JPH0316686B2 - - Google Patents
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- JPH0316686B2 JPH0316686B2 JP13353984A JP13353984A JPH0316686B2 JP H0316686 B2 JPH0316686 B2 JP H0316686B2 JP 13353984 A JP13353984 A JP 13353984A JP 13353984 A JP13353984 A JP 13353984A JP H0316686 B2 JPH0316686 B2 JP H0316686B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- insulating layer
- layer
- pattern
- coil
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気デイスク装置等に用いられる薄膜
磁気ヘツドの製造方法に係り、特に下部磁性層等
の段差により平坦化が困難な絶縁層上に、分厚い
薄膜コイルを均一な膜厚で形成することを可能に
した方法に関するものである。
磁気ヘツドの製造方法に係り、特に下部磁性層等
の段差により平坦化が困難な絶縁層上に、分厚い
薄膜コイルを均一な膜厚で形成することを可能に
した方法に関するものである。
近来、磁気デイスク装置等に用いられている磁
気ヘツドは、磁気デイスク記録媒体に対する高記
録密度化及び高速転送化が図られ、その形状も
益々小型化されると共に、高精度化され、記録に
寄与する磁極先端部でのヘツド磁界分布が急峻
で、高密度な記録を可能とする小型な種々のタイ
プの薄膜磁気ヘツドが既に提案され、実用化が進
められている。
気ヘツドは、磁気デイスク記録媒体に対する高記
録密度化及び高速転送化が図られ、その形状も
益々小型化されると共に、高精度化され、記録に
寄与する磁極先端部でのヘツド磁界分布が急峻
で、高密度な記録を可能とする小型な種々のタイ
プの薄膜磁気ヘツドが既に提案され、実用化が進
められている。
上記した薄膜磁気ヘツドは、一般に第７図の平
面図及び第７図に示すＡ−A′切断線に沿つた第
８図の要部断面図に示すように、例えばSiO2か
らなる絶縁体層２が施されたセラミツク等からな
る非磁性基板１上に、Ni−Feパーマロイからな
る下部磁極層４が磁極下地層３を介して設けら
れ、該下部磁極層４上を含む絶縁体層２上の所定
領域にSiO2からなるギヤツプ層５を介してレジ
スト膜等からなる樹脂絶縁層６が配設されてい
る。
面図及び第７図に示すＡ−A′切断線に沿つた第
８図の要部断面図に示すように、例えばSiO2か
らなる絶縁体層２が施されたセラミツク等からな
る非磁性基板１上に、Ni−Feパーマロイからな
る下部磁極層４が磁極下地層３を介して設けら
れ、該下部磁極層４上を含む絶縁体層２上の所定
領域にSiO2からなるギヤツプ層５を介してレジ
スト膜等からなる樹脂絶縁層６が配設されてい
る。
又、該樹脂絶縁層６の上面には銅（Cu）等か
らなる薄膜コイル７が設けられ、この薄膜コイル
７を含む前記樹脂絶縁層６上に再びレジスト膜等
からなる樹脂絶縁層８が設けられており、その上
面に更に上部磁極層９が配設されて前記下部磁極
層４と上部磁極層９からなる磁極が前記薄膜コイ
ル７及びギヤツプ層５をＵ字形に挟む形状に構成
されている。
らなる薄膜コイル７が設けられ、この薄膜コイル
７を含む前記樹脂絶縁層６上に再びレジスト膜等
からなる樹脂絶縁層８が設けられており、その上
面に更に上部磁極層９が配設されて前記下部磁極
層４と上部磁極層９からなる磁極が前記薄膜コイ
ル７及びギヤツプ層５をＵ字形に挟む形状に構成
されている。
このような薄膜磁気ヘツドにおいては、薄膜コ
イル７を下部磁極層４上を含む樹脂絶縁層６上に
均一な膜厚で、かつ精度の良いパターンに形成す
るためには、該絶縁層６の平坦化が極めて重要と
なる。しかし実際には、下部磁極層４の厚さによ
る段差によつて樹脂絶縁層６の平坦化が極めて重
要となる。しかし実際には、下部磁極層４の厚さ
による段差によつて樹脂絶縁層６の平坦化は容易
で無く、分厚い薄膜コイルを均一な膜厚で形成す
ることが難しい問題があり、段差のあるコイル形
成面上に分厚い薄膜コイルを均一な膜厚で形成す
る方法が要望されている。
イル７を下部磁極層４上を含む樹脂絶縁層６上に
均一な膜厚で、かつ精度の良いパターンに形成す
るためには、該絶縁層６の平坦化が極めて重要と
なる。しかし実際には、下部磁極層４の厚さによ
る段差によつて樹脂絶縁層６の平坦化が極めて重
要となる。しかし実際には、下部磁極層４の厚さ
による段差によつて樹脂絶縁層６の平坦化は容易
で無く、分厚い薄膜コイルを均一な膜厚で形成す
ることが難しい問題があり、段差のあるコイル形
成面上に分厚い薄膜コイルを均一な膜厚で形成す
る方法が要望されている。
上記した薄膜磁気ヘツドの薄膜コイルを形成す
る従来の方法は、第９図の部分大断面図に示すよ
うに、例えば図示しないAl2O3、又はSiO2等から
なる絶縁体層及びNi−Feパーマロイからなる導
電性下地層がスパツタリング法により順に被着形
成され、更にNi−Feパーマロイからなる下部磁
極層が形成されたセラミツク等の非磁性基板１上
にSiO2等からなるギヤツプ層５をスパツタリン
グ法等により被着形成する。
る従来の方法は、第９図の部分大断面図に示すよ
うに、例えば図示しないAl2O3、又はSiO2等から
なる絶縁体層及びNi−Feパーマロイからなる導
電性下地層がスパツタリング法により順に被着形
成され、更にNi−Feパーマロイからなる下部磁
極層が形成されたセラミツク等の非磁性基板１上
にSiO2等からなるギヤツプ層５をスパツタリン
グ法等により被着形成する。
次に図示しない下部磁性層の磁極先端部となる
部分を除く該ギヤツプ層５上の所定領域に、平坦
化し易いレジスト剤等をスピンコート法等により
塗布し、熱硬化処理を行つて樹脂絶縁層６を形成
する。その後、該樹脂絶縁層６上に銅（Cu）等
からなる導電性下地膜１１をスパツタリング法等
により被着し、その上に再びレジスト膜１２を形
成する。
部分を除く該ギヤツプ層５上の所定領域に、平坦
化し易いレジスト剤等をスピンコート法等により
塗布し、熱硬化処理を行つて樹脂絶縁層６を形成
する。その後、該樹脂絶縁層６上に銅（Cu）等
からなる導電性下地膜１１をスパツタリング法等
により被着し、その上に再びレジスト膜１２を形
成する。
次に第１０図に示すように該レジスト膜１２を
所定パターンにパターニングし、該レジスト膜１
２パターンをマスクにして第１１図に示すように
露出した導電性下地膜１１上にメツキ法により
Cu導体層１３を形成する。次に第１２図に示す
ように前記レジスト膜１２パターンを溶解除去す
ると共に、更に露呈した導電性下地膜１１部分を
イオンエツチング法等により選択的にエツチング
除去して薄膜コイル７を形成している。
所定パターンにパターニングし、該レジスト膜１
２パターンをマスクにして第１１図に示すように
露出した導電性下地膜１１上にメツキ法により
Cu導体層１３を形成する。次に第１２図に示す
ように前記レジスト膜１２パターンを溶解除去す
ると共に、更に露呈した導電性下地膜１１部分を
イオンエツチング法等により選択的にエツチング
除去して薄膜コイル７を形成している。
しかし上記の如き従来の薄膜コイルの形成方法
にあつては、コイル形成領域面となる樹脂絶縁層
６の層厚が実際には、下部磁極層４等の厚さによ
る段差によつて該絶縁層６の中央部が厚く、周辺
部が薄くなつて均一な平坦面が得られないことか
ら、かかる樹脂絶縁層６上に導電性下地膜１１を
スパツタリング法等により被着し、その上に薄膜
コイル形成用のレジスト膜１２を形成した際に、
該レジスト膜１２の厚さが第９図に示すように中
央部で薄く、また周辺部に行くに従つて厚くな
る。
にあつては、コイル形成領域面となる樹脂絶縁層
６の層厚が実際には、下部磁極層４等の厚さによ
る段差によつて該絶縁層６の中央部が厚く、周辺
部が薄くなつて均一な平坦面が得られないことか
ら、かかる樹脂絶縁層６上に導電性下地膜１１を
スパツタリング法等により被着し、その上に薄膜
コイル形成用のレジスト膜１２を形成した際に、
該レジスト膜１２の厚さが第９図に示すように中
央部で薄く、また周辺部に行くに従つて厚くな
る。
このため該レジスト膜１２を所定パターンにパ
ターニングし、該レジスト膜１２パターンをマス
クにして第１１図に示すように露出した導電性下
地膜１１上にメツキ法により薄膜コイルとなる
Cu導体層１３を形成する場合、該Cu導体層１３
の膜厚が前記レジスト膜１２パターンの不均一な
膜厚によつて制限される。
ターニングし、該レジスト膜１２パターンをマス
クにして第１１図に示すように露出した導電性下
地膜１１上にメツキ法により薄膜コイルとなる
Cu導体層１３を形成する場合、該Cu導体層１３
の膜厚が前記レジスト膜１２パターンの不均一な
膜厚によつて制限される。
従つて、例えば該レジスト膜１２パターンの中
央部の膜厚を基準にすると、薄膜コイル７のパタ
ーン精度はよいが、厚い膜厚の薄膜コイルを形成
することができず、又前記レジスト膜１２パター
ンの周辺部の膜厚を基準にして薄膜コイル７を厚
く形成すると前記レジスト膜１２パターンの中央
部において薄膜コイル７の幅が該レジスト膜１２
パターンを越えて増大し、極端な場合には隣り合
わせの薄膜コイル同士が接触してシヨートする恐
れがあり、断面形状が所望とする略正方形をなす
厚い薄膜コイルをパターン精度よく得ることが難
しいといつた問題があつた。
央部の膜厚を基準にすると、薄膜コイル７のパタ
ーン精度はよいが、厚い膜厚の薄膜コイルを形成
することができず、又前記レジスト膜１２パター
ンの周辺部の膜厚を基準にして薄膜コイル７を厚
く形成すると前記レジスト膜１２パターンの中央
部において薄膜コイル７の幅が該レジスト膜１２
パターンを越えて増大し、極端な場合には隣り合
わせの薄膜コイル同士が接触してシヨートする恐
れがあり、断面形状が所望とする略正方形をなす
厚い薄膜コイルをパターン精度よく得ることが難
しいといつた問題があつた。
本発明は上記問題点を解消した薄膜磁気ヘツド
の製造方法、特に薄膜コイルを形成すべき樹脂絶
縁層が平坦で無くても、断面形状が所望とする略
正方形をなす厚い薄膜コイルをパターン精度よく
形成する方法を提供せんとするもので、その手段
は、基板上に下部磁性層を所定パターンに被着形
成した後、該下部磁性層上にギヤツプ層及び絶縁
層を介して薄膜コイル、絶縁層及び上部磁性層を
順に積層形成する薄膜磁気ヘツドの製造方法にお
いて、上記絶縁層上に薄膜コイルを形成する際
に、該絶縁層上にレジスト膜を塗布した後、該レ
ジスト膜を所定パターンにパターニングして第１
枠状パターンを形成する工程と、該第１枠状パタ
ーンが形成された絶縁層上に導電性下地膜を被着
した後、その上に再びレジスト膜を塗布し、該レ
ジスト膜を前記第１枠状パターンと同様の所定パ
ターンにパターニングして第２枠状パターンを形
成する工程とを行い、前記第２枠状パターンをマ
スクにして薄膜コイルをメツキ法により形成する
本発明による薄膜磁気ヘツドの製造方法によつて
解決される。
の製造方法、特に薄膜コイルを形成すべき樹脂絶
縁層が平坦で無くても、断面形状が所望とする略
正方形をなす厚い薄膜コイルをパターン精度よく
形成する方法を提供せんとするもので、その手段
は、基板上に下部磁性層を所定パターンに被着形
成した後、該下部磁性層上にギヤツプ層及び絶縁
層を介して薄膜コイル、絶縁層及び上部磁性層を
順に積層形成する薄膜磁気ヘツドの製造方法にお
いて、上記絶縁層上に薄膜コイルを形成する際
に、該絶縁層上にレジスト膜を塗布した後、該レ
ジスト膜を所定パターンにパターニングして第１
枠状パターンを形成する工程と、該第１枠状パタ
ーンが形成された絶縁層上に導電性下地膜を被着
した後、その上に再びレジスト膜を塗布し、該レ
ジスト膜を前記第１枠状パターンと同様の所定パ
ターンにパターニングして第２枠状パターンを形
成する工程とを行い、前記第２枠状パターンをマ
スクにして薄膜コイルをメツキ法により形成する
本発明による薄膜磁気ヘツドの製造方法によつて
解決される。
即ち、薄膜コイルを形成すべき樹脂絶縁層上に
コイル形成用のレジスト膜マスクパターンを２層
構成に形成して該マスクパターンの膜厚を増大せ
しめ、該厚い膜厚のレジスト膜マスクパターンを
用いて薄膜コイルを形成することにより、断面形
状が略正方形をなす所望とする厚い薄膜コイルを
パターン精度よく形成し得るようにしたことであ
る。
コイル形成用のレジスト膜マスクパターンを２層
構成に形成して該マスクパターンの膜厚を増大せ
しめ、該厚い膜厚のレジスト膜マスクパターンを
用いて薄膜コイルを形成することにより、断面形
状が略正方形をなす所望とする厚い薄膜コイルを
パターン精度よく形成し得るようにしたことであ
る。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第１図乃至第６図は本発明に係る薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面
図である。
ドの製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面
図である。
まず第１図に示すように、従来と同様に例えば
図示しないAl2O3、又はSiO2等からなる絶縁体層
及びNi−Feパーマロイからなる導電性下地層が
スパツタリング法により順に被着形成され、更に
Ni−Feパーマロイからなる下部磁極層が形成さ
れたセラミツク等の非磁性基板１上にSiO2等か
らなるギヤツプ層５をスパツタリング法等により
被着形成する。
図示しないAl2O3、又はSiO2等からなる絶縁体層
及びNi−Feパーマロイからなる導電性下地層が
スパツタリング法により順に被着形成され、更に
Ni−Feパーマロイからなる下部磁極層が形成さ
れたセラミツク等の非磁性基板１上にSiO2等か
らなるギヤツプ層５をスパツタリング法等により
被着形成する。
次に図示しない下部磁極層の磁極先端部となる
部分を除く該ギヤツプ層５上の所定領域に、平坦
化し易いレジスト剤等をスピンコート法等により
塗布し、熱硬化処理を行つて樹脂絶縁層６を形成
する。その後、該樹脂絶縁層６上に再びレジスト
膜１２をスピンコート法等により形成する。
部分を除く該ギヤツプ層５上の所定領域に、平坦
化し易いレジスト剤等をスピンコート法等により
塗布し、熱硬化処理を行つて樹脂絶縁層６を形成
する。その後、該樹脂絶縁層６上に再びレジスト
膜１２をスピンコート法等により形成する。
次に第２図に示すように該レジスト膜１２を所
定パターンにパターニングし、該レジスト膜１２
パターンを第３図に示すように、例えば数百度で
一時間程度、熱硬化処理を行つて突起状の第１枠
状パターン２１を形成した後、該第１枠状パター
ン２１が成された樹脂絶縁層６上に銅（Cu）等
からなる導電性下地膜２２をスパツタリング法等
により被着形成する。
定パターンにパターニングし、該レジスト膜１２
パターンを第３図に示すように、例えば数百度で
一時間程度、熱硬化処理を行つて突起状の第１枠
状パターン２１を形成した後、該第１枠状パター
ン２１が成された樹脂絶縁層６上に銅（Cu）等
からなる導電性下地膜２２をスパツタリング法等
により被着形成する。
次に第４図に示すように該導電性下地膜２２上
に再度レジスト膜１３を形成し、該レジスト膜２
３を前記第１枠状パターン２１と同様の所定パタ
ーンにパターニングして第２枠状パターン２４を
形成する。
に再度レジスト膜１３を形成し、該レジスト膜２
３を前記第１枠状パターン２１と同様の所定パタ
ーンにパターニングして第２枠状パターン２４を
形成する。
かくすれば、薄膜コイル２６形成用のマスクパ
ターンが容易に厚く形成される。従つて第５図に
示すように第２枠状パターン２４をマスクとして
露出した導電性下地膜２２部分上にメツキ法によ
りCu導体層２５を厚く形成することが出来る。
ターンが容易に厚く形成される。従つて第５図に
示すように第２枠状パターン２４をマスクとして
露出した導電性下地膜２２部分上にメツキ法によ
りCu導体層２５を厚く形成することが出来る。
次に第６図に示すように前記第２枠状パターン
２４をレジスト除去剤により溶解除去すると共
に、除去することによつて露呈した導電性下地膜
２２部分をイオンエツチング法等により選択的に
エツチング除去することにより、断面形状が略正
方形をなす所望とする厚い薄膜コイル２６をパタ
ーン精度よく形成することができる。
２４をレジスト除去剤により溶解除去すると共
に、除去することによつて露呈した導電性下地膜
２２部分をイオンエツチング法等により選択的に
エツチング除去することにより、断面形状が略正
方形をなす所望とする厚い薄膜コイル２６をパタ
ーン精度よく形成することができる。
尚、薄膜コイル２６間に突出残置している第１
枠状パターン２１は熱硬化処理が施されているこ
とから樹脂絶縁層としてそのまま残留適用できる
ので、このままの状態で以後の絶縁層、上部磁性
層等の形成工程を進めれば良い。
枠状パターン２１は熱硬化処理が施されているこ
とから樹脂絶縁層としてそのまま残留適用できる
ので、このままの状態で以後の絶縁層、上部磁性
層等の形成工程を進めれば良い。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
薄膜磁気ヘツドの製造方法によれば、薄膜コイル
を形成すべき樹脂絶縁層の平坦性に難点があつて
も、断面形状が略正方形をなす所望とする厚い薄
膜コイルをパターン精度よく容易に形成すること
が可能となる。
薄膜磁気ヘツドの製造方法によれば、薄膜コイル
を形成すべき樹脂絶縁層の平坦性に難点があつて
も、断面形状が略正方形をなす所望とする厚い薄
膜コイルをパターン精度よく容易に形成すること
が可能となる。
従つて従来、問題となつていた薄膜コイルが薄
いことによる製造上での段差等による切断障害
や、厚く形成することによる隣接コイル間のシヨ
ート障害等が解消され、この種の薄膜磁気ヘツド
の製造方法に適用して信頼性の良い薄膜磁気ヘツ
ドを得ることができる優れた効果を有する。
いことによる製造上での段差等による切断障害
や、厚く形成することによる隣接コイル間のシヨ
ート障害等が解消され、この種の薄膜磁気ヘツド
の製造方法に適用して信頼性の良い薄膜磁気ヘツ
ドを得ることができる優れた効果を有する。
第１図乃至第６図は本発明に係る薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面
図、第７図は薄膜磁気ヘツドの構造を説明するた
めの平面図、第８図は第７図に示すＡ−A′切断
線に沿つた要部断面図、第９図乃至第１２図は従
来の薄膜磁気ヘツドの製造方法の１例を工程順に
説明するための要部拡大断面図である。 図中、１は非磁性基板、５はギヤツプ層、６は
薄膜コイル形成面を有する樹脂絶縁層、２１は第
１枠状パターン、１２，２３はレジスト膜、２２
は導電性下地層、２４は第２枠状パターン、２５
はCu導体層、２６は薄膜コイルをそれぞれ示す。
ドの製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面
図、第７図は薄膜磁気ヘツドの構造を説明するた
めの平面図、第８図は第７図に示すＡ−A′切断
線に沿つた要部断面図、第９図乃至第１２図は従
来の薄膜磁気ヘツドの製造方法の１例を工程順に
説明するための要部拡大断面図である。 図中、１は非磁性基板、５はギヤツプ層、６は
薄膜コイル形成面を有する樹脂絶縁層、２１は第
１枠状パターン、１２，２３はレジスト膜、２２
は導電性下地層、２４は第２枠状パターン、２５
はCu導体層、２６は薄膜コイルをそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 基板上に下部磁性層を所定パターンに被着形
成した後、該下部磁性層上にギヤツプ層及び絶縁
層を介して薄膜コイル、絶縁層及び上部磁性層を
順に積層形成する薄膜磁気ヘツドの製造方法にお
いて、上記絶縁層上に薄膜コイルを形成する際
に、該絶縁層上にレジスト膜を塗布した後、該レ
ジスト膜を所定パターンにパターニングして第１
枠状パターンを形成する工程と、該第１枠状パタ
ーンが形成された絶縁層上に導電性下地膜を被着
した後、その上に再びレジスト膜を塗布し、該レ
ジスト膜を前記第１枠状パターンと同様の所定パ
ターンにパターニングして第２枠状パターンを形
成する工程とを行い、前記第１、第２枠状パター
ンをマスクにして薄膜コイルをメツキ法により形
成することを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13353984A JPS6111915A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13353984A JPS6111915A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6111915A JPS6111915A (ja) | 1986-01-20 |
| JPH0316686B2 true JPH0316686B2 (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=15107174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13353984A Granted JPS6111915A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6111915A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6333830B2 (en) * | 1998-11-09 | 2001-12-25 | Read-Rite Corporation | Low resistance coil structure for high speed writer |
-
1984
- 1984-06-27 JP JP13353984A patent/JPS6111915A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6111915A (ja) | 1986-01-20 |
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