JPH0316177A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0316177A JPH0316177A JP15448890A JP15448890A JPH0316177A JP H0316177 A JPH0316177 A JP H0316177A JP 15448890 A JP15448890 A JP 15448890A JP 15448890 A JP15448890 A JP 15448890A JP H0316177 A JPH0316177 A JP H0316177A
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- oxide film
- film
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- polysilicon
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Links
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置に関する。
（従来の技術）
半導体装置たとえばトランジスタでは、半導体基板の表
面にベースを、又そのベースの表面にエミッタをそれぞ
れ拡散によって形威してから、これらの各伝導型領域を
含む前記半導体基板の表面を酸化膜で覆い、更にこの酸
化膜にあけられたコンタクトホールを介してアルミニウ
ムのような電極をベース、エミッタの各伝導型領域に接
続するとともに、前記酸化膜の表面にまで拡張して引出
電極とする構成はよく知られている。
面にベースを、又そのベースの表面にエミッタをそれぞ
れ拡散によって形威してから、これらの各伝導型領域を
含む前記半導体基板の表面を酸化膜で覆い、更にこの酸
化膜にあけられたコンタクトホールを介してアルミニウ
ムのような電極をベース、エミッタの各伝導型領域に接
続するとともに、前記酸化膜の表面にまで拡張して引出
電極とする構成はよく知られている。
第ｌ図は上記した従来のＮＰＮトランジスタを示し、１
は基板、２はベース、３はエミッタ、４は酸化シリコン
のような酸化膜、５，６は酸化膜４にあけられたコンタ
クトホールを介してベース２，エミッタ３に接続された
アルミニウムからなる引出電極である． （発明が解決しようとする問題点） しかしこのような構威によると、引出電極５，６を形成
したあとでも、トランジスタとして完或するまでに種々
の熱が加えられることがあり、更にはトランジスタの使
用中でも自己発熱又は外部からの熱を受けて，引出電極
５，６のアルミニウム或分が酸化膜４内に拡散しやすく
なる．この拡散によって酸化膜は次第に導電性を帯びる
ことになるので、等価的に酸化膜が次第に薄くなったこ
とになり，これが引出電極とシリコンとの間の耐圧の低
下の原因となる． 又これを防止するのに引出電極と酸化膜との間に、ポリ
シリコンの膜を形成することが考えられるが、形成され
たこの膜のエッチングを，引出電極をマスクとして行な
うと、その際いわゆるサイドエッチ（アンダーカット）
現象が発生し，ポリシリコンの層はサイドエッチの分だ
け引出電極よりも小さくなる． そのため引出電極と酸化膜との間で放電現象が発生しや
すくなり、したがってこれを防ぐための特別な対策が必
要となる． 更に前記のようにポリシリコンの膜がサイドエッチによ
って引出電極よりも小さくなると，エレクトロマイグレ
ーションによって引出電極のアルミニウム成分が、ポリ
シリコンの膜の端面を伝わって酸化膜に達することがあ
る． このような状態が発生すると、先に述べたようにアルミ
ニウム成分が酸化膜に拡散してしまい、引出電極と半導
体基板との間の耐圧が低下してしまうようになる。
は基板、２はベース、３はエミッタ、４は酸化シリコン
のような酸化膜、５，６は酸化膜４にあけられたコンタ
クトホールを介してベース２，エミッタ３に接続された
アルミニウムからなる引出電極である． （発明が解決しようとする問題点） しかしこのような構威によると、引出電極５，６を形成
したあとでも、トランジスタとして完或するまでに種々
の熱が加えられることがあり、更にはトランジスタの使
用中でも自己発熱又は外部からの熱を受けて，引出電極
５，６のアルミニウム或分が酸化膜４内に拡散しやすく
なる．この拡散によって酸化膜は次第に導電性を帯びる
ことになるので、等価的に酸化膜が次第に薄くなったこ
とになり，これが引出電極とシリコンとの間の耐圧の低
下の原因となる． 又これを防止するのに引出電極と酸化膜との間に、ポリ
シリコンの膜を形成することが考えられるが、形成され
たこの膜のエッチングを，引出電極をマスクとして行な
うと、その際いわゆるサイドエッチ（アンダーカット）
現象が発生し，ポリシリコンの層はサイドエッチの分だ
け引出電極よりも小さくなる． そのため引出電極と酸化膜との間で放電現象が発生しや
すくなり、したがってこれを防ぐための特別な対策が必
要となる． 更に前記のようにポリシリコンの膜がサイドエッチによ
って引出電極よりも小さくなると，エレクトロマイグレ
ーションによって引出電極のアルミニウム成分が、ポリ
シリコンの膜の端面を伝わって酸化膜に達することがあ
る． このような状態が発生すると、先に述べたようにアルミ
ニウム成分が酸化膜に拡散してしまい、引出電極と半導
体基板との間の耐圧が低下してしまうようになる。
この発明は、Ｗ引出電極等と半導体基板との間の，弛幽
引出電極等の酸化膜への拡散に基づく耐圧の低下を防ぐ
ことを目的とする． （問題点を解決するための手段） この発明は，引出電極のアルミニウム戊分が酸化膜に拡
散するのを防止するための、ポリシリコンの膜を，酸化
膜の表面上にあって、かつ引出電極の形成個所より外側
にまで拡張して形成し、ポリシリコンの膜の表面に引出
電極を形成したことを特徴とする． （作用） ポリシリコンの膜が引出電極と酸化膜との間に形成され
ているので、引出電極が加熱されても、これによるアル
ミニウム成分は、ポリシリコンの膜によって酸化膜内に
拡散されていくのが防止されるようになる。
引出電極等の酸化膜への拡散に基づく耐圧の低下を防ぐ
ことを目的とする． （問題点を解決するための手段） この発明は，引出電極のアルミニウム戊分が酸化膜に拡
散するのを防止するための、ポリシリコンの膜を，酸化
膜の表面上にあって、かつ引出電極の形成個所より外側
にまで拡張して形成し、ポリシリコンの膜の表面に引出
電極を形成したことを特徴とする． （作用） ポリシリコンの膜が引出電極と酸化膜との間に形成され
ているので、引出電極が加熱されても、これによるアル
ミニウム成分は、ポリシリコンの膜によって酸化膜内に
拡散されていくのが防止されるようになる。
のみならずポリシリコンの膜は、引出電極の外側にまで
拡張して形成されてあるので、引出電極と酸化膜との間
の放電の発生は防止されるし、又エレクトロマイグレー
ションによって引出電極のアルミニウム或分が酸化膜に
拡散されるのが防止されるようになる． （実施例） この発明の実施例を第２図により説明する．なお第１図
と同じ符号を付した部分は、同一又は対応する部分を示
す。同図において、７は引出電極５，６を構威している
アルミニウムよりも不活性の層、すなわちポリシリコン
からなる層である。
拡張して形成されてあるので、引出電極と酸化膜との間
の放電の発生は防止されるし、又エレクトロマイグレー
ションによって引出電極のアルミニウム或分が酸化膜に
拡散されるのが防止されるようになる． （実施例） この発明の実施例を第２図により説明する．なお第１図
と同じ符号を付した部分は、同一又は対応する部分を示
す。同図において、７は引出電極５，６を構威している
アルミニウムよりも不活性の層、すなわちポリシリコン
からなる層である。
そして前記のように酸化膜４を形威したあと、その表面
にあって、かつ引出電極５，６の形成個所より外側にま
で拡張して層７を形戊する．７Ａはその拡張部を示す．
そのあと層７の表面に、引出電極５，６を蒸着等によっ
て形成する．なお層７の形成は気相成長法によるとよい
． このように構成すると、引出電極５，６と酸化膜４との
間に，層７が介在されることになるので，熱によって、
引出電極５，６のアルミニウムが酸化膜４に拡散してい
くのを層７が阻止するようになる。そのため酸化膜４の
耐圧低下はこれをもって防止することができるようにな
る． しかも層７は引出電極５，６より外側にまで拡張して拡
張部７Ａを形成しているので、層７が弓出電極５，６よ
り小さくなることはなく，シたがって引出電極５，６と
層７との間で放電現象が発生するようなことはない。
にあって、かつ引出電極５，６の形成個所より外側にま
で拡張して層７を形戊する．７Ａはその拡張部を示す．
そのあと層７の表面に、引出電極５，６を蒸着等によっ
て形成する．なお層７の形成は気相成長法によるとよい
． このように構成すると、引出電極５，６と酸化膜４との
間に，層７が介在されることになるので，熱によって、
引出電極５，６のアルミニウムが酸化膜４に拡散してい
くのを層７が阻止するようになる。そのため酸化膜４の
耐圧低下はこれをもって防止することができるようにな
る． しかも層７は引出電極５，６より外側にまで拡張して拡
張部７Ａを形成しているので、層７が弓出電極５，６よ
り小さくなることはなく，シたがって引出電極５，６と
層７との間で放電現象が発生するようなことはない。
更にこの拡張部７Ａの存在によって、エレクトロマイグ
レーションによる引出電極のアルミニウム成分が、層７
の端面を伝わって酸化膜４に達するようなことはなく、
したがってアルミニウム成分の拡散によって引出電極５
，６と基板１との間の耐圧の低下が防止されるようにな
る。
レーションによる引出電極のアルミニウム成分が、層７
の端面を伝わって酸化膜４に達するようなことはなく、
したがってアルミニウム成分の拡散によって引出電極５
，６と基板１との間の耐圧の低下が防止されるようにな
る。
なお層７としてはこれがドープドポリシリコン或いはノ
ンドープドポリシリコンであってもよい．又図の素子は
トランジスタであるが、これに限られずダイオード、集
積回路、その他の半導体装置にも，この発明は適用可能
である。
ンドープドポリシリコンであってもよい．又図の素子は
トランジスタであるが、これに限られずダイオード、集
積回路、その他の半導体装置にも，この発明は適用可能
である。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明によれば、引出電極を構或
しているアルミニウム成分の拡散による酸化膜の耐圧低
下は、ポリシリコンの膜を引出電極と酸化膜との間に介
在させるだけの簡単な構戊によって、確実に防止するこ
とができるし、また引出電極と酸化膜との間の放電現象
の発生が回避され、更にエレクトロマイグレーションに
よるアルミニウム成分の酸化膜への拡散を防止すること
ができる効果を奏する。
しているアルミニウム成分の拡散による酸化膜の耐圧低
下は、ポリシリコンの膜を引出電極と酸化膜との間に介
在させるだけの簡単な構戊によって、確実に防止するこ
とができるし、また引出電極と酸化膜との間の放電現象
の発生が回避され、更にエレクトロマイグレーションに
よるアルミニウム成分の酸化膜への拡散を防止すること
ができる効果を奏する。
第１図は従来例の断面図，第２図はこの発明の実施例を
示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・ベース、３・・・エミッ
タ、４・・・酸化膜，５，６・・・引出電極，７・・・
ポリシリコンの層、７Ａ・・・拡張部、 第／図 糖２図
示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・ベース、３・・・エミッ
タ、４・・・酸化膜，５，６・・・引出電極，７・・・
ポリシリコンの層、７Ａ・・・拡張部、 第／図 糖２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板の表面に形成された伝導型領域、前記伝導
型領域を含む前記半導体基板の表面に形成された酸化膜
、前記酸化膜にあけられたコンタクトホールを介して前
記伝導型領域に連なる、アルミニウムからなる引出電極
を備えた半導体装置において、 前記引出電極のアルミニウム成分が前記酸化膜に拡散す
るのを防止するための、ポリシリコンの膜を、前記酸化
膜の表面上にあって、かつ引出電極の形成個所より外側
にまで拡張して形成し、前記ポリシリコンの膜の表面に
前記引出電極を形成してなる 半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15448890A JPH0316177A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15448890A JPH0316177A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59041034A Division JPS60183769A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316177A true JPH0316177A (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=15585343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15448890A Pending JPH0316177A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316177A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LT6081B (lt) | 2013-01-16 | 2014-10-27 | Uab "Precizika - Met Sc" | Naujas saulės elemento emiterio kontaktinio tinklelio formavimo būdas taikant pilnos cheminės metalizacijos dengimo metodiką |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP15448890A patent/JPH0316177A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LT6081B (lt) | 2013-01-16 | 2014-10-27 | Uab "Precizika - Met Sc" | Naujas saulės elemento emiterio kontaktinio tinklelio formavimo būdas taikant pilnos cheminės metalizacijos dengimo metodiką |
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