JPH03154111A - クリア信号発生回路 - Google Patents
クリア信号発生回路Info
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- JPH03154111A JPH03154111A JP29332089A JP29332089A JPH03154111A JP H03154111 A JPH03154111 A JP H03154111A JP 29332089 A JP29332089 A JP 29332089A JP 29332089 A JP29332089 A JP 29332089A JP H03154111 A JPH03154111 A JP H03154111A
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- Japan
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- pulse
- capacitor
- circuit
- timing pulse
- signal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電気時計等の電源供給部に用いられている
クリア信号発生回路に関し、特に電源の立上りの影響を
受けず、かつ、−時的なパワーオフ時に正常に動作する
クリア信号発生回路に関するものである。
クリア信号発生回路に関し、特に電源の立上りの影響を
受けず、かつ、−時的なパワーオフ時に正常に動作する
クリア信号発生回路に関するものである。
電気時計の電源を投入した場合、電源投入直後において
は電気時計を作動させるためには通常の電圧よりも高い
電圧が必要である。そのため、電源投入直後は通常の電
圧よりも高い電圧を供給し、その後通常の電圧を与える
ように切り換えるためのクリア信号を与える回路が従来
より使用されている。第3図はこのようなりリア信号を
発生する従来のクリア信号発生回路を示す回路図である
。
は電気時計を作動させるためには通常の電圧よりも高い
電圧が必要である。そのため、電源投入直後は通常の電
圧よりも高い電圧を供給し、その後通常の電圧を与える
ように切り換えるためのクリア信号を与える回路が従来
より使用されている。第3図はこのようなりリア信号を
発生する従来のクリア信号発生回路を示す回路図である
。
図において、1はタイミングパルス発生回路であり、発
振回路及び分周器より成る。タイミングパルス発生回路
1の出力は検出回路201に与えられる。検出回路20
1は、インバータ2,3及び4、遅延回路5及び2人力
NOR回路6より成る。遅延回路5は周知のように抵抗
5a、 コンデンサ5bより成る。NOR回路6は、一
方入力がインバータ2,3及び遅延回路5の直列回路体
を介しタイミングパルス発生回路1に、他方入力がイン
バータ4を介しタイミングパルス発生回路1に各々接続
されている。202は検出回路201の出力を平滑回路
203に伝達するための伝達回路であり、NチャネルM
O3)ランジスタ(以下NMO3と略す)7より成る。
振回路及び分周器より成る。タイミングパルス発生回路
1の出力は検出回路201に与えられる。検出回路20
1は、インバータ2,3及び4、遅延回路5及び2人力
NOR回路6より成る。遅延回路5は周知のように抵抗
5a、 コンデンサ5bより成る。NOR回路6は、一
方入力がインバータ2,3及び遅延回路5の直列回路体
を介しタイミングパルス発生回路1に、他方入力がイン
バータ4を介しタイミングパルス発生回路1に各々接続
されている。202は検出回路201の出力を平滑回路
203に伝達するための伝達回路であり、NチャネルM
O3)ランジスタ(以下NMO3と略す)7より成る。
NMOS7はゲートがNOR回路6の出力に、ソースが
接地電位vssに各々接続されている。
接地電位vssに各々接続されている。
平滑回路203は、コンデンサ8及び抵抗9より成る。
コンデンサ8と抵抗9はNMOS7のドレインと電源v
DDの間に並列に接続される。
DDの間に並列に接続される。
204は波形整形回路であり、平滑回路203の出力を
二値化する。波形整形回路204はインバータ10.1
1の直列回路体より成る。
二値化する。波形整形回路204はインバータ10.1
1の直列回路体より成る。
次に動作について第4図に示した波形図を用いて説明す
る。電源投入により、タイミングパルス発生回路1に電
源電圧vDDが供給される。タイミングパルス発生回路
1の出力は、電源電圧vDDの立上り特性及び発振回路
の起動特性により電源投入から若干の時間、“01又は
“1”のいずれか一方の値となる。この従来例において
は場合、この電源投入により発振回路が動作するまでの
間、第4図に示すようにタイミングパルス発生回路1は
“0゛を保持するものとしている。
る。電源投入により、タイミングパルス発生回路1に電
源電圧vDDが供給される。タイミングパルス発生回路
1の出力は、電源電圧vDDの立上り特性及び発振回路
の起動特性により電源投入から若干の時間、“01又は
“1”のいずれか一方の値となる。この従来例において
は場合、この電源投入により発振回路が動作するまでの
間、第4図に示すようにタイミングパルス発生回路1は
“0゛を保持するものとしている。
次に発振回路が動作を開始すると、タイミングパルス発
生回路1からタイミングパルスaが出力される。タイミ
ングパルスaは検出回路201中のインバータ2.3を
介し抵抗5a、 コンデンサ5bにより構成される遅延
回路5で遅延されてパルス信号すとなる。NOR回路6
の2人力にはタイミングパルスaをインバータ4で反転
したパルス信号Cと共にパルス信号すが入力される。N
。
生回路1からタイミングパルスaが出力される。タイミ
ングパルスaは検出回路201中のインバータ2.3を
介し抵抗5a、 コンデンサ5bにより構成される遅延
回路5で遅延されてパルス信号すとなる。NOR回路6
の2人力にはタイミングパルスaをインバータ4で反転
したパルス信号Cと共にパルス信号すが入力される。N
。
R回路6は2人力が共に“0”の時にのみ“1″なるパ
ルス信号eを出力する。
ルス信号eを出力する。
伝達回路202を構成するNMOS7は、N。
R回路6の出力であるパルス信号eが“1”の期間のみ
導通状態となり、平滑回路203のコンデンサ8を充電
する。この充電によりコンデンサ8の負電極の電位iは
下がる。パルス信号eが“0”となるとNMOS7は非
導通状態となる。NMOS7が非導通になると、電位i
はNMOS7が非導通となった時点での電位に保たれる
。抵抗9はパルス信号eのない場合に電位iを“1”に
するためのものであり、従ってコンデンサ8と抵抗9の
時定数はパルス信号eの周期に比べて十分に大きくなけ
ればならない。NMOS7の導通/非導通の繰り返しに
よりコンデンサ8は次第に充電されるので、コンデンサ
8の負電極の電位iは次第に低下していく。そして、電
位iは波形整形回路204中のインバータ10のしきい
値vTl+を基準に二値化され、クリア信号jとなる。
導通状態となり、平滑回路203のコンデンサ8を充電
する。この充電によりコンデンサ8の負電極の電位iは
下がる。パルス信号eが“0”となるとNMOS7は非
導通状態となる。NMOS7が非導通になると、電位i
はNMOS7が非導通となった時点での電位に保たれる
。抵抗9はパルス信号eのない場合に電位iを“1”に
するためのものであり、従ってコンデンサ8と抵抗9の
時定数はパルス信号eの周期に比べて十分に大きくなけ
ればならない。NMOS7の導通/非導通の繰り返しに
よりコンデンサ8は次第に充電されるので、コンデンサ
8の負電極の電位iは次第に低下していく。そして、電
位iは波形整形回路204中のインバータ10のしきい
値vTl+を基準に二値化され、クリア信号jとなる。
つまり電位iがしきい値vTHより大きいとクリア信号
jは“1°となり、小さいと“O”となる。クリア信号
jが“0“となった時点で電気時計の電源供給部から駆
動部へ供給される電圧が通常電圧より高い電圧(例えば
1.55V )から通常電圧(例えばIV)に切り換え
られる。
jは“1°となり、小さいと“O”となる。クリア信号
jが“0“となった時点で電気時計の電源供給部から駆
動部へ供給される電圧が通常電圧より高い電圧(例えば
1.55V )から通常電圧(例えばIV)に切り換え
られる。
従来のクリア信号発生回路は以上の様に構成さレテおり
、抵抗5a、 コンデンサ5bより成る遅延回路4によ
りタイミングパルスaを遅延させパルス信号すを作成し
、このパルス信号すとタイミングパルスaの反転信号で
あるパルス信号CとのNORをとることにより、パルス
信号eを作成している。抵抗5aの抵抗値、コンデンサ
5bの容量値は製造時のバラツキが大きい。そのため、
パルス信号eのパルス幅がばらつき、電位iの下降時間
に差が生じ、電位iがしきい値VTH以下になる時点が
ばらつき、クリア信号jが“0”になる時点がばらつく
という問題点があった。
、抵抗5a、 コンデンサ5bより成る遅延回路4によ
りタイミングパルスaを遅延させパルス信号すを作成し
、このパルス信号すとタイミングパルスaの反転信号で
あるパルス信号CとのNORをとることにより、パルス
信号eを作成している。抵抗5aの抵抗値、コンデンサ
5bの容量値は製造時のバラツキが大きい。そのため、
パルス信号eのパルス幅がばらつき、電位iの下降時間
に差が生じ、電位iがしきい値VTH以下になる時点が
ばらつき、クリア信号jが“0”になる時点がばらつく
という問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、タイミングパルスが発生してからクリア信号
が出力されるまでの時間がばらつかないクリア信号発生
回路を得ることを目的とする。
たもので、タイミングパルスが発生してからクリア信号
が出力されるまでの時間がばらつかないクリア信号発生
回路を得ることを目的とする。
この発明に係るクリア信号発生回路は、タイミングパル
スを発生するタイミングパルス発生手段と、タイミング
パルス発生手段に接続され、タイミングパルス発生手段
からのタイミングパルスの所定のエツジを検出して第1
のパルスを発生するエツジ検出手段、および該エツジ検
出手段に接続され、第1のパルスと一定の関係を有する
第2のパルスを発生するパルス発生手段を含む検出手段
と、一方端が第1の電位に接続され、第1のパルスのレ
ベルに応じてスイッチングされる第1のスイッチング手
段、一方端が第1のスイッチング手段の他方端に接続さ
れ、第2のパルスのレベルに応じてスイッチングされる
第2のスイッチング手段、および一方電極が第2の電位
に、他方電極が第1のスイッチング手段の他方端と第2
のスイッチング手段の一方端との共通接続点に各々接続
された比較的容量の小さい第1のコンデンサを含む伝達
手段と、一方電極が第3の電位に、他方電極が前記第2
のスイッチング手段の他方端に各々接続された比較的容
量の大きい第2のコンデンサを含む平滑手段と、平滑手
段に接続され、平滑手段の出力が所定レベルより大きい
か小さいかにより平滑手段の出力を二値化する波形整形
手段とを備えている。
スを発生するタイミングパルス発生手段と、タイミング
パルス発生手段に接続され、タイミングパルス発生手段
からのタイミングパルスの所定のエツジを検出して第1
のパルスを発生するエツジ検出手段、および該エツジ検
出手段に接続され、第1のパルスと一定の関係を有する
第2のパルスを発生するパルス発生手段を含む検出手段
と、一方端が第1の電位に接続され、第1のパルスのレ
ベルに応じてスイッチングされる第1のスイッチング手
段、一方端が第1のスイッチング手段の他方端に接続さ
れ、第2のパルスのレベルに応じてスイッチングされる
第2のスイッチング手段、および一方電極が第2の電位
に、他方電極が第1のスイッチング手段の他方端と第2
のスイッチング手段の一方端との共通接続点に各々接続
された比較的容量の小さい第1のコンデンサを含む伝達
手段と、一方電極が第3の電位に、他方電極が前記第2
のスイッチング手段の他方端に各々接続された比較的容
量の大きい第2のコンデンサを含む平滑手段と、平滑手
段に接続され、平滑手段の出力が所定レベルより大きい
か小さいかにより平滑手段の出力を二値化する波形整形
手段とを備えている。
この発明における第1のコンデンサの容量は比較的小さ
いので、第1のパルスのパルス幅が変化することにより
第1のスイッチング手段の導通期間が変化しても、第1
のコンデンサは、第1のスイッチング手段が導通するこ
とにより瞬時に充電される。続いて、第2のパルスに応
答して第2のスイッチング手段が導通すると、第1のコ
ンデンサの充電電荷は少なく瞬時に第2のコンデンサに
移動できるので、第2のパルスのパルス幅が変化するこ
とにより完全に平衡状態になるまで充電される。
いので、第1のパルスのパルス幅が変化することにより
第1のスイッチング手段の導通期間が変化しても、第1
のコンデンサは、第1のスイッチング手段が導通するこ
とにより瞬時に充電される。続いて、第2のパルスに応
答して第2のスイッチング手段が導通すると、第1のコ
ンデンサの充電電荷は少なく瞬時に第2のコンデンサに
移動できるので、第2のパルスのパルス幅が変化するこ
とにより完全に平衡状態になるまで充電される。
第1A図はこの発明に係るクリア信号発生回路の一実施
例を示す回路図である。図において、第3図に示した従
来回路との相違点は、NAND回路12.PチャネルM
OSトランジスタ(以下PMOSと略す)13.及びコ
ンデンサ14を新たに設けたことである。NAND回路
12は、一方入力が遅延回路5に、他方入力がインバー
タ4の出力に各々接続されている。PMOS13は、ゲ
ートがNAND回路12の出力に、ドレインがNMOS
7のドレインに、ソースが平滑回路203を構成するコ
ンデンサ8に各々接続されている。
例を示す回路図である。図において、第3図に示した従
来回路との相違点は、NAND回路12.PチャネルM
OSトランジスタ(以下PMOSと略す)13.及びコ
ンデンサ14を新たに設けたことである。NAND回路
12は、一方入力が遅延回路5に、他方入力がインバー
タ4の出力に各々接続されている。PMOS13は、ゲ
ートがNAND回路12の出力に、ドレインがNMOS
7のドレインに、ソースが平滑回路203を構成するコ
ンデンサ8に各々接続されている。
コンデンサ14は電源VDDとNMOS7及びPM0S
13のドレイン共通接続点との間に接続されている。な
お、コンデンサ14の容量はコンデンサ8の容量に比し
、かなり小さいものとする。
13のドレイン共通接続点との間に接続されている。な
お、コンデンサ14の容量はコンデンサ8の容量に比し
、かなり小さいものとする。
次に動作について第2図に示した波形図を用いながら説
明する。電源投入からタイミングパルス発生回路1がタ
イミングパルスaを出力するマチの動作は従来と同様で
ある。すなわちタイミングパルス発生回路1は一定時間
経過後、従来同様タイミングパルスaを発生する。タイ
ミングパルスaは、従来同様インバータ2.3及び遅延
回路5を介し一定時間遅延されてパルス信号すとしてN
OR回路6の一方入力に与えられるとともに、インバー
タ4により反転されてパルス信号CとしてNOR回路6
の他方入力に与えられる。そのため、NOR回路6は従
来同様パルス信号eをNMOS7のゲートに与える。パ
ルス信号eはタイミングパルスaの前縁を検出した信号
となっている。
明する。電源投入からタイミングパルス発生回路1がタ
イミングパルスaを出力するマチの動作は従来と同様で
ある。すなわちタイミングパルス発生回路1は一定時間
経過後、従来同様タイミングパルスaを発生する。タイ
ミングパルスaは、従来同様インバータ2.3及び遅延
回路5を介し一定時間遅延されてパルス信号すとしてN
OR回路6の一方入力に与えられるとともに、インバー
タ4により反転されてパルス信号CとしてNOR回路6
の他方入力に与えられる。そのため、NOR回路6は従
来同様パルス信号eをNMOS7のゲートに与える。パ
ルス信号eはタイミングパルスaの前縁を検出した信号
となっている。
一方、パルス信号すはNAND回路12の一方入力に、
パルス信号CはNAND回路6の他方入力にも与えられ
る。NAND回路12は、パルス信号すとパルス信号C
とのNANDをとり、その結果をパルス信号dとしてP
MO313のゲートに与える。パルス信号dはタイミン
グパルスaの後縁を検出した信号となっている。
パルス信号CはNAND回路6の他方入力にも与えられ
る。NAND回路12は、パルス信号すとパルス信号C
とのNANDをとり、その結果をパルス信号dとしてP
MO313のゲートに与える。パルス信号dはタイミン
グパルスaの後縁を検出した信号となっている。
NMOS7はパルス信号eが“1”の期間のみ導通状態
となり、コンデンサ14はNMOS7が導通することに
より充電される。このとき、コンデンサ14の容量はか
なり小さいのでパルス信号eが“1”の期間にコンデン
サ14は完全に充電される。この充電によりコンデンサ
14の負電極の電位fは第2図に示すように下がる。P
MOS13はパルス信号dが“0″の期間のみ導通状態
となる。PMOS13が導通するとコンデンサ14と平
滑回路203中のコンデンサ8が並列に接続される。こ
のとき、第2図から明らかなようにパルス信号eが“1
”でパルス信号dが“0”となる期間はない。従って、
NMOS7とPMO313が、同時に導通状態になるこ
とはない。コンデンサ14とコンデンサ8が並列に接続
されることにより、コンデンサ14に充電された電荷の
大部分は放電され、この放電された電荷がコンデンサ8
に充電される。コンデンサ14が放電されることにより
コンデンサ14の負電極の電位fは第2図に示すように
再び上昇する。コンデンサ8が充電されることによりコ
ンデンサ8の負電極の電位gは第2図に示すように下が
る。前述のようにコンデンサ14の容量値(C14とす
る)はコンデンサ8の容量値(C8とする)に比べてか
なり小さいので、コンデンサ14の充電電荷の大部分は
瞬時にコンデンサ8に充電される。そのため、電位gの
立下りが急峻になっている。
となり、コンデンサ14はNMOS7が導通することに
より充電される。このとき、コンデンサ14の容量はか
なり小さいのでパルス信号eが“1”の期間にコンデン
サ14は完全に充電される。この充電によりコンデンサ
14の負電極の電位fは第2図に示すように下がる。P
MOS13はパルス信号dが“0″の期間のみ導通状態
となる。PMOS13が導通するとコンデンサ14と平
滑回路203中のコンデンサ8が並列に接続される。こ
のとき、第2図から明らかなようにパルス信号eが“1
”でパルス信号dが“0”となる期間はない。従って、
NMOS7とPMO313が、同時に導通状態になるこ
とはない。コンデンサ14とコンデンサ8が並列に接続
されることにより、コンデンサ14に充電された電荷の
大部分は放電され、この放電された電荷がコンデンサ8
に充電される。コンデンサ14が放電されることにより
コンデンサ14の負電極の電位fは第2図に示すように
再び上昇する。コンデンサ8が充電されることによりコ
ンデンサ8の負電極の電位gは第2図に示すように下が
る。前述のようにコンデンサ14の容量値(C14とす
る)はコンデンサ8の容量値(C8とする)に比べてか
なり小さいので、コンデンサ14の充電電荷の大部分は
瞬時にコンデンサ8に充電される。そのため、電位gの
立下りが急峻になっている。
NMOS7とPMOS13の導通状態、非導通状態が交
互に繰り返されることによりコンデンサ8の充電電荷量
は次第に増加していく。コンデンサ8の充電電荷量が増
加するにつれコンデンサ8の負電極の電位gは第2図に
示すように次第に低下していく。そして、電位gがイン
バータ10のしきい値vTH以下になるとクリア信号j
は“1“から“0”に変化する。
互に繰り返されることによりコンデンサ8の充電電荷量
は次第に増加していく。コンデンサ8の充電電荷量が増
加するにつれコンデンサ8の負電極の電位gは第2図に
示すように次第に低下していく。そして、電位gがイン
バータ10のしきい値vTH以下になるとクリア信号j
は“1“から“0”に変化する。
例えばインバータ10のしきい”TIを〔1/2)(v
DD−vss)、タイミングパルス発生開始時の電位g
及び電位fをv 1初期状態でのコンD デンサ8及び14の充電電荷量を0とする。まず、NM
OS7が導通すると電位fは電源電圧v88と等しくな
る。従って、このときのコンデンサ14の充電電荷量は
C14(vDD ’SS)となる。次に、NMOS7
が非導通状態、PMO313が導通状態となる。PMO
813が導通状態となった時点での電位gをvlとする
と、電荷保存の法則により、 C14(vDD−vSS) −(c +c ) (V、、−V、 ) −
(1)14 8 が成り立つ。 (1)式を変形すると、となる。更にも
う1度ずつNMOS7.PMO513が導通状態になっ
た時の電位gをv2とすると、 c (V −V ) +C(V、D−Vl)1
4 DOSS 8 − (C+C) (V、、−V2) ・(3)4
8 が成立つ。 (3)式に (2)式を代入して変形する
と、VDD−v2 ・・・(4) となる。同様に合計N回ずつNMOS7.PMO313
が導通状態になった時の電位gをVNとすると、 VDD−vN が成立つ。
DD−vss)、タイミングパルス発生開始時の電位g
及び電位fをv 1初期状態でのコンD デンサ8及び14の充電電荷量を0とする。まず、NM
OS7が導通すると電位fは電源電圧v88と等しくな
る。従って、このときのコンデンサ14の充電電荷量は
C14(vDD ’SS)となる。次に、NMOS7
が非導通状態、PMO313が導通状態となる。PMO
813が導通状態となった時点での電位gをvlとする
と、電荷保存の法則により、 C14(vDD−vSS) −(c +c ) (V、、−V、 ) −
(1)14 8 が成り立つ。 (1)式を変形すると、となる。更にも
う1度ずつNMOS7.PMO513が導通状態になっ
た時の電位gをv2とすると、 c (V −V ) +C(V、D−Vl)1
4 DOSS 8 − (C+C) (V、、−V2) ・(3)4
8 が成立つ。 (3)式に (2)式を代入して変形する
と、VDD−v2 ・・・(4) となる。同様に合計N回ずつNMOS7.PMO313
が導通状態になった時の電位gをVNとすると、 VDD−vN が成立つ。
例えばNMOS7及びPMO313が10回導通状態に
なった時にクリア信号jを“1“から0”に変化させた
い場合、VDD−VN−(1/2 )< v on−v
ss)及びN−10を(5)式に代入して解けば、容
量値Cと容量値c14の比が求ま8 る。
なった時にクリア信号jを“1“から0”に変化させた
い場合、VDD−VN−(1/2 )< v on−v
ss)及びN−10を(5)式に代入して解けば、容
量値Cと容量値c14の比が求ま8 る。
前述のように容量値C14は小さい値に定められている
ので、遅延回路5を構成する抵抗5aの抵抗値、コンデ
ンサ5bの容量値が製造時にばらつくことにより遅延回
路5での遅延時間が変化し、パルス信号eのパルス幅が
変化してもパルス信号eが“1”の期間には必ずコンデ
ンサー4は完全に充電される。また、容量値C14は小
さい値に定められその充電電荷量も小さいので、上述の
ように遅延回路5での遅延時間が変化しパルス信号dの
パルス幅が変化してもパルス信号dが“0“の期間には
必ずコンデンサー4の充電電荷は完全に平衡状態になる
までコンデンサ8に移動する。従って、タイミングパル
スaが出力され始めてからクリア信号jが“1”から“
0”に変化するまでの時間は、コンデンサ8の容量C8
とコンデンサー4の容量C14との比及びタイミングパ
ルスaの周波数により決定され、遅延回路5を構成する
抵抗5aの抵抗値、コンデンサ5bの容量値に依存しな
い。その結果、抵抗5aの抵抗値、コンデンサ5bの容
量にばらつきが生じてもタイミングパルスaが出力され
始めてからクリア信号jが“1”から“0”に変化する
までの時間を一定に保、でる。
ので、遅延回路5を構成する抵抗5aの抵抗値、コンデ
ンサ5bの容量値が製造時にばらつくことにより遅延回
路5での遅延時間が変化し、パルス信号eのパルス幅が
変化してもパルス信号eが“1”の期間には必ずコンデ
ンサー4は完全に充電される。また、容量値C14は小
さい値に定められその充電電荷量も小さいので、上述の
ように遅延回路5での遅延時間が変化しパルス信号dの
パルス幅が変化してもパルス信号dが“0“の期間には
必ずコンデンサー4の充電電荷は完全に平衡状態になる
までコンデンサ8に移動する。従って、タイミングパル
スaが出力され始めてからクリア信号jが“1”から“
0”に変化するまでの時間は、コンデンサ8の容量C8
とコンデンサー4の容量C14との比及びタイミングパ
ルスaの周波数により決定され、遅延回路5を構成する
抵抗5aの抵抗値、コンデンサ5bの容量値に依存しな
い。その結果、抵抗5aの抵抗値、コンデンサ5bの容
量にばらつきが生じてもタイミングパルスaが出力され
始めてからクリア信号jが“1”から“0”に変化する
までの時間を一定に保、でる。
なお、上記実施例では伝達回路202内のスイッチング
手段をNMOS7とPMO813により構成したが、検
出回路201の構成を変えることによりスイッチング手
段をPMOSのみあるいはNMO3のみで構成すること
もできる。また、スイッチング手段をMOSトランジス
タでなくバイポーラトランジスタ等の他のスイッチング
素子によって構成することもできる。
手段をNMOS7とPMO813により構成したが、検
出回路201の構成を変えることによりスイッチング手
段をPMOSのみあるいはNMO3のみで構成すること
もできる。また、スイッチング手段をMOSトランジス
タでなくバイポーラトランジスタ等の他のスイッチング
素子によって構成することもできる。
また、上記実施例では第1の電位を接地電位v83に、
第2の電位を電源電圧”DDとしたが、この逆にしても
よい。
第2の電位を電源電圧”DDとしたが、この逆にしても
よい。
また、上記実施例ではクリア信号jが“1”から“0”
に変化する場合について説明したが、クリア信号jが“
0”から“1”に変化する場合にもこの発明は適用でき
る。
に変化する場合について説明したが、クリア信号jが“
0”から“1”に変化する場合にもこの発明は適用でき
る。
さらに上記実施例ではタイミングパルスaの前縁を検出
してパルス信号dを生成し、後縁を検出してパルス信号
eを生成したが、第1A図に示した検出回路201中の
一部の回路構成を第1B図に示すような構成にして、パ
ルス信号d、eを生成するようにしてもよい。つまり、
第1A図のNAND回路12をなくし、NOR回路6の
出力であるパルス信号eをインバータ100、遅延回路
200を介すことにより、パルス信号eより一定時間遅
延しかつパルス信号eの反転信号であるパルス信号dを
生成するようにしてもよい。
してパルス信号dを生成し、後縁を検出してパルス信号
eを生成したが、第1A図に示した検出回路201中の
一部の回路構成を第1B図に示すような構成にして、パ
ルス信号d、eを生成するようにしてもよい。つまり、
第1A図のNAND回路12をなくし、NOR回路6の
出力であるパルス信号eをインバータ100、遅延回路
200を介すことにより、パルス信号eより一定時間遅
延しかつパルス信号eの反転信号であるパルス信号dを
生成するようにしてもよい。
また、パルス信号d、eはNMOS7.PMOS13を
同時に導通させないような交互の信号ならばいかなる信
号でもよい。このような信号は、例えば第1B図の遅延
回路200の遅延時間を調整することにより無数に生成
できる。
同時に導通させないような交互の信号ならばいかなる信
号でもよい。このような信号は、例えば第1B図の遅延
回路200の遅延時間を調整することにより無数に生成
できる。
また、上記実施例では、第2の、第3の電位を電源VD
Dとしたが別々の電位としてもよい。
Dとしたが別々の電位としてもよい。
以上のようにこの発明によれば、一方端が第1の電位に
接続され、第1のパルスのレベルに応じてスイッチング
される第1のスイッチング手段、一方端が第1のスイッ
チング手段の他方端に接続され、第2のパルスのレベル
に応じてスイッチングされる第2のスイッチング手段、
および一方電極が第2の電位に、他方電極が前記第1の
スイッチング手段の他方端と前記第2のスイッチング手
段の一方端との共通接続点に各々接続された比較的容量
の小さい第1のコンデンサを含む伝達手段と、一方電極
が第3の電位に、他方電極が第2のスイッチング手段の
他方端に各々接続された比較的容量の大きい第2のコン
デンサを含む平滑手段とを設けたので、第1のパルスの
パルス幅が変化することにより第1のスイッチング手段
の導通期間が変化しても、第1のコンデンサは、第1の
スイッチング手段が導通することにより瞬時に充電され
、続いて、第2のパルスに応答して第2のスイッチング
手段が導通すると、第1のコンデンサの充電電荷は瞬時
に第2のコンデンサに移動し、第2のパルスのパルス幅
が変化することにより第2のスイッチング手段の導通期
間が変化しても、第2のコンデンサは完全に平衡状態に
なるまで充電される。そのため、タイミングパルス発生
時からクリア信号発生時までの時間は、第1.第2のパ
ルスのパルス幅の変化にかかわらず、第1.第2のコン
デンサの容量比及びタイミングパルスの周期により決定
されることになり、第1.第2のコンデンサの容量比及
びタイミングパルスの周期を一定に保てばタイミングパ
ルス発生時からクリア信号発生時までの時間を一定に保
つことができるという効果がある。
接続され、第1のパルスのレベルに応じてスイッチング
される第1のスイッチング手段、一方端が第1のスイッ
チング手段の他方端に接続され、第2のパルスのレベル
に応じてスイッチングされる第2のスイッチング手段、
および一方電極が第2の電位に、他方電極が前記第1の
スイッチング手段の他方端と前記第2のスイッチング手
段の一方端との共通接続点に各々接続された比較的容量
の小さい第1のコンデンサを含む伝達手段と、一方電極
が第3の電位に、他方電極が第2のスイッチング手段の
他方端に各々接続された比較的容量の大きい第2のコン
デンサを含む平滑手段とを設けたので、第1のパルスの
パルス幅が変化することにより第1のスイッチング手段
の導通期間が変化しても、第1のコンデンサは、第1の
スイッチング手段が導通することにより瞬時に充電され
、続いて、第2のパルスに応答して第2のスイッチング
手段が導通すると、第1のコンデンサの充電電荷は瞬時
に第2のコンデンサに移動し、第2のパルスのパルス幅
が変化することにより第2のスイッチング手段の導通期
間が変化しても、第2のコンデンサは完全に平衡状態に
なるまで充電される。そのため、タイミングパルス発生
時からクリア信号発生時までの時間は、第1.第2のパ
ルスのパルス幅の変化にかかわらず、第1.第2のコン
デンサの容量比及びタイミングパルスの周期により決定
されることになり、第1.第2のコンデンサの容量比及
びタイミングパルスの周期を一定に保てばタイミングパ
ルス発生時からクリア信号発生時までの時間を一定に保
つことができるという効果がある。
第1A図はこの発明に係るクリア信号発生回路の一実施
例を示す回路図、第1B図は検出回路の他の構成を示す
回路図、第2図は第1図に示した回路の動作を説明する
ための波形図、第3図は従来のクリア信号発生回路を示
す回路図、第4図は第3図に示した回路の動作を説明す
るための波形図である。 図において、1はタイミングパルス発生回路、5は遅延
回路、6はNOR回路、7はNMO3゜8及び14はコ
ンデンサ、12はNAND回路、13はPMO8,10
0はインバータ、200は遅延回路、201は検出回路
、202は伝達回路、203は平滑回路、204は波形
整形回路、vDDは電源電圧、v88は接地電位である
。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
例を示す回路図、第1B図は検出回路の他の構成を示す
回路図、第2図は第1図に示した回路の動作を説明する
ための波形図、第3図は従来のクリア信号発生回路を示
す回路図、第4図は第3図に示した回路の動作を説明す
るための波形図である。 図において、1はタイミングパルス発生回路、5は遅延
回路、6はNOR回路、7はNMO3゜8及び14はコ
ンデンサ、12はNAND回路、13はPMO8,10
0はインバータ、200は遅延回路、201は検出回路
、202は伝達回路、203は平滑回路、204は波形
整形回路、vDDは電源電圧、v88は接地電位である
。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)タイミングパルスを発生するタイミングパルス発
生手段と、 前記タイミングパルス発生手段に接続され、前記タイミ
ングパルス発生手段からのタイミングパルスの所定のエ
ッジを検出して第1のパルスを発生するエッジ検出手段
、および該エッジ検出手段に接続され、前記第1のパル
スと一定の関係を有する第2のパルスを発生するパルス
発生手段を含む検出手段と、 一方端が第1の電位に接続され、前記第1のパルスのレ
ベルに応じてスイッチングされる第1のスイッチング手
段、一方端が前記第1のスイッチング手段の他方端に接
続され、前記第2のパルスのレベルに応じてスイッチン
グされる第2のスイッチング手段、および一方電極が第
2の電位に、他方電極が前記第1のスイッチング手段の
他方端と前記第2のスイッチング手段の一方端との共通
接続点に各々接続された比較的容量の小さい第1のコン
デンサを含む伝達手段と、 一方電極が第3の電位に、他方電極が前記第2のスイッ
チング手段の他方端に各々接続された比較的容量の大き
い第2のコンデンサを含む平滑手段と、 前記平滑手段に接続され、前記平滑手段の出力が所定レ
ベルより大きいか小さいかにより前記平滑手段の出力を
二値化する波形整形手段とを備えたクリア信号発生回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29332089A JPH03154111A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | クリア信号発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29332089A JPH03154111A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | クリア信号発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03154111A true JPH03154111A (ja) | 1991-07-02 |
Family
ID=17793306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29332089A Pending JPH03154111A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | クリア信号発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03154111A (ja) |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP29332089A patent/JPH03154111A/ja active Pending
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