JPH03167847A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JPH03167847A JPH03167847A JP1308609A JP30860989A JPH03167847A JP H03167847 A JPH03167847 A JP H03167847A JP 1308609 A JP1308609 A JP 1308609A JP 30860989 A JP30860989 A JP 30860989A JP H03167847 A JPH03167847 A JP H03167847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external lead
- glass
- lead terminal
- semiconductor element
- constituted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケ
ージの改良に関するものである。
ージの改良に関するものである。
（従来の技術）
従来、半導体素子を収容するためのパッケージ、特にガ
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから威り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構威されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形戒すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している． （発明が解決しようとする課題） しかし乍ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納用
パッケージは通常、外部リード端子がコバール（２９
ＷｔχＮｉ−１６ ＷｔＸ Ｃｏ−５５ ＷｔＸＰｅ合
金）や４２ＡＩＩｏＶ（４２ ＷｔＸ Ｎｉ−５８ Ｗ
ｔＸ Ｆｅ合金）の導電性材料から戒っており、該コバ
ールや４２Ａ１１ｏｙ等は透磁率が高く、且つ導電率が
低いことから以下に述べる欠点を有する． 即ち、 ■コバールや４２Ａ ｌ ｊｏｙは鉄（Ｆｅ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、コバルト（ＣＯ）といった強磁性体金属の
みから成っており、その透磁率は２５０〜７００ （Ｃ
ＧＳ）と高い。そのためこのコバールや４２Ａｌｌｏｙ
等から或る外部リード端子に電流が流れると外部リード
端子中に透磁率に比例した大きな自己インダクタンスが
発生し、これが逆起電力を誘発してノイズとなると共に
、該ノイズが半導体素子に入力されて半導体素子に誤動
作を生じさせる、 ■コバールや４２Ａ１１ｏｙはその導電率が３．０〜３
．５ｚ（ＩＡＣＳ）と低い．そのためこのコバールや４
２Ａ １ １ｏｙ等から戒る外部リード端子に信号を伝
搬させた場合、信号の伝殿速度が極めて遅いものとなり
、高速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となって
しまう、 ■半導体素子収納用バフケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記■に
記載のコバールや４２Ａｌ１ｏｙの導電率が低いことと
相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきており
、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード
端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に
収容する半導体素子に信号を正確に入力することができ
ず、半導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから威り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構威されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形戒すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している． （発明が解決しようとする課題） しかし乍ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納用
パッケージは通常、外部リード端子がコバール（２９
ＷｔχＮｉ−１６ ＷｔＸ Ｃｏ−５５ ＷｔＸＰｅ合
金）や４２ＡＩＩｏＶ（４２ ＷｔＸ Ｎｉ−５８ Ｗ
ｔＸ Ｆｅ合金）の導電性材料から戒っており、該コバ
ールや４２Ａ１１ｏｙ等は透磁率が高く、且つ導電率が
低いことから以下に述べる欠点を有する． 即ち、 ■コバールや４２Ａ ｌ ｊｏｙは鉄（Ｆｅ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、コバルト（ＣＯ）といった強磁性体金属の
みから成っており、その透磁率は２５０〜７００ （Ｃ
ＧＳ）と高い。そのためこのコバールや４２Ａｌｌｏｙ
等から或る外部リード端子に電流が流れると外部リード
端子中に透磁率に比例した大きな自己インダクタンスが
発生し、これが逆起電力を誘発してノイズとなると共に
、該ノイズが半導体素子に入力されて半導体素子に誤動
作を生じさせる、 ■コバールや４２Ａ１１ｏｙはその導電率が３．０〜３
．５ｚ（ＩＡＣＳ）と低い．そのためこのコバールや４
２Ａ １ １ｏｙ等から戒る外部リード端子に信号を伝
搬させた場合、信号の伝殿速度が極めて遅いものとなり
、高速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となって
しまう、 ■半導体素子収納用バフケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記■に
記載のコバールや４２Ａｌ１ｏｙの導電率が低いことと
相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきており
、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード
端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に
収容する半導体素子に信号を正確に入力することができ
ず、半導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
外部リード端子で発生するノイズ及び外部リード端子に
おける信号の減衰を極小となし、内部に収容する半導体
素子への信号の入出力を確実に行うことを可能として半
導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させる
ことができる半導体素子収納用パッケージを提供するこ
とにある。
外部リード端子で発生するノイズ及び外部リード端子に
おける信号の減衰を極小となし、内部に収容する半導体
素子への信号の入出力を確実に行うことを可能として半
導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させる
ことができる半導体素子収納用パッケージを提供するこ
とにある。
また本発明の他の目的は高速駆動を行う半導体素子を収
容することができる半導体素子収納用ノくッケージを提
供することにある． （課題を解決するための手段） 本発明は内部に半導体素子を収容するための空所を有す
るｉａ容器に外部リード端子をガラス部材を介して取着
して戒る半導体素子収納用パ・ノケージにおいて、前記
絶縁容器をスビネルもしくはステアタイト質焼結体で、
外部リード端子を透磁率２００ （ＣＧＳ）以下、熱膨
張係数７０乃至８５Ｘ１０−’ ／”Ｃ、導電率５０％
（ ＩＡＣＳ ）以上の金属で、ガラス部材をシリカ５
５．０乃至７５．ＯＷｔ％ ，ナトリウム、カリウムの
酸化物の少なくとも１種１０．０乃至２０．Ｏ ＷｔＸ
、酸化鉛２０．０乃至４０．０Ｗｔ％から或るガラスで
形成したことを特徴とするものである。
容することができる半導体素子収納用ノくッケージを提
供することにある． （課題を解決するための手段） 本発明は内部に半導体素子を収容するための空所を有す
るｉａ容器に外部リード端子をガラス部材を介して取着
して戒る半導体素子収納用パ・ノケージにおいて、前記
絶縁容器をスビネルもしくはステアタイト質焼結体で、
外部リード端子を透磁率２００ （ＣＧＳ）以下、熱膨
張係数７０乃至８５Ｘ１０−’ ／”Ｃ、導電率５０％
（ ＩＡＣＳ ）以上の金属で、ガラス部材をシリカ５
５．０乃至７５．ＯＷｔ％ ，ナトリウム、カリウムの
酸化物の少なくとも１種１０．０乃至２０．Ｏ ＷｔＸ
、酸化鉛２０．０乃至４０．０Ｗｔ％から或るガラスで
形成したことを特徴とするものである。
（実施例）
次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、ｌは絶縁基体、２は蓋体である。
ジの一実施例を示し、ｌは絶縁基体、２は蓋体である。
この絶縁基体１と蓋体２とにより絶縁容器３が構成され
る。
る。
前記絶縁基体１及び蓋体２はそれぞれの中央部に半導体
素子を収容する空所を形或するための凹部が設けてあり
、絶縁基体ｌの凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
素子を収容する空所を形或するための凹部が設けてあり
、絶縁基体ｌの凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
前記絶縁基体ｌ及び蓋体２はスピネルもしくはステアタ
イト質焼結体から戒り、第１図に示すような絶縁基体Ｉ
及び蓋体２に対応した形状を有するプレス型内に、スビ
ネルの場合はマグネシア （ＭｇＯ）、アルミナ（八１
２０３ ）の原料粉末を、ステアタイト質焼結体の場合
はマグネシア（ＭｇＯ） 、シリカ（ＳｉＯｚ）等の原
料粉末を充填させるとともに一定圧力を印加して戒形し
、しかる後、戒形品を約ｌ２００〜１７００℃の温度で
焼戒することによって製作される。
イト質焼結体から戒り、第１図に示すような絶縁基体Ｉ
及び蓋体２に対応した形状を有するプレス型内に、スビ
ネルの場合はマグネシア （ＭｇＯ）、アルミナ（八１
２０３ ）の原料粉末を、ステアタイト質焼結体の場合
はマグネシア（ＭｇＯ） 、シリカ（ＳｉＯｚ）等の原
料粉末を充填させるとともに一定圧力を印加して戒形し
、しかる後、戒形品を約ｌ２００〜１７００℃の温度で
焼戒することによって製作される。
尚、前記絶縁基体ｌ及び蓋体２を形成するスピネル、ス
テアタイト質焼結体はその熱膨張係数が７０乃至８５Ｘ
１０−’／ ’Ｃであり、後述する封止用ガラス部材の
熱膨張係数との関係において絶縁基体ｌ及び蓋体２と封
止用ガラス部材間に大きな熱膨張の差が生じることはな
い。
テアタイト質焼結体はその熱膨張係数が７０乃至８５Ｘ
１０−’／ ’Ｃであり、後述する封止用ガラス部材の
熱膨張係数との関係において絶縁基体ｌ及び蓋体２と封
止用ガラス部材間に大きな熱膨張の差が生じることはな
い。
また前記絶縁基体１及び蓋体２にはその相対向する主面
に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、該
絶縁基体ｌ及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガ
ラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁
容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、該
絶縁基体ｌ及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガ
ラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁
容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
前記絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主面に被着され
る封止用ガラス部材６は、シリカ５５．０乃至７５．０
Ｗｔ％ ，ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくとも
１種１０．０乃至２０．０Ｗｔ％，酸化鉛２０．０乃至
４０．ＯＷｔχより形成されるガラスから戒り、上記各
威分を所定の値となるように秤量混合すると共に、該混
合粉末を１３００〜１４００℃の温度で加熱溶融させる
ことによって製作される．このガラス部材６の熱膨張．
係数は８５〜９５Ｘ１０−’／ ｔである．前記封止用
ガラス部材６は、その熱膨張係数が８５乃至９５Ｘ１０
−’／ ℃であり、絶縁基体１及び蓋体？の各々の熱膨
張係数と近似することから絶縁基体ｌ及び蓋体２の各々
に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶融串せ一
体化させることにより絶縁容器３内の半導体素子４を気
密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス
部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱
応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と蓋体２と
を封止用ガラス部材６を介し強固に接合することが可能
となる。
る封止用ガラス部材６は、シリカ５５．０乃至７５．０
Ｗｔ％ ，ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくとも
１種１０．０乃至２０．０Ｗｔ％，酸化鉛２０．０乃至
４０．ＯＷｔχより形成されるガラスから戒り、上記各
威分を所定の値となるように秤量混合すると共に、該混
合粉末を１３００〜１４００℃の温度で加熱溶融させる
ことによって製作される．このガラス部材６の熱膨張．
係数は８５〜９５Ｘ１０−’／ ｔである．前記封止用
ガラス部材６は、その熱膨張係数が８５乃至９５Ｘ１０
−’／ ℃であり、絶縁基体１及び蓋体？の各々の熱膨
張係数と近似することから絶縁基体ｌ及び蓋体２の各々
に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶融串せ一
体化させることにより絶縁容器３内の半導体素子４を気
密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス
部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱
応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と蓋体２と
を封止用ガラス部材６を介し強固に接合することが可能
となる。
尚、前記封止用ガラス部材６はシリヵ（Ｓｉ（ｈ）が５
５．ＯＷｔχ未満であるとガラスの結晶化が進んで絶縁
容器３の気密封止が困難となり、また７５．０Ｗｔ％を
越えるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体１と蓋
体２の熱膨張と合わなくなることからシリカ（ＳｉＯ■
）は６０．０乃至〜７０．０Ｗｔ％ （７）範囲に限定
される。
５．ＯＷｔχ未満であるとガラスの結晶化が進んで絶縁
容器３の気密封止が困難となり、また７５．０Ｗｔ％を
越えるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体１と蓋
体２の熱膨張と合わなくなることからシリカ（ＳｉＯ■
）は６０．０乃至〜７０．０Ｗｔ％ （７）範囲に限定
される。
またナトリウム、カリウムの酸化物がｉｏ．ｏｗｔχ未
満であるとガラスを製作する際のガラスの溶融温度が大
幅に上がって作業性が著しく悪くなり、また２０．ＯＷ
ｔ！を越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３
の気密封止の信頼性が大きく低下するためナトリウム、
カリウムの酸化物は１０．０乃至２０．ＯＷｔχの範囲
に限定される．また酸化鉛（ＰｂＯ）が２０．Ｏ Ｗｔ
χ未満であるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体
ｌと蓋体２の熱膨張と合わなくなり、また４０．０Ｗｔ
％を越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の
気密封止の信頼性が大きく低下するため酸化鉛（ＰｂＯ
）は２０．０乃至４０．０Ｗｔ％の範囲に限定される。
満であるとガラスを製作する際のガラスの溶融温度が大
幅に上がって作業性が著しく悪くなり、また２０．ＯＷ
ｔ！を越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３
の気密封止の信頼性が大きく低下するためナトリウム、
カリウムの酸化物は１０．０乃至２０．ＯＷｔχの範囲
に限定される．また酸化鉛（ＰｂＯ）が２０．Ｏ Ｗｔ
χ未満であるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体
ｌと蓋体２の熱膨張と合わなくなり、また４０．０Ｗｔ
％を越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の
気密封止の信頼性が大きく低下するため酸化鉛（ＰｂＯ
）は２０．０乃至４０．０Ｗｔ％の範囲に限定される。
前記封止用ガラス部材６は前述した成分から成るガラス
に適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペースト
を従来周知の厚膜手法を採用することによって絶縁基体
ｌ及び蓋体２の相対向する主面に被着形或される。
に適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペースト
を従来周知の厚膜手法を採用することによって絶縁基体
ｌ及び蓋体２の相対向する主面に被着形或される。
前記絶縁基体ｌと蓋体２との間には導電性材料から戒る
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
前記外部リード端子５は絶縁基体１と蓋体２の相対向す
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体１と
蓋体２との間に取着される。
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体１と
蓋体２との間に取着される。
前記外部リード端子５は非磁性体金属である銅（Ｃｕ）
から成る芯体の外表面に銅（Ｃｕ） ／コバール（Ｐｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ合金）／銅（Ｃｕ）の接合金属を被着させ
たもの、或いは板状のコバール（Ｐｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
〉もしくはインハー合金（３６．５ ＷｔＸ Ｎｉ−６
３．５ ＷｔＸＦｅ合金）の上下面に非磁性体金属であ
るｍ（Ｃｕ）を接合させたもの等から戒り、その透磁率
は２００ （ＣＧＳ）以下、導電率は５０χ（ＩＡＣＳ
）以上、熱膨張係数は７０〜８５Ｘ１０−’／ ’Ｃの
導電性材料から成る．前記外部リード端子５はその透磁
率が２００ （ＣＧＳ）以下であり、透磁率が低いこと
から外部リード端子５に電流が流れたとしても外部リー
ド端子５中には大きな自己インダクタンスが発生するこ
とはなく、その結果、前記自己インダクタンスにより誘
発される逆起電力に起因したノイズを極小となし、内部
に収容する半導体素子４を常に正常に作動させることが
できる。
から成る芯体の外表面に銅（Ｃｕ） ／コバール（Ｐｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ合金）／銅（Ｃｕ）の接合金属を被着させ
たもの、或いは板状のコバール（Ｐｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
〉もしくはインハー合金（３６．５ ＷｔＸ Ｎｉ−６
３．５ ＷｔＸＦｅ合金）の上下面に非磁性体金属であ
るｍ（Ｃｕ）を接合させたもの等から戒り、その透磁率
は２００ （ＣＧＳ）以下、導電率は５０χ（ＩＡＣＳ
）以上、熱膨張係数は７０〜８５Ｘ１０−’／ ’Ｃの
導電性材料から成る．前記外部リード端子５はその透磁
率が２００ （ＣＧＳ）以下であり、透磁率が低いこと
から外部リード端子５に電流が流れたとしても外部リー
ド端子５中には大きな自己インダクタンスが発生するこ
とはなく、その結果、前記自己インダクタンスにより誘
発される逆起電力に起因したノイズを極小となし、内部
に収容する半導体素子４を常に正常に作動させることが
できる。
また前記外部リード端子５はその導電率が５０２ （Ｉ
ＡＣＳ）以上であり、電気を流し易いことから外部リー
ド端子５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことが
でき、絶縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動
させたとしても半導体素子４と外部電気回路との間にお
ける信号の出し入れは常に安定、且つ確実となすことが
できる。
ＡＣＳ）以上であり、電気を流し易いことから外部リー
ド端子５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことが
でき、絶縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動
させたとしても半導体素子４と外部電気回路との間にお
ける信号の出し入れは常に安定、且つ確実となすことが
できる。
また同時に外部リード端子５の導電率が高いことから外
部リード端子５の線幅が細くなったとしても外部リード
端子５の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、
外部リード端子５における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子４に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に入力することができる。
部リード端子５の線幅が細くなったとしても外部リード
端子５の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、
外部リード端子５における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子４に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に入力することができる。
また更に前記外部リード端子５はその熱膨張係数が７０
乃至８５×１０−’／ ℃であり、封止用ガラス部材６
の熱膨張係数と近似することから外部リード端子５を絶
縁基体１と蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固
定する際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との
間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生
することはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材
６で強固に固定することも可能となる。
乃至８５×１０−’／ ℃であり、封止用ガラス部材６
の熱膨張係数と近似することから外部リード端子５を絶
縁基体１と蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固
定する際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との
間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生
することはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材
６で強固に固定することも可能となる。
かくして、この半導体素子収納用パッケージによれば絶
縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体化させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完成する。
縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体化させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完成する。
（発明の効果）
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、半導体
素子を収容するための絶縁容器をスピネルもしくはステ
アタイト質焼結体で、外部リード端子を透磁率が２００
（ＣＧＳ）以下、導電率が５ｏｚ（ＩＡＣＳ）以上、
熱膨張係数が７０乃至８５Ｘ１０−’／ ℃の金属で、
ガラス部材をシリカ５５．０乃至７５．０Ｗｔ％ 、ナ
トリウム、カリウムの酸化物の少なくとも１種１０．０
乃至２０．ＯＷｔχ、酸化鉛２０．０乃至４ｏ．ｏｗｔ
ｚ カラ或るガラスで形成したことから外部リード端子
に電流を流したとしても該外部リード端子中に大きな自
己インダクタンスが発生することはなく、その結果、前
記自己インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因
したノイズを極小となし、内部に収容する半導体素子を
常に正常に作動させることが可能となる。
素子を収容するための絶縁容器をスピネルもしくはステ
アタイト質焼結体で、外部リード端子を透磁率が２００
（ＣＧＳ）以下、導電率が５ｏｚ（ＩＡＣＳ）以上、
熱膨張係数が７０乃至８５Ｘ１０−’／ ℃の金属で、
ガラス部材をシリカ５５．０乃至７５．０Ｗｔ％ 、ナ
トリウム、カリウムの酸化物の少なくとも１種１０．０
乃至２０．ＯＷｔχ、酸化鉛２０．０乃至４ｏ．ｏｗｔ
ｚ カラ或るガラスで形成したことから外部リード端子
に電流を流したとしても該外部リード端子中に大きな自
己インダクタンスが発生することはなく、その結果、前
記自己インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因
したノイズを極小となし、内部に収容する半導体素子を
常に正常に作動させることが可能となる。
また外部リード端子の信号伝搬速度を極めて速いものと
なす・ことができ、絶縁容器内に収容した半導体素子を
高速駆動させたとしても半導体素子と外部電気回路との
間における信号の出し入れを安定、且つ確実となすこと
が可能となる。
なす・ことができ、絶縁容器内に収容した半導体素子を
高速駆動させたとしても半導体素子と外部電気回路との
間における信号の出し入れを安定、且つ確実となすこと
が可能となる。
更に外部リード端子の線幅が細くなったとしても外部リ
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に入力することができる。
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に入力することができる。
また更に前記外部リード端子はその熱膨張係数が絶縁基
体、蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近
似し、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、
各々を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基
体及び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子
と封止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相
違に起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接
合することも可能となる。
体、蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近
似し、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、
各々を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基
体及び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子
と封止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相
違に起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接
合することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 １ ・・絶縁基体 ２・・蓋体 ３ ・・絶縁容器 ５ ・・外部リード端子 ６ ・・封止用ガラス部材
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 １ ・・絶縁基体 ２・・蓋体 ３ ・・絶縁容器 ５ ・・外部リード端子 ６ ・・封止用ガラス部材
Claims (1)
- 内部に半導体素子を収容するための空所を有する絶縁
容器に外部リード端子をガラス部材を介して取着して成
る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶縁容器
をスピネルもしくはステアタイト質焼結体で、外部リー
ド端子を透磁率２００（ＣＧＳ）以下、熱膨張係数７０
乃至８５×１０＾−＾７／℃、導電率５０％（ＩＡＣＳ
）以上の金属で、ガラス部材をシリカ５５．０乃至７５
．０Ｗｔ％、ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくと
も１種１０．０乃至２０．０Ｗｔ％、酸化鉛２０．０乃
至４０．０Ｗｔ％から成るガラスで形成したことを特徴
とする半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308609A JP2747613B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
| US07/573,406 US5057905A (en) | 1989-08-25 | 1990-08-24 | Container package for semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308609A JP2747613B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03167847A true JPH03167847A (ja) | 1991-07-19 |
| JP2747613B2 JP2747613B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17983104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1308609A Expired - Lifetime JP2747613B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2747613B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711847A (en) * | 1978-02-06 | 1982-01-21 | Ibm | Nonporous glass-ceramic body |
| JPS6265954A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Nippon Electric Glass Co Ltd | アルミナ封着用硼珪酸ガラス |
| JPS63291834A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-29 | コーニング グラス ワークス | 電子パッキング用のガラス−セラミックス、それに用いる熱的に結晶可能なガラス、および同ガラス−セラミックスを用いた基板 |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1308609A patent/JP2747613B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711847A (en) * | 1978-02-06 | 1982-01-21 | Ibm | Nonporous glass-ceramic body |
| JPS6265954A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Nippon Electric Glass Co Ltd | アルミナ封着用硼珪酸ガラス |
| JPS63291834A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-29 | コーニング グラス ワークス | 電子パッキング用のガラス−セラミックス、それに用いる熱的に結晶可能なガラス、および同ガラス−セラミックスを用いた基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2747613B2 (ja) | 1998-05-06 |
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