JPH03161902A - バリスタの製造方法 - Google Patents
バリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH03161902A JPH03161902A JP1302497A JP30249789A JPH03161902A JP H03161902 A JPH03161902 A JP H03161902A JP 1302497 A JP1302497 A JP 1302497A JP 30249789 A JP30249789 A JP 30249789A JP H03161902 A JPH03161902 A JP H03161902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zno
- varistor
- powder
- mixed
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 25
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 abstract 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 108010015046 cell aggregation factors Proteins 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＺｎＯを主或分原料とずるバリスタの製造方
法に関し、より特定的には、ＺｎＯ原料籾末を得る工程
が改良されたバリスタの製造方法に関する。
法に関し、より特定的には、ＺｎＯ原料籾末を得る工程
が改良されたバリスタの製造方法に関する。
一ｍに、バリスタは、印加電圧に応じて抵抗値が非直線
的に変化する抵抗体素子として知られており、電子回路
に過電圧が加わるのを防止するためのサージ吸収素子等
に用いられている。
的に変化する抵抗体素子として知られており、電子回路
に過電圧が加わるのを防止するためのサージ吸収素子等
に用いられている。
バリスタには、大別してディスク型バリスタ及び積層型
バリスタの２種の形式のものが存在する。
バリスタの２種の形式のものが存在する。
何れの形式のものにおいて、電圧非直線性を示す拐料と
しては、ＺｎＯを主或分原料とするものが広く用いられ
ている。
しては、ＺｎＯを主或分原料とするものが広く用いられ
ている。
製造に際しては、主或分原籾であるＺｎＯに対し、副成
分原料としてＢｉ，Ｃｏ．ＭｎまたはＳｂ等の金属酸化
物が同時に添加される。しかる後、混合・粉砕されるこ
とにより、混合原料粉末が得られる。この混合原料粉末
を戒形して得られた成形体を焼成することにより、電圧
非直線性を示す焼結体が得られる。さらに、得られた焼
結体に所定の電極を形或することにより、バリスタが製
造されている。
分原料としてＢｉ，Ｃｏ．ＭｎまたはＳｂ等の金属酸化
物が同時に添加される。しかる後、混合・粉砕されるこ
とにより、混合原料粉末が得られる。この混合原料粉末
を戒形して得られた成形体を焼成することにより、電圧
非直線性を示す焼結体が得られる。さらに、得られた焼
結体に所定の電極を形或することにより、バリスタが製
造されている。
なお、上記した副成分原料、ずなわちＢｉ，Ｃｏ，Ｍｎ
またはｓｂ等の副成分原料は、電圧非直線性を与えるた
めや安定性を向上させるため等の目的で添加されている
ものである。
またはｓｂ等の副成分原料は、電圧非直線性を与えるた
めや安定性を向上させるため等の目的で添加されている
ものである。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕？述した従来の
製造方法では、十分なザージ耐量のバリスタを得ること
が難しいという問題があった。サージ耐量とは、Ｖｌ−
Ａ （バリスタにｌｍＡの電流が流れたときにバリス
タの両端にかかる電圧値）の変化率が±１０％以下であ
る時の電流値の大きさを表すものであるが、例えば、直
径が７１ＩＩＩＩ１のディスク型バリスタにおいては１
５００Ａ程度の８×２０μｍ秒のサージ電流を印加した
場合、■１■の変化率が安定的に±１０％以下とならず
、１５００Ａ以上のサージ耐量を安定に得ることは困難
であった。
製造方法では、十分なザージ耐量のバリスタを得ること
が難しいという問題があった。サージ耐量とは、Ｖｌ−
Ａ （バリスタにｌｍＡの電流が流れたときにバリス
タの両端にかかる電圧値）の変化率が±１０％以下であ
る時の電流値の大きさを表すものであるが、例えば、直
径が７１ＩＩＩＩ１のディスク型バリスタにおいては１
５００Ａ程度の８×２０μｍ秒のサージ電流を印加した
場合、■１■の変化率が安定的に±１０％以下とならず
、１５００Ａ以上のサージ耐量を安定に得ることは困難
であった。
よって、本発明の目的は、１５００Ａ以上のザージ耐量
を安定に得ることが可能なバリスタの製造方法を提供す
ることにある。
を安定に得ることが可能なバリスタの製造方法を提供す
ることにある。
本願発明者らは、前述したようなバリスタにおけるサー
ジ耐量のばらつきが、主成分原料であるＺｎＯに対する
Ｂｉ．Ｃｏ、Ｍｎまたはｓｂ等の酸化物の分散状態の不
均一性により生しているのではないかと考え、ＺｎＯ及
び副成分原料の粒径３ 及び凝集状態につき調査した。その結果、ＺｎＯのＩ）
ｓｏが１μｍ以下であるにも関わらず、ＺｎＯが凝集を
起こし易く、二次粒子の中には５μｍ〜１０μｍ以上の
ものも存在することがわかった。
ジ耐量のばらつきが、主成分原料であるＺｎＯに対する
Ｂｉ．Ｃｏ、Ｍｎまたはｓｂ等の酸化物の分散状態の不
均一性により生しているのではないかと考え、ＺｎＯ及
び副成分原料の粒径３ 及び凝集状態につき調査した。その結果、ＺｎＯのＩ）
ｓｏが１μｍ以下であるにも関わらず、ＺｎＯが凝集を
起こし易く、二次粒子の中には５μｍ〜１０μｍ以上の
ものも存在することがわかった。
すなわち、Ｚｎ○の凝集により、副威分原１′１が均一
に分散され難く、それによってサージ耐量にばらつきを
生していることを見出した。
に分散され難く、それによってサージ耐量にばらつきを
生していることを見出した。
本願発明者らは、上記の新規な知見に基づき、ＺｎＯの
凝集を防止すれば、サージ耐量を高め得るのではないか
と考え、Ｚｎ○の凝集を阻止し得る方法につき種々検討
した結果、本願発明をなすに至った。
凝集を防止すれば、サージ耐量を高め得るのではないか
と考え、Ｚｎ○の凝集を阻止し得る方法につき種々検討
した結果、本願発明をなすに至った。
すなわち、本発明のバリスタの製造方法は、主或分原料
であるＺｎ○を８００゜Ｃ−１４００゜Ｃの範囲の温度
で熱処理し、粉砕してＺｎＯ粉末を得、該Ｚｎ○粉末に
副威分原料を添加して混合粉砕し、得られた混合原料粉
末を戒形し、次に戊形体を焼威ずる各工程を備えること
を特徴とする。
であるＺｎ○を８００゜Ｃ−１４００゜Ｃの範囲の温度
で熱処理し、粉砕してＺｎＯ粉末を得、該Ｚｎ○粉末に
副威分原料を添加して混合粉砕し、得られた混合原料粉
末を戒形し、次に戊形体を焼威ずる各工程を備えること
を特徴とする。
Ｚｎ○の熱処理は、上記のように８００゜Ｃ−１４００
゜Ｃの範囲の温度にＺｎ○を保持しておくこ４ とにより行われる。この熱処理の時間は、特に限定され
るものではないが、後述のζ電位を十分大きくし得るの
に必要な時間保持することが好ましい。通常は、約２時
間程度の熱処理が行われる。
゜Ｃの範囲の温度にＺｎ○を保持しておくこ４ とにより行われる。この熱処理の時間は、特に限定され
るものではないが、後述のζ電位を十分大きくし得るの
に必要な時間保持することが好ましい。通常は、約２時
間程度の熱処理が行われる。
８００“Ｃ以上１４００℃以下の温度で熱処理する必要
があるのは、上記範囲外の温度でＺｎ○を熱処理した場
合には、１５００Ａ以上のサージ耐量を実現することが
できないからである。
があるのは、上記範囲外の温度でＺｎ○を熱処理した場
合には、１５００Ａ以上のサージ耐量を実現することが
できないからである。
本発明は、ＺｎＯについての上記熱処理工程を特徴とす
るものであり、熱処理後６こわ）砕して得られたＺｎＯ
粉末を副成分原料と混合し、再度粉砕して混合原料粉末
を得る。副威分原料としては、従来よりＺｎ○バリスタ
を得るのに用いられている種々のものを適宜用いること
ができる。例えば、Ｂｉ，Ｐｒ，Ｓｂ，ＭｎまたはＣｏ
等の金属酸化物が適宜用いられる。
るものであり、熱処理後６こわ）砕して得られたＺｎＯ
粉末を副成分原料と混合し、再度粉砕して混合原料粉末
を得る。副威分原料としては、従来よりＺｎ○バリスタ
を得るのに用いられている種々のものを適宜用いること
ができる。例えば、Ｂｉ，Ｐｒ，Ｓｂ，ＭｎまたはＣｏ
等の金属酸化物が適宜用いられる。
また、混合原料粉末を得た後の戒形並びに焼威等につい
ては、従来のバリスタの製造方法において用いられてい
る常法を用いればよい。
ては、従来のバリスタの製造方法において用いられてい
る常法を用いればよい。
５
Ｚｎ○粉末の凝集要因は、ＺｎＯのζ電位にあると考え
られ、ζ電位が±０のときに凝集がもっとも起こり易い
状態となる。すなわち、ＺｎＯ粒子がζ電位が±０に近
い程ＺｎＯ粒子同士が反発し合わずに凝集が起こり易く
なる。事実、従来法において得られたＺｎＯ原料粉末の
ζ電位は約＋４ｍＶ程度である。従って、この程度の大
きさのζ電位では、ＺｎＯ粒子同士の反発力が小さく、
凝集が起こり易い状態にあると考えられる。
られ、ζ電位が±０のときに凝集がもっとも起こり易い
状態となる。すなわち、ＺｎＯ粒子がζ電位が±０に近
い程ＺｎＯ粒子同士が反発し合わずに凝集が起こり易く
なる。事実、従来法において得られたＺｎＯ原料粉末の
ζ電位は約＋４ｍＶ程度である。従って、この程度の大
きさのζ電位では、ＺｎＯ粒子同士の反発力が小さく、
凝集が起こり易い状態にあると考えられる。
そこで、本発明では、上記のような熱処理を行うことに
より、ＺｎＯのζ電位を高めている。すなわち、本発明
は、ＺｎＯを８００゜Ｃ以上１４００゜Ｃ以下の温度で
熱処理することによりＺｎＯのζ電位を高め、ＺｎＯ粒
子間に働く静電反発力を高めることにより凝集を防止し
たことに特徴を有する。
より、ＺｎＯのζ電位を高めている。すなわち、本発明
は、ＺｎＯを８００゜Ｃ以上１４００゜Ｃ以下の温度で
熱処理することによりＺｎＯのζ電位を高め、ＺｎＯ粒
子間に働く静電反発力を高めることにより凝集を防止し
たことに特徴を有する。
なお、好ましくは、１０００ 〜１２００゜ｃの温度で
熱処理することにより、より一層ζ電位を尚め得るため
、より一層サージ耐量の高いバリスタを得ることができ
る。
熱処理することにより、より一層ζ電位を尚め得るため
、より一層サージ耐量の高いバリスタを得ることができ
る。
６
〔発明の効果〕
本発明によれば、ＺｎＯを８００゜Ｃ〜１４００゛Ｃの
範囲の温度で熱処理する工程を備えるため、ＺｎＯ粉末
の凝集を効果的に防止することができる。従って、Ｚｎ
Ｏ粉末に対して副成分原料を均−に分散させることが可
能となるため、サージ耐量が高められたバリスタを得る
ことができる。ずなわら、１５００Ａを超えるサージ耐
量を示すバリスタを安定に得ることが可能となる。
範囲の温度で熱処理する工程を備えるため、ＺｎＯ粉末
の凝集を効果的に防止することができる。従って、Ｚｎ
Ｏ粉末に対して副成分原料を均−に分散させることが可
能となるため、サージ耐量が高められたバリスタを得る
ことができる。ずなわら、１５００Ａを超えるサージ耐
量を示すバリスタを安定に得ることが可能となる。
また、後述の実施例から明らかなように、サージ耐量だ
けでなく、電圧非直線係数についても相当の従来例に対
して５以上大きくすることができる。従って、従来より
も電圧制御特性に優れたバリスタを得ることが可能とな
る。
けでなく、電圧非直線係数についても相当の従来例に対
して５以上大きくすることができる。従って、従来より
も電圧制御特性に優れたバリスタを得ることが可能とな
る。
まず、ＺｎＯを８００’Ｃ 〜１４００゜Ｃの範囲の種
々の温度で熱処理した。熱処理に際しては、設定した熱
処理温度雰囲気に主成分原料であるＺｎＯを数時間保持
することにより行った。次に、熱処理されたＺｎＯを粉
砕ずることによりＺｎＯ粉末を得た。
々の温度で熱処理した。熱処理に際しては、設定した熱
処理温度雰囲気に主成分原料であるＺｎＯを数時間保持
することにより行った。次に、熱処理されたＺｎＯを粉
砕ずることによりＺｎＯ粉末を得た。
得られたＺｎＯ粉末（９７．８モル％）に対し、副戒分
原料であるＢ ｉｚ Ｏｘ （０．５モル％）、Ｍｎ
○（０．５モル％）、Ｃｏ，！ ０，（０．５モル％）
及びＳｂｚ ０３ （０．７モル％）を添加し、ポー
ルミルにより１０時間湿式混合し、次に粉砕して混合原
料粉末を得た。
原料であるＢ ｉｚ Ｏｘ （０．５モル％）、Ｍｎ
○（０．５モル％）、Ｃｏ，！ ０，（０．５モル％）
及びＳｂｚ ０３ （０．７モル％）を添加し、ポー
ルミルにより１０時間湿式混合し、次に粉砕して混合原
料粉末を得た。
得られた混合原料粉末を脱水し、次にａ ｏ ｏ ’ｃ
で２時間仮焼した。さらに、仮焼した混合原料粉末に対
し、バインダとして酢酸ビニルを２重量％及びポリビニ
ルアルコール１．５重景％添加し、再びボールごルにて
１０時間湿式混合し、造粒粉末を得た。
で２時間仮焼した。さらに、仮焼した混合原料粉末に対
し、バインダとして酢酸ビニルを２重量％及びポリビニ
ルアルコール１．５重景％添加し、再びボールごルにて
１０時間湿式混合し、造粒粉末を得た。
次に、得られた造粒粉末を、直径８ｍｍＸ厚み１．２ｍ
ｍの大きさにプレスにより圧縮成形し、成形密度３．８
ｇ／ｃ＋１の成形体を得た。
ｍの大きさにプレスにより圧縮成形し、成形密度３．８
ｇ／ｃ＋１の成形体を得た。
得られた成形体を、７ ０ ０ ’Ｃの温度で１時間加
熱処理し、バインダを飛散させた後、＋１００゜Ｃ〜ｌ
４００゜Ｃで２時間焼威し、パリスタ素子を得た。
熱処理し、バインダを飛散させた後、＋１００゜Ｃ〜ｌ
４００゜Ｃで２時間焼威し、パリスタ素子を得た。
得られたバリスタ素子の両主面にＡｇを主体とずる導電
ベース１・を塗布し、６ ５ ０ ’Ｃで１０分間焼き
イ」りを行い、電極を形威した。形威された両電極に、
それぞれ、はんだ付けによりリード線を取り付けた後、
バリスタ素子全体をエボキシ樹脂により外装被覆し、デ
ィスク型バリスタ試料を得た。
ベース１・を塗布し、６ ５ ０ ’Ｃで１０分間焼き
イ」りを行い、電極を形威した。形威された両電極に、
それぞれ、はんだ付けによりリード線を取り付けた後、
バリスタ素子全体をエボキシ樹脂により外装被覆し、デ
ィスク型バリスタ試料を得た。
得られた試料につき、単位厚み当たりのバリスタ電圧（
ＶＩＩＩＡ／＋１１１１） 、電圧非直線係数（α）
及びバリスタ電圧の変化率を測定した。結果を第１表に
示す。なお、電圧非直線係数は、α−１／１ｏｇ （Ｖ
ｉｍＡ／ＶＱ．ｌ，ＩＡ ）の式により求めた。また、
ハリスク電圧の変化率は、１０００、１５００及び２０
００Ａの８×２０μ秒の各サージ電流を印加し、１時間
後のバリスタ電圧を測定し、サージ電流を印加する前の
バリスタ電圧の変化率を示したものである。
ＶＩＩＩＡ／＋１１１１） 、電圧非直線係数（α）
及びバリスタ電圧の変化率を測定した。結果を第１表に
示す。なお、電圧非直線係数は、α−１／１ｏｇ （Ｖ
ｉｍＡ／ＶＱ．ｌ，ＩＡ ）の式により求めた。また、
ハリスク電圧の変化率は、１０００、１５００及び２０
００Ａの８×２０μ秒の各サージ電流を印加し、１時間
後のバリスタ電圧を測定し、サージ電流を印加する前の
バリスタ電圧の変化率を示したものである。
また、比較例として、ＺｎＯを熱処理していない従来の
製造方法により製造されたディスク型バリスタの試料（
試料番号１１）についても、実施９ 例と同様の測定を行い、結果を第１表に併せて示した。
製造方法により製造されたディスク型バリスタの試料（
試料番号１１）についても、実施９ 例と同様の測定を行い、結果を第１表に併せて示した。
さらに、熱処理温度が本発明の範囲外となる試料（試料
番号１，２．１０）についても、実施例と同様に製作し
、かつ測定を行い、その結果を第１表に併せて示した。
番号１，２．１０）についても、実施例と同様に製作し
、かつ測定を行い、その結果を第１表に併せて示した。
なお、第１表中における「＊」印は、比較例及び本発明
の範囲外の試料であることを示す。
の範囲外の試料であることを示す。
第１表から明らかなように、ＺｎＯの熱処理温度を８０
０゜Ｃ〜１４００゜Ｃの範囲とした本発明試料（試料番
号３〜９）では、１５００Ａのザージ電流に対するバリ
スタ電圧の変化率が、±１０％未満と大幅に向上してい
ることがわかる。
０゜Ｃ〜１４００゜Ｃの範囲とした本発明試料（試料番
号３〜９）では、１５００Ａのザージ電流に対するバリ
スタ電圧の変化率が、±１０％未満と大幅に向上してい
ることがわかる。
また、電圧非直線係数αについても、比較例の試料（試
料番号１１）に比べて５以上大きくなることがわかる。
料番号１１）に比べて５以上大きくなることがわかる。
さらに、本発明の試料（試料番号３〜１０）においては
、特に、ＺｎＯ熱処理温度を１０００゜Ｃ以上１２００
゜Ｃ以下の温度とした試料（試料番号５〜７）において
、２００ＯＡのサージ電流に対ｌ０ ずるバリスタ電圧の変化率も、上ｌＯ％未満となってい
ることがわかる。従って、１０００゜Ｃ以上１２００゜
Ｃ以下の温度でＺ ｎ Ｏを熱処理することが好ましい
。
、特に、ＺｎＯ熱処理温度を１０００゜Ｃ以上１２００
゜Ｃ以下の温度とした試料（試料番号５〜７）において
、２００ＯＡのサージ電流に対ｌ０ ずるバリスタ電圧の変化率も、上ｌＯ％未満となってい
ることがわかる。従って、１０００゜Ｃ以上１２００゜
Ｃ以下の温度でＺ ｎ Ｏを熱処理することが好ましい
。
なお、上記実施例では、円板状の焼結体を用いたディス
ク型バリスタの製造方法について説明したが、本発明は
、他の形状、例えば角板型バリスタの製造方法にも適用
することができ、また積層型バリスタにも適用すること
が可能であり、本実施例と同様の効果を得ることができ
ることを指摘しておく。
ク型バリスタの製造方法について説明したが、本発明は
、他の形状、例えば角板型バリスタの製造方法にも適用
することができ、また積層型バリスタにも適用すること
が可能であり、本実施例と同様の効果を得ることができ
ることを指摘しておく。
（以下、余白）
第
１
表
Claims (1)
- 主成分原料であるＺｎＯを８００゜Ｃ〜１４００゜Ｃの
範囲の温度で熱処理した後、粉砕してＺｎＯ粉未を得、
該ＺｎＯ粉末に副成分原料を混合した後粉砕し、得られ
た混合原料粉末を成形し、次に成形体を焼成する各工程
を備えることを特徴とするバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302497A JPH03161902A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302497A JPH03161902A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | バリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03161902A true JPH03161902A (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=17909671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1302497A Pending JPH03161902A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03161902A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5060793A (ja) * | 1973-10-01 | 1975-05-24 |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP1302497A patent/JPH03161902A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5060793A (ja) * | 1973-10-01 | 1975-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03161902A (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP3323701B2 (ja) | 酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法 | |
| JPH0552642B2 (ja) | ||
| JPH01317158A (ja) | バリスタ材料の製法 | |
| KR920005155B1 (ko) | 산화아연 바리스터의 제조방법 | |
| JPH0383846A (ja) | バルスタの製造方法 | |
| JPH06204006A (ja) | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 | |
| JPH01289218A (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JPS6054401A (ja) | チタン酸バリウム系ｐｔｏサ−ミスタの製造方法 | |
| JP2558811B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JPH04196591A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 | |
| JPS62237704A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造法 | |
| JPH02114603A (ja) | グレーズバリスタの製造方法 | |
| JPS6028121B2 (ja) | 電圧非直線抵抗器の製造方法 | |
| JPH03116903A (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2876770B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体用半導体磁器組成物の製造方法 | |
| JPS63110601A (ja) | 半導体磁器材料の製造方法 | |
| JPS61294803A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造法 | |
| JP2563970B2 (ja) | 酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPS62237707A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造法 | |
| JPH0645104A (ja) | 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器の製造方法 | |
| JPH09326304A (ja) | 低電圧用電圧非直線性抵抗器素子の製造方法 | |
| JPH0383855A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 | |
| JPS5850705A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH0253922B2 (ja) |