JPH03173155A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH03173155A JPH03173155A JP1312726A JP31272689A JPH03173155A JP H03173155 A JPH03173155 A JP H03173155A JP 1312726 A JP1312726 A JP 1312726A JP 31272689 A JP31272689 A JP 31272689A JP H03173155 A JPH03173155 A JP H03173155A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external lead
- semiconductor element
- lid
- lead terminal
- lead terminals
- Prior art date
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケ
ージの改良に関するものである。
ージの改良に関するものである。
（従来の技術）
従来、半導体素子を収容するためのパッケージ、特にガ
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構成されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体止させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構成されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体止させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
（発明が解決しようとする課題）
しかし乍ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納用
パッケージは通常、外部リード端子がコバール（２９Ｗ
ｔＸＮｉ−１６ＷｔＸ Ｃｏ−５５１４ｔＸＦｅ合金）
や４２Ａｌｌｏｙ（４２ＷｔＸ Ｎｉ−５８ＷｔχＦｅ
合金）の導電性材料から成っており、該コバールや４２
Ａ１１ｏｙ等は透磁率が高く、且つ導電率が低いことか
ら以下に述べる欠点を有する。
パッケージは通常、外部リード端子がコバール（２９Ｗ
ｔＸＮｉ−１６ＷｔＸ Ｃｏ−５５１４ｔＸＦｅ合金）
や４２Ａｌｌｏｙ（４２ＷｔＸ Ｎｉ−５８ＷｔχＦｅ
合金）の導電性材料から成っており、該コバールや４２
Ａ１１ｏｙ等は透磁率が高く、且つ導電率が低いことか
ら以下に述べる欠点を有する。
即ち、
■コバールや４２Ａ ｌ ｌｏｙは鉄（Ｆｅ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、コバル） （Ｃｏ）といった強磁性体金属
のみから成っており、その透磁率は２５０〜７００ （
ＣＧＳ）と高い。そのためこのコバールや４２Ａ ｌ
ｌｏｙ等から成る外部リード端子に電流が流れると外部
リード端子中に透磁率に比例した大きな自己インダクタ
ンスが発生し、これが逆起電力を誘発してノイズとなる
と共に、該ノイズが半導体素子に入力されて半導体素子
に誤動作を生じさせる、 ■コバールや４２Ａｌｌｏｙはその導電率が３．０〜３
．５χ（ＩＡＣＳ）と低い。そのためこのコバールや４
２Ａ１１ｏｙ等から成る外部リード端子に信号を伝搬さ
せた場合、信号の伝搬速度が極めて遅いものとなり、高
速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となってしま
う、 ■半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記■に
記載のコバールや４２＾１１ｏｙの導電率が低いことと
相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきており
、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード
端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に
収容する半導体素子に信号を正確に入力することができ
ず、半導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
ル（Ｎｉ）、コバル） （Ｃｏ）といった強磁性体金属
のみから成っており、その透磁率は２５０〜７００ （
ＣＧＳ）と高い。そのためこのコバールや４２Ａ ｌ
ｌｏｙ等から成る外部リード端子に電流が流れると外部
リード端子中に透磁率に比例した大きな自己インダクタ
ンスが発生し、これが逆起電力を誘発してノイズとなる
と共に、該ノイズが半導体素子に入力されて半導体素子
に誤動作を生じさせる、 ■コバールや４２Ａｌｌｏｙはその導電率が３．０〜３
．５χ（ＩＡＣＳ）と低い。そのためこのコバールや４
２Ａ１１ｏｙ等から成る外部リード端子に信号を伝搬さ
せた場合、信号の伝搬速度が極めて遅いものとなり、高
速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となってしま
う、 ■半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記■に
記載のコバールや４２＾１１ｏｙの導電率が低いことと
相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきており
、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード
端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に
収容する半導体素子に信号を正確に入力することができ
ず、半導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
外部リード端子で発生するノイズ及び外部リード端子に
おける信号の減衰を極小となし、内部に収容する半導体
素子への信号の入出力を確実に行うことを可能として半
導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させる
ことができる半導体素子収納用パッケージを提供するこ
とにある。
外部リード端子で発生するノイズ及び外部リード端子に
おける信号の減衰を極小となし、内部に収容する半導体
素子への信号の入出力を確実に行うことを可能として半
導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させる
ことができる半導体素子収納用パッケージを提供するこ
とにある。
また本発明の他の目的は高速駆動を行う半導体素子を収
容することができる半導体素子収納用パッケージを提供
することにある。
容することができる半導体素子収納用パッケージを提供
することにある。
（課題を解決するこめの手段）
本発明は絶縁基体と蓋体とから成り、内部に半導体素子
を収容するための空所を有する絶縁容器と、該容器内に
収容される半導体素子を外部電気回路に接続するための
外部リード端子とから成る半導体素子収納用パッケージ
において、前記絶縁基体及び蓋体を酸化アルミニウム質
焼結体で、外部リード端子を銅から成る板状体の上下面
に、該板状体の厚みに対し３０乃至４０％の厚みを有す
るニッケル３１．５乃至３２．５れ％、コバルト１６．
５乃至１７．５ＷｔＸ 、鉄５０．０乃至５２．０Ｗｔ
２ ノ合金カラ成ルｆｉｌ 板ｊｔ接合させた金属体で
形成したことを特徴とするものである。
を収容するための空所を有する絶縁容器と、該容器内に
収容される半導体素子を外部電気回路に接続するための
外部リード端子とから成る半導体素子収納用パッケージ
において、前記絶縁基体及び蓋体を酸化アルミニウム質
焼結体で、外部リード端子を銅から成る板状体の上下面
に、該板状体の厚みに対し３０乃至４０％の厚みを有す
るニッケル３１．５乃至３２．５れ％、コバルト１６．
５乃至１７．５ＷｔＸ 、鉄５０．０乃至５２．０Ｗｔ
２ ノ合金カラ成ルｆｉｌ 板ｊｔ接合させた金属体で
形成したことを特徴とするものである。
（実施例）
次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
この絶縁基体ｌと蓋体２とにより絶縁容器３が構成され
る。
る。
前記絶縁基体１及び蓋体２はそれぞれの中央部に半導体
素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあり
、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあり
、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
前記絶縁基体１及び蓋体２は酸化アルミニウム質焼結体
から成り、第１図に示すような絶縁基体ｌ及び蓋体２に
対応した形状を有するプレス型内に、酸化アルミニウム
（４１，０３） 、シリカ（Ｓｉ（ｈ）、マグネシア（
ＭｇＯ）等の原料粉末を充填させるとともに一定圧力を
印加して成形し、しかる後、成形品を約１５００℃の温
度で焼成することによって製作される。
から成り、第１図に示すような絶縁基体ｌ及び蓋体２に
対応した形状を有するプレス型内に、酸化アルミニウム
（４１，０３） 、シリカ（Ｓｉ（ｈ）、マグネシア（
ＭｇＯ）等の原料粉末を充填させるとともに一定圧力を
印加して成形し、しかる後、成形品を約１５００℃の温
度で焼成することによって製作される。
尚、前記絶縁基体１及び蓋体２を形成する酸化アルミニ
ウム質焼結体はその熱膨張係数が６５〜７５ＸＩＯ−’
／ ℃であり、後述する封止用ガラス部材の熱膨張係数
との関係において絶縁基体ｌ及び蓋体２と封止用ガラス
部材間に大きな熱膨張の差が生じることはない。
ウム質焼結体はその熱膨張係数が６５〜７５ＸＩＯ−’
／ ℃であり、後述する封止用ガラス部材の熱膨張係数
との関係において絶縁基体ｌ及び蓋体２と封止用ガラス
部材間に大きな熱膨張の差が生じることはない。
また前記絶縁基体ｌ及び蓋体２にはその相対向する主面
に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、該
絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガ
ラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁
容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、該
絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガ
ラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁
容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
前記絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主面に被着され
る封止用ガラス部材６は、例えばホウケイ酸鉛系ガラス
にフィラーを添加したものから成り、原料粉末としての
酸化鉛（ＰｂＯ）７０．０〜９０．０れ％、酸化ホウ素
（Ｂ、ｏ、 ）１２．０〜１３．０賀ｔ％、シリカ（５
ｉ（ｈ ）０．５〜３．ＯＷｔＸ及びフル１−（Ａｔｚ
ｏｓ）０．５〜３．０ ＷｔＸにフィラーとしてチタン
酸鉛（ＰｂＴｉＯｌ）、β−ユークリプタイト（Ｌｉｚ
Ａｌ□Ｓｌｘ’ｓ） 、コージライト（ＭｇｚＡｌｎＳ
ｉｓＯ＋ｓ）、ジルコン（ＺｒＳｉ０４）、酸化スズ（
Ｓｎｏｗ）、ウイレマイト（ＺｎｚＳｉＯｓ）等を２０
〜４０Ｖｏ ｌχ添加混合すると共に、該混合粉末を９
５０〜１１００℃の温度で加熱溶融させることによって
製作される。このホウケイ酸鉛系のガラスはその熱膨張
係数が５０〜７０Ｘ１０−’／ ”Ｃである。
る封止用ガラス部材６は、例えばホウケイ酸鉛系ガラス
にフィラーを添加したものから成り、原料粉末としての
酸化鉛（ＰｂＯ）７０．０〜９０．０れ％、酸化ホウ素
（Ｂ、ｏ、 ）１２．０〜１３．０賀ｔ％、シリカ（５
ｉ（ｈ ）０．５〜３．ＯＷｔＸ及びフル１−（Ａｔｚ
ｏｓ）０．５〜３．０ ＷｔＸにフィラーとしてチタン
酸鉛（ＰｂＴｉＯｌ）、β−ユークリプタイト（Ｌｉｚ
Ａｌ□Ｓｌｘ’ｓ） 、コージライト（ＭｇｚＡｌｎＳ
ｉｓＯ＋ｓ）、ジルコン（ＺｒＳｉ０４）、酸化スズ（
Ｓｎｏｗ）、ウイレマイト（ＺｎｚＳｉＯｓ）等を２０
〜４０Ｖｏ ｌχ添加混合すると共に、該混合粉末を９
５０〜１１００℃の温度で加熱溶融させることによって
製作される。このホウケイ酸鉛系のガラスはその熱膨張
係数が５０〜７０Ｘ１０−’／ ”Ｃである。
前記封止用ガラス部材６はその熱膨張係数が５０〜７０
Ｘ１０−’／ ’Ｃであり、絶縁基体ｌ及び蓋体２の各
々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体ｌ及び蓋体
２の各々に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶
融させ一体化させることにより絶縁容器３内の半導体素
子４を気密に封止する際、絶縁基体ｌ及び蓋体２と封止
用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起
因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と
蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合するこ
とが可能となる。
Ｘ１０−’／ ’Ｃであり、絶縁基体ｌ及び蓋体２の各
々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体ｌ及び蓋体
２の各々に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶
融させ一体化させることにより絶縁容器３内の半導体素
子４を気密に封止する際、絶縁基体ｌ及び蓋体２と封止
用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起
因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と
蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合するこ
とが可能となる。
尚、前記封止用ガラス部材６はフィラーを添加したホウ
ケイ酸鉛系ガラスの粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加
して得たガラスペーストを従来周知の厚膜手法を採用す
ることによって絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主面
に被着形成される。
ケイ酸鉛系ガラスの粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加
して得たガラスペーストを従来周知の厚膜手法を採用す
ることによって絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主面
に被着形成される。
また前記封止用ガラス部材６はフィラーを添加したホウ
ケイ酸鉛系のガラスに限定されるものではなく、熱膨張
係数が５０〜７０Ｘ１０−’／ ’ｅの範囲のガラスで
あればいかなるものでも使用することができる。
ケイ酸鉛系のガラスに限定されるものではなく、熱膨張
係数が５０〜７０Ｘ１０−’／ ’ｅの範囲のガラスで
あればいかなるものでも使用することができる。
前記絶縁基体１と蓋体２との間には導電性材料から成る
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
前記外部リード端子５は絶縁基体１と蓋体２の相対向す
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体止さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時にｗＡ総基体１
と蓋体２との間に取着される。
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体止さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時にｗＡ総基体１
と蓋体２との間に取着される。
前記外部リード端子５は銅から成る板状体の上下面に、
該板状体の厚みに対し３０乃至４０％の厚みを有するニ
ッケル３１．５乃至３２．５Ｗｔ％、コバルト１６．５
乃至１７．．５ＷｔＸ 、鉄５０．０乃至５２．０Ｗｔ
Ｘ （７）合金から成るｔｉｔ ’ｒＦｉを接合させた
金属体から成り、その透磁率は約９３（ＣＧＳ） 、導
電率は６２．３χ（ＩＡＣＳ） 、熱膨張係数は約７１
ｘｌＯ−’／ ℃である。
該板状体の厚みに対し３０乃至４０％の厚みを有するニ
ッケル３１．５乃至３２．５Ｗｔ％、コバルト１６．５
乃至１７．．５ＷｔＸ 、鉄５０．０乃至５２．０Ｗｔ
Ｘ （７）合金から成るｔｉｔ ’ｒＦｉを接合させた
金属体から成り、その透磁率は約９３（ＣＧＳ） 、導
電率は６２．３χ（ＩＡＣＳ） 、熱膨張係数は約７１
ｘｌＯ−’／ ℃である。
尚、前記外部リード端子５は銅（Ｃｕ）の板状体の上下
面に二ソケルーコバルトー鉄合金（Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合
金）を圧接し、しかる後、これを圧延することによって
形成される。
面に二ソケルーコバルトー鉄合金（Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合
金）を圧接し、しかる後、これを圧延することによって
形成される。
また前記外部リード端子５はニッケル（Ｎｉ）、コバル
ト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）の量及び板状体と薄板の厚みが
上述の範囲を外れると外部リード端子５は透磁率が所望
する小さな値に、導電率が大きな値にならず、また熱膨
張係数が絶縁基体及び蓋体の熱膨張係数と合わなくなる
。そのため外部リード端子５は銅から成る板状体の上下
面に、該板状体の厚みに対し３０乃至４０％の厚みを有
するニッケル３１．５乃至３２．５ＷｔＸ、：Ｉ ハＪ
Ｌ／ ） １６．５乃至１７．５ＷｔＸ、鉄５０．０乃
至５２．０Ｗｔ％の合金から成る薄板を接合させた金属
体で形成したものに限定される。
ト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）の量及び板状体と薄板の厚みが
上述の範囲を外れると外部リード端子５は透磁率が所望
する小さな値に、導電率が大きな値にならず、また熱膨
張係数が絶縁基体及び蓋体の熱膨張係数と合わなくなる
。そのため外部リード端子５は銅から成る板状体の上下
面に、該板状体の厚みに対し３０乃至４０％の厚みを有
するニッケル３１．５乃至３２．５ＷｔＸ、：Ｉ ハＪ
Ｌ／ ） １６．５乃至１７．５ＷｔＸ、鉄５０．０乃
至５２．０Ｗｔ％の合金から成る薄板を接合させた金属
体で形成したものに限定される。
前記外部リード端子５はそのｉ３ｍ率が９３ （ＣＧＳ
）であり、ｉ３磁率が低いことから外部リード端子５に
電流が流れたとしても外部リード端子５中には大きな自
己インダクタンスが発生することはなく、その結果、前
記自己インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因
したノイズを極小となし、内部に収容する半導体素子４
を常に正常に作動させることができる。
）であり、ｉ３磁率が低いことから外部リード端子５に
電流が流れたとしても外部リード端子５中には大きな自
己インダクタンスが発生することはなく、その結果、前
記自己インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因
したノイズを極小となし、内部に収容する半導体素子４
を常に正常に作動させることができる。
また前記外部リード端子５はその導電率が６２．３χ（
ＩＡＣＳ）以上であり、電気を流し易いことから外部リ
ード端子５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすこと
ができ、絶縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆
動させたとしても半導体素子４と外部電気回路との間に
おける信号の出し入れは常に安定、且つ確実となすこと
ができる。
ＩＡＣＳ）以上であり、電気を流し易いことから外部リ
ード端子５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすこと
ができ、絶縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆
動させたとしても半導体素子４と外部電気回路との間に
おける信号の出し入れは常に安定、且つ確実となすこと
ができる。
また同時に外部リード端子５の導電率が高いことから外
部リード端子５の線幅が細（なったとしても外部リード
端子５の電気抵抗を低（抑えることができ、その結果、
外部リード端子５における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子４に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に入力することができる。
部リード端子５の線幅が細（なったとしても外部リード
端子５の電気抵抗を低（抑えることができ、その結果、
外部リード端子５における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子４に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に入力することができる。
また更に前記外部リード端子５はその熱膨張係数が約７
１ｘｌＯ−’／ ℃であり、封止用ガラス部材６の熱膨
張係数と近似することから外部リード端子５を絶縁基体
ｌと蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定する
際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との間には
両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生するこ
とはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で強
固に固定することも可能となる。
１ｘｌＯ−’／ ℃であり、封止用ガラス部材６の熱膨
張係数と近似することから外部リード端子５を絶縁基体
ｌと蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定する
際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との間には
両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生するこ
とはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で強
固に固定することも可能となる。
かくして、この半導体素子収納用パッケージによれば絶
縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
ｌと蓋体２とを該絶縁基体工及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体止させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完成する。
縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
ｌと蓋体２とを該絶縁基体工及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体止させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完成する。
（発明の効果）
本発明の半導体素子収納用パンケージによれば、半導体
素子を収容するための絶縁容器を構成する絶縁基体及び
蓋体を酸化アルミニウム質焼結体で、外部リード端子を
銅から成る板状体の上下面に、該板状体の厚みに対し３
０７’ｌ至４０％の厚みを有するニッケル３１．５乃至
３２．５Ｗｔ％、コバルト１６．５乃至１７．５Ｗｔ％
、鉄５０．０乃至５２．（Ｅｔχの合金から成る薄板を
接合させた透磁率が約９３（ＣＧＳ） 、導電率が６２
．３χ（ＩＡＣＳ） 、熱膨張係数が約７１Ｘ１０−’
／ ｔの金属体で形成したことから外部リード端子に電
流を流したとしても該外部リード端子中に大きな自己イ
ンダクタンスが発生することはなく、その結果、前記自
己インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因した
ノイズを極小となし、内部に収容する半導体素子を常に
正常に作動させることが可能となる。
素子を収容するための絶縁容器を構成する絶縁基体及び
蓋体を酸化アルミニウム質焼結体で、外部リード端子を
銅から成る板状体の上下面に、該板状体の厚みに対し３
０７’ｌ至４０％の厚みを有するニッケル３１．５乃至
３２．５Ｗｔ％、コバルト１６．５乃至１７．５Ｗｔ％
、鉄５０．０乃至５２．（Ｅｔχの合金から成る薄板を
接合させた透磁率が約９３（ＣＧＳ） 、導電率が６２
．３χ（ＩＡＣＳ） 、熱膨張係数が約７１Ｘ１０−’
／ ｔの金属体で形成したことから外部リード端子に電
流を流したとしても該外部リード端子中に大きな自己イ
ンダクタンスが発生することはなく、その結果、前記自
己インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因した
ノイズを極小となし、内部に収容する半導体素子を常に
正常に作動させることが可能となる。
また外部リード端子の信号伝搬速度を掻めて速いものと
なすことができ、ｗＡ縁容器内に収容した半導体素子を
高速駆動させたとしても半導体素子と外部電気回路との
間における信号の出し入れを常に安定、且つ確実となす
ことが可能となる。
なすことができ、ｗＡ縁容器内に収容した半導体素子を
高速駆動させたとしても半導体素子と外部電気回路との
間における信号の出し入れを常に安定、且つ確実となす
ことが可能となる。
更に外部リード端子の線幅が細くなったとしても外部リ
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に入力することが可能となる。
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に入力することが可能となる。
また更に外部リード端子はその熱膨張係数が絶縁基体、
蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し
、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々
を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及
び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封
止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に
起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合す
ることも可能となる。
蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し
、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々
を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及
び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封
止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に
起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合す
ることも可能となる。
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。
Claims (1)
- 絶縁基体と蓋体とから成り、内部に半導体素子を収容す
るための空所を有する絶縁容器と、該容器内に収容され
る半導体素子を外部電気回路に接続するための外部リー
ド端子とから成る半導体素子収納用パッケージにおいて
、前記絶縁基体及び蓋体を酸化アルミニウム質焼結体で
、外部リード端子を銅から成る板状体の上下面に、該板
状体の厚みに対し３０乃至４０％の厚みを有するニッケ
ル３１．５乃至３２．５Ｗｔ％、コバルト１６．５乃至
１７．５Ｗｔ％、鉄５０．０乃至５２．０Ｗｔ％の合金
から成る薄板を接合させた金属体で形成したことを特徴
とする半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312726A JP2736461B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
| US07/573,406 US5057905A (en) | 1989-08-25 | 1990-08-24 | Container package for semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312726A JP2736461B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173155A true JPH03173155A (ja) | 1991-07-26 |
| JP2736461B2 JP2736461B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=18032685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312726A Expired - Lifetime JP2736461B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2736461B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629449A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-04 | Hitachi Metals Ltd | リードフレーム用部材 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851405A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-26 | 京セラ株式会社 | 電気絶縁性炭化珪素焼結体の製法 |
| JPS58130546A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-08-04 | Ibiden Co Ltd | 炭化珪素質基板およびその製造方法 |
| JPS5916353A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リ−ドフレ−ム |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1312726A patent/JP2736461B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851405A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-26 | 京セラ株式会社 | 電気絶縁性炭化珪素焼結体の製法 |
| JPS58130546A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-08-04 | Ibiden Co Ltd | 炭化珪素質基板およびその製造方法 |
| JPS5916353A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リ−ドフレ−ム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629449A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-04 | Hitachi Metals Ltd | リードフレーム用部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2736461B2 (ja) | 1998-04-02 |
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