連して、R3に対
して好ましい、もしくは殊に好ましいものとして上に述
べた意味を有する。
における式(I)の化合物の記載に関連して、R3に対
して好ましい、もしくは殊に好ましいものとして上に述
べた意味を有する。
式■の出発物質として述べられつるものの例:2−フル
オロ−12−クロロ−12−ブロモ−2−メチル−12
−メトキシ−12−トリフルオロメチル−12−ジフル
オロメトキシ−12−トリフルオロメトキシ−12−メ
チルチオ−12−エチルチオ−12−プロピルチオ−1
2−メチルスルフィニル−12−メチルスルホニル−1
2−ジメチルアミノスルホニル−12−ジエチルアミノ
スルホニル、2−(N−メトキシ−N−メチル)−アミ
ノスルホニル−12−フェニル−12−フェノキシ−1
2−メトキシカルボニル−12−エトキシカルボニル−
12−プロポキシカルボニル−及び2−イソプロポキシ
カルボニル−ベンゼンスルホンアミド、2−フルオロ−
12−クロロ−2−ジフルオロメトキシ−12−トリフ
ルオロメトキシ−12−メトキシカルボニル−及び2−
エトキシカルボニル−フェニルメタンスルホンアミド、
2−メトキシカルボニル−3−千オフェンスルホンアミ
ド、4−メトキシカルボニル−及び4−エトキシカルボ
ニル−1−メチル−ピラゾール−5−スルホンアミド。
オロ−12−クロロ−12−ブロモ−2−メチル−12
−メトキシ−12−トリフルオロメチル−12−ジフル
オロメトキシ−12−トリフルオロメトキシ−12−メ
チルチオ−12−エチルチオ−12−プロピルチオ−1
2−メチルスルフィニル−12−メチルスルホニル−1
2−ジメチルアミノスルホニル−12−ジエチルアミノ
スルホニル、2−(N−メトキシ−N−メチル)−アミ
ノスルホニル−12−フェニル−12−フェノキシ−1
2−メトキシカルボニル−12−エトキシカルボニル−
12−プロポキシカルボニル−及び2−イソプロポキシ
カルボニル−ベンゼンスルホンアミド、2−フルオロ−
12−クロロ−2−ジフルオロメトキシ−12−トリフ
ルオロメトキシ−12−メトキシカルボニル−及び2−
エトキシカルボニル−フェニルメタンスルホンアミド、
2−メトキシカルボニル−3−千オフェンスルホンアミ
ド、4−メトキシカルボニル−及び4−エトキシカルボ
ニル−1−メチル−ピラゾール−5−スルホンアミド。
式(至)のスルホンアミドは公知である及び/または公
知の方法で得ることが出来る(米国特許第412740
5号、第4169719号、第4371391号;ヨー
ロッパ第7687号、第13480号、第21641号
、第23141号、第23422号、第30139号、
第35893号、第44808号、第44809号、第
48143号、第51466号、第64322号、第7
0041号、第173312号を参照)。
知の方法で得ることが出来る(米国特許第412740
5号、第4169719号、第4371391号;ヨー
ロッパ第7687号、第13480号、第21641号
、第23141号、第23422号、第30139号、
第35893号、第44808号、第44809号、第
48143号、第51466号、第64322号、第7
0041号、第173312号を参照)。
本発明による方法(b)において、式(I)の新規な化
合物の合成は、好ましくは希釈剤を用いて行われる。こ
の用途に適した希釈剤はほとんどすべての不活性有機溶
媒、例えば本発明による方法(、)に対して示されたも
のである。
合物の合成は、好ましくは希釈剤を用いて行われる。こ
の用途に適した希釈剤はほとんどすべての不活性有機溶
媒、例えば本発明による方法(、)に対して示されたも
のである。
本発明による方法(b)に用いつる酸受容体はこのタイ
プの反応に通常用いられ得るすべての酸結合剤である。
プの反応に通常用いられ得るすべての酸結合剤である。
以下のものが好ましくは適している:アルカリ金属水酸
化物、例えば、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム、
アルカリ土類金属水酸化物、例えば、水酸化カルシウム
、アルカリ金属炭酸塩及びアルカリ金属アルコール、例
えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、tert−ブチル
ナトリウム及びtert−ブチルカリウム、さらに脂肪
族、芳香族またはへテロ環アミン、例えばトリエチルア
ミン、トリメチルアミン、ジメチルアニリン、ジメチル
ベンジルアミン、ピリジン、1.5−ジアゾビシクロ−
[4,3,01−ノン−5−エン(DBN) 、1.8
−ジアザビシクロ−[5,4,0]−ウンデケ−7−エ
ン(D B U)及び1,4−ジアザビシクロ[2,2
,2]−オクタン(DABCO)。
化物、例えば、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム、
アルカリ土類金属水酸化物、例えば、水酸化カルシウム
、アルカリ金属炭酸塩及びアルカリ金属アルコール、例
えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、tert−ブチル
ナトリウム及びtert−ブチルカリウム、さらに脂肪
族、芳香族またはへテロ環アミン、例えばトリエチルア
ミン、トリメチルアミン、ジメチルアニリン、ジメチル
ベンジルアミン、ピリジン、1.5−ジアゾビシクロ−
[4,3,01−ノン−5−エン(DBN) 、1.8
−ジアザビシクロ−[5,4,0]−ウンデケ−7−エ
ン(D B U)及び1,4−ジアザビシクロ[2,2
,2]−オクタン(DABCO)。
本発明による方法山)における反応温度はかなりの範囲
で変えることが出来る。通常、方法は0°Cから100
℃の間の温度、好ましくは10℃から60℃の間の温度
で行われる。
で変えることが出来る。通常、方法は0°Cから100
℃の間の温度、好ましくは10℃から60℃の間の温度
で行われる。
通常、本発明による方法山)は常圧下で行われる。
しかし、加圧下または減圧下で方法を実施することも可
能である。
能である。
本発明による方法(b)を行うために、特に必要とされ
る出発物質は通常はほぼ等モル量で用いられる。しかし
ながら、それぞれの場合に2つの成分の内一方をかなり
過剰量に使用することもまた可能である。一般に、反応
は適当な希釈剤中、酸受容体の存在下で行われ、そして
反応混合物は特に設定された温度で数時間撹拌される。
る出発物質は通常はほぼ等モル量で用いられる。しかし
ながら、それぞれの場合に2つの成分の内一方をかなり
過剰量に使用することもまた可能である。一般に、反応
は適当な希釈剤中、酸受容体の存在下で行われ、そして
反応混合物は特に設定された温度で数時間撹拌される。
本発明による方法山)では、仕上げは通常の方法で行わ
れる。
れる。
式(I)の化合物の合成のために本発明による方法(c
)の出発物質として用いられる式■のトリアゾリノンは
、本発明による方法(、)の出発物質としてすでに説明
されている。
)の出発物質として用いられる式■のトリアゾリノンは
、本発明による方法(、)の出発物質としてすでに説明
されている。
式0は式(I)の化合物の合成のために本発明による方
法(c)の出発物質としてもまた用いられるスルホンア
ミド誘導体の一般的な定義を与えるものである。
法(c)の出発物質としてもまた用いられるスルホンア
ミド誘導体の一般的な定義を与えるものである。
式のにおけるR3及びZは好ましくはもしくは殊に、本
発明における式(I)の化合物の記載に関連して、R3
及びZに対して好ましい、もしくは殊に好ましいとして
既に上に述べた意味を有する。
発明における式(I)の化合物の記載に関連して、R3
及びZに対して好ましい、もしくは殊に好ましいとして
既に上に述べた意味を有する。
本発明による方法(c)は好ましくは希釈剤を用いて行
われる。本発明による方法(、)の記載に関連して、上
に述べたものと同じ有機溶媒はこの用途に適している。
われる。本発明による方法(、)の記載に関連して、上
に述べたものと同じ有機溶媒はこの用途に適している。
もし適当なら、方法(c)は酸受容体の存在下で行われ
る。本発明による方法()、)の記載に関連して、上に
既に述べたものと同じ酸結合剤はこの用途に適している
。
る。本発明による方法()、)の記載に関連して、上に
既に述べたものと同じ酸結合剤はこの用途に適している
。
本発明による方法(c)の反応温度はかなりの範囲で変
えることが出来る。通常、方法は0℃から100℃の間
の温度、好ましくは10°Cから60℃の間の温度で行
われる。
えることが出来る。通常、方法は0℃から100℃の間
の温度、好ましくは10°Cから60℃の間の温度で行
われる。
通常、本発明による方法(c)は常圧下で行われる。
しかし、加圧下、または減圧下で方法を実施することも
可能である。
可能である。
本発明による方法(c)を行うために、特に必要とされ
る出発物質は通常はぼ等モル量で用いられる。
る出発物質は通常はぼ等モル量で用いられる。
しかしながら、特に用いられた2つの成分の一方をかな
り過剰量に使用することも可能である。
り過剰量に使用することも可能である。
般に、反応は適当な希釈剤中、酸受容体の存在下で行わ
れ、そして反応混合物は特に設定された温度で数時間撹
拌される。本発明による方法(C)では、仕上げは通常
の方法で行われる。
れ、そして反応混合物は特に設定された温度で数時間撹
拌される。本発明による方法(C)では、仕上げは通常
の方法で行われる。
式(I)の化合物を塩に転換するために、塩形成物、例
えば水酸化ナトリウム、メチル酸ナトリウム、エチル酸
ナトリウム、水酸化カリウム、メチル酸カリウムまたは
エチル酸カリウム、アンモニア、イソプロピルアミン、
ジブチルアミンまたはトリエチルアミンと、適当な希釈
剤例えば水、メタノールまたはエタノール中で撹拌され
る。塩は結晶性の生成物として、もし適当なら濃縮後に
単離出来る。
えば水酸化ナトリウム、メチル酸ナトリウム、エチル酸
ナトリウム、水酸化カリウム、メチル酸カリウムまたは
エチル酸カリウム、アンモニア、イソプロピルアミン、
ジブチルアミンまたはトリエチルアミンと、適当な希釈
剤例えば水、メタノールまたはエタノール中で撹拌され
る。塩は結晶性の生成物として、もし適当なら濃縮後に
単離出来る。
本発明による活性化合物は、落葉剤、乾燥剤、広葉樹の
破壊剤及び、殊に殺雑草剤として使用し得る。雑草とは
、最も広い意味において、望まれない場所に生育するす
べての植物を意味する。本発明による物質は、本質的に
使用量に依存して、完全除草剤または選択的除草剤とし
て作用する。
破壊剤及び、殊に殺雑草剤として使用し得る。雑草とは
、最も広い意味において、望まれない場所に生育するす
べての植物を意味する。本発明による物質は、本質的に
使用量に依存して、完全除草剤または選択的除草剤とし
て作用する。
本発明による化合物は、例えば次の植物に関連して使用
することができる: 次の属の双子葉雑草:カラシ属(S 1napis)、
マメグンバイナズナ属(L eipidiua+)、ヤ
エムグラ属(Galium)、ハコベ属(S tell
aria)、シカギク属(λ(atricaria)、
カミツレモドキ属(A nthemis)、ガリンソガ
属(G al insoga)、アカザ属(Cheno
podium)、イラクサ属(U rtica)、キオ
ン属(S enecio)、ヒエ属(A marant
hus)、スベリヒエ属(F ortulaca)、オ
ナモミ属(X anthium)、ヒルガオ属(Con
volvulus)、サツマイモ属(I pomoea
)、タデ属(P olygonum)、セスバニア属(
S esbar+ia)、オナモミ属(Ambrosi
a)、アザミ属(Cirsium)、ヒレアザミ属(C
arduus)、ノゲシ属(S onchus)、ナス
属(S olanuIll)、イヌガラシ属(Rori
ppa ) 、キカシグサ属(Rotala)、アゼナ
属(L 1ndernia)、ラミラム属(Lamiu
m)、クワガタソウ属(V eronica)、イチビ
属()〜butilon)、エメクス属(E mex)
、チョウセンアサがオ属(Datura)、スミレ属(
V 1ola)、チシマオドリコ属(G aleops
is)、ケシ属(P apaver)及びセンタウレア
属(Centaurea)。
することができる: 次の属の双子葉雑草:カラシ属(S 1napis)、
マメグンバイナズナ属(L eipidiua+)、ヤ
エムグラ属(Galium)、ハコベ属(S tell
aria)、シカギク属(λ(atricaria)、
カミツレモドキ属(A nthemis)、ガリンソガ
属(G al insoga)、アカザ属(Cheno
podium)、イラクサ属(U rtica)、キオ
ン属(S enecio)、ヒエ属(A marant
hus)、スベリヒエ属(F ortulaca)、オ
ナモミ属(X anthium)、ヒルガオ属(Con
volvulus)、サツマイモ属(I pomoea
)、タデ属(P olygonum)、セスバニア属(
S esbar+ia)、オナモミ属(Ambrosi
a)、アザミ属(Cirsium)、ヒレアザミ属(C
arduus)、ノゲシ属(S onchus)、ナス
属(S olanuIll)、イヌガラシ属(Rori
ppa ) 、キカシグサ属(Rotala)、アゼナ
属(L 1ndernia)、ラミラム属(Lamiu
m)、クワガタソウ属(V eronica)、イチビ
属()〜butilon)、エメクス属(E mex)
、チョウセンアサがオ属(Datura)、スミレ属(
V 1ola)、チシマオドリコ属(G aleops
is)、ケシ属(P apaver)及びセンタウレア
属(Centaurea)。
次の属の双子葉栽培植物:ワタ属(G ossypiu
m)、ダイズ属(G 1ycine)、フダンソウ属(
B eta)、ニンジン属(Daucus)、インゲン
マメ属(P haseolus)、エントウ属(P i
sum)、ナス属(S olanum)、アマ属(L
inum)、サツマイモ属(I pomoea)、ソラ
マメ属(V 1cia)、タバコ属(N 1cotia
na)、トマト属(Lycopersicon)、ラッ
カセイ属(Arachis)、アブラナ属(B ras
sica)、アキノノゲシ属(L actuca)、キ
ュウリ属(Cucumis)及びウリ属(Cucurb
ita)。
m)、ダイズ属(G 1ycine)、フダンソウ属(
B eta)、ニンジン属(Daucus)、インゲン
マメ属(P haseolus)、エントウ属(P i
sum)、ナス属(S olanum)、アマ属(L
inum)、サツマイモ属(I pomoea)、ソラ
マメ属(V 1cia)、タバコ属(N 1cotia
na)、トマト属(Lycopersicon)、ラッ
カセイ属(Arachis)、アブラナ属(B ras
sica)、アキノノゲシ属(L actuca)、キ
ュウリ属(Cucumis)及びウリ属(Cucurb
ita)。
次の属の単子葉雑草:ヒエ興(E chinochlo
a)、エノコログサ属(S etaria)、キビ属(
P anicum)、メヒシバ属(D 1g1tari
a)、アワガリエ属(p hleum)、スズメノカタ
ビラ属(Poa)、ウジノケグサ属(Festuca)
、オヒシバ属(E 1eusine)、ブラキアリア属
(B rachiarfa)、ドクムギ属(I、oli
um)、スズメノチャヒキ@ (B romus)、カ
ラスムギ属(Avena)、カヤツリグサ属(Cype
rus)、モロコシ属(S orghum)、カモジグ
サ属(A gropyron)、ジノトン属(Cyno
don)、ミズアオイ属(Monocharia)、テ
ンツキ属(F imbristylis)、オモダカ属
(S agittaria)、ハリイ属(E 1eoc
haris)、カモノハシ属(I schaemus)
、スフニックレア属(S pher+oclea)、ダ
クチロクテニウム属(D actylocter+iu
m)、ヌカボ属(A grostis)、スズメノテツ
ポウ属(A 1opecurus)及びアベラ属(A
pera)。
a)、エノコログサ属(S etaria)、キビ属(
P anicum)、メヒシバ属(D 1g1tari
a)、アワガリエ属(p hleum)、スズメノカタ
ビラ属(Poa)、ウジノケグサ属(Festuca)
、オヒシバ属(E 1eusine)、ブラキアリア属
(B rachiarfa)、ドクムギ属(I、oli
um)、スズメノチャヒキ@ (B romus)、カ
ラスムギ属(Avena)、カヤツリグサ属(Cype
rus)、モロコシ属(S orghum)、カモジグ
サ属(A gropyron)、ジノトン属(Cyno
don)、ミズアオイ属(Monocharia)、テ
ンツキ属(F imbristylis)、オモダカ属
(S agittaria)、ハリイ属(E 1eoc
haris)、カモノハシ属(I schaemus)
、スフニックレア属(S pher+oclea)、ダ
クチロクテニウム属(D actylocter+iu
m)、ヌカボ属(A grostis)、スズメノテツ
ポウ属(A 1opecurus)及びアベラ属(A
pera)。
次の属の単子葉栽培植物:イネ属(Oryza)、トウ
モロコシ属(Z ea)、コムギ属(7riticum
)、オオムギ属(Wordeum)、カラスムギ属(A
vena)、ライムギ属(S ecale)、モロコ
シ属(S orghum)、キビ属(P anicu+
g)、サトウキビ属(S accharum)、アナナ
ス属(Ananas)、クサスギカズラ属(A spa
ragus)及びネギ属(A 11iua+)。
モロコシ属(Z ea)、コムギ属(7riticum
)、オオムギ属(Wordeum)、カラスムギ属(A
vena)、ライムギ属(S ecale)、モロコ
シ属(S orghum)、キビ属(P anicu+
g)、サトウキビ属(S accharum)、アナナ
ス属(Ananas)、クサスギカズラ属(A spa
ragus)及びネギ属(A 11iua+)。
しかしながら、本発明による活性化合物の使用は、これ
らの属に全く限定されない許りでなく、同じ方法で他の
植物にも及ぶ。
らの属に全く限定されない許りでなく、同じ方法で他の
植物にも及ぶ。
本化合物は濃度に依存して、例えば工業地域及び鉄道線
路上、樹木が存在するかあるいは存在しない道路及び四
角い広場上の雑草の完全制御に適している。同等に、本
化合物は多年生栽培植物、例えば造林、装飾樹林、果樹
園、ブドウ園、かんきつ類の木立、クルミの果樹園、バ
ナナの植林、コーヒーの植林、茶の植林、ゴムの木の植
林、油ヤシの植林、カカオの植林、小果樹の植え付は及
びホップの栽培植物の中の雑草の防除に、芝生及び牧草
地に、そして1年少栽培植物中の雑草の選択的防除に使
用することができる。
路上、樹木が存在するかあるいは存在しない道路及び四
角い広場上の雑草の完全制御に適している。同等に、本
化合物は多年生栽培植物、例えば造林、装飾樹林、果樹
園、ブドウ園、かんきつ類の木立、クルミの果樹園、バ
ナナの植林、コーヒーの植林、茶の植林、ゴムの木の植
林、油ヤシの植林、カカオの植林、小果樹の植え付は及
びホップの栽培植物の中の雑草の防除に、芝生及び牧草
地に、そして1年少栽培植物中の雑草の選択的防除に使
用することができる。
特に、本発明における式(I)の化合物は、発芽前及び
発芽後の両方法により、単子葉及び双子葉作物中の単子
葉及び双子葉雑草の選択的防除に適している。それらは
、例えばイソカルバミドよりも著しく効果的である。
発芽後の両方法により、単子葉及び双子葉作物中の単子
葉及び双子葉雑草の選択的防除に適している。それらは
、例えばイソカルバミドよりも著しく効果的である。
本発明における化合物はまた、たとえばイネのピリクラ
リア(Pyricularia)に対しである程度の殺
菌・殺カビ作用も示す。
リア(Pyricularia)に対しである程度の殺
菌・殺カビ作用も示す。
本活性化合物は普通の組成物、例えば溶液、乳液、水和
剤、懸濁剤、粉剤、散布剤、塗布剤、可溶性粉剤、粒剤
、懸濁/乳液濃厚剤、活性化合物を含浸させた天然及び
合成物質並びに重合体物質中の極く細かいカプセルに変
えることが出きる。
剤、懸濁剤、粉剤、散布剤、塗布剤、可溶性粉剤、粒剤
、懸濁/乳液濃厚剤、活性化合物を含浸させた天然及び
合成物質並びに重合体物質中の極く細かいカプセルに変
えることが出きる。
これらの組成物は、公知の方法において、例えば活性化
合物を伸展剤、即ち液体溶媒及び/または固体の担体と
、随時界面活性剤及び/または発泡剤と混合して製造さ
れる。
合物を伸展剤、即ち液体溶媒及び/または固体の担体と
、随時界面活性剤及び/または発泡剤と混合して製造さ
れる。
伸展剤として水を用いる場合、例えば補助溶媒として有
機溶媒を用いることもできる。液体溶媒として主に、芳
香族炭化水素例えばキシレン、トルエンまたはアルキル
ナフタレン、塩素化された芳香族または塩素化された脂
肪族炭化水素、例えばクロロベンゼン、クロロエチレン
または塩化メチレン、脂肪族炭化水素、例えばシクロヘ
キサン、またはパラフィン例えば石油留分、鉱油及び植
物油、アルコール例えばブタノールまたはグリコール並
びにそのエーテル及びエステル、ケトン例えばアセトン
、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンまたは
シクロヘキサノン、強い有極性溶媒例えばジメチルホル
ムアミド及びジメチルスルホキシド並びに水が適してい
る。
機溶媒を用いることもできる。液体溶媒として主に、芳
香族炭化水素例えばキシレン、トルエンまたはアルキル
ナフタレン、塩素化された芳香族または塩素化された脂
肪族炭化水素、例えばクロロベンゼン、クロロエチレン
または塩化メチレン、脂肪族炭化水素、例えばシクロヘ
キサン、またはパラフィン例えば石油留分、鉱油及び植
物油、アルコール例えばブタノールまたはグリコール並
びにそのエーテル及びエステル、ケトン例えばアセトン
、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンまたは
シクロヘキサノン、強い有極性溶媒例えばジメチルホル
ムアミド及びジメチルスルホキシド並びに水が適してい
る。
固体の担体として、例えばアンモニウム塩、粉砕した天
然鉱物、例えばカオリン、クレイ、タルク、チョーク、
石英、アタパルジャイト、モントモリロナイトまたはケ
イソウ土並びに粉砕した合成鉱物例えば高度に分散した
シリカ、アルミナ及びシリケートが適している:粒剤に
対する固体の担体として、粉砕し且つ分別した天然石、
例えば方解石、大理石、軽石、海泡石及び白雲石並びに
無機及び有機のひきわり合成顆粒及び有機物質の顆粒例
えばおが(ず、やしから、トウモロコシ穂軸及びタバコ
茎が適している;乳化剤及び/または発泡剤として非イ
オン性及び陰イオン性乳化剤、例えばポリオキシエチレ
ン、脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪族アルコ
ールエーテル例えばアルキルアリールポリグリコールエ
ーテル、アルキルスルホネート、アルキルスルフェート
、アリールスルホネート並びに卵白の加水分解生成物が
適している;分散剤として、例えばリグニンスルファイ
ト廃液及びメチルセルロースが適している。
然鉱物、例えばカオリン、クレイ、タルク、チョーク、
石英、アタパルジャイト、モントモリロナイトまたはケ
イソウ土並びに粉砕した合成鉱物例えば高度に分散した
シリカ、アルミナ及びシリケートが適している:粒剤に
対する固体の担体として、粉砕し且つ分別した天然石、
例えば方解石、大理石、軽石、海泡石及び白雲石並びに
無機及び有機のひきわり合成顆粒及び有機物質の顆粒例
えばおが(ず、やしから、トウモロコシ穂軸及びタバコ
茎が適している;乳化剤及び/または発泡剤として非イ
オン性及び陰イオン性乳化剤、例えばポリオキシエチレ
ン、脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪族アルコ
ールエーテル例えばアルキルアリールポリグリコールエ
ーテル、アルキルスルホネート、アルキルスルフェート
、アリールスルホネート並びに卵白の加水分解生成物が
適している;分散剤として、例えばリグニンスルファイ
ト廃液及びメチルセルロースが適している。
接着剤例えばカルボキシメチルセルロース並びに粉状、
粒状またはラテックス状の天然及び合成重合体例えばア
ラビアゴム、ポリビニルアセテート並びに天然リン脂質
例えばセファリン及びレシチン、及び合成リン脂質を、
組成物に用いることができる。更に添加物は鉱油及び植
物油であることができる。
粒状またはラテックス状の天然及び合成重合体例えばア
ラビアゴム、ポリビニルアセテート並びに天然リン脂質
例えばセファリン及びレシチン、及び合成リン脂質を、
組成物に用いることができる。更に添加物は鉱油及び植
物油であることができる。
着色剤例えば無機顔料、例えば酸化鉄、酸化チタン及び
プルシアンブルー並びに有機染料例えばアリザリン染料
、アゾ染料及び金属フタロシアニン染料、及び微量の栄
養剤例えば鉄、マンガン、ホウ素、銅、コバルト、モリ
ブデン及び亜鉛の塩を用いることができる。
プルシアンブルー並びに有機染料例えばアリザリン染料
、アゾ染料及び金属フタロシアニン染料、及び微量の栄
養剤例えば鉄、マンガン、ホウ素、銅、コバルト、モリ
ブデン及び亜鉛の塩を用いることができる。
本調製物は通常、0.1かに95重量%間、好ましくは
0.5乃至90重量%間の活性化合物を含有する。
0.5乃至90重量%間の活性化合物を含有する。
本発明による活性化合物は、そのままもしくはその調製
物の形態において、公知の除草剤との混合物として雑草
防除の為に用いることもでき、仕上げた調製物または種
混合が可能である。
物の形態において、公知の除草剤との混合物として雑草
防除の為に用いることもでき、仕上げた調製物または種
混合が可能である。
該混合物の可能な成分は次の公知の除草剤である。例え
ば穀物中の雑草を防除する為の1−アミノ−6−エチル
チオー3−(2,2−ジメチルプロピル)−1,3,5
−トリアジン−2,4−(I H,3F()−ジオン(
AMETHYDIONE)またはN−(2−ベンゾチア
ゾリル)−N、N’−ジメチ/l、’7 し7 (ME
TABENZTTIIAZURON) 。
ば穀物中の雑草を防除する為の1−アミノ−6−エチル
チオー3−(2,2−ジメチルプロピル)−1,3,5
−トリアジン−2,4−(I H,3F()−ジオン(
AMETHYDIONE)またはN−(2−ベンゾチア
ゾリル)−N、N’−ジメチ/l、’7 し7 (ME
TABENZTTIIAZURON) 。
テンサイ中の雑草を防除する為の4−アミノ−3−メチ
ル−6−フェニル−1,2,4−トリアジン−5(4H
)−オン(METAMITRON)、及び大豆中の雑草
を防除するための4−アミノ−6−(I,1−ジメチル
エチル)−3−メチルチオ−1,2,4−1−リアジン
−5(4H)−オン(METRTBUZIN) ;更に
また2、4−ジクロロフェノキシ酢酸(2,4−D):
4− (2,4−ジクロロフェノキシ)−酪酸(2,
4−DB);2,4−ジクロロフェノキシプロピオン酸
(2,4−D P);3−イソプロピル−2,1,3−
ベンゾチアシアシン−4−オン2.2−ジオキサイド(
BENTAZONE) +5−(2,4−ジクロロフェ
ノキシ−2−、ニトロ安息香酸メチル(BIFENOX
) ; 3 、5−ジブロモ−4−ヒドロキシ−ベンゾ
ニトリル(BROMOXYNIL) ; 2−クロロー
N(EC4−メトキシ−6−メチル=1.3.5−トリ
アジン−2−イル)−アミノコ−力ルボニル)ベンゼン
スルホンアミド(CHOR3ULFURON) ; N
、 N−ジメチル−N’−(3−クロロ−4−メチルフ
ェニル)−ウレア(C1’1LORTOLtlRON)
: 2[4−(2,4−ジクロロフェノキシ−フェノ
キシュープロピオン酸及びそのメチルまたはエチルエス
テル(DICLOFOP) : 4−アミノ−6−t−
ブチル−3−エチルチオ−1,2,4−トリアジン−5
(48)−オン(ETHIOZIN) : 2− +
4− [(6−クロロ−2−ベンゾキサゾリル)−オキ
シューフェノキシ1−プロパン酸及びそのメチルまたは
エチルエステル(FENOXAPROP) ; [(
4−アミノ−3,5−ジクロロ−6−40ロー2− ヒ
リジニルノーオキシ]−酢酸またはその1−メチルへブ
チルエステル(FLUROXYRYR) ; N−ホス
ホノメチルグリシン(GLYPHOSATE) 、メチ
ル2− [4,5−ジヒドロ−4−メチル−4−(I−
メチルエチル)−5−オキソ−IH−イミダゾール−2
−イル]−4(5) −1’fkヘンソ7−f(IMA
ZAMETHABENZ);3−5−ショート−4ヒド
ロキシベンゾニトリル(IOXYNTL) ; N、
N −’) メチ/l/−N’−(4−イソプロピルフ
ェニル)−ウレア(ISOPROTURON) ;(2
−メチル−4−クロロフェノキシ)−プロピオン酸(M
CPA) 、 N−メチル−2−(I,3−ベンゾチア
ゾール−2−イルオキシ)−アセトアニリド(MEFE
NACET) ; 2− [[[(4−メトキシ−6
−メチル−1,3,5,トリアジン−2−イル)アミノ
ーカルポニルコーアミノ]−スルホニル)−安息香酸ま
たはそのメチルエステル(METSULFURON)
; N−(I−エチルプロピル)−3,4−ジメチル−
2,6−シニトロアニリン(PENDIMETHALI
N);0−(6−クロロ−3−フェニル−ピリダジン−
4−イル)S−オクチルチオカルボネート(PYRID
ATE) ; 4−エチルアミノ−2−t−ブチルアミ
ノ−6−メチルチオ−s−トリアジン(TERBUTR
YNE); 3− [[[C(4−メトキシ−6−メチ
ル−1,3,5−トリアジン−2−イル)−アミノコ−
力ルボニル]−アミノースルホニル]−チオフェン−2
−カルボン酸メチル(THIAMETURON) :驚
くべきことに、混合物のいくつかは相乗効果をも示す。
ル−6−フェニル−1,2,4−トリアジン−5(4H
)−オン(METAMITRON)、及び大豆中の雑草
を防除するための4−アミノ−6−(I,1−ジメチル
エチル)−3−メチルチオ−1,2,4−1−リアジン
−5(4H)−オン(METRTBUZIN) ;更に
また2、4−ジクロロフェノキシ酢酸(2,4−D):
4− (2,4−ジクロロフェノキシ)−酪酸(2,
4−DB);2,4−ジクロロフェノキシプロピオン酸
(2,4−D P);3−イソプロピル−2,1,3−
ベンゾチアシアシン−4−オン2.2−ジオキサイド(
BENTAZONE) +5−(2,4−ジクロロフェ
ノキシ−2−、ニトロ安息香酸メチル(BIFENOX
) ; 3 、5−ジブロモ−4−ヒドロキシ−ベンゾ
ニトリル(BROMOXYNIL) ; 2−クロロー
N(EC4−メトキシ−6−メチル=1.3.5−トリ
アジン−2−イル)−アミノコ−力ルボニル)ベンゼン
スルホンアミド(CHOR3ULFURON) ; N
、 N−ジメチル−N’−(3−クロロ−4−メチルフ
ェニル)−ウレア(C1’1LORTOLtlRON)
: 2[4−(2,4−ジクロロフェノキシ−フェノ
キシュープロピオン酸及びそのメチルまたはエチルエス
テル(DICLOFOP) : 4−アミノ−6−t−
ブチル−3−エチルチオ−1,2,4−トリアジン−5
(48)−オン(ETHIOZIN) : 2− +
4− [(6−クロロ−2−ベンゾキサゾリル)−オキ
シューフェノキシ1−プロパン酸及びそのメチルまたは
エチルエステル(FENOXAPROP) ; [(
4−アミノ−3,5−ジクロロ−6−40ロー2− ヒ
リジニルノーオキシ]−酢酸またはその1−メチルへブ
チルエステル(FLUROXYRYR) ; N−ホス
ホノメチルグリシン(GLYPHOSATE) 、メチ
ル2− [4,5−ジヒドロ−4−メチル−4−(I−
メチルエチル)−5−オキソ−IH−イミダゾール−2
−イル]−4(5) −1’fkヘンソ7−f(IMA
ZAMETHABENZ);3−5−ショート−4ヒド
ロキシベンゾニトリル(IOXYNTL) ; N、
N −’) メチ/l/−N’−(4−イソプロピルフ
ェニル)−ウレア(ISOPROTURON) ;(2
−メチル−4−クロロフェノキシ)−プロピオン酸(M
CPA) 、 N−メチル−2−(I,3−ベンゾチア
ゾール−2−イルオキシ)−アセトアニリド(MEFE
NACET) ; 2− [[[(4−メトキシ−6
−メチル−1,3,5,トリアジン−2−イル)アミノ
ーカルポニルコーアミノ]−スルホニル)−安息香酸ま
たはそのメチルエステル(METSULFURON)
; N−(I−エチルプロピル)−3,4−ジメチル−
2,6−シニトロアニリン(PENDIMETHALI
N);0−(6−クロロ−3−フェニル−ピリダジン−
4−イル)S−オクチルチオカルボネート(PYRID
ATE) ; 4−エチルアミノ−2−t−ブチルアミ
ノ−6−メチルチオ−s−トリアジン(TERBUTR
YNE); 3− [[[C(4−メトキシ−6−メチ
ル−1,3,5−トリアジン−2−イル)−アミノコ−
力ルボニル]−アミノースルホニル]−チオフェン−2
−カルボン酸メチル(THIAMETURON) :驚
くべきことに、混合物のいくつかは相乗効果をも示す。
他の公知の活性化合物、例えば殺菌・殺カビ剤(fun
gicides)、殺虫剤(insecticides
)、殺ダニ剤(acaricides)、殺線虫剤(n
ematicides)、小鳥忌避剤、植物栄養剤及び
土壌改良剤との混合物もまた可能である。
gicides)、殺虫剤(insecticides
)、殺ダニ剤(acaricides)、殺線虫剤(n
ematicides)、小鳥忌避剤、植物栄養剤及び
土壌改良剤との混合物もまた可能である。
本活性化合物はそのままで、あるいはその配合物の形態
またはその配合物から更に希釈して調製した使用形態、
例えば調製清液剤、懸濁剤、乳剤、粉剤、塗布剤及び粒
剤の形態で使用することができる。これらは普通の方法
で、例えば液剤散布(watering)、スプレー、
アトマイジング(atomising)または粒剤散布
(scattering)によって使用される。
またはその配合物から更に希釈して調製した使用形態、
例えば調製清液剤、懸濁剤、乳剤、粉剤、塗布剤及び粒
剤の形態で使用することができる。これらは普通の方法
で、例えば液剤散布(watering)、スプレー、
アトマイジング(atomising)または粒剤散布
(scattering)によって使用される。
本発明による活性化合物は、植物の発芽の前または後に
施用することができる。本化合物はまた、種子をま(前
に土壌中に混入することもできる。
施用することができる。本化合物はまた、種子をま(前
に土壌中に混入することもできる。
本活性化合物の使用量は、かなり広い範囲内で変えるこ
とができる。この量は本質的に、所望の効果の特質に依
存する。使用量は通常、土壌表面1ヘクタール当り活性
化合物0.01から15kg間、好ましくは1ヘクター
ル当り0.05から10kg間である。
とができる。この量は本質的に、所望の効果の特質に依
存する。使用量は通常、土壌表面1ヘクタール当り活性
化合物0.01から15kg間、好ましくは1ヘクター
ル当り0.05から10kg間である。
本発明における活性化合物の製造及び用途を以下の例に
示す。
示す。
製造実施例
実施例1
20℃で6時間撹拌する。次に結晶状で得られた生成物
を吸引濾過により単離する。
を吸引濾過により単離する。
この結果、融点184℃の4−メチル−5−メチルチオ
−2−(2−メトキシカルボニル−フェニルスルホニル
−アミノ−カルボニル−2,4−ジヒドロ−38−1,
2,4−トリアゾール−3−オン6.0g(理論量の7
5%)が得られる。
−2−(2−メトキシカルボニル−フェニルスルホニル
−アミノ−カルボニル−2,4−ジヒドロ−38−1,
2,4−トリアゾール−3−オン6.0g(理論量の7
5%)が得られる。
実施例2
(方法(a))
4−メチル−5−メチルチオ−2,4−ジヒドロ−3H
−1,2,4−トリアゾール−3−オン3゜0g(20
,7ミリモル)を、アセトニトリル60m1中に溶解さ
せ、アセトニトリル20m1中に溶解させた2−メトキ
シカルボニル−フェニルスルホニル−イソシアネート7
゜Og (29ミリモル)を該溶液に撹拌しながら加え
る。該反応混合物を(方法(b)) 1.8−ジアザビシクロ−[5,4,0] −ウンデセ
−クエン(DBU)及び2−トリフルオロメトキシベン
ゼンスルホンアミド2.7g(I1,2ミリモル)を、
塩化メチレン60m1中4−アミノ−5−メチルチオ−
2−フェノキシカルボニル−2゜4−ジヒドロ−38−
1,2,4−1リアゾール−3−オン3.0g (I1
,3ミリモル)の溶液に加える。該反応混合物を20℃
で4時間撹拌し、次に1%強度の塩酸で2度、水で3度
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥して濾過する。濾液を濃
縮し、残渣をジエチルエーテルで撹拌し、結晶状で得ら
れた生成物を吸引濾過により単離する。
−1,2,4−トリアゾール−3−オン3゜0g(20
,7ミリモル)を、アセトニトリル60m1中に溶解さ
せ、アセトニトリル20m1中に溶解させた2−メトキ
シカルボニル−フェニルスルホニル−イソシアネート7
゜Og (29ミリモル)を該溶液に撹拌しながら加え
る。該反応混合物を(方法(b)) 1.8−ジアザビシクロ−[5,4,0] −ウンデセ
−クエン(DBU)及び2−トリフルオロメトキシベン
ゼンスルホンアミド2.7g(I1,2ミリモル)を、
塩化メチレン60m1中4−アミノ−5−メチルチオ−
2−フェノキシカルボニル−2゜4−ジヒドロ−38−
1,2,4−1リアゾール−3−オン3.0g (I1
,3ミリモル)の溶液に加える。該反応混合物を20℃
で4時間撹拌し、次に1%強度の塩酸で2度、水で3度
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥して濾過する。濾液を濃
縮し、残渣をジエチルエーテルで撹拌し、結晶状で得ら
れた生成物を吸引濾過により単離する。
この結果、融点136℃の4−アミノ−5−メチルチオ
−2−(2−トリフルオロメトキシ−フェニルスルホニ
ル−アミノカルボニル)−2,4−ジヒドロ−3H−1
,2,4−1リアゾール−3−オン2、Ig(理論量の
45%)が得られる。
−2−(2−トリフルオロメトキシ−フェニルスルホニ
ル−アミノカルボニル)−2,4−ジヒドロ−3H−1
,2,4−1リアゾール−3−オン2、Ig(理論量の
45%)が得られる。
たとえば、下記の第3表に挙げた式(I)の化合物も、
実施例1及び2、並びに本発明における製造方法の概説
に従い、同様に製造することができる。
実施例1及び2、並びに本発明における製造方法の概説
に従い、同様に製造することができる。
第3表二式(I)の化合物の製造実施例CH。
実施例
(II−1)
1
C1l、−NO−C−Nu−NH−COOCdl。
ジエチルエーテル3QQiA’中イソチオシアン酸メチ
ル175g(2,4モル)の溶液を、ヒドラジツギ酸エ
チル250g (2,4モル)の溶液に撹拌しながら加
える。該反応混合物を、20℃で12時間撹拌し、次に
約10℃まで冷却し、結晶状で得られた生成物を吸引濾
過により単離する。
ル175g(2,4モル)の溶液を、ヒドラジツギ酸エ
チル250g (2,4モル)の溶液に撹拌しながら加
える。該反応混合物を、20℃で12時間撹拌し、次に
約10℃まで冷却し、結晶状で得られた生成物を吸引濾
過により単離する。
この結果、融点130℃の4−メチル−1−エトキシカ
ルボニルチオセミカルバジド404g (理論量の95
%)が得られる。
ルボニルチオセミカルバジド404g (理論量の95
%)が得られる。
下記のものが同様にして得られる:
4−エチルー1−メトキシカルボニル−チオセミカルバ
ジド (融点=142℃); 4−プロピル−1−メトキシカルボニル−チオセミカル
バジド (融点:117℃); 4−シクロプロピル−1−メトキシカルボニル−チオセ
ミカルバジド (融点=148℃); 4−アリル−1−メトキシカルボニル−チオセミカルバ
ジド (融点:151℃); 4−ジメチルアミノ−1−メトキシカルボニル−チオセ
ミカルバジド (融点=144℃) 第2段階 4−メチル−1−エトキシカルボニル−チオセミカルバ
ジド(第1段階参照)、炭酸カリウム4゜0g(29ミ
リモル)及びエタノール80111A’の混合物をガス
の発生が止まるまで還流する(約3時間)。該混合物の
寒冷時に濃縮し、残渣を塩化メチレン53mA’で撹拌
し、溶解せずに残留した生成物を吸引濾過により単離す
る。
ジド (融点=142℃); 4−プロピル−1−メトキシカルボニル−チオセミカル
バジド (融点:117℃); 4−シクロプロピル−1−メトキシカルボニル−チオセ
ミカルバジド (融点=148℃); 4−アリル−1−メトキシカルボニル−チオセミカルバ
ジド (融点:151℃); 4−ジメチルアミノ−1−メトキシカルボニル−チオセ
ミカルバジド (融点=144℃) 第2段階 4−メチル−1−エトキシカルボニル−チオセミカルバ
ジド(第1段階参照)、炭酸カリウム4゜0g(29ミ
リモル)及びエタノール80111A’の混合物をガス
の発生が止まるまで還流する(約3時間)。該混合物の
寒冷時に濃縮し、残渣を塩化メチレン53mA’で撹拌
し、溶解せずに残留した生成物を吸引濾過により単離す
る。
この結果、5−メルカプト−4−メチル−2゜4−ジヒ
ドロ−3H−1,2,4−1−リアゾール−3−オンの
カリウム塩(融点〉230℃)9.2g(理論量の96
%)が得られる。
ドロ−3H−1,2,4−1−リアゾール−3−オンの
カリウム塩(融点〉230℃)9.2g(理論量の96
%)が得られる。
融点がすべて230℃以上である5−メルカプト−4−
エチル−2,4−ジヒドロ−38−1,24−トリアゾ
ール−3−オン、5−メルカプト−4−プロピル−2,
4−ジヒドロ−38−1,2゜4−トリアゾール−3−
オン、5−メルカプト−4−シクロプロピル−2,4−
ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾール−3−オン
、5−メルカプト−4−アリル−2,4−ジヒドロ−3
H−1゜2.4−1リアゾール−3−オン、及び5−メ
ルカプト−4−ジメチルアミノ−2,4−ジヒドロ−3
H−1,2,4−トリアゾール−3−オンのカリウム塩
類が同様にして得られる。
エチル−2,4−ジヒドロ−38−1,24−トリアゾ
ール−3−オン、5−メルカプト−4−プロピル−2,
4−ジヒドロ−38−1,2゜4−トリアゾール−3−
オン、5−メルカプト−4−シクロプロピル−2,4−
ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾール−3−オン
、5−メルカプト−4−アリル−2,4−ジヒドロ−3
H−1゜2.4−1リアゾール−3−オン、及び5−メ
ルカプト−4−ジメチルアミノ−2,4−ジヒドロ−3
H−1,2,4−トリアゾール−3−オンのカリウム塩
類が同様にして得られる。
第3段階
5−メルカプト−4−メチル−2,4−ジヒドロ−3H
−1,2,4−トリアゾール−3−オン(第2段階参照
)4.0g (23,7ミリモル)、ヨウ化メチル4.
1g (28,9ミリモル)、メタノール80m1の混
合物を、20℃で12時間撹拌する。
−1,2,4−トリアゾール−3−オン(第2段階参照
)4.0g (23,7ミリモル)、ヨウ化メチル4.
1g (28,9ミリモル)、メタノール80m1の混
合物を、20℃で12時間撹拌する。
次に該混合物を濃縮し、残渣を塩化メチレンで撹拌し、
溶解せずに残留したヨウ化カリウムを、濾過により分離
する。濾液を濃縮し、ジエチルエーテル/石油エーテル
(等積比1 : 1)500mA’で残渣を撹拌し、結
晶状で得られた生成物を吸引濾過により単離する。
溶解せずに残留したヨウ化カリウムを、濾過により分離
する。濾液を濃縮し、ジエチルエーテル/石油エーテル
(等積比1 : 1)500mA’で残渣を撹拌し、結
晶状で得られた生成物を吸引濾過により単離する。
この結果、融点97℃の4−メチル−5−メチルチオ−
2,4−ジヒドロ−38−1,2,4−トリアゾール−
3−オン3゜4g(理論量の99%)が得られる。
2,4−ジヒドロ−38−1,2,4−トリアゾール−
3−オン3゜4g(理論量の99%)が得られる。
たとえば下記の第4表に挙げた式■の化合物も、実施例
(II−1)と同様にして製造することができる。
(II−1)と同様にして製造することができる。
式ωの出発物質:
実施例(rV−1)
クロロギ酸フェニル22.1g (0,141モル)を
、4−アミノ−5−メチルチオ−2,4−ジヒドロ−3
8−1,2,4−)リアゾール−3−オン20.0g
(0,137モル)、水酸化ナトリウム5.6g (0
,141モル)、臭化テトラブチルアンモニウム0.2
g及び塩化メチレン/水(等積比1 : 1)200m
lの混合物に強く撹拌して加える。該反応混合物を20
℃で12時間撹拌し、結晶状で得られた生成物を吸引濾
過により単離する。
、4−アミノ−5−メチルチオ−2,4−ジヒドロ−3
8−1,2,4−)リアゾール−3−オン20.0g
(0,137モル)、水酸化ナトリウム5.6g (0
,141モル)、臭化テトラブチルアンモニウム0.2
g及び塩化メチレン/水(等積比1 : 1)200m
lの混合物に強く撹拌して加える。該反応混合物を20
℃で12時間撹拌し、結晶状で得られた生成物を吸引濾
過により単離する。
この結果、融点211℃の4−アミノ−5−メチルチオ
−2−フェノキシカルボニル−2,4−ジヒドロ−3H
−1,2,4−トリアゾール−3−オン34.8g(理
論量の95%)が得られる。
−2−フェノキシカルボニル−2,4−ジヒドロ−3H
−1,2,4−トリアゾール−3−オン34.8g(理
論量の95%)が得られる。
たとえば下記の第5表に挙げた式ωの化合物も、実施例
(IV−1)と同様にして製造することができる。
(IV−1)と同様にして製造することができる。
使用実施例:
次の使用実施例において、下記の式(八)の公知のイソ
カルバミド除草剤を比較物質として使用した:(たとえ
ばドイツ国特許第1,795,117号に開示)。
カルバミド除草剤を比較物質として使用した:(たとえ
ばドイツ国特許第1,795,117号に開示)。
下記の本文中で、使用実施例に使用された本発明におけ
る化合物の式は個々に示し、数字は製造実施例の番号を
表す: 実施例A 発芽前試験 溶 媒:アセトン5重量部 乳化剤:アルキルアリールポリグリコールエーテル1重
量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化合
物1重量部を上記量の溶媒と混合し、上記量の乳化剤を
加え、該濃厚物を水で希釈して所望の濃度とする。
る化合物の式は個々に示し、数字は製造実施例の番号を
表す: 実施例A 発芽前試験 溶 媒:アセトン5重量部 乳化剤:アルキルアリールポリグリコールエーテル1重
量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化合
物1重量部を上記量の溶媒と混合し、上記量の乳化剤を
加え、該濃厚物を水で希釈して所望の濃度とする。
試験植物の種子を通常の土壌に蒔き、24時間後に活性
化合物の調製物を液剤散布する。単位面積当りの水の量
を一定に保持することが有利である。濃厚物中の活性化
合物の濃度は重要でなく、単位面積当りに使用した活性
化合物の量のみが決め手となる。3週間後、植物の損傷
の程度を未処理対照の発育と比較し、%損傷として評価
する。
化合物の調製物を液剤散布する。単位面積当りの水の量
を一定に保持することが有利である。濃厚物中の活性化
合物の濃度は重要でなく、単位面積当りに使用した活性
化合物の量のみが決め手となる。3週間後、植物の損傷
の程度を未処理対照の発育と比較し、%損傷として評価
する。
数字は次の意味を表す:
0%=作用なしく未処理対照と同様)
100%=すべで撲滅
この試験において、たとえば製造実施例1.3.4.5
.6.7.13.17.21.22.23.24.25
.26.27.28.29.30.31.32.34.
35.37の化合物は、公知技術と比較し明らかにすぐ
れた活性を示している。
.6.7.13.17.21.22.23.24.25
.26.27.28.29.30.31.32.34.
35.37の化合物は、公知技術と比較し明らかにすぐ
れた活性を示している。
実施例B
発芽後試験
溶 媒:アセトン5重量部
乳化剤:アルキルアリールポリグリコールエーテル1重
量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化合
物1重量部を上記量の溶媒と混合し、上記量の乳化剤を
加え、該濃厚物を水で希釈して所望の濃度とする。
量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化合
物1重量部を上記量の溶媒と混合し、上記量の乳化剤を
加え、該濃厚物を水で希釈して所望の濃度とする。
5〜15cm高さの試験植物に、単位面積当り所望の活
性化合物の特定量が使用される様に活性化合物の調製物
を噴霧する。所望の活性化合物の特定量が1ヘクタール
当り水10001として使用される様、噴霧液の濃度を
選定する。3週間後、植物に対する損傷の程度を、未処
理対照の発育と比較し、%損傷として評価する。数字は
次の意味を表す: 0%二作用なしく未処理対照と同様) 100%=すべで撲滅 この試験において、たとえば製造実施例1.3.4.5
.6.7.8.13.14.16.17.20.21.
22.23.24.25.26.27.28.29.3
0.31.32.34.35.37.38.40の化合
物は、公知技術と比較し、明らかにすぐれた活性を示し
ている。
性化合物の特定量が使用される様に活性化合物の調製物
を噴霧する。所望の活性化合物の特定量が1ヘクタール
当り水10001として使用される様、噴霧液の濃度を
選定する。3週間後、植物に対する損傷の程度を、未処
理対照の発育と比較し、%損傷として評価する。数字は
次の意味を表す: 0%二作用なしく未処理対照と同様) 100%=すべで撲滅 この試験において、たとえば製造実施例1.3.4.5
.6.7.8.13.14.16.17.20.21.
22.23.24.25.26.27.28.29.3
0.31.32.34.35.37.38.40の化合
物は、公知技術と比較し、明らかにすぐれた活性を示し
ている。
実施例C
ピリクラリア(Pyricularia)試験(イネ)
/保護溶 媒:アセトン12.5重量部 乳化剤:アルキルアリールポリグリコールエーテル0.
3重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化合
物1重量部を上記量の溶媒と混合し、該濃厚物を水及び
上記量の乳化剤で希釈して所望の濃度とする。
/保護溶 媒:アセトン12.5重量部 乳化剤:アルキルアリールポリグリコールエーテル0.
3重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化合
物1重量部を上記量の溶媒と混合し、該濃厚物を水及び
上記量の乳化剤で希釈して所望の濃度とする。
保護活性を試験するために、活性化合物の濃厚物を若い
イネ植物にしず(がしたたるまで噴霧する。噴霧コーテ
ィングが乾燥した後、ピリクラリア・オリザエ(Pyr
icularia oryzae)の水性胞子懸濁液を
該植物に接種する。次に該植物を相対的大気湿度100
%及び25℃の温室に入れる。
イネ植物にしず(がしたたるまで噴霧する。噴霧コーテ
ィングが乾燥した後、ピリクラリア・オリザエ(Pyr
icularia oryzae)の水性胞子懸濁液を
該植物に接種する。次に該植物を相対的大気湿度100
%及び25℃の温室に入れる。
接種後4日目に、病気感染の評価を行なう。この試験に
おいてたとえば次の実施例1.3.4.5.7.9にお
ける化合物は、公知技術と比較し、明らかにすぐれた活
性を示している。
おいてたとえば次の実施例1.3.4.5.7.9にお
ける化合物は、公知技術と比較し、明らかにすぐれた活
性を示している。
実施例D
ピリクラリア(Pyricularia)試験(イネ)
/全身的溶 媒:アセトン12.5重量部 乳化剤:アルキルアリールポリグリコールエーテル0.
3重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化合
物1重量部を上記量の溶媒と混合し、該濃厚物を水及び
上記量の乳化剤で希釈して所望の濃度とする。
/全身的溶 媒:アセトン12.5重量部 乳化剤:アルキルアリールポリグリコールエーテル0.
3重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化合
物1重量部を上記量の溶媒と混合し、該濃厚物を水及び
上記量の乳化剤で希釈して所望の濃度とする。
全身的特性を試験するために、若いイネ植物が生育して
いる標準的土壌に活性化合物の調製物40rAIを液剤
散布する。処理後7日目に、ピリクラリア・オリザエ(
Pyricularia oryzae)の水性胞子懸
濁液を該植物に接種する。その後該植物を評価するまで
、温度25℃及び相対的大気湿度100%の温室に入れ
てお(。接種後4日目に、病気感染の評価を行なう。
いる標準的土壌に活性化合物の調製物40rAIを液剤
散布する。処理後7日目に、ピリクラリア・オリザエ(
Pyricularia oryzae)の水性胞子懸
濁液を該植物に接種する。その後該植物を評価するまで
、温度25℃及び相対的大気湿度100%の温室に入れ
てお(。接種後4日目に、病気感染の評価を行なう。
この試験において、たとえば次の実施例1.3.4.5
.7.15.17.21.22.25における化合物は
、公知技術と比較し明らかにすぐれた活性を示している
。
.7.15.17.21.22.25における化合物は
、公知技術と比較し明らかにすぐれた活性を示している
。
第0表
ピリクラリア試験(イネ)/保護
0、025
0、025
0、025
0、025
0、025
0、025
第り表
ピリクラリア試験(イネ)/全身的
本発明の主なる特徴および態様は以下のとおりである。
1、一般式(I)
式中、nは数字0.1または2を表し、R1は水素、ヒ
ドロキシルまたはアミノを表わすか、一連のアルキル、
アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アラルキル
、アリール、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキル
アミノ、シクロアルキルアミノ及びジアルキルアミノか
ら成る随時置換されていてもよい基を表し、 R1は一連のアルキル、アルケニル、アルキニル、シク
ロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル及びアリー
ルから成る随時置換されていてもよい基を表し、 R3は一連のアルキル、アラルキル、アリール及びヘテ
ロアリールから成る随時置換されていてもよい基を表す
、 で表わされる、硫黄を通じ結合された置換基を有するス
ルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類、並びに式
(I)の化合物の塩類。
ドロキシルまたはアミノを表わすか、一連のアルキル、
アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アラルキル
、アリール、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキル
アミノ、シクロアルキルアミノ及びジアルキルアミノか
ら成る随時置換されていてもよい基を表し、 R1は一連のアルキル、アルケニル、アルキニル、シク
ロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル及びアリー
ルから成る随時置換されていてもよい基を表し、 R3は一連のアルキル、アラルキル、アリール及びヘテ
ロアリールから成る随時置換されていてもよい基を表す
、 で表わされる、硫黄を通じ結合された置換基を有するス
ルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類、並びに式
(I)の化合物の塩類。
2、特許請求の範囲第1項記載の一般式(I)のスルホ
ニルアミノトリアゾリノン類の製造方法であって、 a)一般式(If) 式中、n、R’及びR2、特許請求の範囲第1項に示し
た意味を有する、 のトリアゾリノン類を、 一般式(II[) R”−3Q、−N=C=0 (III )
式中、R3は特許請求の範囲第1項に示した意味を有す
る、 のイソシアン酸スルホニル類と、適当ならば希釈剤の存
在下において反応させるか、 b)一般式(IV) 式中、nSR’及びR2、特許請求の範囲第1項に示し
た意味を有し、 Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリー
ルオキシを表す、 のトリアゾリノン誘導体を、 一般式(V) R3−SO2−NH3(V ) 式中、R3は特許請求の範囲第1項に示した意味を有す
る、 のスルホンアミド類と、適当ならば酸受容体の存在下に
おいて、且つ適当ならば希釈剤の存在下において反応さ
せるか、 C)一般式(n) 式中、n、R’及びR2、特許請求の範囲第1項に示し
た意味を有する、 のトリアゾリノン類を、 一般式(VI) R3−3o2−IJH−Co−Z (VI
)式中、R3は特許請求の範囲第1項に示した意味を有
し、 Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリー
ルオキシを表す、 のスルホンアミド誘導体と、適当ならば酸受容体の存在
下において、且つ適当ならば希釈剤の存在下において反
応させ、且つ所望するならば、方法(、)、(b)また
は(c)により製造された式(I)の化合物から、通常
の方法により塩類が形成される、ことを特徴とする方法
。
ニルアミノトリアゾリノン類の製造方法であって、 a)一般式(If) 式中、n、R’及びR2、特許請求の範囲第1項に示し
た意味を有する、 のトリアゾリノン類を、 一般式(II[) R”−3Q、−N=C=0 (III )
式中、R3は特許請求の範囲第1項に示した意味を有す
る、 のイソシアン酸スルホニル類と、適当ならば希釈剤の存
在下において反応させるか、 b)一般式(IV) 式中、nSR’及びR2、特許請求の範囲第1項に示し
た意味を有し、 Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリー
ルオキシを表す、 のトリアゾリノン誘導体を、 一般式(V) R3−SO2−NH3(V ) 式中、R3は特許請求の範囲第1項に示した意味を有す
る、 のスルホンアミド類と、適当ならば酸受容体の存在下に
おいて、且つ適当ならば希釈剤の存在下において反応さ
せるか、 C)一般式(n) 式中、n、R’及びR2、特許請求の範囲第1項に示し
た意味を有する、 のトリアゾリノン類を、 一般式(VI) R3−3o2−IJH−Co−Z (VI
)式中、R3は特許請求の範囲第1項に示した意味を有
し、 Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリー
ルオキシを表す、 のスルホンアミド誘導体と、適当ならば酸受容体の存在
下において、且つ適当ならば希釈剤の存在下において反
応させ、且つ所望するならば、方法(、)、(b)また
は(c)により製造された式(I)の化合物から、通常
の方法により塩類が形成される、ことを特徴とする方法
。
3、少なくとも1種の特許請求の範囲第1項記載の式(
I)のスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類を
含有することを特徴とする除草剤。
I)のスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類を
含有することを特徴とする除草剤。
4、特許請求の範囲第1項記載の一般式CI)のスルホ
ニルアミノカルボニルトリアゾリノン類の、望ましくな
い植物の生長防除のための用途。
ニルアミノカルボニルトリアゾリノン類の、望ましくな
い植物の生長防除のための用途。
5、特許請求の範囲第1項記載の一般式(I)のスルホ
ニルアミノカルボニルトリアゾリノン類を、雑草及びそ
の周囲に作用させることを特徴とする雑草の防除方法。
ニルアミノカルボニルトリアゾリノン類を、雑草及びそ
の周囲に作用させることを特徴とする雑草の防除方法。
6、特許請求の範囲第1項記載の一般式(I)のスルホ
ニルアミノカルボニルトリアゾリノン類を、伸展剤及び
/または界面活性剤と混合することを特徴とする除草剤
の製造方法。
ニルアミノカルボニルトリアゾリノン類を、伸展剤及び
/または界面活性剤と混合することを特徴とする除草剤
の製造方法。
7、−性成(IV)
式中、nは数字0.1または2を表し、R1は水素、ヒ
ドロキシルまたはアミノを表すか、一連のアルキル、ア
ルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アラルキル、
アリール、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキルア
ミノ、シクロアルキルアミノ及びジアルキルアミノから
成る、随時置換されていてもよい基を表し、 R2は、一連のアルキル、アルケニル、アルキニル、シ
クロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル及びアリ
ールから成る、随時置換されていてもよい基を表し、 Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリー
ルオキシを表す、 で表されるトリアゾリノン誘導体。
ドロキシルまたはアミノを表すか、一連のアルキル、ア
ルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アラルキル、
アリール、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキルア
ミノ、シクロアルキルアミノ及びジアルキルアミノから
成る、随時置換されていてもよい基を表し、 R2は、一連のアルキル、アルケニル、アルキニル、シ
クロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル及びアリ
ールから成る、随時置換されていてもよい基を表し、 Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリー
ルオキシを表す、 で表されるトリアゾリノン誘導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 式中、nは数字0、1または2を表し、 R^1は水素、ヒドロキシルまたはアミノを表わすか、
一連のアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアル
キル、アラルキル、アリール、アルコキシ、アルケニル
オキシ、アルキルアミノ、シクロアルキルアミノ及びジ
アルキルアミノから成る随時置換されていてもよい基を
表し、 R^2は一連のアルキル、アルケニル、アルキニル、シ
クロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル及びアリ
ールから成る随時置換されていてもよい基を表し、 R^3は一連のアルキル、アラルキル、アリール及びヘ
テロアリールから成る随時置換されていてもよい基を表
す、 で表わされる、硫黄を通じ結合された置換基を有するス
ルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類、並びに式
( I )の化合物の塩類。 2、特許請求の範囲第1項記載の一般式( I )のスル
ホニルアミノトリアゾリノン類の製造方法であつて、 a)一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 式中、n、R^1及びR^2は特許請求の範囲第1項に
示した意味を有する、 のトリアゾリノン類を、 一般式(III) R^3−SO_2−N=C=O(III) 式中、R^3は特許請求の範囲第1項に示した意味を有
する、 のイソシアン酸スルホニル類と、適当ならば希釈剤の存
在下において反応させるか、 b)一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) 式中、n、R^1及びR^2は特許請求の範囲第1項に
示した意味を有し、 Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリー
ルオキシを表す、 のトリアゾリノン誘導体を、 一般式(V) R^3−SO_2−NH_2(V) 式中、R^3は特許請求の範囲第1項に示した意味を有
する、 のスルホンアミド類と、適当ならば酸受容体の存在下に
おいて、且つ適当ならば希釈剤の存在下において反応さ
せるか、 c)一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 式中、n、R^1及びR^2は特許請求の範囲第1項に
示した意味を有する、 のトリアゾリノン類を、 一般式(VI) R^3−SO_2−NH−CO−Z(VI) 式中、R^3は特許請求の範囲第1項に示した意味を有
し、 Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリー
ルオキシを表す、 のスルホンアミド誘導体と、適当ならば酸受容体の存在
下において、且つ適当ならば希釈剤の存在下において反
応させ、且つ所望するならば、方法(a)、(b)また
は(c)により製造された式( I )の化合物から、通
常の方法により塩類が形成される、ことを特徴とする方
法。 3、少なくとも1種の特許請求の範囲第1項記載の式(
I )のスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類
を含有することを特徴とする除草剤。 4、特許請求の範囲第1項記載の一般式( I )のスル
ホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類を、雑草及び
その周囲に作用させることを特徴とする雑草の防除方法
。 5、特許請求の範囲第1項記載の一般式( I )のスル
ホニルアミノカルボニルトリアゾリノン類を、伸展剤及
び/または界面活性剤と混合することを特徴とする除草
剤の製造方法。 6、一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) 式中、nは数字0、1または2を表し、 R^1は水素、ヒドロキシルまたはアミノを表すか、一
連のアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキ
ル、アラルキル、アリール、アルコキシ、アルケニルオ
キシ、アルキルアミノ、シクロアルキルアミノ及びジア
ルキルアミノから成る、随時置換されていてもよい基を
表し、 R^2は、一連のアルキル、アルケニル、アルキニル、
シクロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル及びア
リールから成る、随時置換されていてもよい基を表し、 Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリー
ルオキシを表す、 で表されるトリアゾリノン誘導体。
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