JPS60183769A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS60183769A
JPS60183769A JP59041034A JP4103484A JPS60183769A JP S60183769 A JPS60183769 A JP S60183769A JP 59041034 A JP59041034 A JP 59041034A JP 4103484 A JP4103484 A JP 4103484A JP S60183769 A JPS60183769 A JP S60183769A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide film
electrodes
layers
inactive
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP59041034A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuyuki Higuchi
樋口　泰之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
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Publication of JPS60183769A publication Critical patent/JPS60183769A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置に関する。
゛半導体装置たとえばトランジスタでは、半導体基板の
表面にベースを、又そのベースの表面に工酸化膜で覆い
、更にこの酸化膜にあけられたコンタクトホールを介し
てアルミニウムのような電極をベース、エミッタの各伝
導型領域に接続するとともに、前記酸化膜の表面にまで
延長して引出電極とする構成はよく知られている。
第１図は上記した従来のＮＰＮ　）ランジスタを示し、
１は基板、２はベース、５はエミッタ、４は酸化シリコ
ンのような酸化膜、５．６　Ｆｉ酸化膜４にあけられた
コンタクトホールを介してベース２゜エミッタ３に接続
されたアルミニウムからなる引出用の電極である。しか
しこのような構成によると、電極５．６を形成したあと
でもトランジスタとして完成するまでに種々の熱が加え
られることがあシ、更にはトランジスタの使用中でも自
己発熱又は外部からの熱を受けて電極５．６のアルミニ
ウム成分が酸化膜４内に拡散しやすくなる。この拡散に
よって酸化膜は次第に導電性を帯びるととになるので等
測的に酸化膜が次第に薄くなった圧 ことになシ、これが１！極とシリコンとの間の側熱の低
下の原因となる。
この発明は引出電極等と半導体基板との間の、引出電極
等の酸化膜への拡散に基く耐圧の低下を防ぐことを目的
とする。
この発明の実施例を第２図によシ説明する。なお第１図
と同じ符号を附した部分は同−又は対応する部分を示す
。同図において７は電極５．６すなわ↓アルミニウムよ
りも不活性の層で、たとえばポリシリコン１．−ｅリブ
デン、チタン等が利用できる。そして酸化Ｍｊ４を形成
したあと、その表面たとえＢｔ１Ｎ５．６の形成個所に
酸化膜４を覆うで形成する。
このように構成すると、電４＃ｉ５．６と酸化膜４との
間に層７が介在されるととＫなるので、熱によっても電
極５．６のアルミニウムが酸化ＩＢｔｆｆ４に拡散して
いくのを層７が阻止するように力る。そのため酸化膜４
の耐圧低下はこれをもって防止することができるように
なる。本発明者の実駁によれば、Ｍ７を設けない場合の
耐圧が４００ｒであったトランジスタにおいて、層７と
して厚み３０００Ｊのポリシリコンを介在させたところ
、耐圧が５００〜６００Ｖに向上した仁とが確められて
いる。
なお層７としてポリシリコンを使用する場合、これをド
ープドポリシリコンとしてもよいし、或いはノンドープ
ドシリコンとしてもよく、いずれも耐圧の向上に有効で
あった。又図の実施例は引出電極の例を示したが、ボン
ディングバットを有する他の電極部に４適用できる。又
素子はトランジスタであるが、これに限られずダイオー
ド、集積回路その他の半導体装置にもこの発明は適用可
能である。
以上詳述したようＫこの発明によれば、電極の拡散によ
る酸化膜の耐圧低下を電極よりも不活性の層を介在させ
るだけの簡単な構成によって防止することができる効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例の断面図、第２図はこの発明の実施例を
示す断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板の表面に形成された伝導型領域、前記伝導型
    領域を含む前記半導体基板の表面に形成された酸化膜、
    前記酸化膜にあけられたコンタクトホールを介して前記
    伝導型領域に連る電極会参叱会蟇曇４４を備えた半導体
    装置において、前記電極を前記電極より不活性の層を介
    して前記酸化１挨の表面に設けてなる半導体装置
JP59041034A 1984-03-02 1984-03-02 半導体装置 Pending JPS60183769A (ja)

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JP3081511A Division JP2641998B2 (ja) 1991-03-20 1991-03-20 半導体装置
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62115845A (ja) * 1985-11-15 1987-05-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5623299A (en) * 1979-07-31 1981-03-05 Toyo Sash Kk Electrolytic coloring method of aluminum or its alloy

Patent Citations (1)

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